本发明涉及显示，尤其涉及一种阵列基板、显示面板和阵列基板的制作方法。
背景技术：
1、与垂直取向(verticalaligned，va)显示模式相比，高级超维场转换技术(advanced superdimension switch，ads)显示模式存在对比度(contrast ratio，cr)偏低的问题。ads显示模式的液晶配向力弱，液晶的旋转为面内旋转。光通过液晶盒时，光的行进方向为液晶非光轴方向，散射比较大，cr约为1200，va显示模式的光通过液晶盒时，光的行进方向为液晶的光轴方向，散射比较小，cr约为3000。但现有技术的显示面板在提升对比度时，会使显示面板出现高温残像，以及信赖性，良率和工艺稳定性发生较低的问题。
技术实现思路
1、本发明提供一种阵列基板、显示面板和阵列基板的制作方法，以改善现有技术的显示面板在提升对比度时，会使显示面板出现高温残像，以及信赖性，良率和工艺稳定性发生较低的问题。
2、本发明实施例提供一种阵列基板，具有显示区，以及位于所述显示区外围的周边区，所述阵列基板包括：衬底，位于所述衬底一侧的第一导电层；
3、所述第一导电层包括：多个第一电极，以及多个转接电极；所述第一电极位于所述显示区，所述转接电极位于所述周边区；在垂直于所述衬底的方向上，所述第一电极的最大厚度，小于所述转接电极的最大厚度。
4、在一种可能的实施方式中，在所述周边区的边缘区域处，在垂直于所述衬底的方向上，所述转接电极在部分边缘区域的厚度小于在中间区域处的厚度。
5、在一种可能的实施方式中，所述阵列基板还包括：位于所述衬底与所述转接电极之间的多条第一信号线，多条第二信号线，以及多个第一过孔；所述第一信号线在所述第一过孔处，经所述转接电极与所述第二信号线电连接；
6、所述转接电极在所述衬底的正投影，覆盖所述第一过孔在所述衬底的正投影。
7、在一种可能的实施方式中，所述第一信号线与所述转接电极之间具有第一绝缘层，所述第二信号线与所述转接电极之间具有第二绝缘层，所述第一绝缘层具有第一子过孔，所述第二绝缘层具有第二子过孔；
8、所述转接电极部分经所述第一子过孔与所述第一信号线电连接，部分经所述第二子过孔与所述第二信号线电连接；所述第一过孔包括所述第一子过孔以及所述第二子过孔。
9、在一种可能的实施方式中，所述阵列基板还包括：位于显示区多个晶体管，以及多个第二过孔；所述晶体管包括：第一极，以及第二极；所述第一电极通过所述第二过孔与所述第二极电连接；
10、在垂直于所述衬底的方向上，所述第一子过孔的深度，大于所述第二过孔的深度。
11、在一种可能的实施方式中，所述第一信号线包括：初始信号线，时钟信号线，高电平信号线，或低电平信号线；所述第二信号线包括：转接线；
12、或者，所述第一信号线包括：栅极输出信号引线；所述第二信号线包括：栅线；
13、或者，所述第一信号线包括：多条公共电极走线；所述第二信号线包括：接地线或多条短路环线。
14、在一种可能的实施方式中，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一电极的最大厚度，为所述转接电极最大厚度的四分之一至四分之三。
15、在一种可能的实施方式中，所述阵列基板包括：位于所述衬底与所述转接电极之间的第一金属结构层；所述第一金属结构层包括：第一子金属层，以及位于部分所述第一子金属层背离所述衬底一侧、且与所述第一子金属层接触的第二子金属层；
16、所述第一金属结构层包括：多条第一类信号线，以及多条第二类信号线；所述第一类信号线的最小线宽，小于所述第二类信号线的最小线宽；所述第一类信号线包括：所述第一子金属层；所述第二类信号线包括：所述第一子金属层以及所述第二子金属层。
17、在一种可能的实施方式中，所述周边区包括：位于所述显示区一侧的绑定区；
18、所述第一类信号线包括：栅线，以及第三信号线；所述栅线位于所述显示区，所述第三信号线位于所述绑定区；所述第二类信号线位于除所述绑定区以外的其它所述周边区。
19、在一种可能的实施方式中，所述第一子金属层包括：铜；所述第二子金属层包括叠层设置的钼/钛/镍。
20、在一种可能的实施方式中，所述第一电极为像素电极；阵列基板还包括位于所述第一导电层朝向所述衬底一侧的公共电极层。
21、本发明实施例还提供一种显示面板，包括本发明实施例提供的所述阵列基板，还包括：与所述阵列基板相对设置的对向基板。
22、本发明实施例还提供一种如本发明实施例提供的所述阵列基板的制作方法，所述制作方法包括：
23、提供一衬底；
24、在所述衬底的一侧形成包括多个第一电极，以及多个转接电极的第一导电层，并使所述第一电极的最大厚度，小于所述转接电极的最大厚度。
25、在一种可能的实施方式中，所述在所述衬底的一侧形成包括多个第一电极，以及多个转接电极的第一导电层，包括：
26、在所述衬底的一侧形成第一导电薄膜；
27、涂覆光刻胶，并通过打标机或辅助曝光设备对显示区曝光，并经过显影、刻蚀、剥离后，仅保留所述周边区的所述第一导电薄膜；
28、形成第二导电薄膜，并对所述第二导电薄膜以及所述周边区的所述第一导电薄膜一并进行图案化，形成位于所述显示区的所述第一电极，以及位于所述周边区的所述转接电极。
29、在一种可能的实施方式中，所述在所述衬底的一侧形成包括多个第一电极，以及多个转接电极的第一导电层，包括：
30、在所述衬底的一侧形成第三导电薄膜；
31、涂覆光刻胶，并通过打标机或辅助曝光设备对显示区曝光，并经过显影后，仅保留所述周边区的所述光刻胶；
32、控制刻蚀时间，以使所述显示区的所述第三导电薄膜减薄；
33、剥离所述光刻胶，并对所述第三导电薄膜进行图案化，以形成位于所述显示区的所述第一电极，以及位于所述周边区的所述转接电极。
34、在一种可能的实施方式中，所述在所述衬底的一侧形成包括多个第一电极，以及多个转接电极的第一导电层，包括：
35、在所述衬底的一侧形成第四导电薄膜；
36、涂覆光刻胶，在显示区采用半色调掩膜，在所述周边区采用全色调掩膜，以使所述周边区的所述光刻胶厚度，大于所述显示区的光刻胶厚度；
37、在所述光刻胶的遮挡下，对所述第四导电薄膜进行图案化，形成位于所述显示区的所述第一电极，以及位于所述周边区的所述转接电极。
38、本发明实施例有益效果如下：本发明实施例中，通过使第一导电层在显示区的第一电极的厚度较小，进而可以改善显示区的高温残像问题，而对于周边区的转接电极，厚度较大，可以降低转接电极在周边过孔爬坡处断线的风险，进而在周边区的提升信赖性，良率和工艺稳定性。
1.一种阵列基板，具有显示区，以及位于所述显示区外围的周边区，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底，位于所述衬底一侧的第一导电层；
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述周边区的边缘区域处，在垂直于所述衬底的方向上，所述转接电极在部分边缘区域的厚度小于在中间区域处的厚度。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述衬底与所述转接电极之间的多条第一信号线，多条第二信号线，以及多个第一过孔；所述第一信号线在所述第一过孔处，经所述转接电极与所述第二信号线电连接；
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一信号线与所述转接电极之间具有第一绝缘层，所述第二信号线与所述转接电极之间具有第二绝缘层，所述第一绝缘层具有第一子过孔，所述第二绝缘层具有第二子过孔；
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：位于显示区多个晶体管，以及多个第二过孔；所述晶体管包括：第一极，以及第二极；所述第一电极通过所述第二过孔与所述第二极电连接；
6.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一信号线包括：初始信号线，时钟信号线，高电平信号线，或低电平信号线；所述第二信号线包括：转接线；
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一电极的最大厚度，为所述转接电极最大厚度的四分之一至四分之三。
8.如权利要求1-7任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：位于所述衬底与所述转接电极之间的第一金属结构层；所述第一金属结构层包括：第一子金属层，以及位于部分所述第一子金属层背离所述衬底一侧、且与所述第一子金属层接触的第二子金属层；
9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述周边区包括：位于所述显示区一侧的绑定区；
10.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子金属层包括：铜；所述第二子金属层包括叠层设置的钼/钛/镍。
11.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为像素电极；阵列基板还包括位于所述第一导电层朝向所述衬底一侧的公共电极层。
12.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-11任一项所述的阵列基板，还包括：与所述阵列基板相对设置的对向基板。
13.一种如权利要求1-11任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
14.如权利要求13所述的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底的一侧形成包括多个第一电极，以及多个转接电极的第一导电层，包括：
15.如权利要求13所述的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底的一侧形成包括多个第一电极，以及多个转接电极的第一导电层，包括：
16.如权利要求13所述的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底的一侧形成包括多个第一电极，以及多个转接电极的第一导电层，包括：
