本实施方式涉及一种石墨烯的制造方法。
背景技术：
1、已知在石墨烯的制造方法中，通过将碳化硅基板在1×10-1～1×10-5pa的高真空中加热，硅(si)原子升华和残留的碳(c)元素自组织化，在碳化硅基板上层叠形成石墨烯。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：国际公开第2010/023934号公报。
技术实现思路
1、发明所要解决的问题
2、但是，在将碳化硅基板在1×10-1～1×10-5pa的高真空中加热的情况下，如果为低温则会发生热分解，因此，硅原子的升华剧烈，难以进行石墨烯的层叠控制，可能引起结晶缺陷。
3、用于解决问题的技术手段
4、本公开提供一种层叠形成均匀的石墨烯的制造方法。
5、根据本实施方式的一方面，提供一种石墨烯的制造方法，其中，在碳基座上载置半导体基板，在碳基座或半导体基板的上方载置供给部件，由第一加热源和第二加热源中的至少一个对供给部件和碳基座进行加热，通过碳基座的加热对半导体基板进行加热，在半导体基板上形成一层或多层石墨烯层。
6、发明效果
7、根据本实施方式，能够提供一种层叠形成均匀的石墨烯的制造方法。
1.一种石墨烯的制造方法，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的石墨烯的制造方法，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的石墨烯的制造方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的石墨烯的制造方法，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的石墨烯的制造方法，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的石墨烯的制造方法，其特征在于，
7.根据权利要求1或2所述的石墨烯的制造方法，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的石墨烯的制造方法，其特征在于，
9.根据权利要求7所述的石墨烯的制造方法，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的石墨烯的制造方法，其特征在于，
11.根据权利要求1所述的石墨烯的制造方法，其特征在于，
12.根据权利要求1所述的石墨烯的制造方法，其特征在于，
13.根据权利要求1所述的石墨烯的制造方法，其特征在于，
14.根据权利要求1所述的石墨烯的制造方法，其特征在于，
15.根据权利要求1所述的石墨烯的制造方法，其特征在于，
16.根据权利要求1所述的石墨烯的制造方法，其特征在于，
