本申请实施例涉及半导体制造，尤其涉及一种修整器的控制方法、修整器的控制装置、电子设备及存储介质。
背景技术：
1、化学机械抛光（chemical mechanical polishing , cmp）是一种全局平坦化的超精密表面加工技术。在抛光过程中，为保证抛光垫具有良好的表面特性、抛光垫表面沟槽能够符合工艺要求，高效稳定地去除待抛光材料，需要使用修整器对抛光垫表面进行修整处理。修整器的底部配置修整盘，修整盘的底面镶嵌有金刚石颗粒，修整器给予修整盘一个下压力和旋转力矩，修整盘在抛光垫表面相对运动，以修整抛光垫表面。
2、目前，现有技术仅探究了修整器对抛光垫的修整方案与抛光垫之间的对应关系，缺少修整器对抛光垫的修整方案与晶圆之间的直接对应关系。
3、但是，由于受耗材和制程影响，修整器对抛光垫的修整方案与晶圆之间的对应关系尚不明确，通过调控修整器对抛光垫的修整方案使对晶圆抛光时符合晶圆平坦化工艺要求难度较大，成本较高。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例提供一种修整器的控制方法、修整器的控制装置、电子设备及存储介质，以至少部分解决上述问题。
2、根据本申请实施例的第一方面，提供了一种修整器的控制方法，所述修整器用于修整晶圆抛光使用的抛光垫，所述方法包括：确定所述抛光垫上抛光垫区域对所述晶圆上晶圆区域的抛光影响值，其中，所述抛光影响值用于指示所述抛光垫区域对所述晶圆区域的抛光作用强度；根据所述抛光影响值，确定所述修整器针对所述抛光垫区域的目标调整比重，其中，所述修整器针对所述抛光垫区域的调整比重，用于指示所述修整器修整所述抛光垫区域的耗时与所述修整器修整所述抛光垫的总耗时的比值；根据所述目标调整比重，控制所述修整器在所述抛光垫区域的停留时间。
3、根据本申请实施例的第二方面，提供了一种修整器的控制装置，所述修整器用于修整晶圆抛光使用的抛光垫，所述装置包括：第一确定单元，用于确定所述抛光垫上抛光垫区域对所述晶圆上晶圆区域的抛光影响值，其中，所述抛光影响值用于指示所述抛光垫区域对所述晶圆区域的抛光作用强度；第二确定单元，用于根据所述抛光影响值，确定所述修整器针对所述抛光垫区域的目标调整比重，其中，所述修整器针对所述抛光垫区域的调整比重，用于指示所述修整器修整所述抛光垫区域的耗时与所述修整器修整所述抛光垫的总耗时的比值；控制单元，用于根据所述目标调整比重，控制所述修整器在所述抛光垫区域的停留时间。
4、根据本申请实施例的第三方面，提供了一种电子设备，包括：处理器、存储器、通信接口和通信总线，所述处理器、所述存储器和所述通信接口通过所述通信总线完成相互间的通信；所述存储器用于存放至少一可执行指令，所述可执行指令使所述处理器执行如第一方面所述的方法对应的操作。
5、根据本申请实施例的第四方面，提供了一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如第一方面所述的方法。
6、根据本申请实施例的第五方面，提供了一种计算机程序产品，包括计算机指令，所述计算机指令指示计算设备执行如第一方面所述的方法。
7、根据本申请实施例提供的修整器的控制方法，根据抛光垫上抛光垫区域对晶圆上晶圆区域的抛光影响值，确定修整器在抛光垫区域的停留时间，由此可以控制修整器对抛光垫区域修整，由于通过晶圆和抛光垫之间影响关系确定修整器在抛光垫区域的停留时间，因此在确定修整器在抛光垫区域的停留时间时考虑晶圆因素，修整器通过确定出的停留时间对抛光垫修整后，可以使修整后的抛光垫对晶圆抛光时的晶圆平坦化工艺符合要求，降低了成本。
1.一种修整器的控制方法，所述修整器用于修整晶圆抛光使用的抛光垫，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定所述抛光垫上抛光垫区域对所述晶圆上晶圆区域的抛光影响值，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述确定相交概率，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一抛光速率、所述第二抛光速率和所述相交概率，确定所述抛光影响值，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述抛光影响值，确定所述修整器针对所述抛光垫区域的目标调整比重，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述抛光影响值和每个晶圆区域的预设去除厚度，计算调整比重差值，包括：
7.一种修整器的控制装置，所述修整器用于修整晶圆抛光使用的抛光垫，其特征在于，所述装置包括：
8.一种电子设备，包括：处理器、存储器、通信接口和通信总线，所述处理器、所述存储器和所述通信接口通过所述通信总线完成相互间的通信；
9.一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如权利要求1-6中任一所述的修整器的控制方法。
10.一种计算机程序产品，其特征在于，包括计算机指令，所述计算机指令指示计算设备执行如权利要求1-6中任一所述的修整器的控制方法。
