本公开涉及半导体装置。
背景技术：
1、已知一种晶体管，其具有在栅极沟槽内埋入有栅极电极的沟槽栅极构造。在专利文献1中公开了一种半导体装置，该半导体装置中，用于形成源极插头电极的多个源极接触孔与多个栅极沟槽交替地配置。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2021－125649号公报
技术实现思路
1、发明所要解决的课题
2、在具有沟槽栅极构造的半导体装置中，若配置在栅极沟槽间的源极接触插头的位置偏移，则特性(例如，栅极阈值电压、接通电阻等)会产生偏差。
3、用于解决课题的方案
4、本公开的一个方案的半导体装置具备：半导体层，其包括第一面以及与上述第一面相反的一侧的第二面；源极沟槽，其包括形成于上述半导体层并且与上述第二面连续的侧壁；绝缘层，其形成在上述半导体层的上述第二面上；埋入电极，其配置在上述源极沟槽内，并且通过上述绝缘层从上述源极沟槽的上述侧壁隔开间隔；源极配线，其形成在上述绝缘层上；以及源极接触插头，其将上述源极配线与上述半导体层电连接。上述源极接触插头与上述埋入电极接触，并且经由上述源极沟槽的侧壁的一部分而与上述半导体层接触。
5、发明效果
6、本公开的半导体装置能够抑制源极接触插头的位置偏移引起的特性偏差。
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求4～9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
11.根据权利要求2～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
12.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，
14.根据权利要求1～13中任一项所述的半导体装置，其特征在于，还具备：
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，
16.根据权利要求14或15所述的半导体装置，其特征在于，
17.根据权利要求1～16中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
18.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
19.根据权利要求18所述的半导体装置，其特征在于，
20.根据权利要求1～19中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
