本申请涉及集成电路，尤其涉及一种存储阵列读取电路和方法。
背景技术：
1、自旋轨道矩磁随机存储器(spin orbit torque-magnetic random accessmemory，sot-mram)是一种三端的存储器件，其具备非易失、高写入速度等优良特性，在传统的sot-mram存储阵列中，每个存储单元由一个sot(spin-orbit torque，自旋轨道力矩)器件和两个晶体管构成，两个晶体管分别用于控制读取路径和写入路径的导通，以及在不需要进行数据读出的状态下关断，进而保证了不会对其他存储单元的读取造成影响。
2、由于存储单元使用了两个晶体管，导致存储阵列的面积效率不高，因此，出现了由单个晶体管和电阻构成的1t-1r存储结构，这种存储结构取消了sot器件顶电极的晶体管，提升了面积效率。
3、但是，上述方案无法控制sot器件的读取路径关断，导致不同存储单元在读取时会出现互相影响的情况。
技术实现思路
1、本申请提供一种存储阵列读取电路和方法，解决传统读取方案无法对1t-1r结构的sot-mram存储阵列进行读取的问题，并保持读取准确性。
2、第一方面，本申请提供一种存储阵列读取电路，包括：存储阵列、控制电路模块、读取源线驱动模块和多路选择器，其中，所述控制电路模块一端连接所述多路选择器，另一端与所述存储阵列中的每一读取单元连接，所述多路选择器用于输出目标读取单元的读取结果，所述读取源线驱动模块连接所述读取单元；
3、对所述目标读取单元进行读取时，控制所述存储阵列中每行的读取位线的钳位电压相等，控制所述目标读取单元所在列的源线与预设端连接。
4、可选的，所述多路选择器，用于基于所述目标读取单元所在的目标行的电路通路上的电流大小确定所述目标读取单元的读取结果，所述电路通路通过所述读取位线、所述目标读取单元和所述源线接地连接形成。
5、可选的，所述存储阵列包括至少一行和/或至少一列的读取单元；所述读取单元包括写入晶体管和自旋轨道矩磁随机存储器；在所述存储阵列接收写入字线信号后，控制所述写入晶体管与所述自旋轨道矩磁随机存储器处于断开状态。
6、可选的，所述读取单元基于所述源线与所述读取源线驱动模块连接；所述读取源线驱动模块用于接收列地址信号，并基于所述列地址信号控制所述目标读取单元所在列的源线接地。
7、可选的，所述控制电路模块的另一端基于所述读取位线与所述存储阵列中的每一读取单元连接；所述控制电路模块包括钳位电路模块；所述钳位电路模块用于控制所述目标读取单元所在的行的电压钳位为第一电压，并控制所述存储阵列中除所述目标读取单元所在的行外的其他行的电压钳位为第二电压；所述第一电压与所述第二电压相等。
8、可选的，所述控制电路模块还包括电流检测模块；所述电流检测模块用于基于所述目标读取单元所在的目标行的电路通路上的电流大小，对所述目标读取单元进行阻态判断，确定判断结果；将所述判断结果输入所述多路选择器，以使所述多路选择器根据所述判断结果和所述目标行输出读取结果。
9、可选的，所述电流检测模块，具体用于：
10、确定所述目标读取单元的输出电压，基于所述钳位电压和所述输出电压，确定电路通路上的电流大小；
11、基于所述电路通路上的电流大小，对所述目标读取单元进行阻态判断，确定判断结果。
12、可选的，所述多路选择器，具体用于：基于接收到的行地址信号确定所述目标行，并基于所述判断结果和所述目标行输出读取结果。
13、可选的，所述钳位电压小于或等于预设阈值。
14、第二方面，本申请提供一种存储阵列读取方法，应用于存储阵列读取电路；所述存储阵列读取电路包括：存储阵列、控制电路模块、读取源线驱动模块和多路选择器，其中，所述控制电路模块一端连接所述多路选择器，另一端与所述存储阵列中的每一读取单元连接，所述多路选择器用于输出目标读取单元的读取结果，所述读取源线驱动模块连接所述读取单元；所述方法包括：
15、对所述目标读取单元进行读取时，控制所述存储阵列中每行的读取位线的钳位电压相等，控制所述目标读取单元所在列的源线与预设端连接。
16、综上所述，本申请提供一种存储阵列读取电路和方法，可以有效抵抗存储阵列行间电流的相互干扰，具体的，在存储阵列处于读取状态下时，控制存储阵列中每行的读取位线的钳位电压相等，即控制存储阵列之中每行的读取位线处于相等的电位，这样，各行之间便不会存在电流干扰，进一步的，在读取目标读取单元中的数据时，控制目标读取单元所在的列对应的源线与预设端连接，该与预设端连接可以为接地连接，也可以为其他任意电路连接，对此不进行限定，这样，由于各行之间不存在电流干扰，使得检测到的电流大小仅为目标读取单元本身的特征量，可以有效避免串扰的风险。
1.一种存储阵列读取电路，其特征在于，包括：存储阵列、控制电路模块、读取源线驱动模块和多路选择器，其中，所述控制电路模块一端连接所述多路选择器，另一端与所述存储阵列中的每一读取单元连接，所述多路选择器用于输出目标读取单元的读取结果，所述读取源线驱动模块连接所述读取单元；
2.根据权利要求1所述的存储阵列读取电路，其特征在于，所述多路选择器，用于基于所述目标读取单元所在的目标行的电路通路上的电流大小确定所述目标读取单元的读取结果，所述电路通路通过所述读取位线、所述目标读取单元和所述源线接地连接形成。
3.根据权利要求1所述的存储阵列读取电路，其特征在于，所述存储阵列包括至少一行和/或至少一列的读取单元；所述读取单元包括写入晶体管和自旋轨道矩磁随机存储器；在所述存储阵列接收写入字线信号后，控制所述写入晶体管与所述自旋轨道矩磁随机存储器处于断开状态。
4.根据权利要求1所述的存储阵列读取电路，其特征在于，所述读取单元基于所述源线与所述读取源线驱动模块连接；所述读取源线驱动模块用于接收列地址信号，并基于所述列地址信号控制所述目标读取单元所在列的源线接地。
5.根据权利要求4所述的存储阵列读取电路，其特征在于，所述控制电路模块的另一端基于所述读取位线与所述存储阵列中的每一读取单元连接；所述控制电路模块包括钳位电路模块；所述钳位电路模块用于控制所述目标读取单元所在的行的电压钳位为第一电压，并控制所述存储阵列中除所述目标读取单元所在的行外的其他行的电压钳位为第二电压；所述第一电压与所述第二电压相等。
6.根据权利要求5所述的存储阵列读取电路，其特征在于，所述控制电路模块还包括电流检测模块；所述电流检测模块用于基于所述目标读取单元所在的目标行的电路通路上的电流大小，对所述目标读取单元进行阻态判断，确定判断结果；将所述判断结果输入所述多路选择器，以使所述多路选择器根据所述判断结果和所述目标行输出读取结果。
7.根据权利要求6所述的存储阵列读取电路，其特征在于，所述电流检测模块，具体用于：
8.根据权利要求7所述的存储阵列读取电路，其特征在于，所述多路选择器，具体用于：基于接收到的行地址信号确定所述目标行，并基于所述判断结果和所述目标行输出读取结果。
9.根据权利要求1-8任一项所述的存储阵列读取电路，其特征在于，所述钳位电压小于或等于预设阈值。
10.一种存储阵列读取方法，其特征在于，应用于存储阵列读取电路；所述存储阵列读取电路包括：存储阵列、控制电路模块、读取源线驱动模块和多路选择器，其中，所述控制电路模块一端连接所述多路选择器，另一端与所述存储阵列中的每一读取单元连接，所述多路选择器用于输出目标读取单元的读取结果，所述读取源线驱动模块连接所述读取单元；所述方法包括：
