1.本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种在光学邻近效应修正后自动修正未收敛区域的方法。
背景技术：2.在传统的opc方法中，在执行完光学邻近效应修正后,会紧接着模拟检查潜在的风险,以及没有收敛的区域,传统方法需要在得到验证结果后,人工辨认特定环境给予特定的修复量,此作法除了存在辨认错误的风险,且需要大量时间编程,大幅降低了生产效率。
3.因此，需要提出一种新的方法来解决上述问题。
技术实现要素：4.鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种在光学邻近效应修正后自动修正未收敛区域的方法，用于解决现有技术的opc修正中，在进行验证后人工修正导致存在辨认错误的风险以及费时费力的问题。
5.为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种在光学邻近效应修正后自动修正未收敛区域的方法，至少包括：
6.步骤一、提供目标图层，对所述目标图层进行常规opc修正，得到修正图层；
7.步骤二、以所述修正图层中图形的关键尺寸为指标，检查所述修正图层中图形的单边误差，对超出所述单边误差范围的所述图形按照误差的范围进行分类，划分为不同的区间；
8.步骤三、对每个所述不同的区间内的所述图形进行修复；
9.步骤四、重复步骤二至步骤三，直至所述修正图层中所有经修复后的图形在单边误差范围内为止。
10.优选地，步骤一中的所述目标图层是由原始的设计图形基于规则进行修正后得到。
11.优选地，步骤二中检查所诉修正图层中图形的单边误差的方法为通过软件计算的方法自动检查。
12.优选地，步骤二中的所述误差范围为1nm～5nm。
13.优选地，步骤二中划分为四个不同的区间：第一至第四区间，其中所述第一区间的范围为1nm～2nm；所述第二区间的范围为2nm～3nm；所述第三区间的范围为3nm～4nm；所述第四区间的范围为4nm～5nm。
14.优选地，该方法还包括步骤五、对经过修复后的图形进行opc验证，若符合修复要求则形成最终的光罩图形；若不符合修复要求，则返回步骤二继续执行，直至符合修复要求为止。
15.如上所述，本发明的在光学邻近效应修正后自动修正未收敛区域的方法，具有以下有益效果：本发明可在得到验证结果前,先行处理单边误差未收敛的区域,使得后续验证
的结果能够更加快速准确的判断。
附图说明
16.图1显示为本发明中对超出单边误差范围的图形进行修复的版图示意图；
17.图2显示为本发明中将现有技术中的图形的修复与本发明中进行单边误差修复后的时间与缺陷数的对比图；
18.图3显示为本发明的在光学邻近效应修正后自动修正未收敛区域的方法流程图。
具体实施方式
19.以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
20.请参阅图1至图3。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
21.本发明提供一种在光学邻近效应修正后自动修正未收敛区域的方法，如图3所示，图3显示为本发明的在光学邻近效应修正后自动修正未收敛区域的方法流程图，该方法至少包括以下步骤：
22.步骤一、提供目标图层，对所述目标图层进行常规opc修正，得到修正图层；
23.本发明进一步地，本实施例的步骤一中的所述目标图层是由原始的设计图形基于规则进行修正后得到。也就是说，该步骤一中的所述目标图层是基于原始设计图形，而原始设计图形没有经过版图设计规则的处理，因此，将所述原始设计图形作基于规则的修正，得到符合设计规则的版图，也就是得到该步骤一中的所述修正图层。所述修正图层上包含了符合设计规则的所述原始设计图形，将所述原始设计图形布局在一个图层(layer)上，并符合版图的设计规则，因此就得到所述修正图层。
24.步骤二、以所述修正图层中图形的关键尺寸为指标，检查所述修正图层中图形的单边误差，对超出所述单边误差范围的所述图形按照误差的范围进行分类，划分为不同的区间；
25.本发明进一步地，本实施例的步骤二中检查所诉修正图层中图形的单边误差的方法为通过软件计算的方法自动检查。
26.本发明进一步地，本实施例的步骤二中的所述误差范围为1nm～5nm。
27.本发明进一步地，本实施例的步骤二中划分为四个不同的区间：第一至第四区间，其中所述第一区间的范围为1nm～2nm；所述第二区间的范围为2nm～3nm；所述第三区间的范围为3nm～4nm；所述第四区间的范围为4nm～5nm。
28.也就是说，该步骤二中以所述修正图层中图形的关键尺寸为指标，即需要将所述修正图层中图形的关键尺寸进行修正，使其不超过所规定的误差的范围。检查所述修正图层中图形的单边误差，本实施例中检查所诉修正图层中图形的单边误差的方法为通过软件
计算的方法自动检查，对超出所述单边误差范围的所述图形按照误差的范围进行分类，划分为不同的区间；其中本实施例的所述误差范围为1nm～5nm，将其划分为四个不同的区间：第一至第四区间，其中所述第一区间的范围为1nm～2nm；所述第二区间的范围为2nm～3nm；所述第三区间的范围为3nm～4nm；所述第四区间的范围为4nm～5nm。
29.步骤三、对每个所述不同的区间内的所述图形进行修复；如图1所示，图1显示为本发明中对超出单边误差范围的图形进行修复的版图示意图。例如，其中两个图形的关键尺寸超出所述误差范围，将其中一个图形的一条边向外推出0.1nm；将另一个图形的一条边向外推出0.2nm。修复后所述图形的单边误差在允许的误差范围内。
30.步骤四、重复步骤二至步骤三，直至所述修正图层中所有经修复后的图形在单边误差范围内为止。也就是说，步骤四中将经过一次单边误差修复后的图形再次进行步骤二中的对超出所述单边误差范围的所述图形按照误差的范围进行分类，划分为不同的区间，之后执行步骤三：对每个所述不同的区间内的所述图形进行修复。如此反复进行，直到所述修正图层中所有经修复后的图形在单边误差范围内为止。
31.本发明进一步地，本实施例的该方法还包括步骤五、对经过修复后的图形进行opc验证，若符合修复要求则形成最终的光罩图形；若不符合修复要求，则返回步骤二继续执行，直至符合修复要求为止。
32.如图2所示，图2显示为本发明中将现有技术中的图形的修复与本发明中进行单边误差修复后的时间与缺陷数的对比图。由此可知，本发明中经过单边误差修复后，出现在单边误差范围外的图形数量大幅度降低。传统的方式需要在得到验证结果后,人工辨认特定环境给予特定的修复量,除存在辨认错误的风险,且需要大量时间编程,不同于传统方式,本实施例可在得到验证结果前,先行处理未收敛的区域,使得后续验证的结果能够更加快速准确的判断。
33.综上所述，本发明可在得到验证结果前,先行处理单边误差未收敛的区域,使得后续验证的结果能够更加快速准确的判断。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
34.上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
技术特征：1.一种在光学邻近效应修正后自动修正未收敛区域的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供目标图层，对所述目标图层进行常规opc修正，得到修正图层；步骤二、以所述修正图层中图形的关键尺寸为指标，检查所述修正图层中图形的单边误差，对超出所述单边误差范围的所述图形按照误差的范围进行分类，划分为不同的区间；步骤三、对每个所述不同的区间内的所述图形进行修复；步骤四、重复步骤二至步骤三，直至所述修正图层中所有经修复后的图形在单边误差范围内为止。2.根据权利要求1所述的在光学邻近效应修正后自动修正未收敛区域的方法，其特征在于：步骤一中的所述目标图层是由原始的设计图形基于规则进行修正后得到。3.根据权利要求1所述的在光学邻近效应修正后自动修正未收敛区域的方法，其特征在于：步骤二中检查所诉修正图层中图形的单边误差的方法为通过软件计算的方法自动检查。4.根据权利要求3所述的在光学邻近效应修正后自动修正未收敛区域的方法，其特征在于：步骤二中的所述误差范围为1nm～5nm。5.根据权利要求4所述的在光学邻近效应修正后自动修正未收敛区域的方法，其特征在于：步骤二中划分为四个不同的区间：第一至第四区间，其中所述第一区间的范围为1nm～2nm；所述第二区间的范围为2nm～3nm；所述第三区间的范围为3nm～4nm；所述第四区间的范围为4nm～5nm。6.根据权利要求1所述的在光学邻近效应修正后自动修正未收敛区域的方法，其特征在于：该方法还包括步骤五、对经过修复后的图形进行opc验证，若符合修复要求则形成最终的光罩图形；若不符合修复要求，则返回步骤二继续执行，直至符合修复要求为止。
技术总结本发明提供一种在光学邻近效应修正后自动修正未收敛区域的方法，提供目标图层，对目标图层进行常规OPC修正，得到修正图层；以修正图层中图形的关键尺寸为指标，检查修正图层中图形的单边误差，对超出单边误差范围的图形按照误差的范围进行分类，划分为不同的区间；对每个不同的区间内的所述图形进行修复；重复划分误差范围并继续修复，直至所述修正图层中所有经修复后的图形在单边误差范围内为止。本发明可在得到验证结果前,先行处理单边误差未收敛的区域,使得后续验证的结果能够更加快速准确的判断。确的判断。确的判断。
技术研发人员：陈宪宏 曾鼎程
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2022.07.20
技术公布日：2022/11/1
