本公开涉及半导体，特别涉及一种分选制品及其制备方法、显示器件的制备方法。
背景技术：
1、发光二极管(light emitting diode，led)因具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，目前已经被广泛应用于显示器件中。在led芯片制备完成后一般会对led芯片进行分选以得到分选制品。
2、相关技术中，分选制品的制备方法包括：提供多个led芯片，根据led芯片的发光波长、亮度数据和驱动电压将多个led芯片分选至分选膜上，得到分选制品。其中，led芯片包括衬底、发光单元和连接电极层，连接电极层包括第一连接电极和第二连接电极。
3、然而，在制备得到多个led芯片时，相对于从第一连接电极到第二连接电极的方向，led芯片的第一侧壁一般会向靠近其中一个连接电极的方向歪斜(即斜裂，指第一侧壁与衬底的底面不完全垂直，第一侧壁会偏离底面的垂直面)，第一侧壁为衬底的侧壁。第一侧壁的歪斜会影响led芯片的发光光型，使led芯片的发光光型不对称，若多个led芯片的第一侧壁的歪斜方向均相同，后期封装固晶时从分选制品中取用多个led芯片应用到同一显示器件中，会导致应用led芯片的显示器件的光型不对称。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种分选制品及其制备方法、显示器件的制备方法，能使得应用led芯片的显示器件的光型更加对称。所述技术方案如下：
2、一方面，提供了一种分选制品的制备方法，包括：提供多个发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括依次层叠的衬底、发光单元和连接电极层，所述衬底具有第一侧壁，所述连接电极层包括第一连接电极和第二连接电极，所述多个发光二极管芯片包括多个第一芯片和多个第二芯片，所述第一芯片的第一侧壁沿所述第一连接电极至所述第二连接电极的方向歪斜，所述第二芯片的第一侧壁沿所述第二连接电极至所述第一连接电极的方向歪斜；将所述多个第一芯片转移至第一分选区域，将所述多个第二芯片转移至第二分选区域，得到分选制品，其中，所述多个第一芯片阵列布置在所述第一分选区域，所述多个第二芯片阵列布置在所述第二分选区域。
3、可选地，所述第一分选区域和所述第二分选区域均位于第一分选膜上，并且所述第一分选区域包括多个第一区域，所述第二分选区域包括多个第二区域，所述多个第一区域和所述多个第二区域在行方向和/或列方向上交替间隔排列，所述第一区域中所述第一芯片的排列图形与所述第二区域中所述第二芯片的排列图形相同。
4、可选地，所述多个第一区域和所述多个第二区域在所述行方向和所述列方向上均交替间隔排列，每个所述第一区域包括设定行数和设定列数的所述第一芯片，每个所述第二区域包括所述设定行数和所述设定列数的所述第二芯片，所述设定行数为1至10，所述设定列数为1至10。
5、可选地，所述多个第一区域和所述多个第二区域在第一方向上交替间隔排列，每个所述第一区域包括1至10个第一芯片组，每个所述第一芯片组包括沿第二方向排列的多个所述第一芯片，每个所述第二区域包括1至10个第二芯片组，每个所述第二芯片组包括沿所述第二方向排列的多个所述第二芯片，其中，所述第一方向为所述行方向和所述列方向中的一个，所述第二方向为所述行方向和所述列方向中的另一个。
6、可选地，所述第一分选膜上的所述第一芯片和所述第二芯片的数量比为0.85至1.15。
7、可选地，所述第一分选区域位于第二分选膜上，所述第二分选区域位于第三分选膜上，所述第二分选膜上所述第一芯片的排列图形与所述第三分选膜上所述第二芯片的排列图形相同。
8、可选地，所述将所述多个第一芯片转移至第一分选区域，将所述多个第二芯片转移至第二分选区域，包括：将多个第一制品和多个第二制品交替放入分选机，所述第一制品包括第一承载膜和位于所述第一承载膜上的多个所述第一芯片，所述第二制品包括第二承载膜和位于所述第二承载膜上的多个所述第二芯片；根据所述多个第一制品和所述多个第二制品交替放入所述分选机的顺序，通过所述分选机依次将每个所述第一制品上的第一芯片转移至所述第一分选区域，将每个所述第二制品上的第二芯片转移至所述第二分选区域。
9、可选地，所述提供多个发光二极管芯片，包括：在第一衬底上和第二衬底上分别形成多个所述发光单元，所述第一衬底上的发光单元在所述第一衬底上的正投影和所述第二衬底上的发光单元在所述第二衬底上的正投影均为矩形投影，相邻的所述发光单元之间形成有切割道；在各个所述发光单元上分别形成所述连接电极层，所述第一衬底上的每个发光单元上的所述第一连接电极均沿第三方向指向所述第二连接电极，所述第三方向为所述矩形投影的长度方向，所述第二衬底上的每个发光单元上的所述第一连接电极均沿第四方向指向所述第二连接电极，所述第四方向与所述第三方向相反；沿所述切割道划裂所述第一衬底和所述第二衬底，得到所述多个发光二极管芯片。
10、另一方面，提供了一种分选制品，包括至少一个分选膜和多个发光二极管芯片，所述至少一个分选膜具有第一分选区域和第二分选区域，所述发光二极管芯片包括依次层叠的衬底、发光单元和连接电极层，所述衬底具有第一侧壁，所述连接电极层包括第一连接电极和第二连接电极，所述多个发光二极管芯片包括多个第一芯片和多个第二芯片，所述第一芯片的第一侧壁沿所述第一连接电极至所述第二连接电极的方向歪斜，所述第二芯片的第一侧壁沿所述第二连接电极至所述第一连接电极的方向歪斜；其中，所述多个第一芯片阵列布置在所述第一分选区域，所述多个第二芯片阵列布置在所述第二分选区域。
11、又一方面，提供了一种显示器件的制备方法，包括：提供一分选制品，所述分选制品采用前述任一种制备方法制备；从所述分选制品中取用至少一个所述第一芯片和至少一个所述第二芯片，并将所述第一芯片和所述第二芯片转移至基板上，以得到所述显示器件。
12、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
13、本公开实施例中，衬底具有第一侧壁，第一芯片的第一侧壁沿第一连接电极至第二连接电极的方向歪斜，第二芯片的第一侧壁沿第二连接电极至第一连接电极的方向歪斜。然后将多个第一芯片转移至第一分选区域，将多个第二芯片转移至第二分选区域，得到分选制品，其中，多个第一芯片阵列布置在第一分选区域，多个第二芯片阵列布置在第二分选区域。这样可以使得两种第一侧壁的歪斜方向相反的led芯片均匀地排列在第一分选区域和第二分选区域，后期封装固晶时从分选制品中取用多个led芯片时，可以将两种led芯片较为平均地应用到同一显示器件中，从而使得显示器件的光型更加对称。
1.一种分选制品的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一分选区域和所述第二分选区域均位于第一分选膜(3a)上，并且所述第一分选区域包括多个第一区域(4)，所述第二分选区域包括多个第二区域(5)，所述多个第一区域(4)和所述多个第二区域(5)在行方向和/或列方向上交替间隔排列，所述第一区域(4)中所述第一芯片(1)的排列图形与所述第二区域(5)中所述第二芯片(2)的排列图形相同。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述多个第一区域(4)和所述多个第二区域(5)在所述行方向和所述列方向上均交替间隔排列，每个所述第一区域(4)包括设定行数和设定列数的所述第一芯片(1)，每个所述第二区域(5)包括所述设定行数和所述设定列数的所述第二芯片(2)，所述设定行数为1至10，所述设定列数为1至10。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述多个第一区域(4)和所述多个第二区域(5)在第一方向上交替间隔排列，每个所述第一区域(4)包括1至10个第一芯片组，每个所述第一芯片组包括沿第二方向排列的多个所述第一芯片(1)，每个所述第二区域(5)包括1至10个第二芯片组，每个所述第二芯片组包括沿所述第二方向排列的多个所述第二芯片(2)，
5.根据权利要求2至4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一分选膜(3a)上的所述第一芯片(1)和所述第二芯片(2)的数量比为0.85至1.15。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一分选区域位于第二分选膜(3b)上，所述第二分选区域位于第三分选膜(3c)上，所述第二分选膜(3b)上所述第一芯片(1)的排列图形与所述第三分选膜(3c)上所述第二芯片(2)的排列图形相同。
7.根据权利要求1至4和权利要求6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述将所述多个第一芯片(1)转移至第一分选区域，将所述多个第二芯片(2)转移至第二分选区域，包括：
8.根据权利要求1至4和权利要求6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述提供多个发光二极管芯片，包括：
9.一种分选制品，其特征在于，包括至少一个分选膜和多个发光二极管芯片，所述至少一个分选膜具有第一分选区域和第二分选区域，
10.一种显示器件的制备方法，其特征在于，包括：
