本申请涉及电气元件，具体涉及铜种子层溅射功率对tco薄膜损伤及对太阳能电池电性能影响的检测方法。
背景技术：
1、在制备铜栅异质结电极之前，通常需要在tco薄膜表面制备铜种子层，当采用pvd工艺制备铜种子层时会对tco薄膜产生轰击，进而在tco薄膜的表面产生热量。由于pvd工艺是真空环境，使得tco薄膜表面产生的热量无法及时导出，导致tco温度升高，可能对tco薄膜造成损伤，进而影响到电池片的性能。
2、由于铜种子层的不透光性，在tco薄膜两面经pvd镀铜种子层后，无法使用pl(光致发光)检测硅片的损伤情况，因此现有对铜种子层溅射功率对tco薄膜的损伤及太阳能电池电性能的影响进行检测时，将提供的膜片分成几组，分别以不同功率溅射沉积的铜种子层来制成几组铜栅电池片，最终对比测试各组电池片的电性能参数，从而检验出铜种子层溅射功率对tco薄膜的损伤及太阳能电池电性能的影响。
3、上述检测方法需要多工序配合，交接不好易混乱样品序号；且检测周期长，中间的铜有被氧化的风险，检测结果时效性差。
4、针对上述问题，有必要提供一种能够检测铜种子层对tco薄膜损伤及铜栅电池电性能影响的检测方法。
技术实现思路
1、本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提供一种能够检测铜种子层对tco薄膜损伤及铜栅电池电性能影响的检测方法，采用的技术方案包括：
2、一种铜种子层溅射功率对tco薄膜损伤的检测方法，包括：
3、步骤1、准备多个tco薄膜，测试多个tco薄膜的平均透过率，得到多个溅射前平均透过率；
4、步骤2、采用物理气相沉积技术，以相同的溅射参数、不同的溅射功率对步骤1中的多个tco薄膜溅射铜种子层，得到多个种子层玻璃；
5、步骤3、对多个种子层玻璃分别进行蚀刻处理，得到多个蚀刻玻璃，分别测试蚀刻玻璃的平均透过率，得到多个溅射后平均透过率；
6、步骤4、用溅射前平均透过率减去对应的溅射后平均透过率，得到多个差值透过率，对比多个差值透过率的大小并排序，即得到tco薄膜受铜种子层溅射的受损程度的排序结果。
7、一种铜种子层溅射功率对太阳能电池电性能影响的检测方法，包括
8、步骤1、提供多个成品银栅电池片，测试多个成品银栅电池片的各项iv参数，得到溅射前iv参数；
9、步骤2、采用物理气相沉积技术，以相同的溅射参数、不同的溅射功率分别对多个成品银栅电池片溅射沉积铜种子层，沉积得到溅射银栅电池片；
10、步骤3、使用蚀刻机对多个溅射银栅电池片进行蚀刻处理，得到蚀刻银栅电池片，使用iv测试机测试所述蚀刻银栅电池片的各项iv参数，得到多个溅射后iv参数。
11、步骤4、用所述溅射前各项iv参数减去所述溅射后各项iv参数，得到多个差值iv参数，对比多个差值透过率的大小并由小至大排序，即得到铜种子层溅射对太阳能电池电性能影响程度的排序结果。
12、本发明的有益效果：
13、(1)本发明通过对比tco薄膜的平均透过率来判断tco薄膜的损伤程度，表征更直观；且有具体数据支撑，有效降低人工误判；
14、(2)本发明直接在银栅电池片成品上以不同功率溅射沉积的铜种子层，再经蚀刻，通过对比溅射前后银栅电池片的iv参数来判断溅射功率对太阳能电池电性能的影响程度，整个检测实验工序简单，便于操作，减少了人为误差；周期短，检测效率更高；
15、(3)本发明是在银栅电池片成品上实验，本身电池制程一样，避免了因为种子层功率不同而造成的电池片制程不同所产生的干扰因素。
1.一种铜种子层溅射功率对tco薄膜损伤的检测方法，其特征在于，包括：
2.一种铜种子层溅射功率对太阳能电池电性能影响的检测方法，其特征在于，
