本发明涉及半导体，尤其涉及一种封装方法和封装结构。
背景技术：
1、无线通信设备的射频(radio frequency，简称rf)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括压电声表面波(surface acoustic wave，简称saw)滤波器、压电体声波(bulk acoustic wave，简称baw)滤波器、微机电系统(micro-electro-mechanical system，简称mems)滤波器、集成无源装置(integrated passive devices，简称ipd)滤波器等。
2、当无线通信技术逐步演进，无线通信设备的使用范围越来越广，对滤波器的尺寸、可靠性要求也越来越高。压电声表面波滤波器作为目前无线通信设备中使用较为广泛的滤波器，小尺寸、高可靠性的封装形式使用越来越广泛。
3、因此，需要持续对滤波器进行更小尺寸的改进。
技术实现思路
1、本发明解决的技术问题是提供一种封装方法和封装结构，以对滤波器的尺寸进行改进。
2、为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种封装方法，包括：提供基板，所述基板包括相对的第一侧和第二侧；提供多个芯片，将所述芯片设置于所述基板的第一侧，多个所述芯片至少包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片的厚度小于所述第二芯片的厚度；在所述基板第一侧形成初始第一封装层，所述初始第一封装层覆盖多个所述芯片的侧壁表面和顶部表面、以及所述基板的第一侧表面，位于所述第二芯片表面的所述初始第一封装层的顶部表面高于位于所述第一芯片表面的所述初始第一封装层的顶部表面；对所述初始第一封装层进行平坦化处理，形成第一封装层；在所述第一封装层表面形成第二封装层，所述第二封装层的顶部表面包括与所述第一芯片对应的第一表面和与所述第二芯片对应的第二表面，所述第一表面和所述第二表面的高度差在预设范围内。
3、可选的，所述第一表面和所述第二表面的高度差在预设范围内，所述预设范围为：所述第一表面和所述第二表面的高度差的绝对值小于或等于1微米。
4、可选的，所述第二封装层的硬度大于所述第一封装层的硬度。
5、可选的，对所述初始第一封装层进行平坦化处理的工艺包括：化学机械研磨工艺。
6、可选的，所述第一封装层的顶部表面高于多个所述芯片顶部表面。
7、可选的，所述第二芯片顶部表面与所述第一封装层顶部表面之间的间距范围为40微米至100微米。
8、可选的，在所述第一封装层表面形成第二封装层，包括：在所述第一封装层表面贴覆第二封装预处理层；对所述第二封装预处理层进行固化，形成所述第二封装层。
9、可选的，所述第二封装层的材料包括光敏有机材料，所述光敏有机材料包括聚酰亚胺或光刻胶，对所述第二封装预处理层进行固化的工艺包括紫外光固化工艺。
10、可选的，所述第二封装层的厚度范围为20微米至100微米。
11、可选的，在所述基板第一侧形成初始第一封装层，包括：在所述基板第一侧表面贴覆第一封装预处理层；对所述第一封装预处理层进行固化，形成所述初始第一封装层。
12、可选的，所述第一封装层的材料包括有机材料，所述有机材料包括环氧树脂。
13、相应地，本发明技术方案还提供一种封装结构，包括：基板，所述基板包括相对的第一侧和第二侧；设置于所述基板第一侧的多个芯片，多个所述芯片至少包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片的厚度小于所述第二芯片的厚度；位于所述基板第一侧的第一封装层，所述第一封装层覆盖多个所述芯片的侧壁表面和顶部表面、以及所述基板的第一侧表面；位于所述第一封装层表面的第二封装层，所述第二封装层的顶部表面包括与所述第一芯片对应的第一表面和与所述第二芯片对应的第二表面，所述第一表面和所述第二表面的高度差在预设范围内。
14、可选的，所述第一表面和所述第二表面的高度差在预设范围内，所述预设范围为：所述第一表面和所述第二表面的高度差的绝对值小于或等于1微米。
15、可选的，所述第二封装层的硬度大于所述第一封装层的硬度。
16、可选的，所述第一封装层的材料包括有机材料，所述有机材料包括环氧树脂。
17、可选的，所述第二封装层的材料包括光敏有机材料，所述光敏有机材料包括聚酰亚胺或光刻胶。
18、可选的，所述第一封装层的顶部表面高于多个所述芯片的顶部表面。
19、可选的，所述第二芯片顶部表面与所述第一封装层顶部表面之间的间距范围为40微米至100微米。
20、可选的，所述第二封装层的厚度范围为20微米至100微米。
21、可选的，所述芯片包括功率放大器芯片、天线开关芯片、射频滤波器芯片、多工器芯片或低噪声放大器芯片；所述射频滤波器芯片包括压电声表面波滤波器芯片、压电体声波滤波器芯片、微机电系统滤波器芯片或集成无源装置滤波器芯片。
22、与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：
23、本发明的封装方法，通过对所述初始第一封装层进行平坦化处理，以使所述第一封装层表面基本平整；再在第一封装层表面形成第二封装层，使得第二封装层与第一芯片对应的第一表面和与所述第二芯片对应的第二表面的高度差在预设范围内，形成的封装结构的整体厚度以及表面平整的均一性好，封装结构的整体强度、可靠性以及散热性能得到提升，并且封装结构的整体厚度可根据第一封装层和第二封装层的厚度进行调整，灵活性较高，尤其适用于薄型封装。
24、进一步，对所述初始第一封装层进行平坦化处理得到第一封装层，且所述第二芯片顶部表面与所述第一封装层顶部表面之间的间距范围为40微米至100微米，所述第二封装层的厚度范围为20微米至100微米，所述封装结构的整体厚度较薄，且封装结构的整体强度、可靠性以及散热性能得到提升。
25、本发明的封装结构，所述第一封装层表面基本平整；再在第一封装层表面形成第二封装层，使得第二封装层与第一芯片对应的第一表面和与所述第二芯片对应的第二表面的高度差在预设范围内，形成的封装结构的整体厚度以及表面平整的均一性好，封装结构的整体强度、可靠性以及散热性能得到提升，并且封装结构的整体厚度可根据第一封装层和第二封装层的厚度进行调整，灵活性较高，尤其适用于薄型封装。
26、进一步，所述第二芯片顶部表面与所述第一封装层顶部表面之间的间距范围为40微米至100微米，所述第二封装层的厚度范围为20微米至100微米，所述封装结构的整体厚度较薄，且封装结构的整体强度、可靠性以及散热性能得到提升。
1.一种封装方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一表面和所述第二表面的高度差在预设范围内，所述预设范围为：所述第一表面和所述第二表面的高度差的绝对值小于或等于1微米。
3.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第二封装层的硬度大于所述第一封装层的硬度。
4.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，对所述初始第一封装层进行平坦化处理的工艺包括：化学机械研磨工艺。
5.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一封装层的顶部表面高于多个所述芯片顶部表面。
6.如权利要求5所述的封装方法，其特征在于，所述第二芯片顶部表面与所述第一封装层顶部表面之间的间距范围为40微米至100微米。
7.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述第一封装层表面形成第二封装层，包括：在所述第一封装层表面贴覆第二封装预处理层；对所述第二封装预处理层进行固化，形成所述第二封装层。
8.如权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述第二封装层的材料包括光敏有机材料，所述光敏有机材料包括聚酰亚胺或光刻胶，对所述第二封装预处理层进行固化的工艺包括紫外光固化工艺。
9.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第二封装层的厚度范围为20微米至100微米。
10.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述基板第一侧形成初始第一封装层，包括：在所述基板第一侧表面贴覆第一封装预处理层；对所述第一封装预处理层进行固化，形成所述初始第一封装层。
11.如权利要求10所述的封装方法，其特征在于，所述第一封装层的材料包括有机材料，所述有机材料包括环氧树脂。
12.一种封装结构，其特征在于，包括：
13.如权利要求12所述的封装结构，其特征在于，所述第一表面和所述第二表面的高度差在预设范围内，所述预设范围为：所述第一表面和所述第二表面的高度差的绝对值小于或等于1微米。
14.如权利要求12所述的封装结构，其特征在于，所述第二封装层的硬度大于所述第一封装层的硬度。
15.如权利要求14所述的封装结构，其特征在于，所述第一封装层的材料包括有机材料，所述有机材料包括环氧树脂。
16.如权利要求14所述的封装结构，其特征在于，所述第二封装层的材料包括光敏有机材料，所述光敏有机材料包括聚酰亚胺或光刻胶。
17.如权利要求12所述的封装结构，其特征在于，所述第一封装层的顶部表面高于多个所述芯片的顶部表面。
18.如权利要求17所述的封装结构，其特征在于，所述第二芯片顶部表面与所述第一封装层顶部表面之间的间距范围为40微米至100微米。
19.如权利要求12所述的封装结构，其特征在于，所述第二封装层的厚度范围为20微米至100微米。
20.如权利要求12所述的封装结构，其特征在于，所述芯片包括功率放大器芯片、天线开关芯片、射频滤波器芯片、多工器芯片或低噪声放大器芯片；所述射频滤波器芯片包括压电声表面波滤波器芯片、压电体声波滤波器芯片、微机电系统滤波器芯片或集成无源装置滤波器芯片。
