本发明涉及一种用于制造隔膜组件的方法和一种隔膜组件。
背景技术：
1、光刻设备是一种将所需图案应用到衬底(通常是衬底的目标部分)上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ic)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成于ic的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分、一个或多个管芯)上。图案的转移通常通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。通常，单个的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。
2、光刻术被广泛地看作制造ic和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成允许制造微型ic或其他器件和/或结构的更加关键的因素。
3、图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式(1)所示：
4、
5、其中λ是所用辐射的波长，na是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k1是依赖于工艺的调节因子，也称为瑞利常数，cd是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)知道，特征的最小可印刷尺寸的减小可以由三种途径实现：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径na或通过减小k1的值。
6、为了缩短曝光波长并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(euv)辐射源。euv辐射是波长在10-20nm范围内的电磁辐射，例如波长在13-14nm范围内。进一步地还提出可以使用具有小于10nm波长的euv辐射，例如波长在5-10nm范围内，例如6.7nm或6.8nm的波长。这样的辐射被称为术语“极紫外辐射”或“软x射线辐射”。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或者基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。
7、光刻设备包括图案形成装置(例如掩模或掩模板)。辐射被提供通过图案形成装置或从图案形成装置反射以在衬底上形成图像。可以提供隔膜组件以保护图案形成装置免受空气中悬浮颗粒和其它形式的污染物影响。用于保护图案形成装置的隔膜组件可以被称为薄膜。图案形成装置的表面上的污染物可能导致在衬底上制造出缺陷。隔膜组件可以包括边界和横跨边界伸展的隔膜。例如由于隔膜的薄度，很难制造出一种隔膜组件并且该隔膜组件在所述过程中不发生变形。尤其是在隔膜组件中的隔膜仅在边界处被支撑时，在隔膜下面没有诸如栅格或衬底的其它支撑件或加强装置来提供额外的机械强度，这样隔膜组件可能变得较容易变形。另外，具有对于光刻图案形成装置所需要的大的隔膜区域的薄膜组件很可能在应力下变形。隔膜组件的变形可能导致性能降低、隔膜损坏或甚至破裂，这不是期望的。
8、期望减小在隔膜组件制造期间隔膜组件诸如薄膜变形或损坏的可能性。
技术实现思路
1、根据本发明的一个方面，提供一种用于制造用于euv光刻术的隔膜组件的方法，所述方法包括：提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层，其中所述平坦衬底包括内部区域和围绕所述内部区域的边界区域；以及选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域，使得所述隔膜组件包括：由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；和保持所述隔膜的边界，所述边界由所述平坦衬底的所述边界区域形成；其中所述叠层设置有机械保护材料，所述机械保护材料被配置成在选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域的步骤期间以机械的方式保护所述边界区域。
2、根据本发明的一个方面，提供一种用于euv光刻术的隔膜组件，所述隔膜组件包括：隔膜，所述隔膜由包括多晶硅或单晶硅的至少一个隔膜层形成；以及边界，所述边界保持所述隔膜；其中所述隔膜由上覆盖层和下覆盖层覆盖，所述上覆盖层和所述下覆盖层中的每一个包括下述中的至少一个：ru、zr、mo、氧化硅、氧化锆、氧化铝、氮化硼、氧化钌、氮化钌、氮化锆、氧化钼或氮化钼或硅化钼，其中所述边界由平坦衬底形成，所述平坦衬底包括内部区域和围绕所述内部区域的边界区域，其中所述边界通过选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域形成，其中所述平坦衬底包括氧化层和非氧化层，使得所述边界包括所述氧化层和所述非氧化层，其中所述氧化层在所述非氧化层与所述至少一个隔膜层之间，其中所述边界包括掩模层，其中所述平坦衬底的所述边界区域在所述掩模层与所述至少一个隔膜层之间。
1.一种制造用于euv光刻术的隔膜组件的方法，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域的所述步骤包括：
3.如权利要求1所述的方法，包括：
4.如要求1所述的方法，其中选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域的所述步骤包括：
5.如权利要求1所述的方法，其中所述平坦衬底包括具有大于100纳米的厚度的氧化层和非氧化层，其中所述氧化层在所述非氧化层与所述至少一个隔膜层之间。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个隔膜层被通过化学气相沉积施加至所述平坦衬底。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个隔膜层包括至少一个多晶硅层。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述至少一个多晶硅层通过使至少一个非晶硅层晶化形成。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述隔膜组件用于图案形成装置或动态气锁。
10.一种用于euv光刻术的隔膜组件，所述隔膜组件包括：
