本发明涉及粘合性结构体及其制造方法、电子元件及其制造方法、以及转印用粘合层。
背景技术：
1、在电子电路基板中，伴随着高集成化及高速化，ic芯片等发热元件引起的温度上升增加，对安装电路的粘合及连接的耐热可靠性有要求。作为引起粘合及连接可靠性降低的主要原因，可以举出由半导体(芯片)和与该半导体(芯片)粘合的各种材料的线性热膨胀系数差产生的热应力。具体而言，相对于半导体(芯片)的线性热膨胀系数约为3ppm/k左右，安装基板的线性热膨胀系数大到15ppm/k以上，因此，由于回流等加热制作流程工序及驱动发热等引起的热循环而产生热应力，从而容易发生半导体(芯片)的粘合不良和连接不良。
2、以往，作为将芯片与芯片之间及芯片与基板之间粘合的芯片接合部件，使用溶液系的芯片接合膏、片状的芯片粘接膜。在芯片粘接膜中，提出了通过使用环氧树脂、固化剂、以及与环氧树脂不相溶的高分子化合物，在固化时形成由环氧树脂构成的粘合部与具有应力缓和特性的高分子化合物的相分离海岛结构，从而提高耐热可靠性(参照专利文献1)。另外，还提出了在环氧树脂(粘合部)中混合橡胶(低弹性部)的粘合层(aproxtm(注册商标)bp，日本触媒公司制)。此外，还已知除了粘合功能以外还作为散热功能而赋予了导热性的芯片接合元件。
3、引用文献列表
4、专利文献
5、【专利文献】
6、【专利文献1】日本未审查专利申请公开2011-084743号公报
技术实现思路
1、技术问题
2、本发明的目的在于提供一种粘合性、耐热性及应力缓和特性优异、可薄膜化的粘合性结构体。
3、解决问题的方案
4、作为上述问题的解决方案的本实施例的粘合性结构体包括：粘合到接触对象物的粘合部，以及低弹性部，具有比所述粘合部的弹性模量低的弹性模量，其中，所述粘合部和所述低弹性部中的至少一个具有图案形状。
5、本发明的效果
6、根据本发明，可以提供一种粘合性、耐热性及应力缓和特性优异、可薄膜化的粘合性结构体。
1.一种粘合性结构体，包括：
2.根据权利要求1所述的粘合性结构体，其中，所述粘合性结构体是层状粘合性结构体。
3.根据权利要求1或2所述的粘合性结构体，其中，在一个表面上露出的所述粘合剂部的一部分和所述低弹性部的一部分的形状和尺寸与在另一个表面上露出的所述粘合剂部的另一部分和所述低弹性部的另一部分的形状和尺寸不同。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的粘合性结构体，其中，所述粘合部和所述低弹性部中的至少一个在所述粘合性结构体的平面方向上具有10μm或更大的尺寸。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的粘合性结构体，其中，所述低弹性部与所述粘合性结构体的体积比为5％～90％。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的粘合性结构体，其中，所述低弹性部的弹性模量为所述粘合部的弹性模量的70％或更低。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的粘合性结构体，其中，所述低弹性部的弹性模量为3000mpa或更低。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的粘合性结构体，进一步包括在厚度方向上连续的导热部。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的粘合性结构体，其中，所述粘合部和所述低弹性部中的至少一个含有光固化树脂。
10.一种转印用粘合层，包括：
11.一种电子元件，包括根据权利要求1至9中任一项所述的粘合性结构体。
12.根据权利要求11所述的电子元件，进一步包括：
13.根据权利要求12所述的电子元件，其中，所述第一元件与所述第二元件之间的线性热膨胀系数之差为0ppm/k～20ppm/k。
14.根据权利要求12或13所述的电子元件，其中，所述第一元件是发热元件或冷却元件，所述第二元件是基板。
15.根据权利要求12至14中任一项所述的电子元件，其中，所述第一元件是半导体。
16.一种粘合性结构体的制造方法，该方法包括：
17.根据权利要求16所述的粘合性结构体的制造方法，进一步包括从喷嘴排出用于形成所述导热部的所述导热部形成墨水，在所述粘合性结构体的厚度方向上形成连续的所述导热部。
18.根据权利要求17所述的粘合性结构体的制造方法，其中，
19.一种电子元件的制造方法，所述方法包括通过使用根据权利要求1至9中任一项所述的粘合性结构体固定元件。
20.根据权利要求19所述的电子元件的制造方法，其中，
