本发明属于半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种光刻掩模版上大尺寸残留缺陷的去除方法。
背景技术：
1、掩模版在制造过程中因为各种原因，会产生各种各样的缺陷。常见的缺陷有铬点、针孔铬突出、铬缺失等，这些缺陷在使用中会造成晶圆的大量报废。所以为保证掩模版在晶圆厂使用过程中的良率，晶圆厂在掩模版出货前都要求对缺陷进行修补。目前在掩模版制造行业中，对于铬残留缺陷，使用镭射激光产生高温将缺陷气化以及使用聚焦离子束或者电子束蚀刻都是比较常见的修补方式。但是无论以上何种方式，遇到尺寸较大的缺陷时，就会遇到困难。如镭射激光就会产生大量的残渣，而是用离子束或者电子束则会遇到修补时间过长的问题。在目前的修补技术中，如遇到大尺寸的铬残留缺陷时，通常会选择不对掩模版进行修补，而会直接重新制作新的掩模版，因而会导致很大程度的浪费，而且重新制版会导致成本大大增加。
2、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种光刻掩模版上大尺寸残留缺陷的去除方法，用于解决现有技术中大尺寸残留缺陷导致掩模版浪费和制版成本增加的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种光刻掩模版上大尺寸残留缺陷的去除方法，所述去除方法包括以下步骤：1)提供光刻掩模版，所述光刻掩模版上具有遮光材料残留缺陷，所述遮光材料残留缺陷的最大径向尺寸大于或等于50微米；2)于所述光刻掩模版上覆盖光刻胶；3)通过激光照射所述遮光材料残留缺陷区域的光刻胶，以通过高温气化的方式去除该区域中的光刻胶，以形成显露出所述遮光材料残留缺陷的刻蚀窗口；4)通过刻蚀液去除所述刻蚀窗口中的所述遮光材料残留缺陷；5)去除所述光刻胶。
3、可选地，所述光刻掩模版包括透光区域和遮光区域，所述遮光材料残留缺陷位于所述透光区域。
4、可选地，所述遮光材料残留缺陷的边界与所述遮光区域的边界具有间隙。
5、可选地，所述刻蚀窗口显露所述遮光材料残留缺陷的边界且完整覆盖所述遮光区域的边界。
6、可选地，所述遮光材料残留缺陷的最大径向尺寸为50微米～200微米。
7、可选地，所述遮光材料包括铬或铬的化合物。
8、可选地，所述光刻掩模版的基板包括石英基板。
9、可选地，步骤2)通过旋涂的方式在所述光刻掩模版上覆盖光刻胶，所述光刻胶的厚度控制在300纳米～350纳米。
10、可选地，步骤3)所述激光的波长为248纳米。
11、可选地，步骤5)通过spm清洗方法去除所述光刻胶，所述spm清洗方法采用的清洗液包括h2so4溶液和h2o2溶液配置的混合溶液。
12、如上所述，本发明的光刻掩模版上大尺寸残留缺陷的去除方法，具有以下有益效果：
13、发明提供了一种适用于在全透光区的大尺寸(如50微米～200微米)的铬残留缺陷的去除方法，通过在光刻掩模版上覆盖光刻胶，通过激光照射遮光材料残留缺陷区域的光刻胶，通过高温气化的方式去除该区域中的光刻胶，形成显露出所述遮光材料残留缺陷的刻蚀窗口，然后通过刻蚀液去除所述刻蚀窗口中的所述遮光材料残留缺陷，以消除光刻掩模版的缺陷，本发明同时具备了无缺陷残留以及流程时间短的优点，同时可以避免光刻掩模版的浪费，从而大大节约了制造成本。
1.一种光刻掩模版上大尺寸残留缺陷的去除方法，其特征在于，所述去除方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的光刻掩模版上大尺寸残留缺陷的去除方法，其特征在于：所述光刻掩模版包括透光区域和遮光区域，所述遮光材料残留缺陷位于所述透光区域。
3.根据权利要求2所述的光刻掩模版上大尺寸残留缺陷的去除方法，其特征在于：所述遮光材料残留缺陷的边界与所述遮光区域的边界具有间隙。
4.根据权利要求3所述的光刻掩模版上大尺寸残留缺陷的去除方法，其特征在于：所述刻蚀窗口显露所述遮光材料残留缺陷的边界且完整覆盖所述遮光区域的边界。
5.根据权利要求1所述的光刻掩模版上大尺寸残留缺陷的去除方法，其特征在于：所述遮光材料残留缺陷的最大径向尺寸为50微米～200微米。
6.根据权利要求1所述的光刻掩模版上大尺寸残留缺陷的去除方法，其特征在于：所述遮光材料包括铬或铬的化合物。
7.根据权利要求1所述的光刻掩模版上大尺寸残留缺陷的去除方法，其特征在于：所述光刻掩模版的基板包括石英基板。
8.根据权利要求1所述的光刻掩模版上大尺寸残留缺陷的去除方法，其特征在于：步骤2)通过旋涂的方式在所述光刻掩模版上覆盖光刻胶，所述光刻胶的厚度控制在300纳米～350纳米。
9.根据权利要求1所述的光刻掩模版上大尺寸残留缺陷的去除方法，其特征在于：步骤3)所述激光的波长为248纳米。
10.根据权利要求1所述的光刻掩模版上大尺寸残留缺陷的去除方法，其特征在于：步骤5)通过spm清洗方法去除所述光刻胶，所述spm清洗方法采用的清洗液包括h2so4溶液和h2o2溶液配置的混合溶液。
