本发明涉及背面研磨膜基材用树脂组合物、背面研磨膜基材及背面研磨膜。
背景技术：
1、在ic等半导体装置的制造过程中，为了将形成有电路图案的半导体晶片薄膜化，通常实施对半导体晶片的背面进行研磨的背面研磨(back grind)工序。在背面研磨工序中，为了保护半导体晶片的电路图案面免受污染等、并且保持经薄壁化的半导体晶片，在电路图案面贴合粘合膜(背面研磨膜)。而且，在背面研磨工序后，通常在经研磨的半导体晶片的背面贴合具有伸缩性的晶片加工用膜(切割膜)，实施将半导体晶片分割成芯片单元的切割工序。
2、由于在半导体晶片的表面形成有电路图案，因此存在凹凸。因此，若背面研磨膜的柔软性低，则在半导体晶片表面与背面研磨膜之间产生间隙，可能导致半导体晶片与背面研磨膜在背面研磨期间剥离。因此，为了即使存在凹凸也与半导体晶片密合，要求背面研磨膜的柔软性(凹凸追随性)。
3、另外，背面研磨工序后，背面研磨膜从半导体晶片表面剥离，但若在剥离时背面研磨膜的一部分残留于半导体晶片表面，则半导体晶片可能被污染。也将背面研磨膜的一部分残留于半导体晶片的情况称为残胶。因此，背面研磨膜要求剥离性，以使得没有残胶。
4、此外，也要求针对研磨半导体晶片时产生的摩擦热、将粘合剂涂布于背面研磨膜基材时施加的热、以及用水清洗研磨屑后干燥时施加的热，背面研磨膜不易发生应变、翘曲等变形(耐热收缩性)。
5、作为背面研磨膜基材，从柔软性、剥离性、不易发生变形这样的观点考虑，作为一例，使用乙烯·乙酸乙烯酯共聚物(以下，有时简记为eva)。
6、例如，专利文献1中记载了一种背面研磨用粘合带，其是在基材膜上设置有用于将晶片贴合固定的粘合剂层的背面研磨用粘合带，其中，基材膜为单层膜，所述单层膜是由具有15～30重量％的乙酸乙烯酯含量的一种以上的乙烯·乙酸乙烯酯共聚物树脂60～98重量％、和熔点为100℃以上的一种以上的聚烯烃系树脂2～40重量％的混合物形成的。并且记载了，通过这样的背面研磨用粘合带，具有在晶片的背面研磨工序中能够防止晶片破损的充分的柔软性，并且具备即使针对在各工序中受到的热也不易收缩的耐热收缩性。
7、另外，专利文献2中记载了一种粘合性膜，其含有(a)乙烯-丙烯-二烯共聚物60重量份、和(b)乙烯-乙酸乙烯酯共聚物40重量份，通过加热至50～90℃的温度，从而呈现粘合性。并且记载了通过这样的粘合性膜，粘合性能够根据使用温度条件而增减，并且能够通过冷却而容易地剥离。
8、现有技术文献
9、专利文献
10、专利文献1：日本特开2005-33000号公报
11、专利文献2：日本特开平2-129282号公报
技术实现思路
1、发明所要解决的课题
2、然而，由于eva的柔软性高，因此在将背面研磨膜切断成半导体晶片的形状时，有时产生切屑、铣屑。若产生切屑、铣屑，则半导体晶片可能被污染或可能在背面研磨工序后的工序中造成不良影响。即，期望改善撕裂性。
3、与此相对，从制膜性的观点考虑，专利文献2的粘合膜以乙烯·丙烯·二烯共聚物作为主成分，因此柔软性不充分。另外，专利文献1的基材膜虽然以eva作为主成分，但包含熔点为100℃以上的聚烯烃系树脂，因此柔软性不充分。另外，这些文献也没有提及由eva的高柔软性引起的撕裂性降低。
4、本发明是鉴于上述课题而做出的。目的在于提供能够实现柔软性优异、而且撕裂性也优异的背面研磨膜基材的背面研磨膜基材用树脂组合物、背面研磨膜基材、及背面研磨膜。
5、用于解决课题的手段
6、即，本发明提供以下的背面研磨膜基材用树脂组合物。
7、[1]背面研磨膜基材用树脂组合物，其包含：
8、乙烯·不饱和酯共聚物(a)；和
9、选自由按照jis k 7210：1999在190℃、负荷2160g的条件下测定的熔体流动速率为0.1g/10分钟以上且小于25g/10分钟的乙烯·α-烯烃共聚物(b)、及苯乙烯系树脂(c)组成的组中的至少一种，
10、将前述乙烯·不饱和酯共聚物(a)、前述乙烯·α-烯烃共聚物(b)及前述苯乙烯系树脂(c)的总量设为100质量份时，前述乙烯·不饱和酯共聚物(a)的含量大于60质量份且小于100质量份。
11、[2]如[1]所述的背面研磨膜基材用树脂组合物，其中，前述乙烯·不饱和酯共聚物(a)的来自不饱和酯的结构单元的含量为15质量％以上46质量％以下。
12、[3]如[1]或[2]所述的背面研磨膜基材用树脂组合物，其中，前述乙烯·不饱和酯共聚物(a)的、按照jis k 7210：1999在190℃、负荷2160g的条件下测定的熔体流动速率为0.1g/10分钟以上100g/10分钟以下。
13、[4]如[1]～[3]中任一项所述的背面研磨膜基材用树脂组合物，其中，前述乙烯·α-烯烃共聚物(b)的熔点小于100℃。
14、[5]如[1]～[4]中任一项所述的背面研磨膜基材用树脂组合物，其中，前述苯乙烯系树脂(c)的、按照jis k 7210：1999在190℃、负荷2160g的条件下测定的熔体流动速率为0.01g/10分钟以上50g/10分钟以下。
15、[6]如[1]～[5]中任一项所述的背面研磨膜基材用树脂组合物，其中，前述苯乙烯系树脂(c)为苯乙烯系弹性体。
16、[7]如[1]～[6]中任一项所述的背面研磨膜基材用树脂组合物，其中，将背面研磨膜用树脂组合物整体设为100质量％时，前述乙烯·不饱和酯共聚物(a)、前述乙烯·α-烯烃共聚物(b)及苯乙烯系树脂(c)的总量为70质量％以上100质量％以下。
17、[8]如[1]～[7]中任一项所述的背面研磨膜基材用树脂组合物，其中，前述乙烯·不饱和酯共聚物(a)为乙烯·乙酸乙烯酯共聚物。
18、本发明提供以下的背面研磨膜基材及背面研磨膜。
19、[9]背面研磨膜基材，其具有至少一层包含[1]～[8]中任一项记载的背面研磨膜基材用树脂组合物的层。
20、[10]如[9]所述的背面研磨膜基材，其中，包含前述背面研磨膜基材用树脂组合物的层的、按照jis k 7215：1996测定的硬度(肖氏a)的初始值为75以下。
21、[11]如[9]或[10]所述的背面研磨膜基材，其中，包含前述背面研磨膜基材用树脂组合物的层的、按照jis k 7215：1996测定的硬度(肖氏a)在测定开始后15秒后的值为72以下。
22、[12]背面研磨膜，其具有：[9]～[11]中任一项记载的背面研磨膜基材；和层叠于前述背面研磨膜基材的至少一面上的粘合层。
23、发明的效果
24、根据本发明的背面研磨膜基材用树脂组合物，可实现柔软性优异、而且撕裂性也优异的背面研磨膜基材。
1.背面研磨膜基材用树脂组合物，其包含：
2.如权利要求1所述的背面研磨膜基材用树脂组合物，其中，所述乙烯·不饱和酯共聚物(a)的来自不饱和酯的结构单元的含量为15质量％以上46质量％以下。
3.如权利要求1所述的背面研磨膜基材用树脂组合物，其中，所述乙烯·不饱和酯共聚物(a)的、按照jis k 7210：1999在190℃、负荷2160g的条件下测定的熔体流动速率为0.1g/10分钟以上100g/10分钟以下。
4.如权利要求1所述的背面研磨膜基材用树脂组合物，其中，所述乙烯·α-烯烃共聚物(b)的熔点小于100℃。
5.如权利要求1所述的背面研磨膜基材用树脂组合物，其中，所述苯乙烯系树脂(c)的、按照jis k 7210：1999在190℃、负荷2160g的条件下测定的熔体流动速率为0.01g/10分钟以上50g/10分钟以下。
6.如权利要求1所述的背面研磨膜基材用树脂组合物，其中，所述苯乙烯系树脂(c)为苯乙烯系弹性体。
7.如权利要求1所述的背面研磨膜基材用树脂组合物，其中，将背面研磨膜用树脂组合物整体设为100质量％时，所述乙烯·不饱和酯共聚物(a)、所述乙烯·α-烯烃共聚物(b)及所述苯乙烯系树脂(c)的总量为70质量％以上100质量％以下。
8.如权利要求1所述的背面研磨膜基材用树脂组合物，其中，所述乙烯·不饱和酯共聚物(a)为乙烯·乙酸乙烯酯共聚物。
9.背面研磨膜基材，其具有至少一层包含权利要求1～8中任一项记载的背面研磨膜基材用树脂组合物的层。
10.如权利要求9所述的背面研磨膜基材，其中，包含所述背面研磨膜基材用树脂组合物的层的、按照jis k 7215：1996测定的硬度(肖氏a)的初始值为75以下。
11.如权利要求9所述的背面研磨膜基材，其中，包含所述背面研磨膜基材用树脂组合物的层的、按照jis k 7215：1996测定的硬度(肖氏a)在测定开始后15秒后的值为72以下。
12.背面研磨膜，其具有：
