本发明涉及等离子体处理装置。
背景技术：
1、一直以来，已知使用等离子体对半导体晶片等被处理体进行蚀刻处理等等离子体处理的等离子体处理装置。关于这样的等离子体处理装置，在能够构成真空空间的处理容器内具有载置台，其载置被处理体并兼具作为电极的功能。等离子体处理装置通过对例如载置台施加规定的高频电力，对载置于载置台的被处理体，进行等离子体处理。另外，等离子体处理装置在进行等离子体处理时，有时对载置台施加偏置用的高频电力。通过对载置台施加偏置用的高频电力，能够将等离子体中的离子引入被处理体。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2017-201611号公报
技术实现思路
1、发明要解决的技术问题
2、本发明提供一种能够抑制在载置台与被处理体之间发生放电的技术。
3、用于解决技术问题的技术手段
4、本发明的一方式的等离子体处理装置，其包括：载置台，其载置作为等离子体处理的对象的被处理体，并作为下部电极发挥作用；直流电源，其交替地产生施加到上述载置台的正直流电压和负直流电压；测量载置于上述载置台的被处理体的电压的测量部；计算部，其基于上述测量出的被处理体的电压，计算对上述载置台施加负直流电压的期间的、上述载置台与上述被处理体之间的电位差；和电源控制部，其控制上述直流电源，以使得施加到上述载置台的负直流电压的值变化使上述计算出的电位差减少的变化量。
5、发明效果
6、依照本发明，起到能够抑制在载置台与被处理体之间发生放电的效果。
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：
6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：
8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
9.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：
10.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
11.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于
12.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：
13.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：
14.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
15.如权利要求14所述的等离子体处理装置，其特征在于：
16.如权利要求14所述的等离子体处理装置，其特征在于：
17.如权利要求14所述的等离子体处理装置，其特征在于：
18.如权利要求14所述的等离子体处理装置，其特征在于：
19.如权利要求14所述的等离子体处理装置，其特征在于：
20.如权利要求14所述的等离子体处理装置，其特征在于：
21.如权利要求14所述的等离子体处理装置，其特征在于：
