本发明涉及磁记忆检测仪检测调控领域，特别是一种磁记忆检测仪的检测流畅性调控方法及系统。
背景技术：
1、磁记忆检测仪是一种基于磁记忆检测原理的无损检测设备，主要用于检测金属结构件中的表面和近表面缺陷。这种检测技术利用磁性材料的磁性特性，通过磁场分布的变化来识别金属结构件中的缺陷。其中，检测技术主要基于磁性特性的磁记忆效应，具体来说，当金属块等结构处于磁场环境中并受到工作载荷的作用时，其内部会发生具有磁致伸缩性质的磁畴组织定向和不可逆的重新取向。这种变化在应力与变形集中区尤为显著，导致形成最大的漏磁场hp的变化。这种磁状态的不可逆变化在工作载荷消除后仍然保留，因此可以通过检测漏磁场的变化来推断工件的应力集中区，即缺陷位置。在磁记忆检测仪运行期间，如果其检测流畅性不足，则会影响检测效果，比如推断得到的工件的应力集中区可能会错误或者推断时间延迟，不利于对工件进行缺陷定位，影响缺陷修正的时间，所以需要对磁记忆检测仪进行检测流畅性分析和调控。
技术实现思路
1、本发明克服了现有技术的不足，提供了一种磁记忆检测仪的检测流畅性调控方法及系统。
2、为达到上述目的，本发明采用的技术方案为：
3、本发明第一方面提供了一种磁记忆检测仪的检测流畅性调控方法，包括以下步骤：
4、对目标磁记忆检测仪进行设备检测准备效果核查，并基于设备检测准备效果核查结果，对目标磁记忆检测仪进行设备校准，得到合格磁记忆检测仪；
5、获取缺陷状态已知的金属块样品，并根据缺陷状态已知的金属块样品的缺陷状态，预设合格磁记忆检测仪的基准检测参数；
6、通过一类磁记忆检测仪对目标金属块样品进行缺陷检测，并验证缺陷检测结果的准确性，最后基于缺陷检测结果的准确性对一类磁记忆检测仪进行调整；
7、对一类合格磁记忆检测仪的检测流畅性进行分析，并基于检测流畅性分析结果对一类合格刺激与检测仪的检测流畅性进行调控优化。
8、进一步的，本发明的一个较佳实施例中，所述对目标磁记忆检测仪进行设备检测准备效果核查，并基于设备检测准备效果核查结果，对目标磁记忆检测仪进行设备校准，得到合格磁记忆检测仪，具体为：
9、将需要进行检测流畅性分析的磁记忆检测仪标定为目标磁记忆检测仪，并对所述目标磁记忆检测仪进行有效证书核查，若目标磁记忆检测仪的有效证书上的有效使用期限大于目标刺激与检测仪的实际使用期限，则将所述目标磁记忆检测仪标定为使用期限合格磁记忆检测仪；
10、获取所述期限合格磁记忆检测仪的供电电池，标定为目标供电电池，获取目标供电电池的使用说明书，并基于所述目标供电电池的使用说明书，获取可以维持期限合格磁记忆检测仪处于工作状态的最低电池电量阈值，标定为目标电池电量阈值；
11、计算目标供电电池的实时电池电量，并判断目标供电电池的实时电池电量是否在目标电池电量阈值内，若否，则需要在期限合格磁记忆检测仪内对目标供电电池进行充电处理，使目标供电电池的实时电池电量维持在目标电池电量阈值内，得到电量合格供电电池，并对供电电池为电量合格供电电池的期限合格磁记忆检测仪标定为合格磁记忆检测仪。
12、进一步的，本发明的一个较佳实施例中，所述获取缺陷状态已知的金属块样品，并根据缺陷状态已知的金属块样品的缺陷状态，预设合格磁记忆检测仪的基准检测参数，具体为：
13、获取缺陷状态已知的金属块样品，标定为目标金属块样品，其中，目标金属块样品的缺陷状态包括缺陷大小、缺陷种类以及缺陷位置；
14、预设合格磁记忆检测仪对目标金属块样品进行缺陷扫描的位置，标定为扫描区域，在所述扫描区域内，安装磁场生成设备，同时在扫描区域内通过磁场生成设备向目标金属块样品表面施加恒定磁场，得到目标磁化金属块样品；
15、基于目标金属块样品的缺陷状态，在目标磁化金属块样品表面确定并标记磁痕的标准位置，标定为标准磁痕位置，同时记录目标磁化金属块样品表面的实时磁场强度以及磁场强度变化时间；
16、获取合格磁记忆检测仪的使用说明书，并在所述合格磁记忆检测仪的使用说明书上获取合格磁记忆检测仪的磁场采集强度与磁场强度的对照表，标定为目标对照表；
17、基于所述目标对照表，选取与目标磁化金属块样品表面的实时磁场强度对应的合格磁记忆检测仪的磁场采集强度，标定为目标实时磁场采集强度，同时将目标磁化金属块样品表面的磁场强度变化时间标定为目标检测时间；
18、将目标检测时间以及目标实时磁场采集强度标定为合格磁记忆检测仪的基准检测参数，在合格磁记忆检测仪内将检测参数设置为基准检测参数，得到一类磁记忆检测仪；
19、其中，在合格磁记忆检测仪内将检测参数设置为基准检测参数的方法为在合格磁记忆检测仪内，将合格磁记忆检测仪的工作时间设置为目标检测时间，并在目标检测时间内将合格磁记忆检测仪的实时磁场采集强度设置为目标实时磁场采集强度。
20、进一步的，本发明的一个较佳实施例中，所述通过一类磁记忆检测仪对目标金属块样品进行缺陷检测，并验证缺陷检测结果的准确性，最后基于缺陷检测结果的准确性对一类磁记忆检测仪进行调整，具体为：
21、在扫描区域内，通过磁场生成设备对目标金属块样品向目标金属块样品表面再次施加恒定磁场，得到二次磁化金属块样品，同时在扫描区域内运行一类磁记忆检测仪；
22、其中，所述运行一类磁记忆检测仪为在二次磁化金属块样品上确定扫描原点，以扫描原点为起点，通过运行一类磁记忆检测仪对二次磁化金属块样品进行表面扫描，并在表面扫描过程中，记录由一类磁记忆检测仪得到二次磁化金属块样品表面不同位置的磁场强度；
23、运行一类磁记忆检测仪后，对由一类磁记忆检测仪得到计算得到的二次磁化金属块样品表面不同位置的磁场强度进行分析，并获取所有磁场强度不在预设阈值内的二次磁化金属块样品表面的对应位置的坐标，生成检测磁痕位置；
24、计算检测磁痕位置与标准磁痕位置的重合率，标定为磁痕重合率，预设磁痕重合率标准阈值，若磁痕重合率维持在磁痕重合率标准阈值内，则将所述一类磁记忆检测仪标定为一类合格磁记忆检测仪；
25、若磁痕重合率不维持在磁痕重合率标准阈值内，则在扫描区域内装设外界磁场干扰屏蔽设备，并在一类磁记忆检测仪运行期间在扫描区域内运行所述外界磁场干扰屏蔽设备；
26、若外界磁场干扰屏蔽设备运行时，磁痕重合率仍不维持在磁痕重合率标准阈值内，则将一类合格磁记忆检测仪标定为一类不合格磁记忆检测仪，获取一类不合格磁记忆检测仪内用于扫描二次磁化金属块样品的传感器，标定为磁记忆检测传感器，并对所述磁记忆传感器进行更换处理，使基于一类不合格磁记忆检测仪得到的磁痕重合率维持在磁痕重合率标准阈值内，得到一类合格磁记忆检测仪。
27、进一步的，本发明的一个较佳实施例中，所述对一类合格磁记忆检测仪的检测流畅性进行分析，并基于检测流畅性分析结果对一类合格刺激与检测仪的检测流畅性进行调控优化，具体为：
28、在一类合格磁记忆检测仪运行时，计算一类合格磁记忆检测仪在扫描二次磁化金属块上不同点时对应的实时覆盖程度，并预设一类合格磁记忆检测仪在扫描二次磁化金属块上不同点时对应在对应的标准覆盖程度阈值；
29、判断一类合格磁记忆检测仪在扫描二次磁化金属块上不同点时对应的实时覆盖程度是否均维持在标准覆盖程度阈值内，若是，则将所述一类合格磁记忆检测仪标定为检测流畅性合格磁记忆检测仪；
30、若否，则将一类合格磁记忆检测仪标定为二类磁记忆检测仪，并将实时覆盖程度不维持在标准覆盖程度的对应的二次磁化金属块的点标定为扫描覆盖异常点；
31、基于所有的扫描覆盖异常点，对二类磁记忆检测仪进行缺陷溯源，并基于缺陷溯源结果对二类磁记忆检测仪进行检测流畅性调控优化。
32、进一步的，本发明的一个较佳实施例中，所述基于所有的扫描覆盖异常点，对二类磁记忆检测仪进行缺陷溯源，并基于缺陷溯源结果对二类磁记忆检测仪进行检测流畅性调控优化，具体为：
33、获取二类磁记忆检测仪对二次磁化金属块进行扫描时，扫描至扫描覆盖异常点时二类磁记忆检测仪的实时检测参数是否等于基准检测参数；
34、其中，判断二类磁记忆检测仪的实时检测参数是否等于基准检测参数的方法为判断二类磁记忆检测仪在扫描至扫描覆盖异常点时，二类磁记忆检测仪的实时磁场采集强度是否等于目标实时磁场采集强度；
35、若否，则在二类磁记忆检测仪中对实时磁场采集强度进行智能调控，使二类磁记忆检测仪扫描二次磁化金属块上所有点时的实时磁场采集强度均等于目标磁场采集强度；
36、若二类磁记忆检测仪扫描二次磁化金属块上所有点时的实时磁场采集强度均等于目标磁场采集强度，但仍存在扫描覆盖异常点，则在二类磁记忆检测仪的实时检测参数中的检测时间进行实时调控，使二类磁记忆检测仪扫描二次磁化金属块上所有点使不存在扫描覆盖异常点，得到检测流畅性合格磁记忆检测仪。
37、本发明第二方面还提供了一种磁记忆检测仪的检测流畅性调控系统，所述检测流畅性调控系统包括存储器与处理器，所述存储器中储存有检测流畅性调控方法，所述检测流畅性调控方法被所述处理器执行时，实现如下步骤：
38、对目标磁记忆检测仪进行设备检测准备效果核查，并基于设备检测准备效果核查结果，对目标磁记忆检测仪进行设备校准，得到合格磁记忆检测仪；
39、获取缺陷状态已知的金属块样品，并根据缺陷状态已知的金属块样品的缺陷状态，预设合格磁记忆检测仪的基准检测参数；
40、通过一类磁记忆检测仪对目标金属块样品进行缺陷检测，并验证缺陷检测结果的准确性，最后基于缺陷检测结果的准确性对一类磁记忆检测仪进行调整；
41、对一类合格磁记忆检测仪的检测流畅性进行分析，并基于检测流畅性分析结果对一类合格刺激与检测仪的检测流畅性进行调控优化。
42、本发明解决的背景技术中存在的技术缺陷，本发明具备以下有益效果：对磁记忆检测仪进行充分的检测准备工作，使其能够对缺陷状态已知的金属块样品进行缺陷检测，并在缺陷检测过程中分别对磁记忆检测仪的检测准确性和流畅性进行分析调控，得到合格的磁记忆检测仪。本发明能够通过磁记忆检测仪对缺陷状态已知金属块样品进行检测，反推磁记忆检测仪的检测准确性和流畅性，实现磁记忆检测仪调控的目的，显著提高磁记忆检测仪在检测过程中的效率。
1.一种磁记忆检测仪的检测流畅性调控方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1中所述的一种磁记忆检测仪的检测流畅性调控方法，其特征在于，所述对目标磁记忆检测仪进行设备检测准备效果核查，并基于设备检测准备效果核查结果，对目标磁记忆检测仪进行设备校准，得到合格磁记忆检测仪，具体为：
3.根据权利要求1中所述的一种磁记忆检测仪的检测流畅性调控方法，其特征在于，所述获取缺陷状态已知的金属块样品，并根据缺陷状态已知的金属块样品的缺陷状态，预设合格磁记忆检测仪的基准检测参数，具体为：
4.根据权利要求1中所述的一种磁记忆检测仪的检测流畅性调控方法，其特征在于，所述通过一类磁记忆检测仪对目标金属块样品进行缺陷检测，并验证缺陷检测结果的准确性，最后基于缺陷检测结果的准确性对一类磁记忆检测仪进行调整，具体为：
5.根据权利要求1中所述的一种磁记忆检测仪的检测流畅性调控方法，其特征在于，所述对一类合格磁记忆检测仪的检测流畅性进行分析，并基于检测流畅性分析结果对一类合格刺激与检测仪的检测流畅性进行调控优化，具体为：
6.根据权利要求5中所述的一种磁记忆检测仪的检测流畅性调控方法，其特征在于，所述基于所有的扫描覆盖异常点，对二类磁记忆检测仪进行缺陷溯源，并基于缺陷溯源结果对二类磁记忆检测仪进行检测流畅性调控优化，具体为：
7.一种磁记忆检测仪的检测流畅性调控系统，其特征在于，所述检测流畅性调控系统包括存储器与处理器，所述存储器中储存有检测流畅性调控方法程序，当所述检测流畅性调控方法程序被所述处理器执行时，实现如权利要求1-6任一项所述的检测流畅性调控方法步骤：
