1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示设备、检测设备、刷新率检测方法以及存储介质。
背景技术：2.随着显示技术的不断发展，人们对显示屏刷新率的需求也不断提高。现有技术中，检测显示屏刷新率的方式是在显示屏的供电电路中增加电阻，将电阻与刷新率有关的供电走线串联，通过检测供电走线的电流波形确定显示屏的刷新率。但是，所串联电阻会改变供电电路，流过电阻的电流会产生压降问题。
技术实现要素：3.本技术实施例提供一种显示设备、检测设备、刷新率检测方法以及存储介质，解决了压降问题。
4.第一方面，本技术实施例提供了一种显示设备，包括：
5.显示屏；
6.导线，一端与所述显示屏电连接；
7.第一芯片，与所述导线的另一端电连接；以及
8.第一磁场检测装置，与所述导线相邻设置，所述第一磁场检测装置用于检测经过所述导线的电流所引起的磁场强度信息；
9.其中，所述第一芯片与所述第一磁场检测装置电连接，以用于根据所述第一磁场检测装置检测到的所述磁场强度信息，确定所述显示屏的刷新率。
10.第二方面，本技术实施例提供了一种检测设备，用于检测显示设备，所述显示设备包括显示屏和导线，所述导线与所述显示屏电连接，所述检测设备包括：
11.第一磁场检测装置，与所述导线相邻设置，所述第一磁场检测装置用于检测经过所述导线的电流所引起的磁场强度信息；以及
12.第二芯片，所述第二芯片与所述第一磁场检测装置电连接，以用于根据所述第一磁场检测装置检测到的所述磁场强度信息，确定所述显示屏的刷新率。
13.第三方面，本技术实施例提供了一种刷新率检测方法，应用于显示设备，所述显示设备包括显示屏和与所述显示屏电连接的导线，所述方法包括：
14.获取经过所述导线的电流所引起的磁场强度信息；以及
15.根据所述磁场强度信息确定所述显示屏的刷新率。
16.第四方面，本技术实施例提供一种计算机可读的存储介质，其上存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得所述计算机执行如上任一项所述的刷新率检测方法。
17.本技术实施例提供的显示设备，当与显示屏电连接的导线有电流流过时，在导线的周围会产生磁场，通过在导线相邻位置设置第一磁场检测装置检测其对应的磁场强度信
息，并根据磁场强度信息确定显示屏的刷新率，所设置的第一磁场检测装置并不会改变显示设备的供电电路，从而避免了在供电电路中串联电阻所产生的压降问题。
附图说明
18.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
19.图1是本技术实施例提供的显示设备的第一种结构示意图。
20.图2是本技术实施例提供的导线与第一磁场检测装置的结构示意图。
21.图3是本技术实施例提供的导线的电流方波示意图。
22.图4是本技术实施例提供的显示设备的第二种结构示意图。
23.图5是本技术实施例提供的导线、第一磁场检测装置和第二磁场检测装置的结构示意图。
24.图6是本技术实施例提供的检测设备的第一种结构示意图。
25.图7是本技术实施例提供的显示设备的第三种结构示意图。
26.图8是本技术实施例提供的检测设备的第二种结构示意图。
27.图9是本技术实施例提供的刷新率检测方法的流程示意图。
具体实施方式
28.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术的保护范围。
29.现有技术中，有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)显示屏包括供电电路，检测显示屏刷新率的方式是通过在供电电路的供电走线上串联电阻，oled显示屏每刷新一次便会对供电走线进行一次抽电，使流过供电走线的电流出现激增，形成供电走线的电流波形，基于供电走线的电流波形，能够通过供电走线的抽电频率对应得到显示屏的刷新率。其中，供电走线为与刷新率相关的供电走线，如为芯片供电的vddr走线、为模拟电路供电的avdd走线等。
30.但是，在供电电路的供电走线上串联电阻，改变了供电电路，即使该电阻阻值很小，也会产生压降问题。
31.为解决现有技术中存在的问题，本技术实施例提供一种显示设备、检测设备、刷新率的检测方法以及存储介质，从而在不改变显示设备供电电路的前提下实现显示屏刷新率的检测，解决了压降问题。
32.可选的，本技术实施例提供一种显示设备，请参阅图1，图1是本技术实施例提供的显示设备的第一种结构示意图。其中，该显示设备100可以为oled显示设备等。显示设备100可以包括显示屏101、导线102、第一芯片103以及第一磁场检测装置104。
33.其中，显示屏101可以为oled显示屏；导线102可以包括为第一芯片103供电的导
线，如vddr走线，导线102的一端与显示屏101电连接；第一芯片103与导线102的另一端电连接；以及第一磁场检测装置104与导线102相邻设置，第一磁场检测装置104用于检测经过导线102的电流所引起的磁场强度信息，具体地，当导线102有电流流过时，在导线102的周围会产生磁场，第一磁场检测装置104所设置位置可以是能够检测到该磁场的位置，具体位置在此不作限定。其中，第一芯片103与第一磁场检测装置104电连接，以用于根据第一磁场检测装置104所检测到的导线102对应的磁场强度信息，确定显示屏101的刷新率。
34.本实施例提供的显示设备100中，当与显示屏101电连接的导线102有电流流过时，在导线102的周围会产生磁场，通过在导线102相邻位置设置第一磁场检测装置104检测其对应的磁场强度信息，根据磁场强度信息确定显示屏101的刷新率，所设置的第一磁场检测装置104并不会改变显示设备100的供电电路，从而避免了在供电电路中串联电阻所产生的压降问题。
35.具体地，请继续参阅图1，显示设备100中显示屏101可以为oled显示屏，oled显示屏的供电电路的背压约为
±
4.6v；导线102的一端与显示屏101电连接，导线102可以为与显示屏101刷新率相关的导线，如vddr走线，vddr走线电压约为1.5v，其中，vddr走线为oled显示屏特有的供电走线，在液晶显示屏上并不存在。另外，显示屏101的供电电路还可以包括其他导线，如为模拟电路供电的avdd走线、为模拟电路电源供电的avcc走线、为数字电路供电的vcc走线以及数字电路电源公共端vss走线等。
36.第一芯片103与导线102的另一端电连接，导线102用于为第一芯片103供电，并起到数据读写、显示算法处理的作用。第一芯片103具有处理功能，可以为处理器。
37.第一磁场检测装置104与导线102相邻设置，第一磁场检测装置104用于检测经过导线102的电流所引起的磁场强度信息。第一磁场检测装置104可以为霍尔传感器、地磁传感器、磁阻传感器、电涡流式传感器、磁性液体传感器等，本实施例中使用高精度的霍尔传感器能够提高磁场检测精度。
38.具体地，当导线102有电流流过时，在导线102的周围会产生磁场，第一磁场检测装置104设置的位置需能够检测到该磁场。请参阅图2，图2是本技术实施例提供的导线与第一磁场检测装置的结构示意图。其中，第一磁场检测装置104可以设置在导线102的上方，当然，第一磁场检测装置104也可以设置在导线102的下方或者侧边，具体位置可根据显示设备内部空间布局进行相应设置。
39.第一磁场检测装置104可以与导线102接触或不接触。若二者相互接触，则第一磁场检测装置104可以贴设在导线102的表面，如通过粘接胶固定、通过限位槽实现卡接、通过固定件固定等方式；若二者相互不接触，则第一磁场检测装置104可以通过与其他部件固定设置在导线102的周围，具体固定方式在此不作具体限定。
40.需要说明的是，当导线102有电流流过时，作为直流导线的导线102会在其周围产生磁场，根据毕奥-萨法尔定律，第一磁场检测装置104所检测到的经过导线102的电流所引起的磁场强度信息b与经过导线102的电流i、导线102与第一磁场检测装置104之间的距离r有关，具体计算公式为b＝0.2*i/r。比如，当导线102与第一磁场检测装置104之间的距离r为0.1mm(毫米)、导线102的电流为140ma(毫安)时，导线102对应的磁场强度信息b为0.28mt(毫特斯拉)。
41.其中，导线102与第一磁场检测装置104之间的距离包括接触和不接触两种情况。
需要说明的是，第一磁场检测装置104相对于导线102的距离会影响所检测的磁场强度，由于磁场在空间中传输会产生消耗，因此导线102所产生的磁场传输至第一磁场检测装置104的距离越近，则磁场消耗越小，即导线102与第一磁场检测装置104相互接触所检测到的磁场强度大于二者不接触所检测到的磁场强度。
42.另外，为防止导线102与其他供电走线接触造成短路的现象，通常导线102会包裹绝缘层，即导线102可以包括裸线和绝缘层，其中，裸线是电流流过的线路。第一磁场检测装置104可以包括检测器和承载检测器的壳体，为减小第一磁场检测装置104与导线102之间的距离，使所检测到的磁场强度信息更强，可以将检测器贴设在壳体内表面的一侧，当然，也可以将检测器设置在壳体的一侧并暴露在外面。此处，若将检测器设置在壳体内部中心，则可能检测不到导线102的磁场强度信息。
43.具体地，导线102与第一磁场检测装置104之间的距离r为导线102的裸线与第一磁场检测装置104的检测器之间的距离。那么，导线102与第一磁场检测装置104相互接触时，二者之间的距离包括三种情况：第一种情况，第一磁场检测装置104的检测器暴露在壳体一侧，检测器贴设在导线102绝缘层的外表面，则距离r为绝缘层的厚度；第二种情况，第一磁场检测装置104的检测器设置在壳体内表面一侧，导线102在绝缘层设置有卡槽，设置有检测器一侧的壳体卡接在裸线的表面，则距离r为壳体的厚度；第三种情况，第一磁场检测装置104的检测器设置在壳体内表面一侧，设置有检测器一侧的壳体贴设在绝缘层上，则距离r为绝缘层的厚度与壳体的厚度之和。
44.导线102与第一磁场检测装置104不接触时，二者之间的距离按照上述设置方式可以包括四种情况：第一种情况，距离r为绝缘层的厚度与间隔距离之和；第二种情况，距离r为壳体的厚度与间隔距离之和；第三种情况，距离r为壳体的厚度、绝缘层的厚度以及间隔距离之和；第四种情况，距离r为间隔距离。其中，间隔距离为导线102与第一磁场检测装置104不接触的情况下二者之间的缝隙距离。
45.请参阅图3，图3是本技术实施例提供的导线的电流方波示意图。导线102在正常工作情况下，流过导线102的电流为恒定电流约为50ma，显示屏101每刷新一次，会对导线102进行一次抽电，使得导线102的电流发生激增，电流峰值约为140ma。从而在预设时间段内，流过导线102的电流会随着显示屏101的刷新率不断变化，形成如图3所示的方波图。
46.需要说明的是，与现有技术中检测刷新率所应用的供电走线不同，本实施例中的导线102为vddr走线，并未使用avdd走线。由于avdd走线在显示屏刷新时，其抽电后电流的峰值约为40ma，若使用本实施例中的第一磁场检测装置104检测经过avdd走线的电流所引起的磁场强度信息，如果二者之间的距离为0.1mm，电流为40ma，通过上述公式计算，avdd走线对应的磁场强度信息为0.08mt。而地球磁场或环境磁场的磁场强度约为0.06mt，二者磁场强度接近，地球磁场容易对avdd走线对应的磁场产生干扰，影响刷新率的检测效果。
47.可以理解的是，电流强度越大，所产生的磁场强度越强，对应的抗干扰能力越强。为提高刷新率检测的准确性，本实施例中第一磁场检测装置104可以为霍尔传感器，电流强度为140
±
10ma所产生的磁场强度为霍尔传感器所能检测到的最佳磁场强度，因此，本实施例使用的导线102为vddr走线。
48.可选的，第一芯片103与第一磁场检测装置104电连接，以用于根据第一磁场检测装置104检测到的经过导线102的电流所引起的磁场强度信息，确定显示屏101的刷新率。其
中，第一磁场检测装置104可以获取预设时间段内导线102在不同时间点对应的所有磁场强度信息。具体地，导线102在通电时，预设时间段内不同时间点会产生多个电流强度信息，将预设时间段内所有电流强度信息、导线102与第一磁场检测装置104之间的距离作为条件，通过上述公式计算得到预设时间段内导线102对应的所有磁场强度信息。预设时间段可以为1秒钟、2秒钟、3秒钟等。
49.在一些实施例中，在获取到预设时间段内导线102在不同时间点对应的所有磁场强度信息之后，第一芯片103可以用于根据导线102在不同时间点对应的所有磁场强度信息得到磁场强度曲线，并基于磁场强度曲线确定显示屏101的刷新率。
50.比如，第一芯片103可以通过至少两根连接线与第一磁场检测装置104电连接，以用于通过至少两根连接线获取所有磁场强度信息，从而根据所有磁场强度信息得到导线102对应的磁场强度曲线；根据磁场强度曲线通过软件算法可以确定出显示屏101的刷新率。其中，至少两根连接线可以为两根连接线、四根连接线或更多根连接线。当为两根连接线时可以为i2c总线，i2c总线包括串行数据线和串行时钟线两根连接线；当为四根连接线时可以为spi总线，spi总线包括输入数据线、输出数据线、时钟数据线和片选数据线；当为更多根连接线时可以是i3c总线，i3c总线包括两根上行数据线和多根下行数据线。i2c总线、spi总线以及i3c总线均可以用于在第一芯片103和第一磁场检测装置104之间通过通用标准协议传输数字信号。
51.可选的，将预设时间段内导线102在不同时间点对应的所有磁场强度信息转换成数字信号，将数字信号通过至少两根连接线传输至第一芯片103，该数字信号包含所有磁场强度信息。第一芯片103在接收到数字信号后，经过处理得到所有磁场强度信息形成的磁场强度曲线，最后通过软件算法得到显示屏101的刷新率。
52.在一些实施例中，第一磁场检测装置104可以获取预设时间段内导线102在不同时间点对应的所有磁场强度信息，并获取所有磁场强度信息中超过预设磁场强度阈值的所有第一目标磁场强度信息所触发的所有中断信号。第一芯片103可以根据预设时间段内获取到的中断信号的次数确定显示屏101的刷新率。
53.比如，第一芯片103可以通过一根连接线与第一磁场检测装置104电连接。其中，第一磁场检测装置104在获取到预设时间段内导线102在不同时间点对应的所有磁场强度信息之后，可以将所有磁场强度信息与预设磁场强度阈值进行比较，得到所有磁场强度信息中超过预设磁场强度阈值的所有第一目标磁场强度信息，每获取到一个第一目标磁场强度信息会触发第一磁场检测装置104产生一个中断信号，预设时间段内会触发产生多个中断信号。第一磁场检测装置104将所有中断信号通过一根连接线传输至第一芯片103，第一芯片103可以根据预设时间段内接收到中断信号的次数，确定出显示屏101的刷新率。
54.其中，当导线102与第一磁场检测装置104之间的距离为0.1mm、导线102的电流为140ma时所计算得到的导线102对应的磁场强度信息为0.28mt。因此，可以将预设磁场强度阈值设置为小于0.28mt，如0.25mt等，即显示屏101每刷新一次，导线102会被抽电一次，导线102的电流会发生一次激增达到峰值电流140ma，从而会对应产生一个磁场强度信息0.28mt，该磁场强度信息大于预设磁场强度阈值，从而触发产生一个中断信号，并将该中断信号传输至第一芯片103。
55.在一些实施例中，显示屏101可以包括显示区域，显示区域设置有指示件，指示件
用于显示显示屏101的实时刷新率，其中，构成指示件的指示元素可以为数字、文字等，如60hz(赫兹)、六十赫兹等。通过第一磁场检测装置104所检测到的经过导线102的电流所引起的磁场强度信息，可以对显示屏101的刷新率进行实时检测，用户在使用该显示设备100时，能够在显示屏101对应的用户界面的特定显示区域通过指示件观看到显示屏101的实时刷新率，用户可以在不同应用场景下根据实时刷新率调节当前场景下适用的刷新率，实现刷新率的动态调节，从而提高用户体验。
56.比如，用户使用显示设备100进行游戏时，如果刷新率较低游戏界面会出现卡顿，此时可以通过调节刷新率的软件调节刷新率，并通过实时显示的刷新率将刷新率调节至适用于游戏环境的刷新率；再比如，用户使用显示设备100观看新闻时，无需较高的刷新率，此时可以根据实时显示的刷新率将刷新率调低，从而降低功耗。
57.另外，由于第一磁场检测装置104所检测到的导线102对应的磁场强度信息包含了环境磁场，而环境磁场会对获取到的导线102对应的磁场强度信息造成干扰，从而影响检测结果。为解决此问题，请参阅图4和图5，图4是本技术实施例提供的显示设备的第二种结构示意图，图5是本技术实施例提供的导线、第一磁场检测装置和第二磁场检测装置的结构示意图。其中，显示设备100还可以包括第二磁场检测装置105。
58.该第二磁场检测装置105可以与导线102间隔设置，第二磁场检测装置105可以用于检测环境磁场对应的第二磁场强度信息。需要说明的是，第二磁场检测装置105需保证不能检测到导线102的磁场强度信息，而只对导线102所产生磁场造成干扰的其他环境磁场进行检测，即第二磁场检测装置105与导线102间隔设置的位置关系可以根据该条件相应设置，在此不作具体限定。
59.可选的，第一磁场检测装置104可以用于检测经过导线102的电流所引起的磁场强度信息，该磁场强度信息包含了导线102所产生磁场对应的磁场强度信息和环境磁场对应的第二磁场强度信息。因此，第一芯片103还与第二磁场检测装置105电连接，第一芯片103可以通过磁场强度信息和第二磁场强度信息计算出导线102对应的无环境磁场干扰下的磁场强度信息，并确定出显示屏101的刷新率，从而提高检测显示屏101刷新率的准确性。
60.具体地，可以将磁场强度信息与第二磁场强度信息作差值处理，得到第二目标磁场强度信息；根据第二目标磁场强度信息确定显示屏的刷新率。比如，磁场强度信息为a，第二磁场强度信息为b，则第二目标磁场强度信息为a-b。
61.由上可知，本实施例提供的显示设备100，当与显示屏101电连接的导线102有电流流过时，在导线102的周围会产生磁场，通过在导线102相邻位置设置第一磁场检测装置104检测其对应的磁场强度信息，根据磁场强度信息确定显示屏101的刷新率。所设置的第一磁场检测装置104并不会改变显示设备100的供电电路，从而避免了在供电电路中串联电阻所产生的压降问题。并且，通过与导线102间隔设置第二磁场检测装置105，能够避免环境磁场造成的干扰，从而提高刷新率检测的准确性。
62.另外，通过实时检测显示屏101，并通过显示屏101显示实时刷新率，能够实现显示屏101刷新率的动态调节，从而满足用户使用显示设备100的不同场景需求，提高用户体验。
63.可选的，本技术实施例还提供一种检测设备，请参阅图6和图7，图6是本技术实施例提供的检测设备的第一种结构示意图，图7是本技术实施例提供的显示设备的第三种结构示意图。其中，该检测设备200可以用于检测显示设备300，显示设备300可以包括显示屏
301、导线302和第一芯片303。显示屏301可以为oled显示屏；导线302可以为vddr走线，导线302与显示屏301电连接；第一芯片303通过导线302与显示屏301电连接，第一芯片303可以用于控制显示屏301显示画面。
64.该检测设备200可以包括第一磁场检测装置201和第二芯片202，第一磁场检测装置201与导线302相邻设置，第一磁场检测装置201用于检测经过导线302所引起的磁场强度信息；第二芯片202与第一磁场检测装置201电连接，以用于根据第一磁场检测装置201检测到导线302对应的磁场强度信息，确定显示屏301的刷新率。
65.本实施例与上一实施例提供的显示设备100的区别在于：本实施例提供的检测设备200中第一磁场检测装置201是设置在显示设备300外部的，而上一实施例提供的显示设备100中包括第一磁场检测装置104。
66.本实施例提供的检测设备200，当与显示屏301电连接的导线302有电流流过时，在导线302的周围会产生磁场，通过在导线302相邻位置设置第一磁场检测装置201检测其对应的磁场强度信息，根据磁场强度信息确定显示屏301的刷新率，所设置的第一磁场检测装置201并不会改变显示设备300的供电电路，从而避免了在供电电路中串联电阻所产生的压降问题。
67.具体地，在显示设备300产品生产过程中，可以通过检测设备200对显示设备300的刷新率进行检测；或者在显示设备300成品宣传或维修过程中，可以拆机并通过检测设备200对显示设备300的刷新率进行检测。
68.可选的，第一磁场检测装置201可以用于获取预设时间段内导线302在不同时间点对应的所有磁场强度信息。具体地，导线302在通电时，预设时间段内不同时间点会产生多个电流强度信息，将预设时间段内所有电流强度信息、导线302与第一磁场检测装置201之间的距离作为条件，通过上述公式计算得到预设时间段内导线302对应的所有磁场强度信息。预设时间段可以为1秒钟、2秒钟、3秒钟等。
69.在一些实施例中，在获取到预设时间段内导线302在不同时间点对应的所有磁场强度信息之后，第二芯片202可以用于根据导线302在不同时间点对应的所有磁场强度信息得到磁场强度曲线，并基于磁场强度曲线确定显示屏301的刷新率。
70.比如，第二芯片202可以通过至少两根连接线与第一磁场检测装置201电连接，以用于通过至少两根连接线获取所有磁场强度信息，从而根据所有磁场强度信息得到导线302对应的磁场强度曲线；根据磁场强度曲线通过软件算法可以确定出显示屏301的刷新率。其中，至少两根连接线可以为两根连接线、四根连接线或更多根连接线，i2c总线、spi总线或i3c总线等。
71.可选的，将预设时间段内导线302在不同时间点对应的所有磁场强度信息转换成数字信号，将数字信号通过至少两根连接线传输至第二芯片202，该数字信号包含所有磁场强度信息。第二芯片202在接收到数字信号后，经过处理得到所有磁场强度信息形成的磁场强度曲线，并通过软件算法得到显示屏301的刷新率。
72.在一些实施例中，第一磁场检测装置201可以获取预设时间段内导线302在不同时间点对应的所有磁场强度信息，并获取所有磁场强度信息中超过预设磁场强度阈值的所有第一目标磁场强度信息所触发的中断信号。第二芯片202可以根据预设时间段内获取到的中断信号的次数确定显示屏301的刷新率。
73.比如，第二芯片202可以通过一根连接线与第一磁场检测装置201电连接。其中，第一磁场检测装置201在获取到预设时间段内导线302在不同时间点对应的所有磁场强度信息之后，可以将所有磁场强度信息与预设磁场强度阈值进行比较，得到所有磁场强度信息中超过预设磁场强度阈值的所有第一目标磁场强度信息，每获取到一个第一目标磁场强度信息会触发第一磁场检测装置201产生一个中断信号，预设时间段内会触发产生多个中断信号。第一磁场检测装置201将所有中断信号通过一根连接线传输至第二芯片202，第二芯片202可以根据预设时间段内接收到的中断信号次数，确定出显示屏301的刷新率。
74.其中，当导线302与第一磁场检测装置201之间的距离为0.1mm、导线302的电流为140ma时所计算得到的导线302对应的磁场强度信息为0.28mt。因此，可以将预设磁场强度阈值设置为小于0.28mt，如0.25mt等，即显示屏301每刷新一次，导线302会被抽电一次，导线302的电流会发生一次激增达到峰值电流140ma，从而会对应产生一个磁场强度信息0.28mt，该磁场强度信息大于预设磁场强度阈值，从而触发产生一个中断信号，并将该中断信号传输至第二芯片202。
75.在一些实施例中，通过第一磁场检测装置201所检测到的经过导线302的电流所引起的磁场强度信息，可以对显示屏301的刷新率进行实时检测。比如，生产人员可以在生产显示设备300的过程中，通过检测设备200对显示设备300的刷新率进行实时监测，确定监测过程中显示屏301的刷新率是否始终符合设置要求，从而提高显示设备300的合格率；比如，维修人员可以在维修显示设备300时，通过检测设备200对显示设备300的刷新率进行实时检测，提高维修人员的维修效率；再比如，售卖人员在售卖显示设备300产品时，如果用户对显示屏301的刷新率存在疑虑，售卖人员可以拆机并通过检测设备200对显示设备300的刷新率进行实时检测，从而提高显示设备300产品的可售卖性和宣传性。
76.在一些实施例中，显示屏301可以包括显示区域，显示区域设置有指示件，指示件用于显示显示屏301的实时刷新率，其中，构成指示件的指示元素可以为数字、文字等，如60hz(赫兹)、六十赫兹等。维修人员在维修显示设备300的过程中，可以通过显示屏301中指示件所显示的实时刷新率，提高维修效率；售卖人员在售卖显示设备300的过程中，可以通过显示屏301中指示件所显示的实时刷新率，提高显示设备300产品的可售卖性。
77.另外，由于第一磁场检测装置201所检测到的导线302对应的磁场强度信息包含了环境磁场，而环境磁场会对获取到的导线302对应的磁场强度信息造成干扰，从而影响检测结果。为解决此问题，检测设备200还可以包括第二磁场检测装置203。请参阅图8，图8是本技术实施例提供的检测设备的第二种结构示意图。一并参阅图4和图7，本实施例中第一磁场检测装置201与图4实施例中第一磁场检测装置104对应，第二磁场检测装置203与第二磁场检测装置105对应，本实施例中显示设备300的导线302与图4实施例中显示设备100的导线102对应。
78.在一些实施例中，在通过检测设备200对显示设备300的检测过程中，该第二磁场检测装置203可以与导线302间隔设置，第二磁场检测装置203可以用于检测环境磁场对应的第二磁场强度信息。需要说明的是，第二磁场检测装置203需保证不能检测到导线302的磁场强度信息，而只对导线302所产生磁场造成干扰的其他环境磁场进行检测，即第二磁场检测装置203与导线302间隔设置的位置关系可以根据该条件相应设置，在此不作具体限定。
79.可选的，第一磁场检测装置201可以用于检测经过导线302的电流所引起的磁场强度信息，该磁场强度信息包含了导线302所产生磁场对应的磁场强度信息和环境磁场对应的磁场强度信息。因此，第二芯片202还与第二磁场检测装置203电连接，第二芯片202可以通过磁场强度信息和第二磁场强度信息计算出导线302对应的无环境磁场干扰下的磁场强度信息，并确定出显示屏301的刷新率，从而提高检测显示屏301刷新率的准确性。
80.具体地，可以将磁场强度信息与第二磁场强度信息作差值处理，得到第二目标磁场强度信息；根据第二目标磁场强度信息确定显示屏的刷新率。比如，磁场强度信息为a，第二磁场强度信息为b，则第二目标磁场强度信息为a-b。
81.由上可知，本实施例提供的检测设备200可以对显示设备300的刷新率进行实时检测，当与显示屏301电连接的导线302有电流流过时，在导线302的周围会产生磁场，通过在导线302相邻位置设置第一磁场检测装置201检测其对应的磁场强度信息，根据磁场强度信息确定显示屏301的刷新率。所设置的第一磁场检测装置201为显示设备300的外接设备，因此并不会改变显示设备300的供电电路，从而避免了在供电电路中串联电阻所产生的压降问题。并且，通过与导线302间隔设置第二磁场检测装置203，能够避免环境磁场造成的干扰，从而提高刷新率检测的准确性。
82.另外，通过检测设备200对显示设备300进行刷新率检测，能够提高显示设备300的合格率、提高维修人员的维修效率，提高产品的可售卖性，并且，检测设备200作为外接设备，在显示设备300成品中并不会存在该检测设备200，从而可以节省显示设备300的内部空间。
83.相应的，本技术实施例还提供一种刷新率检测方法，请参阅图9，图9是本技术实施例提供的刷新率检测方法的流程示意图。其中，该刷新率检测方法应用于显示设备，如上述实施例中的显示设备100，显示设备可以包括显示屏和与显示屏电连接的导线。该刷新率检测方法的具体步骤可以如下：
84.s401，获取经过导线的电流所引起的磁场强度信息。
85.本实施例中，当导线有电流流过时，在导线的周围会产生磁场，可以通过第一磁场检测装置获取经过导线的电流所引起的磁场强度信息。其中，第一磁场检测装置可以设置在导线的上方，当然，第一磁场检测装置也可以设置在导线的下方或者侧边，具体位置可以根据显示设备内部空间布局进行相应设置。
86.在一些实施例中，可以获取预设时间段内导线在不同时间点对应的所有磁场强度信息。具体地，导线在通电时，预设时间段内不同时间点会产生多个电流强度信息，将预设时间段内所有电流强度信息、导线与第一磁场检测装置之间的距离作为条件，通过上述公式计算得到预设时间段内导线对应的所有磁场强度信息。预设时间段可以为1秒钟、2秒钟、3秒钟等。
87.在一些实施例中，可以获取预设时间段内导线在不同时间点对应的所有磁场强度信息，并获取所有磁场强度信息中超过预设磁场强度阈值的所有第一磁场强度信息所触发的所有中断信号。具体地，在获取到预设时间段内导线在不同时间点对应的所有磁场强度信息之后，可以将所有磁场强度信息与预设磁场强度阈值进行比较，得到所有磁场强度信息中超过预设磁场强度阈值的所有第一目标磁场强度信息，每获取到一个第一目标磁场强度信息会触发第一磁场检测装置产生一个中断信号，预设时间段内会触发产生多个中断信
号。
88.例如，当导线与第一磁场检测装置之间的距离为0.1mm、导线的电流为140ma时所计算得到的导线对应的磁场强度信息为0.28mt。因此，可以将预设磁场强度阈值设置为小于0.28mt，如0.25mt等，即显示屏每刷新一次，导线会被抽电一次，导线的电流会发生一次激增达到峰值电流140ma，从而会对应产生一个磁场强度信息0.28mt，该磁场强度信息大于预设磁场强度阈值，从而触发产生一个中断信号。
89.s402，根据磁场强度信息确定显示屏的刷新率。
90.在一些实施例中，在获取到预设时间段内导线在不同时间点对应的所有磁场强度信息之后，可以根据导线在不同时间点对应的所有磁场强度信息得到磁场强度曲线；并基于磁场强度曲线通过软件算法确定出显示屏的刷新率。
91.在一些实施例中，在获取到预设时间段内导线在不同时间点对应的所有磁场强度信息后，获取所有磁场强度信息中超过预设磁场强度阈值的所有第一目标磁场强度信息所触发的所有中断信号，并根据预设时间段内获取到的中断信号的次数确定显示屏的刷新率。
92.本实施例可以通过经过导线的电流引起的磁场强度信息，对显示屏的刷新率进行实时检测，用户在使用该显示设备时，能够在显示屏对应的用户界面的特定显示区域实时观看到显示屏的刷新率，用户可以在不同应用场景下根据实时刷新率调节当前场景下适用的刷新率，实现刷新率的动态调节，从而提高用户体验。
93.比如，用户使用显示设备进行游戏时，如果刷新率较低游戏界面会出现卡顿，此时可以通过调节刷新率的软件调节刷新率，并通过实时显示的刷新率将刷新率调节至适用于游戏环境的刷新率；再比如，用户使用显示设备观看新闻时，无需较高的刷新率，此时可以根据实时显示的刷新率将刷新率调低，从而降低功耗。
94.另外，环境磁场会对获取到的导线对应的磁场强度信息造成干扰，从而影响刷新率检测结果。为解决此问题，可以通过获取环境磁场对应的第二磁场强度信息；将经过导线的电流所引起的磁场强度信息与环境磁场对应的第二磁场强度信息作差值处理，得到第二目标磁场强度信息；根据第二目标磁场强度信息确定显示屏的刷新率，从而提高刷新率检测的准确性。比如，经过导线的电流所引起的磁场强度信息为a，环境磁场对应的第二磁场强度信息为b，则第二目标磁场强度信息为a-b。
95.由上可知，本实施例通过获取经过导线的电流所引起的磁场强度信息；以及根据磁场强度信息确定显示屏的刷新率。由此，避免了在供电电路中串联电阻所产生的压降问题，并且能够避免环境磁场造成的干扰，从而提高刷新率检测的准确性。另外，通过实时检测显示屏并通过显示屏显示刷新率，能够满足用户使用显示设备的不同场景需求，提高用户体验。
96.相应的，本技术实施例还提供一种计算机可读的存储介质，该存储介质存储有计算机程序，当该计算机程序在计算机上运行时，使得该计算机执行上述任一实施例中的刷新率检测方法。
97.例如，在一些实施例中，当上述计算机程序在计算机上运行时，该计算机执行如下步骤：
98.获取经过导线的电流所引起的磁场强度信息；以及
99.根据磁场强度信息确定显示屏的刷新率。
100.以上各个操作的具体实施可参见前面的实施例，在此不再赘述。
101.其中，该存储介质可以包括：只读存储器(rom，read only memory)、随机存取记忆体(ram，random access memory)、磁盘或光盘等。
102.由于该存储介质中所存储的指令，可以执行本技术实施例所提供的任一种刷新率检测方法中的步骤，因此，可以实现本技术实施例所提供的任一种刷新率检测方法所能实现的有益效果，详见前面的实施例，在此不再赘述。
103.需要说明的是，对本技术实施例的刷新率检测方法而言，本领域普通测试人员可以理解实现本技术实施例的刷新率检测方法的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来控制相关的硬件来完成，该计算机程序可存储于一计算机可读取存储介质中，如存储在电子设备的存储器中，并被该电子设备内的至少一个处理器执行，在执行过程中可包括如刷新率检测方法的实施例的流程。
104.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。
105.以上对本技术实施例所提供的显示设备、检测设备、刷新率检测方法以及存储介质进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。
技术特征：1.一种显示设备，其特征在于，包括：显示屏；导线，一端与所述显示屏电连接；第一芯片，与所述导线的另一端电连接；以及第一磁场检测装置，与所述导线相邻设置，所述第一磁场检测装置用于检测经过所述导线的电流所引起的磁场强度信息；其中，所述第一芯片与所述第一磁场检测装置电连接，以用于根据所述第一磁场检测装置检测到的所述磁场强度信息，确定所述显示屏的刷新率。2.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一磁场检测装置用于获取预设时间段内所述导线在不同时间点对应的所有磁场强度信息；其中，所述第一芯片用于根据所述导线在不同时间点对应的所有磁场强度信息得到磁场强度曲线，并基于所述磁场强度曲线确定所述显示屏的刷新率。3.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一磁场检测装置用于获取预设时间段内所述导线在不同时间点对应的所有磁场强度信息，并获取所有磁场强度信息中超过预设磁场强度阈值的所有第一目标磁场强度信息所触发的所有中断信号；其中，所述第一芯片用于根据预设时间段内获取到的中断信号的次数确定所述显示屏的刷新率。4.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备还包括第二磁场检测装置，所述第二磁场检测装置与所述导线间隔设置，所述第二磁场检测装置用于检测环境磁场对应的第二磁场强度信息；其中，所述第一芯片还与所述第二磁场检测装置电连接，以用于根据所述磁场强度信息和所述第二磁场强度信息确定所述显示屏的刷新率。5.根据权利要求4所述的显示设备，其特征在于，所述第一芯片还用于：将所述磁场强度信息与所述第二磁场强度信息作差值处理，得到第二目标磁场强度信息；根据所述第二目标磁场强度信息确定所述显示屏的刷新率。6.根据权利要求1至5任一项所述的显示设备，其特征在于，所述显示屏包括有机发光二极管显示屏，所述导线包括为所述第一芯片供电的vddr导线，所述第一磁场检测装置包括霍尔传感器。7.根据权利要求1至5任一项所述的显示设备，其特征在于，所述显示屏包括显示区域，所述显示区域设置有指示件，所述指示件用于显示所述显示屏的实时刷新率。8.一种检测设备，其特征在于，用于检测显示设备，所述显示设备包括显示屏和导线，所述导线与所述显示屏电连接，所述检测设备包括：第一磁场检测装置，与所述导线相邻设置，所述第一磁场检测装置用于检测经过所述导线的电流所引起的磁场强度信息；以及第二芯片，所述第二芯片与所述第一磁场检测装置电连接，以用于根据所述第一磁场检测装置检测到的所述磁场强度信息，确定所述显示屏的刷新率。9.根据权利要求8所述的检测设备，其特征在于，所述第一磁场检测装置用于获取预设时间段内所述导线在不同时间点对应的所有磁场强度信息；
其中，所述第二芯片用于根据所述导线在不同时间点对应的所有磁场强度信息得到磁场强度曲线，并基于所述磁场强度曲线确定所述显示屏的刷新率。10.根据权利要求8所述的检测设备，其特征在于，所述第一磁场检测装置用于获取预设时间段内所述导线在不同时间点对应的所有磁场强度信息，并获取所有磁场强度信息中超过预设磁场强度阈值的所有第一目标磁场强度信息所触发的所有中断信号；其中，所述第二芯片用于根据预设时间段内获取到的中断信号的次数确定所述显示屏的刷新率。11.根据权利要求8所述的检测设备，其特征在于，所述检测设备还包括第二磁场检测装置，所述第二磁场检测装置与所述导线间隔设置，所述第二磁场检测装置用于检测环境磁场对应的第二磁场强度信息；其中，所述第二芯片还与所述第二磁场检测装置电连接，以用于根据所述磁场强度信息和所述第二磁场强度信息确定所述显示屏的刷新率。12.根据权利要求11所述的检测设备，其特征在于，所述第二芯片还用于：将所述磁场强度信息与所述第二磁场强度信息作差值处理，得到第二目标磁场强度信息；根据所述第二目标磁场强度信息，确定所述显示屏的刷新率。13.根据权利要求8至12任一项所述的检测设备，其特征在于，所述显示屏包括有机发光二极管显示屏，所述导线包括为所述第一芯片供电的vddr导线，所述第一磁场检测装置包括霍尔传感器。14.根据权利要求8至12任一项所述的检测设备，其特征在于，所述显示屏包括显示区域，所述显示区域设置有指示件，所述指示件用于显示所述显示屏的实时刷新率。15.一种刷新率检测方法，其特征在于，应用于显示设备，所述显示设备包括显示屏和与所述显示屏电连接的导线，所述方法包括：获取经过所述导线的电流所引起的磁场强度信息；以及根据所述磁场强度信息确定所述显示屏的刷新率。16.根据权利要求15所述的刷新率检测方法，其特征在于，所述获取经过所述导线的电流所引起的磁场强度信息，包括：获取预设时间段内所述导线在不同时间点对应的所有磁场强度信息；所述根据所述磁场强度信息确定所述显示屏的刷新率，包括：根据所述导线在不同时间点对应的所有磁场强度信息得到磁场强度曲线；基于所述磁场强度曲线确定所述显示屏的刷新率。17.根据权利要求15所述的刷新率检测方法，其特征在于，所述获取经过所述导线的电流所引起的磁场强度信息，包括：获取预设时间段内所述导线在不同时间点对应的所有磁场强度信息，并获取所有磁场强度信息中超过预设磁场强度阈值的所有第一目标磁场强度信息所触发的所有中断信号；所述根据所述磁场强度信息确定所述显示屏的刷新率，包括：根据预设时间段内获取到的中断信号的次数确定所述显示屏的刷新率。18.根据权利要求15所述的刷新率检测方法，其特征在于，所述方法还包括：获取环境磁场对应的第二磁场强度信息；
将所述磁场强度信息与所述第二磁场强度信息作差值处理，得到第二目标磁场强度信息；根据所述第二目标磁场强度信息确定所述显示屏的刷新率。19.一种计算机可读的存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得所述计算机执行如权利要求15至18任一项所述的刷新率检测方法。
技术总结本申请提供一种显示设备、检测设备、刷新率检测方法以及存储介质，该显示设备包括：显示屏；导线，一端与显示屏电连接；第一芯片，与导线的另一端电连接；以及第一磁场检测装置，与导线相邻设置，第一磁场检测装置用于检测经过导线的电流所引起的磁场强度信息；其中，第一芯片与第一磁场检测装置电连接，以用于根据第一磁场检测装置检测到的磁场强度信息，确定显示屏的刷新率。本申请在不改变显示设备供电电路的前提下，通过在导线相邻位置设置磁场检测装置检测其对应的磁场强度信息，确定显示屏的刷新率，解决了压降问题。解决了压降问题。解决了压降问题。
技术研发人员：陈占超
受保护的技术使用者：杭州逗酷软件科技有限公司
技术研发日：2022.07.26
技术公布日：2022/11/1
