本公开涉及一种光检测装置。
背景技术：
1、已经提出了一种包括超光学元件的装置，该超光学元件(meta-optical element)是利用具有亚波长形状尺寸的纳米结构的衍射元件(专利文献1)。
2、[引文列表]
3、[专利文献]
4、[专利文献1]：日本未审查专利申请公开第2021-140152号
技术实现思路
1、[技术问题]
2、光检测装置需要具有改进的检测性能。
3、期望提供一种具有良好的检测性能的光检测装置。
4、[问题的解决方案]
5、根据本公开实施方案的光电探测器包括多个第一像素、多个第二像素和多个第三像素。多个第一像素分别包括光分散部和第一光电转换部。所述光分散部包括尺寸等于或小于入射光的波长的结构。所述第一光电转换部接收透过所述光分散部的第一波长的光以进行光电转换。所述多个第二像素设置在所述多个第一像素之间，并且分别包括接收第二波长的光以进行光电转换的第二光电转换部。所述多个第三像素设置在所述多个第一像素之间，并且分别包括接收第三波长的光以进行光电转换的第三光电转换部。根据本公开实施方案的光检测装置包括多个像素，所述多个像素包括：第一像素组，其感测第一波长范围的光；第二像素组，其感测与所述第一波长范围不同的第二波长范围的光；和第一层，其包括位于所述第一像素组上方以对光进行重新导向的第一纳米结构。所述第二像素组布置在所述第一像素组的像素之间。一种电子设备可以包括光检测装置和信号处理器。根据本公开实施方案的光检测装置包括多个像素，所述多个像素包括：第一像素组，其感测第一波长范围的光；第二像素组，其感测与所述第一波长范围不同的第二波长范围的光；和第一层，其包括位于所述第一像素组上方以将光导向所述第二像素组的光电转换区域的第一纳米结构。所述第二像素组的所有侧面都被所述第一像素组的像素包围。
1.一种光检测装置，包括：
2.根据权利要求1所述的光检测装置，其中所述多个像素还包括：
3.根据权利要求1所述的光检测装置，其中所述第一像素组中的像素数量大于所述第二像素组中的像素数量与所述第三像素组中的像素数量之和。
4.根据权利要求1所述的光检测装置，其中所述第一像素组中的像素数量是所述第二像素组中的像素数量与所述第三像素组中的像素数量之和的三倍。
5.根据权利要求1所述的光检测装置，其中所述第二像素组被所述第一像素组中的像素包围。
6.根据权利要求5所述的光检测装置，其中所述第二像素组包括2x2阵列的四个像素。
7.根据权利要求2所述的光检测装置，其中所述第三像素组被所述第一像素组中的像素包围。
8.根据权利要求7所述的光检测装置，其中所述第三像素组包括2x2阵列的四个像素。
9.根据权利要求2所述的光检测装置，还包括：
10.根据权利要求9所述的光检测装置，还包括：
11.根据权利要求9所述的光检测装置，其中所述第一纳米结构将所述第二波长范围的光重新导向到所述第二滤色器。
12.根据权利要求11所述的光检测装置，其中所述第二像素组中的像素包括光电二极管，所述光电二极管接收透过所述第二滤色器的所述第二波长范围的重新导向的光。
13.根据权利要求10所述的光检测装置，其中所述第一纳米结构将所述第三波长范围的光重新导向到所述第三滤色器。
14.根据权利要求13所述的光检测装置，其中所述第三像素组中的像素包括光电二极管，所述光电二极管接收透过所述第三滤色器的所述第三波长范围的重新导向的光。
15.根据权利要求2所述的光检测装置，其中所述第一层还包括：
16.根据权利要求1所述的光检测装置，其中所述第一纳米结构布置在所述第一层的第一材料中，并且其中所述第一纳米结构具有比所述第一材料更高的折射率。
17.根据权利要求1所述的光检测装置，还包括：
18.根据权利要求17所述的光检测装置，其中所述第二像素组包括2x 2阵列的四个像素，并且其中所述第二片上透镜覆盖所述第二像素组的所述四个像素。
19.一种电子设备，包括：
20.一种光检测装置，包括：
