本发明涉及半导体，尤其涉及一种晶圆预校准方法及装置。
背景技术：
1、晶圆预校准是半导体制造工艺中的一个关键步骤，发生在晶圆上的芯片图案被转移到实际的硅片之前。这一过程旨在精确地定位和调整晶圆上的晶粒或芯片区域，以便后续的光刻、蚀刻、沉积等精密加工步骤能够准确无误地进行。晶圆预校准的精度对于半导体器件的良率和性能至关重要，因为即便是微小的对准误差也可能导致电路图案错位，进而影响芯片的功能和可靠性。
2、目前，晶圆预校准通常使用相机进行拍照，通过图像处理的方式对晶圆上的notch口进行识别，进而确定晶圆中心的位置，将晶圆移动至目标取片位置。该方法需要使用一个大视野的相机，且相机的布局与控制需要留有较大的空间，晶圆预校准成本相对较高，特别是对于12寸的晶圆，相机视野需要超过300mm*300mm，极大地增加了晶圆预校准成本。
3、因此，如何降低晶圆预校准成本成为亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本发明提供一种晶圆预校准方法及装置，用以解决现有技术中晶圆预校准成本高的缺陷。
2、本发明提供一种晶圆预校准方法，应用于晶圆预校准系统的控制系统，所述晶圆预校准系统包括激光对射传感器、晶圆校准台和控制系统，所述晶圆预校准方法包括：
3、基于所述激光对射传感器的输出数据，确定目标晶圆的实际位置；
4、基于所述实际位置与目标位置，确定所述目标晶圆的第一偏移量；
5、基于所述第一偏移量，控制所述晶圆校准台进行校准。
6、根据本发明提供的一种晶圆预校准方法，所述基于所述实际位置与目标位置，确定所述目标晶圆的第一偏移量，包括：
7、基于所述实际位置与目标位置，确定偏差值与第一角度差值，所述偏差值表征目标晶圆的晶圆中心与目标中心的距离差，所述第一角度差值是所述目标晶圆的标记位置与目标标记位置的角度差。
8、根据本发明提供的一种晶圆预校准方法，所述晶圆预校准系统还包括视觉传感器，在所述基于所述第一偏移量，控制所述晶圆校准台进行校准之后，还包括：
9、基于所述视觉传感器的输出数据，确定所述目标晶圆校准后的实际位置；
10、基于所述校准后的实际位置与所述目标位置，确定所述目标晶圆的第二偏移量；
11、基于所述第二偏移量，控制所述晶圆校准台进行校准。
12、根据本发明提供的一种晶圆预校准方法，所述基于所述校准后的实际位置与所述目标位置，确定所述目标晶圆的第二偏移量，包括：
13、基于所述校准后的实际位置与所述目标位置，确定第二角度差值，所述第二角度差值是所述目标晶圆新的标记位置与所述目标标记位置的角度差。
14、根据本发明提供的一种晶圆预校准方法，所述基于所述第二偏移量，控制所述晶圆校准台进行校准，包括：
15、基于所述第二角度差值，控制所述晶圆校准台进行旋转，以对所述目标晶圆进行精校准。
16、本发明还提供一种晶圆预校准装置，包括：
17、第一确定模块，用于基于激光对射传感器的输出数据，确定目标晶圆的实际位置；
18、第二确定模块，用于基于所述实际位置与目标位置，确定所述目标晶圆的第一偏移量；
19、校准控制模块，用于基于所述第一偏移量，控制所述晶圆校准台进行校准。
20、本发明还提供一种晶圆预校准系统，包括激光对射传感器、视觉传感器、晶圆校准台和控制系统；
21、所述控制系统用于基于所述激光对射传感器的输出数据，确定目标晶圆的实际位置；基于所述实际位置与目标位置，确定所述目标晶圆的第一偏移量；基于所述第一偏移量，控制所述晶圆校准台进行校准。
22、本发明还提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如上述任一种所述晶圆预校准方法。
23、本发明还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述晶圆预校准方法。
24、本发明还提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述晶圆预校准方法。
25、本发明提供的晶圆预校准方法，应用于晶圆预校准系统的控制系统，所述晶圆预校准系统包括激光对射传感器、晶圆校准台和控制系统，所述晶圆预校准方法包括：基于所述激光对射传感器的输出数据，确定目标晶圆的实际位置；基于所述实际位置与目标位置，确定所述目标晶圆的第一偏移量；基于所述第一偏移量，控制所述晶圆校准台进行校准。本方案通过激光对射传感器检测目标晶圆的位置，进而根据目标晶圆的实际位置与目标位置的差距对目标晶圆进行调整，以使目标晶圆移动至目标取片位置，相比于基于相机的晶圆预校准方法，激光对射传感器体积较小，无需留有较大的空间即可进行检测，降低了晶圆预校准成本；此外，基于相机输出的图像进行晶圆位置识别需要对图像进行识别处理，计算量较大，对计算控制系统的配置要求较高，而本方案基于激光对射传感器的输出对目标晶圆的位置进行识别，并且只需对目标晶圆的局部位置进行识别，无需对整个晶圆进行识别，极大地减小了晶圆位置识别的计算量，从而能够降低对控制系统的性能要求，进行进一步降低了晶圆预校准成本。
1.一种晶圆预校准方法，其特征在于，应用于晶圆预校准系统的控制系统，所述晶圆预校准系统包括激光对射传感器、晶圆校准台和控制系统，所述晶圆预校准方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆预校准方法，其特征在于，所述基于所述实际位置与目标位置，确定所述目标晶圆的第一偏移量，包括：
3.根据权利要求1所述的晶圆预校准方法，其特征在于，所述晶圆预校准系统还包括视觉传感器，在所述基于所述第一偏移量，控制所述晶圆校准台进行校准之后，还包括：
4.根据权利要求3所述的晶圆预校准方法，其特征在于，所述基于所述校准后的实际位置与所述目标位置，确定所述目标晶圆的第二偏移量，包括：
5.根据权利要求4所述的晶圆预校准方法，其特征在于，所述基于所述第二偏移量，控制所述晶圆校准台进行校准，包括：
6.一种晶圆预校准装置，其特征在于，包括：
7.一种晶圆预校准系统，其特征在于，包括：激光对射传感器、视觉传感器、晶圆校准台和控制系统；
8.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至5任一项所述晶圆预校准方法的步骤。
9.一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至5任一项所述晶圆预校准方法的步骤。
10.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至5任一项所述晶圆预校准方法的步骤。
