本公开涉及使用有机半导体的发光元件和电子设备。
背景技术：
1、近年来，使用有机半导体代替无机半导体的电子设备的开发正在取得进展。例如，ptl 1描述了各自包括芴和咔唑的组合的有机半导体。这些有机半导体被用于有机电致发光元件的空穴注入层或空穴输送层，并且被认为是具有优异的空穴输送性的材料。
2、引文列表
3、专利文献
4、ptl 1：欧洲专利申请公开no.2881446
技术实现思路
1、顺便提及，期望使用有机半导体的发光元件具有改善的以驱动电压、发光外部量子产率和发光电力效率为代表的电气特性。
2、期望提供具有优异电气特性的发光元件和电子设备。
3、一种根据本公开的实施例的发光元件包括：第一电极；第二电极，部署为与第一电极相对；以及有机层，设置在第一电极与第二电极之间，并且包括发光层，该发光层包括至少一种在分子中具有由下面的通式(1)和通式(2)表示的1个骨架的杂并苯衍生物(heteroacene derivative)。
4、[化学式1]
5、
6、(x1至x4各自是硫、氧、硒或碲之一；并且a1至a4各自独立地是氢原子、芳基、杂芳基、烷基、芳氧基、杂芳氧基或烷氧基或其衍生物)。
7、根据本公开的实施例的电子设备包括根据本公开的上述实施例的发光元件。
8、在根据本公开的实施例的发光元件和根据本公开的实施例的电子设备中，第一电极与第二电极之间的发光层包括至少一种在分子中具有由上述通式(1)和通式(2)表示的1个骨架的杂并苯衍生物。这改善了载流子输送性并且改善了能量向发光层中的掺杂剂材料的转移效率。
1.一种发光元件，包括：
2.根据权利要求1所述的发光元件，其中所述杂并苯衍生物包括由以下通式(3)表示的苯并噻吩并苯并噻吩衍生物和由以下通式(4)表示的二萘并噻吩并噻吩衍生物中的至少一种，
3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述有机层包括第一缓冲层、所述发光层和第二缓冲层，所述第一缓冲层、所述发光层和所述第二缓冲层从所述第一电极侧起按此次序堆叠。
4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述发光层包括具有400nm以上且900nm以下的光吸收的至少一种吸光材料。
5.根据权利要求4所述的发光元件，其中
6.根据权利要求4所述的发光元件，其中
7.根据权利要求4所述的发光元件，其中
8.根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述吸光材料在410nm以上且小于500nm的波长范围内具有发光峰值。
9.根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述吸光材料在500nm以上且小于750nm的波长范围内具有发光峰值。
10.根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述吸光材料在750nm以上且1300m以下的波长范围内具有发光峰值。
11.根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述吸光材料为铱络合物或铂络合物。
12.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一电极包括单层膜或堆叠膜，所述单层膜包括铝和钕的合金、铝和铜的合金、铝、钐和铜的合金或者银、钯和铜的合金，所述堆叠膜包括含有合金的金属膜和含有金属氧化物的金属氧化物膜。
13.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个具有粘附有金属纳米颗粒的表面。
14.根据权利要求1所述的发光元件，其中，与所述第一电极和所述第二电极中的至少一个相邻的层包括金属纳米颗粒。
15.根据权利要求13所述的发光元件，其中，所述金属纳米颗粒为金、银或铜之一。
16.根据权利要求1所述的发光元件，其中，各自包括所述第一电极、所述有机层和所述第二电极的第一发光器和第二发光器按此次序堆叠。
17.根据权利要求16所述的发光元件，还包括位于所述第一发光器与所述第二发光器之间的中间电极，其中
18.根据权利要求16所述的发光元件，还包括位于所述第一发光器与所述第二发光器之间的电荷生成层，其中
19.根据权利要求1所述的发光元件，还包括在所述第一电极或所述第二电极的光输出面的方向上的微透镜。
20.一种电子设备，包括一个或多个发光元件，其中
