本技术涉及半导体加工设备，尤其是涉及一种半导体加工清理系统及方法。
背景技术：
1、半导体材料是集成电路以及半导体器件的主要加工材料，尤其是半导体陶瓷器件具有较好的导热率、耐高温以及优良的绝缘性能。
2、相关技术中，在对半导体陶瓷进行开孔、打磨等相关加工时，通常利用加工中心进行精确的加工控制，在对半导体陶瓷进行加工时产生的废屑会遗落在加工台上，加工中心内通常设置有相应的磁吸附清理系统，以对常见的磁性金属废屑进行回收，对于非磁性金属废屑通常由工作人员根据观察进行清理。
3、针对上述中的相关技术，半导体陶瓷在加工过程中产生的废屑进行回收时，难以通过磁吸附的方式进行清理和回收，使得人员需要不定期进行手动清理，较为繁琐。
技术实现思路
1、为了便于半导体陶瓷器件进行加工时，不需要人员进行不定期进行清理回收，本技术提供一种半导体加工清理系统及方法。
2、第一方面，本技术提供一种半导体加工清理系统，采用如下的技术方案：
3、一种半导体加工清理系统，包括：
4、加工参数分析模块，采集半导体器件图像进行分析以确定半导体加工参数；
5、废屑区域分析模块，根据半导体加工参数进行分析以确定加工时的废屑预设分布区域；
6、清理模式匹配模块，对废屑预设分布区域进行废屑增加速度分析，以匹配根据废屑清理模式并发出清理提示；
7、废屑清理模块，根据废屑清理提示以废屑清理模式对废屑预设分布区域进行半导体陶瓷废屑回收。
8、通过采用上述技术方案，废屑清理模块根据半导体加工参数进行加工时，废屑所分布的废屑预设分布区域进行废屑增加速度进行分析，并匹配对应的清理模式自动对非磁性的半导体陶瓷废屑进行回收，从而不需要人员手动进行清理回收，减少工作人员的劳动量，且有助于及时将不同加工件的废屑材料进行回收，减少浪费。
9、第二方面，本技术提供半导体加工清理方法，采用如下的技术方案：
10、一种半导体加工清理方法，包括：
11、采集待加工半导体图像进行分析以确定工件样式，并匹配对应工件样式的半导体加工参数；
12、根据半导体加工参数进行加工分析，以确定加工时形成的废屑预设分布区域；
13、对废屑预设分布区域进行持续图像采集并分析，以确定废屑预设分布区域中的废屑增加速度；
14、根据废屑增加速度匹配对应的废屑清理模式并发出清理提示；
15、指示预设的清理装置按照废屑清理模式对废屑预设分布区域进行废屑清理回收。
16、通过采用上述技术方案，对半导体工件进行加工时的参数分析，并分析对应废屑预设分布区域中的废屑增加速度，从而匹配合适清理对应废屑增加速度的清理模式进行非磁性半导体器件的废屑回收，使得人员不需要不定期进行手动废屑清理回收，减少工作人员的劳动量，及时完成不同工件的废屑回收和利用。
17、可选的，根据废屑增加速度匹配对应的废屑清理模式时，包括：
18、比较以确定废屑增加速度是否大于预设的快速增长速度；
19、若小于，则发出清理模式匹配提示；
20、若大于，则分析废屑预设分布区域的图像以确定废屑分布参数，所述废屑分布参数包括分散区域位置以及分散区域数量；
21、基于废屑分散区域位置指示预设的废屑集中装置进行初步清理，直至分散区域数量低于预设的最小数量时，指示废屑集中装置停止清理。
22、通过采用上述技术方案，当废屑溅射的速度较快时使得废屑的增加速度较快，从而废屑容易形成多个不集中的分散区域，在废屑集中装置的初步清理调节下，使得多个分散区域中的废屑能够集中在一处，从而便于后续清理装置能够进行集中清理，增加清理效率。
23、所述废屑集中装置进行初步清理时包括：
24、采集半导体器件以不同加工步骤进行加工时的废屑散落图像进行分析，以确定废屑废溅射角度和溅射方向；
25、根据溅射角度和溅射方向进行分析，以确定缩小废屑溅射范围的气流干扰参数；
26、基于气流干扰参数指示预设的废屑集中装置形成干扰气流，当加工步骤改变时再次分析并更新气流干扰参数；
27、基于更新的气流干扰参数调节废屑集中装置的干扰气流，直至加工结束时发出废屑集中提示；
28、基于废屑集中提示指示废屑集中装置对废屑进行初步清理。
29、通过采用上述技术方案，对不同加工步骤时废屑的散落图像分析，从而形成和废屑溅射将进行干扰抑制的气流干扰参数，从而通过形成对应的干扰气流使得废屑在溅射过程中进行干扰，使得废屑不易形成多个散落的区域并集中于一处，从而完成初步的废屑清理工作，以便于后续进行集中回收。
30、可选的，对废屑预设分布区域进行废屑清理回收时，包括：
31、采集初步清理后的废屑集中图像参数进行分析以确定废屑重量；
32、指示预设的清理装置以基础风量对废屑进行回收，并分析废屑减少比例；
33、当废屑减少比例小于预设的最优清理比例时，以预设的调节策略进行调节以确定最优清理参数，所述最优清理参数包括清理气流大小和清理装置朝向；
34、指示预设的清理装置以最优清理参数进行废屑清理回收。
35、通过采用上述技术方案，初步清理后集中在一处的废屑进行图像参数分析，从而得知清理装置在对废屑进行清理回收时的废屑清理效果，并根据调节策略自动调节清理装置的最优清理参数，使得清理装置能够快速进行废屑清理，以增加回收效率。
36、可选的，所述调节策略进行调节时包括：
37、根据预设的最小调节单元上调气流大小，并以预设的调节价值策略进行计算，以确定气流调节价值；
38、基于气流调节价值和预设的最优价值进行比较分析，以确定停止上调清理装置的风量或继续上调清理装置的风量。
39、通过采用上述技术方案，按照调节策略进行风量调节时，通过逐步上调多个最小调节单元的气流量，以使得风量不易增加过多，从而能够有效清理废屑的同时，不需要增加清理装置的功耗。
40、可选的，指示预设的清理装置以基础风量对废屑进行回收时，包括：
41、根据废屑集中图像参数和预设的回收区域进行分析，以确定回收距离以及废屑堆积厚度；
42、根据废屑堆积厚度和回收距离进行匹配以确定补偿风量值，将基础风量值和补偿风量值进行求和并将所得风量值更新为基础风量；
43、基于更新的基础风量指示预设的清理装置进行废屑回收。
44、通过采用上述技术方案，对废屑进行初步清理后的图像进行分析，从而匹配出对应的补偿风量值，使得废屑在以基础风量进行回收时，能够有效进行回收，从而便于后续进行风量调节时，能够快速调节至合适的最优清理参数。
45、可选的，所述价值计算策略采用如下公式进行计算：
46、，
47、其中，表示气流调节价值，表示第i个废屑预设分布区域内的废屑量随时间的变化函数，表示清理装置在基础风量下进行清理回收时预设的基准废屑量随时间变化函数。
48、通过采用上述技术方案，对多个分布区域内的根据废屑量随着清理过程中的时间变化函数进行气流调节价值的总价值计算，以便于得知清理装置在上调风量过程中的气流调节价值。
49、综上所述，本技术包括以下至少一种有益技术效果：
50、1.废屑清理模块根据半导体加工参数进行加工时，废屑所分布的废屑预设分布区域进行废屑增加速度进行分析，并匹配对应的清理模式自动对非磁性的半导体陶瓷废屑进行回收，从而不需要人员手动进行清理回收，减少工作人员的劳动量，且有助于及时将不同加工件的废屑材料进行回收，减少材料浪费；
51、2.当废屑溅射的速度较快时使得废屑的增加速度较快，从而废屑容易形成多个不集中的分散区域，在废屑集中装置的初步清理调节下，使得多个分散区域中的废屑能够集中在一处，从而便于后续清理装置能够进行集中清理，增加清理效率；
52、3.不同加工步骤时废屑的散落图像分析，从而形成和废屑溅射将进行干扰抑制的气流干扰参数，从而通过形成对应的干扰气流使得废屑在溅射过程中进行干扰，使得废屑不易形成多个散落的区域并集中于一处，从而完成初步的废屑清理工作，以便于后续进行集中回收。
1.一种半导体加工清理系统，其特征在于，包括：
2.一种半导体加工清理方法，存储于上述的半导体加工清理系统中，其特征在于，包括：
3.根据权利要求2所述的半导体加工清理方法，其特征在于，根据废屑增加速度匹配对应的废屑清理模式时，包括：
4.根据权利要求3所述的半导体加工清理方法，其特征在于，所述废屑集中装置进行初步清理时包括：
5.根据权利要求2所述的半导体加工清理方法，其特征在于，对废屑预设分布区域进行废屑清理回收时，包括：
6.根据权利要求5所述的半导体加工清理方法，其特征在于，所述调节策略进行调节时包括：
7.根据权利要求5所述的半导体加工清理方法，其特征在于，指示预设的清理装置以基础风量对废屑进行回收时，包括：
8.根据权利要求6所述的半导体加工清理方法，其特征在于，所述价值计算策略采用如下公式进行计算：
