本申请涉及计算机领域，尤其涉及一种nand闪存的数据处理方法、装置、存储介质及电子设备。
背景技术：
1、nnad闪存的寿命受限于存储单元的磨损，每个存储单元都有一定寿命，当擦除/写次数到达寿命时，会被标记为坏块，不能再用作存储数据。嵌入式系统中的数据往往呈现少量多次的特点，例如：数控机床上要编程对某个零件加工时，每个参数都需要保存，但每个参数的数据量都很小，只有一个字甚至一个字节。如果数据直写，会导致不断的从原来页中读出数据，写到新的页，严重减少nand闪存的寿命。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了nand闪存的数据处理方法、装置、存储介质及电子设备，可以解决现有技术中频繁地执行写操作减少nand闪存寿命的问题。所述技术方案如下：
2、第一方面，本申请实施例提供了一种nand闪存的数据处理方法，所述方法包括：
3、检测到nand闪存上电时，将所述nand闪存中的数据缓存到sram中；
4、接收针对所述nand闪存的写指令，所述写指令携带写地址和写数据；
5、根据所述写地址在所述sram查询对应的目标页，若查询到写目标页，以及将所述写数据写入到所述目标页中；
6、检测到满足预设的写回条件时，比较所述sram中的数据和所述nand闪存中的数据是否相同，若不同，将所述sram中数据同步到所述nand闪存中。
7、第二方面，本申请实施例提供了一种nand闪存的数据处理装置，所述装置包括：
8、缓存单元，用于检测到nand闪存上电时，将所述nand闪存中的数据缓存到sram中；
9、接收单元，用于接收针对所述nand闪存的写指令，所述写指令携带写地址和写数据；
10、写入单元，用于根据所述写地址在所述sram查询对应的目标页，若查询到写目标页，以及将所述写数据写入到所述目标页中；
11、同步单元，用于检测到满足预设的写回条件时，比较所述sram中的数据和所述nand闪存中的数据是否相同，若不同，将所述sram中数据同步到所述nand闪存中。
12、第三方面，本申请实施例提供一种计算机存储介质，所述计算机存储介质存储有多条指令，所述指令适于由处理器加载并执行上述的方法步骤。
13、第四方面，本申请实施例提供一种电子设备，包括：微控制器、nand闪存、显示屏和上述的nand闪存的数据处理装置。
14、本申请一些实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
15、通过引入sram作为数据缓冲区并优化nand闪存的数据处理方法，为高频次数据量小的嵌入式系统应用场景提供了一种有效的解决方案。它不仅能够延长nand闪存的寿命，还能提高数据写入效率、降低系统功耗并增强系统稳定性。
1.一种nand闪存的数据处理方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设的写回条件包括如下的一种或多种：
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将所述nand闪存中的数据缓存到sram中，包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述nand闪存中遍历占用页，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求1或2或4或6所述的方法，其特征在于，所述将所述sram中数据同步到所述nand闪存中，包括：
8.一种nand闪存的数据处理装置，其特征在于，包括：
9.一种计算机存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质存储有多条指令，所述指令适于由处理器加载并执行如权利要求1～7任意一项的方法步骤。
10.一种电子设备，其特征在于，包括：nand闪存控制器、nand闪存、sram闪存控制器、sram和如权利要求8所述的nand闪存的数据处理装置。
