本发明涉及一种坩埚、结晶制造方法及单晶。
背景技术：
1、专利文献1公开有一种由铂(pt)或铱(ir)等金属构成的坩埚。该坩埚用于柴可拉斯基法(cz)法。在cz法中，通过在使固定在杆的前端的晶种与熔融液接触之后，一边使其旋转，一边将其缓慢提拉，从而使单晶生长。
2、专利文献2公开有一种方法，其是由铱制的坩埚内所含的熔融液生长氧化镓(β-ga2o3)单晶。
3、专利文献3公开有一种氧化镓制的坩埚。该坩埚用于氧化镓单晶的生长。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：美国专利第6997986号说明书
7、专利文献2：美国专利第11028501号说明书
8、专利文献3：日本专利第6390568号公报
技术实现思路
1、发明所要解决的技术问题
2、本申请发明人等进行了专门研究，其结果发现了氧化物单晶内的添加物浓度变得不均匀的情况。寻求一种能够获得添加物浓度的均匀性较高的单晶的坩埚、结晶制造方法及单晶。
3、用于解决技术问题的手段
4、本发明的坩埚的特征在于：其是用于氧化物单晶的生长的坩埚，且具备主体，该主体包含含有添加物的氧化物，在所述主体的所述氧化物中，设定沿单轴配置的多个区域，所述多个区域中，第1区域中的所述添加物的浓度高于第2区域中的所述添加物的浓度。
5、本发明的坩埚的特征在于：其是用于氧化镓单晶的生长的坩埚，且具备主体，该主体包含含有添加物的氧化镓，在所述主体的所述氧化镓中，设定沿单轴配置的多个区域，所述多个区域中，第1区域中的所述添加物的浓度高于第2区域中的所述添加物的浓度。
6、本发明的坩埚的特征在于：其是用于氧化物单晶的生长的坩埚，且具备沿厚度方向层叠并接合的多个氧化物板，各个所述氧化物板中的添加物的浓度不同。
7、本发明的结晶制造方法的特征在于：使用上述坩埚，并且包括：一边使晶种接触坩埚内的熔融液的露出表面，一边使所述露出表面的位置沿铅直方向移动，由此使所述氧化物单晶生长的工序。
8、本发明的单晶是通过上述结晶制造方法所制得的。本发明的单晶的特征在于：其是由添加有sn或si作为添加物的晶锭构成的氧化镓的单晶，且沿生长轴方向的添加物的浓度在该添加物的浓度的平均值±5％的范围内。
9、发明的效果
10、根据本发明的坩埚、结晶制造方法，可以获得添加物浓度的均匀性较高的单晶。
1.一种坩埚，其特征在于，
2.一种坩埚，其特征在于，
3.如权利要求1或2所述的坩埚，其特征在于，
4.如权利要求1或2所述的坩埚，其特征在于，
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6.如权利要求2所述的坩埚，其特征在于，
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8.如权利要求7所述的坩埚，其特征在于，
9.一种结晶制造方法，其特征在于，
10.一种单晶，其特征在于，
11.一种单晶，其特征在于，
