本发明涉及光刻领域，特别涉及一种opc模型的建立方法和装置、光学邻近修正方法和设备、存储介质。
背景技术：
1、在半导体制造过程中，为将集成电路(integrated circuit,ic)的电路图案转移至半导体芯片上，需将集成电路的电路图案设计为掩膜版图案，再将掩膜版图案从掩膜版表面转移至半导体芯片。
2、随着集成电路特征尺寸(critical dimension,cd)的缩小，以及受到曝光机台(optical exposure tool,oet)的分辨率极限(resolution limit)的影响，在对高密度排列的掩膜版图案进行曝光制程以进行图案转移时，便很容易产生光学邻近效应(opticalproximity effect,ope)，使掩膜板图形转移出现缺陷。针对光学邻近效应的问题，目前业界普遍采用的一种方法为光学邻近修正(optical proximity correction，opc)，其通过改变原始版图图形的形状来减小曝光所获得的光刻图形的偏差。
3、一种光学邻近修正方法是基于模型开展修正，而这种修正方法的关键是建立精确的opc模型，但是现有方法所建立的opc模型往往存在误差(error)大的问题。
技术实现思路
1、本发明解决的问题是如何降低opc模型的误差。
2、为解决上述问题，本发明提供一种opc模型的建立方法，包括：
3、形成半导体结构，所述半导体结构具有经刻蚀层；通过量测机台，对所述经刻蚀层进行量测，获得刻蚀后量测值；将所述刻蚀后量测值转换为对应的显影后量测值；根据所述显影后量测值，建立opc模型。
4、可选的，通过量测机台，对所述经刻蚀层进行量测，获得刻蚀后量测值的步骤中，所述量测机台为特征尺寸扫描电子显微镜。
5、可选的，将所述刻蚀后量测值转换为对应的显影后量测值的步骤中，根据全局偏差，将所述刻蚀后量测值转换为对应的显影后量测值，其中所述全局偏差为所述刻蚀后量测值与所述显影后量测值的差值。
6、可选的，还包括：通过量测机台，对所述经刻蚀层进行量测，获得刻蚀后量测值之后，将所述刻蚀后量测值转换为对应的显影后量测值之前，清除所获得刻蚀后量测值中的无效数据。
7、可选的，还包括：根据所述显影后量测值，建立opc模型之后，对所述opc模型进行验证。
8、可选的，形成半导体结构的步骤包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成光刻胶；对所述光刻胶图形化，形成图形化的光刻胶；以所述图形化的光刻胶为掩模，对所述待刻蚀层进行刻蚀，形成所述经刻蚀层。
9、相应的，本发明还提供一种光学临近修正方法，包括：
10、获得设计版图；建立opc模型，所述opc模型为本发明的建立方法建立；利用所述opc模型，对所述设计版图进行修正，获得流片版图。
11、可选的，获得设计版图的步骤中，所述设计版图为接触孔层的设计版图。
12、此外，本发明还提供一种opc模型的建立装置，包括：
13、工艺单元，所述工艺单元适宜于形成半导体结构，所述半导体结构具有经刻蚀层；量测单元，所述量测单元适宜于对所述经刻蚀层进行量测，获得刻蚀后量测值；转换单元，所述转换单元适宜于将所述刻蚀后量测值转换为对应的显影后量测值；建模单元，所述建模单元适宜于根据所述显影后量测值，建立opc模型。
14、可选的，所述量测单元包括：特征尺寸扫描电子显微镜。
15、可选的，所述转换单元根据全局偏差，将所述刻蚀后量测值转换为对应的显影后量测值，其中所述全局偏差为所述刻蚀后量测值与所述显影后量测值的差值。
16、可选的，还包括：清除单元，所述清除单元适宜于清除所获得刻蚀后量测值中的无效数据。
17、可选的，还包括：验证单元，所述验证单元适宜于对所述opc模型进行验证。
18、相应的，本发明还提供一种光学邻近修正设备，包括：
19、建立装置，所述建立装置适宜于建立opc模型，所述建立装置为本发明的建立装置；获取装置，所述获取装置适宜于获取设计版图；修正装置，所述修正装置适宜于利用所述opc模型，对所述设计版图进行修正，获得流片版图。
20、可选的，所述获取装置所获取的设计版图为接触孔层的设计版图。
21、此外，本发明还提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行，以实现本发明建立方法的步骤。
22、与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
23、本发明技术方案中，通过量测机台对经刻蚀层进行量测，从而获得刻蚀后量测值；将所述刻蚀后量测值转换为对应的显影后量测值后，再基于所述显影后量测值，建立opc模型。所述经刻蚀层中图形的轮廓清晰度更高，量测机台所获得的刻蚀后量测值准确度更高、精度更高，以刻蚀后量测值转换而得的显影后量测值为基础所建立的opc模型的误差更小、精度更高，有利于降低光学邻近修正方法的误差，提高修正精度。
1.一种opc模型的建立方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的建立方法，其特征在于，通过量测机台，对所述经刻蚀层进行量测，获得刻蚀后量测值的步骤中，所述量测机台为特征尺寸扫描电子显微镜。
3.如权利要求1所述的建立方法，其特征在于，将所述刻蚀后量测值转换为对应的显影后量测值的步骤中，根据全局偏差，将所述刻蚀后量测值转换为对应的显影后量测值，其中所述全局偏差为所述刻蚀后量测值与所述显影后量测值的差值。
4.如权利要求1所述的建立方法，其特征在于，还包括：
5.如权利要求1所述的建立方法，其特征在于，还包括：根据所述显影后量测值，建立opc模型之后，对所述opc模型进行验证。
6.如权利要求1所述的建立方法，其特征在于，形成半导体结构的步骤包括：提供待刻蚀层；
7.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获得设计版图的步骤中，所述设计版图为接触孔层的设计版图。
9.一种opc模型的建立装置，其特征在于，包括：
10.如权利要求9所述的建立装置，其特征在于，所述量测单元包括：特征尺寸扫描电子显微镜。
11.如权利要求9所述的建立装置，其特征在于，所述转换单元根据全局偏差，将所述刻蚀后量测值转换为对应的显影后量测值，其中所述全局偏差为所述刻蚀后量测值与所述显影后量测值的差值。
12.如权利要求9所述的建立装置，其特征在于，还包括：清除单元，所述清除单元适宜于清除所获得刻蚀后量测值中的无效数据。
13.如权利要求9所述的建立装置，其特征在于，还包括：验证单元，所述验证单元适宜于对所述opc模型进行验证。
14.一种光学邻近修正设备，其特征在于，包括：
15.如权利要求14所述的光学邻近修正设备，其特征在于，所述获取装置所获取的设计版图为接触孔层的设计版图。
16.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行，以实现权利要求1至6任一项所述方法的步骤。
