背景技术：
1、半导体制造可使用基于等离子体的操作。可利用将rf信号提供至处理室的射频(rf)产生器产生等离子体。由于负载阻抗在各种时间点期间可变化，因此被反射的功率的量可能会变化。此外，在多个站与处理室相关的情况中，被输送至每一站的功率的量可能会变化。然而，可能难以设计反馈控制系统，其以最小化被反射的功率和/或控制被输送至每一站的rf功率的功率平衡为目标来进行阻抗匹配。
2、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分中描述的范围内以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
技术实现思路
1、本文中公开了用于阻抗匹配的反馈控制系统的系统、方法和介质。
2、根据一些实施方案，一种用于阻抗匹配和功率分配网络的计算机程序产品可以包含非瞬变计算机可读介质，计算机可执行的指令被提供在所述非瞬变计算机可读介质上。所述计算机可执行的指令可以导致：获得现在时间点与处理室的站相关的可变电抗的现在值，其中所述可变电抗与用于针对所述处理室执行阻抗匹配的第一反馈控制系统相关，且其中在与用于针对所述处理室执行阻抗匹配的第二反馈控制系统相关的所述处理室的rf产生器上执行频率调谐。所述计算机可执行的指令可以导致：至少部分基于与所述第二反馈控制系统相关的误差，确定待与所述第一反馈控制系统关联使用的用于所述站的所述可变电抗的更新的值。
3、在一些实例中，与所述第二反馈控制系统相关的所述误差包含在所述站处的测得的频率和与所述处理室相关的目标频率之间的差。在一些实例中，在所述站处的所述频率利用一或多个感测电路来确定。
4、在一些实例中，所述可变电抗的所述更新的值能用于修改与所述处理室相关的一或多个可变电抗元件的位置，以最小化与所述站相关的被反射的功率。在一些实例中，所述一或多个可变电抗元件包含下列项中的至少一者：串联电容、或并联电容。在一些实例中，修改与所述第一反馈控制系统相关的所述一或多个可变电抗元件的位置，造成所述第二反馈控制系统驱使所述频率朝向目标频率。在一些实例中，所述目标频率对应于针对在所述现在时间点执行的配方的步骤所指定的频率。
5、在一些实例中，所述计算机可执行的指令还导致：利用校正表及至少部分基于所述可变电抗的所述更新的值，确定一或多个可变电抗元件的位置。
6、在一些实例中，所述可变电抗包含与所述处理室的所述站相关的串联电抗。
7、在一些实例中，所述可变电抗包含与所述处理室相关的并联电抗。
8、在一些实例中，所述可变电抗包含可变串联电抗，其中更新的串联电抗基于对目标串联电抗的修正来确定，其中所述修正包含与所述第二反馈控制系统相关的所述误差。
9、在一些实例中，所述可变电抗包含可变并联电抗，其中在没有确定目标并联电抗的情况下，至少部分基于与所述第二反馈控制系统相关的所述误差确定更新的并联电抗。
10、在一些实例中，由所述第一反馈控制系统响应于符合一或多个标准来使用所述可变电抗的所述更新的值。在一些实例中，所述一或多个标准包含：与所述处理室相关的被反射的功率超过被反射的功率阈值、与所述处理室的多个站相关的功率平衡比超过功率平衡阈值、以及与所述第二反馈控制系统相关的所述误差超过误差阈值。在一些实例中，在使用前响应于确定所述可变电抗的所述现在值与所述可变电抗的所述更新的值之间的差落在抖动阈值内，修改所述可变电抗的所述更新的值。
11、在一些实例中，至少部分基于与所述第二反馈控制系统相关的所述误差而确定用于所述站的所述可变电抗的所述更新的值是响应于确定：在所述现在时间点所用的配方中已活化与基于与所述第二反馈控制系统相关的所述误差而控制所述第一反馈控制系统相关的模式。
1.一种用于阻抗匹配和功率分配网络的计算机程序产品，所述计算机程序产品包含非瞬变计算机可读介质，计算机可执行的指令被提供在所述非瞬变计算机可读介质上，所述计算机可执行的指令用于：
2.根据权利要求1所述的计算机程序产品，其中与所述第二反馈控制系统相关的所述误差包含在所述站处的测得的频率和与所述处理室相关的目标频率之间的差。
3.根据权利要求2所述的计算机程序产品，其中在所述站处的所述频率利用一或多个感测电路来确定。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的计算机程序产品，其中所述可变电抗的所述更新的值能用于修改与所述处理室相关的一或多个可变电抗元件的位置，以最小化与所述站相关的被反射的功率。
5.根据权利要求4所述的计算机程序产品，其中所述一或多个可变电抗元件包含下列项中的至少一者：串联电容、或并联电容。
6.根据权利要求4所述的计算机程序产品，其中修改与所述第一反馈控制系统相关的所述一或多个可变电抗元件的位置，造成所述第二反馈控制系统驱使所述频率朝向目标频率。
7.根据权利要求6所述的计算机程序产品，其中所述目标频率对应于针对在所述现在时间点执行的配方的步骤所指定的频率。
8.根据权利要求1-3中任一项所述的计算机程序产品，其中所述计算机可执行的指令还被配置成利用校正表及至少部分基于所述可变电抗的所述更新的值，确定一或多个可变电抗元件的位置。
9.根据权利要求1-3中任一项所述的计算机程序产品，其中所述可变电抗包含与所述处理室的所述站相关的串联电抗。
10.根据权利要求1-3中任一项所述的计算机程序产品，其中所述可变电抗包含与所述处理室相关的并联电抗。
11.根据权利要求1-3中任一项所述的计算机程序产品，其中所述可变电抗包含可变串联电抗，其中更新的串联电抗基于对目标串联电抗的修正来确定，其中所述修正包含与所述第二反馈控制系统相关的所述误差。
12.根据权利要求1-3中任一项所述的计算机程序产品，其中所述可变电抗包含可变并联电抗，其中在没有确定目标并联电抗的情况下，至少部分基于与所述第二反馈控制系统相关的所述误差确定更新的并联电抗。
13.根据权利要求1-3中任一项所述的计算机程序产品，其中由所述第一反馈控制系统响应于符合一或多个标准来使用所述可变电抗的所述更新的值。
14.根据权利要求13所述的计算机程序产品，其中所述一或多个标准包含：与所述处理室相关的被反射的功率超过被反射的功率阈值、与所述处理室的多个站相关的功率平衡比超过功率平衡阈值、以及与所述第二反馈控制系统相关的所述误差超过误差阈值。
15.根据权利要求13所述的计算机程序产品，其中在使用前响应于确定所述可变电抗的所述现在值与所述可变电抗的所述更新的值之间的差落在抖动阈值内，修改所述可变电抗的所述更新的值。
16.根据权利要求1-3中任一项所述的计算机程序产品，其中至少部分基于与所述第二反馈控制系统相关的所述误差而确定用于所述站的所述可变电抗的所述更新的值是响应于确定：在所述现在时间点所用的配方中已活化与基于与所述第二反馈控制系统相关的所述误差而控制所述第一反馈控制系统相关的模式。
