涂膜形成用组合物、涂膜及带涂膜的物品的制作方法

专利2025-07-12  18


本发明涉及涂膜形成用组合物、涂膜及带涂膜的物品。


背景技术:

1、以往,为了防止污物对构造物的附着及擦伤等,使用了利用防污涂膜来保护构造物及构造部件的表面的方法。

2、然而,在工厂内等,在对涂布有防污涂膜的构造部件(被粘物)等进行处理的情况下,在重新涂布防污涂膜的时间点之前,有时会无意地在防污涂膜的表面附着煤、水泥等(以下也称为煤·水泥等)。在该情况下,需要进行除去附着于涂膜表面的煤·水泥等的清扫操作。

3、例如,专利文献1中公开了耐溶剂性、重涂性、涂鸦除去性或防涂鸦性优异的涂料组合物。上述专利文献1中记载的涂料组合物含有以下必需成分:液态有机硅氧烷化合物;有机金属系催化剂;选自具有伯氨基或仲氨基的含烷氧基的有机硅烷化合物、氨基改性硅油及含氨基的有机硅氧烷化合物中的至少1种化合物;和选自1分子中具有2个以上缩水甘油基的化合物、含缩水甘油基的硅烷化合物及含缩水甘油基的有机硅低聚物中的至少1种化合物。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1:日本专利第4721667号公报


技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、在上述专利文献1中,虽然进行了油性笔用油墨等涂鸦除去性的评价,但没有对在建设工程现场等容易附着的煤·水泥等煤的除去性能进行评价。

3、本发明的目的在于提供能够得到即使附着有煤·水泥等污物也能够容易地除去的涂膜、即易清扫性优异的涂膜的涂膜形成用组合物,由该组合物形成的涂膜及具备该涂膜的带涂膜的物品。

4、用于解决课题的手段

5、本申请发明人为了解决上述课题而进行了深入研究,结果发现,利用含有聚氨酯系树脂等水系树脂和胶体二氧化硅且通过规定的方法制作的涂膜的弹性模量为规定值以上的涂膜形成用组合物,能够形成对煤·水泥等的易清扫性优异的涂膜,从而完成了本发明。

6、即,本发明的课题能够通过下述〔1〕~〔8〕解决。

7、〔1〕

8、涂膜形成用组合物,其是含有水系树脂和胶体二氧化硅的涂膜形成用组合物,

9、其中,通过下述方法制作的测定用涂膜样品1的弹性模量为100mpa以上,

10、测定用涂膜样品1的制作方法:在厚度75μm的pet膜的表面以wet厚度成为500μm的方式涂布前述涂膜形成用组合物,于22℃干燥24小时而在前述pet膜上形成涂膜,以前述涂膜的面积成为10mm×100mm的方式进行切取,从而制作测定用涂膜样品1。

11、〔2〕

12、如上述〔1〕所述的涂膜形成用组合物,其中,相对于前述水系树脂100质量份而言,前述胶体二氧化硅的含量为30质量份以下。

13、〔3〕

14、如上述〔1〕或〔2〕所述的涂膜形成用组合物,其中,前述水系树脂为聚氨酯系树脂。

15、〔4〕

16、如上述〔1〕~〔3〕中任一项所述的涂膜形成用组合物,其还含有反应性硅油。

17、〔5〕

18、如上述〔4〕所述的涂膜形成用组合物,其中,前述反应性硅油为氨基改性硅油。

19、〔6〕

20、如上述〔1〕~〔5〕中任一项所述的涂膜形成用组合物,通过下述方法制作的测定用涂膜样品2的接触角为60°~100°,

21、测定用涂膜样品2的制作方法:在厚度75μm的pet膜的表面以wet厚度成为500μm的方式涂布前述涂膜形成用组合物,于22℃干燥24小时而在前述pet膜上形成涂膜,从而制作测定用涂膜样品2。

22、〔7〕

23、涂膜,其是由上述〔1〕~〔6〕中任一项所述的涂膜形成用组合物形成的。

24、〔8〕

25、带涂膜的物品,其具备上述〔7〕所述的涂膜。

26、发明的效果

27、本发明在组合物中含有水系树脂和胶体二氧化硅,将由该组合物制作的涂膜的弹性模量限定于适当的范围。因此,可提供能够得到对煤·水泥等的易清扫性优异的涂膜的涂膜形成用组合物、由该组合物形成的涂膜及具备该涂膜的带涂膜的物品。



技术特征:

1.涂膜形成用组合物,其是含有水系树脂和胶体二氧化硅的涂膜形成用组合物,

2.如权利要求1所述的涂膜形成用组合物,其中,相对于所述水系树脂100质量份而言,所述胶体二氧化硅的含量为30质量份以下。

3.如权利要求1所述的涂膜形成用组合物,其中,所述水系树脂为聚氨酯系树脂。

4.如权利要求1所述的涂膜形成用组合物,其还含有反应性硅油。

5.如权利要求4所述的涂膜形成用组合物,其中,所述反应性硅油为氨基改性硅油。

6.如权利要求1所述的涂膜形成用组合物,其中,通过下述方法制作的测定用涂膜样品2的接触角为60°~100°,

7.涂膜,其是由权利要求1~6中任一项所述的涂膜形成用组合物形成的。

8.带涂膜的物品,其具备权利要求7所述的涂膜。


技术总结
本发明涉及涂膜形成用组合物,其是含有水系树脂和胶体二氧化硅的涂膜形成用组合物,其中,通过规定的方法制作的测定用涂膜样品1的弹性模量为100MPa以上。

技术研发人员:大村骏介,江原亮
受保护的技术使用者:日东电工株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/11/11
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