本发明属于微电子封装，具体涉及一种高密度2.5d转接板结构及其制备方法。
背景技术：
1、现有的2d封装技术主要是将单个芯片封装在一个封装基板上，然后通过线路连接到其他组件或外部器件。然而，随着芯片的复杂性和集成度不断提高，传统的2d封装技术已经不能满足现代电子产品对更高性能、更小封装体积和更低功耗的需求。因此，为了满足市场对更高性能、更小封装体积、更低功耗和更高可靠性的需求，2.5d先进封装技术应运而生。它通过在一个新型封装基板上堆叠多个芯片和其他组件，实现了更高的集成度和性能。与传统的2d封装技术相比，2.5d封装技术具有以下优势：
2、更高的集成度：通过将多个芯片堆叠在一个封装基板上，2.5d封装技术实现了更高的集成度，可以在更小的封装体积内实现更多的功能和性能；更低的功耗：2.5d封装技术可以将不同功能的芯片集成在一起，减少了芯片之间的通信距离和功耗，从而实现了更低的功耗；更高的性能：通过转接板进行芯片之间的连接，2.5d封装技术可以实现更高速的通信和更快的数据传输速度，从而实现了更高的性能；总的来说，2.5d封装技术是芯片封装领域的一项重要技术创新，可以为电子产品的性能、功耗和封装密度带来显著提升，推动了电子行业的发展和进步。
3、然而，2.5d封装技术需要额外的si转接板和高密度互连技术，这增加了制造成本，尤其是si转接板的制造和集成成本高昂，会导致整体芯片成本的增加，除此之外，2.5d封装需要多个芯片组件在si中介层上进行物理连接，因此设计过程更加复杂，信号完成性和功耗分析等方面都将面临挑战。
技术实现思路
1、为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供一种高密度2.5d转接板结构及其制备方法，用以解决现有技术中存在的：2.5d封装具有高成本且可靠性较差的技术问题。
2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
3、一种高密度2.5d转接板结构的制备方法，包括以下步骤：
4、在第一基体上沉积第一种子层，在所述第一种子层上涂覆第一光敏树脂胶，在所述涂覆有第一光敏树脂胶的第一基体上金属化形成第一凸台；
5、在具有第一凸台的第一基体的一侧键合第二基体，将第一基体的另一侧减薄并涂覆第一光敏树脂胶，在涂覆有第一光敏树脂胶的第一基体上形成tsv盲孔和tsv结构后，进行平坦化处理；
6、将第一基体全部刻蚀，在第二基体上填充形成第三基体，将第三基体减薄至tsv结构露出，在所述第三基体上制备形成重布线层，在重布线层制备形成微凸点结构；
7、在靠近微凸点结构一侧的第三基体表面临时键合第四基体，去除第二基体，并在所述tsv结构倒装焊接芯片；
8、在倒装焊接芯片的区域填充第五基体，去除第四基体，微凸点结构焊接i c载板，形成.d转接板结构。
9、进一步的，在所述涂覆有第一光敏树脂胶的第一基体上金属化形成第一凸台的过程为：
10、基于光刻设备在在所述涂覆有第一光敏树脂胶的第一基体上形成第一凸台图形；
11、基于金属化设备在所述第一凸台图形上形成金属化形成第一凸台。
12、进一步的，在形成所述第一凸台后，采用刻蚀设备将多余的第一种子层。
13、进一步的，所述在涂覆有第一光敏树脂胶的第一基体上形成tsv盲孔和tsv结构的过程为：
14、在涂覆有第一光敏树脂胶的第一基体上利用曝光设备制备出tsv图形；
15、采用刻蚀设备在所述tsv图形制备出tsv盲孔；
16、利用金属化设备对tsv盲孔进行填充，形成tsv结构。
17、进一步的，基于底部填充系统在第二基体进行填充，并固化形成第三基体。
18、进一步的，在所述第三基体上制备形成重布线层的过程为：
19、在所述第三基体上制备第一粘附层和第二种子层，并在第二种子层上涂覆第二光敏树脂胶；
20、在涂覆有第二光敏树脂胶的第三基体上显影形成重布线层图像，基于重布线层图像金属沉积形成重布线层。
21、进一步的，在所述重布线层上采用黄光工艺制备形成微凸点结构。
22、进一步的，所述光敏树脂胶采用可溶性光敏树脂材料。
23、进一步的，所述微凸点结构通过倒装焊机或热压焊机焊接至i c载板。
24、一种高密度2.5d转接板结构，基于所述的高密度2.5d转接板结构的制备方法制备得到。
25、与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：
26、本发明提供一种高密度2.5d转接板结构及其制备方法，包括以下步骤：在第一基体上沉积第一种子层，在所述第一种子层上涂覆第一光敏树脂胶，在所述涂覆有第一光敏树脂胶的第一基体上金属化形成第一凸台；在具有第一凸台的第一基体的一侧键合第二基体，将第一基体的另一侧减薄并涂覆第一光敏树脂胶，在涂覆有第一光敏树脂胶的第一基体上形成tsv盲孔和tsv结构后，进行平坦化处理；将第一基体全部刻蚀，在第二基体上填充形成第三基体，将第三基体减薄至tsv结构露出，在所述第三基体上制备形成重布线层，在重布线层制备形成微凸点结构；在靠近微凸点结构一侧的第三基体表面临时键合第四基体，去除第二基体，并在所述tsv结构倒装焊接芯片；在倒装焊接芯片的区域填充第五基体，去除第四基体，微凸点结构焊接i c载板，形成2.5d转接板结构；本申请增加了树脂转接板在垂直方向的互连密度，大大提高了转接板的互连密度及传输速率，并且，可以实现更多芯片的高速互连要求，能够满足智能芯片的合封需求；同时，本申请在制备过程中省去了阻挡层及介质层的制备，大大的节省了制造成本，实现低成本高密度2.5d集成；且本申请在制备过程中去掉了si材质，利用介电系数更高的材料作为基板基体，解决了si转接板在制备过程中因缺陷出现漏电的问题，提高了整个2.5d集成的信号完整性。
1.一种高密度2.5d转接板结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的高密度2.5d转接板结构的制备方法，其特征在于，在所述涂覆有第一光敏树脂胶(30)的第一基体(10)上金属化形成第一凸台(41)的过程为：
3.根据权利要求1所述的高密度2.5d转接板结构的制备方法，其特征在于，在形成所述第一凸台(41)后，采用刻蚀设备将多余的第一种子层(21)。
4.根据权利要求1所述的高密度2.5d转接板结构的制备方法，其特征在于，所述在涂覆有第一光敏树脂胶(30)的第一基体(10)上形成tsv盲孔和tsv结构(43)的过程为：
5.根据权利要求1所述的高密度2.5d转接板结构的制备方法，其特征在于，基于底部填充系统在第二基体(60)进行填充，并固化形成第三基体(70)。
6.根据权利要求1所述的高密度2.5d转接板结构的制备方法，其特征在于，在所述第三基体(70)上制备形成重布线层(110)的过程为：
7.根据权利要求1所述的高密度2.5d转接板结构的制备方法，其特征在于，在所述重布线层(110)上采用黄光工艺制备形成微凸点结构(44)。
8.根据权利要求1所述的高密度2.5d转接板结构的制备方法，其特征在于，所述光敏树脂胶(30)采用可溶性光敏树脂材料。
9.根据权利要求1所述的高密度2.5d转接板结构的制备方法，其特征在于，所述微凸点结构(44)通过倒装焊机或热压焊机焊接至ic载板。
10.一种高密度2.5d转接板结构，其特征在于，基于权利要求1-9任一项所述的高密度2.5d转接板结构的制备方法制备得到。
