本发明涉及硅微电子，具体为一种基于issg工艺的eeprom存储器及制备方法。
背景技术：
1、电可擦除可编程只读存储器(electrically-erasable programmable read onlymemory，eeprom)是一种非易失性存储器，广泛应用于对数据存储安全和可靠性要求高的场合。eeprom工艺在基线cmos工艺如0.13μm cmos工艺的基础上附加工艺模块形成。特征尺寸在0.25μm以下的小尺寸cmos基线工艺通常为双栅工艺，形成两种工作电压的器件，即内核器件(core device)和输入/输出器件(i/o device)；特征尺寸在0.25μm以上的大尺寸cmos基线工艺为单栅工艺，形成一种工作电压的器件，即电路中不区分内核器件和输入/输出器件，可以理解为只有输入/输出器件。另外，eeprom的读写通过高压模块进行，即采用栅氧更厚、电压更高的特殊高压器件(hv device)。
2、随着cmos器件特征尺寸的缩小和栅介质层厚度的减薄，栅介质损伤成为cmos集成电路在实际应用中的主要失效模式之一。而原位水汽生成(in-situ steam generation，issg)是一种新型低压快速氧化技术，由于原子氧的强氧化作用，最终得到的sio2层体内缺陷和界面态密度都比较少，薄膜质量也比较高。另外，issg可以将sinx层再氧化为sio2层，从而实现上层sio2/下层sinx的复合结构。
3、eeprom中浮栅通过ono层(sio2顶层/sinx中层/sio2底层)与存储管控制栅极实现隔离。在eeprom整个工艺流程中，ono层中的sio2顶层容易受到后续栅介质氧化前hf清洗工艺的影响，厚度产生波动，严重时可出现针孔并形成漏电通道。
技术实现思路
1、针对现有技术中栅介质可靠性和存储管浮栅极与控制栅极之间ono层隔离失效的问题，本发明提供一种基于issg工艺的eeprom存储器及制备方法。
2、本发明是通过以下技术方案来实现：
3、一种基于issg工艺的eeprom存储器，该存储器以issg sio2层作为内核器件和输入/输出器件的栅介质层，且存储管浮栅极与控制栅极之间的ono介质层的顶层由issg对sinx的再氧化实现，ono介质层包括hto底层(high temperature oxide，高温热氧化物)、sinx中层和issg sio2顶层。
4、一种基于issg工艺的eeprom存储器制备方法，包括如下步骤：
5、步骤1，预处理硅衬底，并在硅衬底的上表面填充五个浅槽隔离(shallow trenchisolation，sti)氧化物，然后在相邻的sti氧化物之间分别注入存储管源漏、低压阱、中压阱、高压阱和存储管阱；
6、步骤2，在硅衬底上表面生长作为存储管栅介质层的sio2层；在存储管的漏区上方光刻开出隧穿窗口，之后湿法刻蚀掉隧穿窗口内的sio2层；在刻蚀后隧穿窗口处氧化生长作为隧穿氧化层的sio2层；
7、步骤3，在隧穿氧化层上淀积多晶硅层，光刻覆盖存储管浮栅区，刻蚀多晶硅层，形成eeprom单元中的浮栅；
8、步骤4，在衬底上淀积no层，no层包括hto底层和sinx中层，光刻覆盖存储管区，之后刻蚀掉内核mos的no层和存储管栅介质层、输入/输出mos的no层和存储管栅介质层、高压mos的no层和存储管栅介质层，保留存储管区的no层和存储管栅介质层；
9、步骤5，氧化生长高压mos的高压栅介质层，光刻覆盖高压mos和存储管区，之后刻蚀掉内核mos的高压栅介质层和输入/输出mos的高压栅介质层；
10、步骤6，采用issg工艺生长输入/输出mos的厚栅介质层，issg工艺同时将存储管区no层的sinx中层部分再氧化为sio2顶层，光刻覆盖输入/输出mos、高压mos和存储管区，之后刻蚀掉内核mos的厚栅介质层；
11、步骤7，采用issg工艺生长内核mos的薄栅介质层，issg工艺同时将存储管区no层的sinx中层继续再氧化为sio2顶层，最终存储管区no层转化为ono层；
12、步骤8，淀积多晶硅层，光刻覆盖多晶硅层进行刻蚀，完成eeprom的栅极制备；
13、步骤9，按照公知工艺，完成轻掺杂源漏注入、侧墙淀积和刻蚀、源漏注入，形成完整的器件结构。
14、优选的，当eeprom存储器工艺的特征尺寸在0.25μm以上时，其制备方法不含有步骤6中光刻和刻蚀厚栅介质层的部分以及步骤7的全部，并且步骤1中sti氧化物为场氧化物、不含有低压阱。
15、优选的，步骤2中，作为存储管栅介质层的sio2层采用通o2的干氧氧化或按照反应气体h2:o2体积比例为1:(1～1.8)的湿氧氧化进行生长，反应温度为750℃～900℃、时间为10min～120min，厚度为
16、刻蚀时，采用湿法刻蚀，刻蚀液采用nh4f:hf体积比例为100:1的缓冲氧化物刻蚀液；
17、作为隧穿氧化层的sio2层采用通o2的干氧氧化或按照反应气体h2:o2体积比例为1:(1～1.8)的湿氧氧化进行生长，反应温度为750℃～900℃、时间为5min～30min，厚度为
18、优选的，步骤3中，作为浮栅的多晶硅层采用先lpcvd方法淀积、再光刻后刻蚀进行制备；
19、淀积时，反应气体为sih4，温度为575℃～650℃、压力为0.1torr～5.0torr，厚度为
20、刻蚀时，采用干法刻蚀，主气体为hbr、cl2和heo2，多晶硅对sio2的刻蚀选择比大于200:1，刻蚀终点停留在sio2上。
21、优选的，步骤4中，hto底层和sinx中层均采用lpcvd方法进行淀积；
22、hto底层淀积时，反应气体为体积比例为1:(5～10)的sih2cl2和n2o，反应温度为800℃～900℃、压力为0.1torr～5.0torr、时间为5min～30min，厚度为
23、sinx层淀积时，反应气体为体积比例为1:(5～10)的sih2cl2和nh3，反应温度为700℃～800℃、压力为0.1torr～5.0torr、时间为10min～60min，厚度为
24、刻蚀时，采用干法刻蚀，主刻蚀气体为cf4和chf3，sinx对sio2的刻蚀选择比为10:1，刻蚀终点停留在sio2上。
25、优选的，步骤5中，高压mos的高压栅介质层采用通o2的干法氧化或按照反应气体h2:o2体积比例为1:(1～1.8)的湿法氧化两种方式生长sio2，反应温度为750℃～950℃、时间为10min～180min，厚度为
26、刻蚀时，采用湿法刻蚀，刻蚀液采用nh4f:hf的体积比例为100:1的缓冲氧化物刻蚀液。
27、优选的，步骤6中，厚栅介质层按照反应气体h2:o2体积比例为1:(3～30)的issg氧化方式生长sio2，反应温度为900℃～1200℃、时间为10s～240s，厚度为
28、在issg工艺生长sio2的同时，存储管区no层中的sinx中层再氧化为的sio2顶层；
29、刻蚀时，采用湿法刻蚀，刻蚀液采用nh4f:hf的体积比例为100:1的缓冲氧化物刻蚀液。
30、优选的，步骤7中，薄栅介质层按照反应气体h2:o2体积比例为1:(3～30)的issg氧化方式生长sio2，反应温度为900℃～1200℃、时间为5s～120s，厚度为
31、在issg工艺生长sio2的同时，存储管区no层的sinx中层再氧化为的sio2顶层。
32、优选的，步骤8中，多晶硅层的淀积采用lpcvd进行淀积，反应气体为sih4，温度为575℃～650℃、压力为0.1torr～5.0torr，厚度为
33、多晶栅的刻蚀采用干法刻蚀，主刻蚀气体为hbr、cl2和heo2，多晶硅对sio2的刻蚀选择比大于200:1，刻蚀终点停留在sio2上。
34、与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
35、本发明一种高可靠eeprom存储器以issg生长的sio2替代干法或湿法氧化生长的sio2作为厚栅介质层和薄栅介质层，具有更好的栅介质可靠性。同时，通过issg对sinx的再氧化将存储管浮栅的no层转化为ono层，减少了ono层中sio2顶层的淀积，简化了工艺。而且，由于no层中的sinx层对hf清洗工艺不敏感，sinx再氧化实现的sio2具有更稳定的厚度和更好的隔离特性。
1.一种基于issg工艺的eeprom存储器，其特征在于，该存储器以issg sio2层作为内核器件和输入/输出器件的栅介质层，且存储管浮栅极与控制栅极之间的ono介质层的顶层由issg对sinx的再氧化实现，ono介质层包括hto底层、sinx中层和issg sio2顶层。
2.一种基于issg工艺的eeprom存储器制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
3.根据权利要求2所述的基于issg工艺的eeprom存储器制备方法，其特征在于，当eeprom存储器工艺的特征尺寸在0.25μm以上时，其制备方法不含有步骤6中光刻和刻蚀厚栅介质层的部分以及步骤7的全部，并且步骤1中sti氧化物为场氧化物、不含有低压阱。
4.根据权利要求2所述的基于issg工艺的eeprom存储器制备方法，其特征在于，步骤2中，作为存储管栅介质层的sio2层采用通o2的干氧氧化或按照反应气体h2:o2体积比例为1:(1～1.8)的湿氧氧化进行生长，反应温度为750℃～900℃、时间为10min～120min，厚度为
5.根据权利要求2所述的基于issg工艺的eeprom存储器制备方法，其特征在于，步骤3中，作为浮栅的多晶硅层采用先lpcvd方法淀积、再光刻后刻蚀进行制备；
6.根据权利要求2所述的基于issg工艺的eeprom存储器制备方法，其特征在于，步骤4中，hto底层和sinx中层均采用lpcvd方法进行淀积；
7.根据权利要求2所述的基于issg工艺的eeprom存储器制备方法，其特征在于，步骤5中，高压mos的高压栅介质层采用通o2的干法氧化或按照反应气体h2:o2体积比例为1:(1～1.8)的湿法氧化两种方式生长sio2，反应温度为750℃～950℃、时间为10min～180min，厚度为
8.根据权利要求2所述的基于issg工艺的eeprom存储器制备方法，其特征在于，步骤6中，厚栅介质层按照反应气体h2:o2体积比例为1:(3～30)的issg氧化方式生长sio2，反应温度为900℃～1200℃、时间为10s～240s，厚度为
9.根据权利要求2所述的基于issg工艺的eeprom存储器制备方法，其特征在于，步骤7中，薄栅介质层按照反应气体h2:o2体积比例为1:(3～30)的issg氧化方式生长sio2，反应温度为900℃～1200℃、时间为5s～120s，厚度为
10.根据权利要求2所述的基于issg工艺的eeprom存储器制备方法，其特征在于，步骤8中，多晶硅层的淀积采用lpcvd进行淀积，反应气体为sih4，温度为575℃～650℃、压力为0.1torr～5.0torr，厚度为
