柔性印刷基板用铜箔、使用其的覆铜积层体、柔性印刷基板及电子机器的制作方法

专利2025-11-20  18


本发明涉及一种适用于柔性印刷基板等配线构件的铜箔、使用其的覆铜积层体、柔性配线板及电子机器。


背景技术:

1、作为电子机器的电路基板,广泛使用柔性印刷基板(柔性配线板,以下称为“fpc”)。fpc是通过对将铜箔与树脂积层而成的覆铜积层体(copper clad laminate,以下称为ccl)进行蚀刻而形成配线,并且将其上利用被称为覆盖层的树脂层被覆而成者。贴合于ccl的树脂可例举聚酰亚胺系、液晶聚合物、ptfe,但是并不限定于此。

2、又,如此,覆铜积层体会经过为了形成作为目标的电路而通过涂布阻剂及曝光步骤印刷电路,进而去除铜层的不需要部分的蚀刻处理,但是存在以下问题:于进行蚀刻而形成电路时,该电路不会成为如预先形成于表面的屏蔽图案的宽度。

3、其原因在于,通过蚀刻而形成的铜电路会自铜层的表面向下,即朝向树脂层,逐渐扩展地受到蚀刻(产生塌陷)。

4、因此,正在开发减少该“塌陷”的技术(专利文献1)。

5、现有技术文献

6、专利文献

7、专利文献1:日本特开2011-216528号公报。


技术实现思路

1、[发明所欲解决的课题]

2、且说,随着电子机器的小型、薄型、高性能化,而要求fpc的高密度构装。为了高密度地构装fpc,需要电路微细化,但于微细电路中为了保持阻抗的整合性,电路宽度于电路整体为固定变得重要。其原因在于,当电路的宽度于电路整体并不固定的情形时,电路会紧挨着(接触)相邻的电路,而有变得不良的忧虑。

3、而且,如上所述,由于存在电路宽度于树脂层侧(底部侧)扩散的倾向,故而底部侧更容易与相邻的电路接触,于电路整体保持底部侧的电路宽度(底部宽度)固定变得更为重要。尤其于如底部宽度为35μm以下的微细电路的情形时,更容易产生此种不良。

4、然而,如上述专利文献1中所记载,虽然揭示有减少电路的顶部宽度与底部宽度的差(塌陷)的技术,但是未发现着眼于底部宽度的技术。

5、本发明为了解决上述问题而完成,目的在于提供一种电路直线性良好,适合于微细电路的柔性印刷基板用铜箔、使用其的覆铜积层体、柔性印刷基板及电子机器。

6、[解决课题的技术手段]

7、本发明人等进行了各种研究,结果发现为了提高蚀刻铜箔而形成的电路的直线性,重要的是铜箔的金属组织接近均一,换言之,晶粒的大小一致(平均晶体粒径小)。认为其原因在于,若平均晶体粒径小,则均一地产生由蚀刻所致的电路形成时的化学反应(蚀刻反应)。

8、即,本发明的柔性印刷基板用铜箔是含有99.96质量%以上的cu,其余部分由不可避免的杂质构成的轧制铜箔,经进行300℃×30分钟的热处理时,对上述轧制铜箔的轧制面的测定视野150μm×150μm进行ebsd测定,将方位差5°以上视为晶界时的平均晶体粒径为5.0μm以下。

9、本发明的柔性印刷基板用铜箔优选为上述ebsd测定所得的上述晶体粒径的标准偏差为3.0μm以下。

10、本发明的柔性印刷基板用铜箔优选由jis-h3100(c1100)中规定的精铜或jis-h3100(c1020)的无氧铜构成。

11、本发明的柔性印刷基板用铜箔优选含有10~50质量ppm的p。

12、本发明的覆铜积层体是将上述柔性印刷基板用铜箔与树脂层积层而成。

13、本发明的柔性印刷基板是于上述覆铜积层体中的上述铜箔形成电路而成。

14、本发明的电子机器是使用上述柔性印刷基板而成。

15、[发明的效果]

16、若根据本发明,可获得一种电路直线性良好,适合于微细电路的柔性印刷基板用铜箔。



技术特征:

1.一种柔性印刷基板用铜箔,其是含有99.96质量%以上的cu,其余部分由不可避免的杂质构成的轧制铜箔,

2.根据权利要求1所述的柔性印刷基板用铜箔,其中,ebsd测定所得的晶体粒径的标准偏差为3.0μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的柔性印刷基板用铜箔,其由jis-h3100(c1100)中规定的精铜或jis-h3100(c1020)的无氧铜构成。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的柔性印刷基板用铜箔,其含有10~50质量ppm的p。

5.一种覆铜积层体,其是将根据权利要求1至4中任一项所述的柔性印刷基板用轧制铜箔与树脂层积层而成。

6.一种柔性印刷基板,其是于根据权利要求5所述的覆铜积层体中的轧制铜箔形成电路而成。

7.一种电子机器,其使用有根据权利要求6所述的柔性印刷基板。


技术总结
本发明提供一种电路直线性良好,适合于微细电路的柔性印刷基板用铜箔、使用其的覆铜积层体、柔性印刷基板及电子机器。解决方案:一种柔性印刷基板用铜箔,其是含有99.96质量%以上的Cu,其余部分由不可避免的杂质构成的轧制铜箔,进行300℃×30分钟的热处理,对上述轧制铜箔的轧制面的测定视野150μm×150μm进行EBSD测定,将方位差5°以上视为晶界时的平均晶体粒径为5.0μm以下。

技术研发人员:坂东慎介,石野裕士
受保护的技术使用者:JX金属株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/11/11
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