本发明涉及，尤其涉及一种高光效倒装led芯片及其制备方法。
背景技术：
1、随着半导体照明技术的迅猛发展，发光二极管(led)因其高效、节能、环保等优点，已成为新一代照明光源的主流选择。在众多led技术中，倒装led(flip-chip led，fcled)芯片因其优越的热管理性能和高光效，逐渐受到业界的广泛关注。为了进一步提升倒装led的性能，金属反射层结构的引入成为一个重要的研究方向。
2、金属反射层结构是一种在led芯片表面采用银或铝等较高反射率的金属作为反射层的设计。银或铝等金属作为反射层材料，具有优异的反射性能、散热性能和工艺兼容性等，可以显著提高倒装led芯片的光提取效率。但是金属反射层一般是在高反射的ag或al等金属上沉积cr或ni等金属，用于电学接触及黏附，但是cr或ni等金属的加入大幅降低了金属反射层的反射效果。现有的金属反射层时无法兼顾反射率和导电性的要求。
技术实现思路
1、本发明所要解决的技术问题在于，提供一种高光效倒装led芯片，制得的倒装led芯片的发光效率高。
2、本发明还要解决的技术问题在于，提供一种高光效倒装led芯片的制备方法，制备方法简单，制得的倒装led芯片的发光效率高。
3、为了解决上述问题，本发明公开了一种高光效倒装led芯片的制备方法，包括以下步骤：
4、(1)提供一衬底，在所述衬底上形成外延层，所述外延层包括依次沉积的n型半导体层、有源层和p型半导体层；
5、(2)在所述p型半导体层上形成透明导电层，蚀刻部分外延层直至暴露所述n型半导体层，形成n型半导体台面和p型半导体台面；
6、(3)在所述n型半导体台面、p型半导体台面及台面侧壁上形成介质层；
7、(4)对所述p型半导体台面上的所述介质层开设周期性导电通孔，暴露透明导电层，在所述周期性导电通孔内及介质层上形成金属反射层；对所述n型半导体台面上的所述介质层开设通孔，暴露所述n型半导体台面；
8、(5)在所述金属反射层和介质层上形成透明保护层，对透明保护层开设电极通孔并分别暴露金属反射层和n型半导体台面；
9、(6)在所述电极通孔内形成p电极和n电极。
10、作为上述技术方案的改进，还包括在所述介质层上形成dbr层；对所述p型半导体台面上的所述介质层和dbr层开设周期性导电通孔，暴露透明导电层，并在所述周期性导电通孔内和dbr层上形成金属反射层；对所述n型半导体台面上的所述介质层和dbr层开设通孔，暴露所述n型半导体层。
11、作为上述技术方案的改进，所述周期性导电通孔的直径为0.4nm～0.8nm，相邻两个所述周期性导电通孔的距离为10nm～20nm。
12、作为上述技术方案的改进，所述dbr层为sio2、ti3o5、tio2、si3n4、mgf2、caf2、zro2中的两种以上交替层叠形成的周期性结构，周期数为2～10，所述dbr层的厚度为100nm～600nm。
13、作为上述技术方案的改进，所述dbr层为ti3o5层和sio2层交替层叠形成的周期性结构，周期数为2～4，每个周期中，所述ti3o5层的厚度为40nm～70nm，所述sio2层的厚度为30nm～60nm。
14、作为上述技术方案的改进，所述金属反射层的材料为ag、al、ni、ti、au中的一种或多种，所述金属反射层的厚度为100nm～150nm。
15、作为上述技术方案的改进，所述介质层的材料为sio2、al2o3、zno中的一种或多种，所述介质层的厚度为450nm～550nm。
16、作为上述技术方案的改进，所述透明保护层的材料为sio2、si3n4、tio2中的一种或多种，所述透明保护层的厚度为500nm～800nm。
17、作为上述技术方案的改进，所述p电极和n电极的材料为cr、ti、ni、pt、au、zn、al、cu中的一种或多种。
18、相应的，本发明还公开了一种高光效倒装led芯片，所述高光效倒装led芯片由上述的高光效倒装led芯片的制备方法制得。
19、实施本发明，具有如下有益效果：
20、1、本发明在介质层设置了周期性导电通孔，并在周期性导电通孔中沉积金属反射层，相较于传统的直接沉积金属反射层，该结构下，可以兼顾反射率和导电性的要求，同时出射光可以利用周期性导电通孔的侧壁的反射作用，增加光线出射的概率，从而提升芯片的出光效率。
21、2、本发明在金属反射层中引入dbr层，能够提升其在整个光谱范围内的反射率，改善反射率不均匀的问题。
1.一种高光效倒装led芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的高光效倒装led芯片的制备方法，其特征在于，还包括在所述介质层上形成dbr层；对所述p型半导体台面上的所述介质层和dbr层开设周期性导电通孔，暴露透明导电层，并在所述周期性导电通孔内和dbr层上形成金属反射层；对所述n型半导体台面上的所述介质层和dbr层开设通孔，暴露所述n型半导体层。
3.如权利要求1或2所述的高光效倒装led芯片的制备方法，其特征在于，所述周期性导电通孔的直径为0.4nm～0.8nm，相邻两个所述周期性导电通孔的距离为10nm～20nm。
4.如权利要求2所述的高光效倒装led芯片的制备方法，其特征在于，所述dbr层为sio2、ti3o5、tio2、si3n4、mgf2、caf2、zro2中的两种以上交替层叠形成的周期性结构，周期数为2～10，所述dbr层的厚度为100nm～600nm。
5.如权利要求4所述的高光效倒装led芯片的制备方法，其特征在于，所述dbr层为ti3o5层和sio2层交替层叠形成的周期性结构，周期数为2～4，每个周期中，所述ti3o5层的厚度为40nm～70nm，所述sio2层的厚度为30nm～60nm。
6.如权利要求1或2所述的高光效倒装led芯片的制备方法，其特征在于，所述金属反射层的材料为ag、al、ni、ti、au中的一种或多种，所述金属反射层的厚度为100nm～150nm。
7.如权利要求1或2所述的高光效倒装led芯片的制备方法，其特征在于，所述介质层的材料为sio2、al2o3、zno中的一种或多种，所述介质层的厚度为450nm～550nm。
8.如权利要求1或2所述的高光效倒装led芯片的制备方法，其特征在于，所述透明保护层的材料为sio2、si3n4、tio2中的一种或多种，所述透明保护层的厚度为500nm～800nm。
9.如权利要求1或2所述的高光效倒装led芯片的制备方法，其特征在于，所述p电极和n电极的材料为cr、ti、ni、pt、au、zn、al、cu中的一种或多种。
10.一种高光效倒装led芯片，其特征在于，所述高光效倒装led芯片由权利要求1～9任一项所述的高光效倒装led芯片的制备方法制得。
