本发明涉及半导体领域，具体涉及一种半导体结构的刻蚀方法。
背景技术：
1、在半导体制造过程中，后段金属连线工艺随着关键尺寸的逐渐减少，金属沟槽与沟槽之间的间距也在逐渐减少，在半导体器件使用的过程中金属沟槽间会形成寄生电容，影响器件的使用寿命。为了降低寄生电容，半导体后段间的介质层材料选择使用低介电常数(low-k)的介质。
2、在半导体刻蚀的过程中，将光刻形成的图案传递下去后需要对光刻胶进行灰化去除，在光刻胶去除的过程中同时也会对低介电常数材料产生损伤，致使半导体结构内形成的通孔侧壁存在损伤。如图1所示，阴影区域为半导体结构内形成的通孔，该阴影区域存在多个台阶，这些台阶就是形成的损伤，这些损伤会影响半导体结构的可靠性。
3、因此，急需一种可以降低低介电常数材料损伤的方法。
技术实现思路
1、因此，为了克服上述现有技术的缺点，本发明提供一种半导体结构的刻蚀方法，可以降低刻蚀过程中对低介电常数材料的损伤，提高产品可靠性，提高材料机械性能。
2、为了实现上述目的，本发明提供一种半导体结构的刻蚀方法，包括：s1，干法刻蚀将待刻蚀基片的目标刻蚀区域表面的硬掩膜层进行去除，所述待刻蚀基片至少包括从下至上的衬底层、刻蚀停止层、介电层、硬掩膜层以及光刻胶层，所述介电层具有致孔剂；s2，根据预定参数干法刻蚀所述目标刻蚀区域处的介电层，形成刻蚀图案；s3，干法刻蚀所述光刻胶层；s4，通过混合气体电解后激发uv光释放介电层里的致孔剂让介电层内的si键、o键、c键重新键合，降低刻蚀过程中造成的k值变高等问题；s5，干法刻蚀裸露的所述刻蚀停止层直至所述衬底层裸露；s6，清洗并清除开孔的内壁在干法刻蚀工艺下的杂质，得到半导体结构。
3、在其中一个实施例中，s4中，所述混合气体为hbr和ar的混合气体。
4、在其中一个实施例中，s4中，hbr在所述混合气体含量为5％～30％，ar在所述混合气体含量为70％～95％，所述混合气体流量为200sccm至600sccm。
5、在其中一个实施例中，s1干法蚀刻、s2干法刻蚀、s3干法刻蚀、及s5干法刻蚀为反应离子蚀刻或等离子体蚀刻工艺。
6、在其中一个实施例中，所述s1干法蚀刻过程中，气体的流量比例为chf3：cf4：o2＝0～100：200～300:0～20；
7、所述s2干法蚀刻过程中，气体的流量比例为ar：cf4：o2＝600～900：200～300：0～20；
8、所述s3干法蚀刻过程中，气体的流量比例为co2：o2＝200～500：200～500；
9、所述s5干法蚀刻过程中，气体的流量比例为ar：cf4：n2：o2＝200～1000：20～120：0～300：0～30。
10、在其中一个实施例中，所述干法刻蚀的参数包括：刻蚀气体为cf4、chf3、nf3、ch2f2或c4f8，稀释气体为n2、o2、co、he或ar，所述刻蚀气体的气体流量为10sccm至200sccm，所述稀释气体的气体流量为10sccm至200sccm`，腔室压强为30mtorr至200mtorr。
11、在其中一个实施例中，s6中，利用氮气、氢气、氧气、一氧化碳、二氧化碳中至少一种气体处理所述开孔的内壁的过程中，气体的流量为300sccm至500sccm，处理时间为12s至60s。
12、在其中一个实施例中，所述待刻蚀基片具有氧化层，氧化层设置在所述介电层和所述刻蚀停止层之间，在s4和s5之间还存在s7，干法刻蚀所述氧化层。
13、在其中一个实施例中，s7，刻蚀气体的气体流量为10sccm至200sccm，稀释气体的气体流量为10sccm至200sccm，腔室压强为30mtorr至200mtorr。
14、与现有技术相比，本发明的优点在于：通过工艺优化，在电解过程中使用紫外光照射去除介质层中的致孔剂，并使用hbr和ar气体让材料内的si-键、o-键、c-键重新键合，不仅降低在去胶过程中使用的含有氧的如o2、co2、co等气体在等离子体状态下对介质层中低介电常数材料的损伤程度，提高产品可靠性，还提高材料机械性能。
1.一种半导体结构的刻蚀方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，s4中，所述混合气体为hbr和ar的混合气体。
3.根据权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，s4中，hbr在所述混合气体含量为5％～30％，ar在所述混合气体含量为70％～95％，所述混合气体流量为200sccm至600sccm。
4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，s1干法蚀刻、s2干法刻蚀、s3干法刻蚀、及s5干法刻蚀为反应离子蚀刻或等离子体蚀刻工艺。
5.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述s1干法蚀刻过程中，气体的流量比例为chf3：cf4：o2＝0～100：200～300:0～20；
6.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述干法刻蚀的参数包括：刻蚀气体为cf4、chf3、nf3、ch2f2或c4f8，稀释气体为he或ar，所述刻蚀气体的气体流量为10sccm至400sccm，所述稀释气体的气体流量为100sccm至800sccm，腔室压强为30mtorr至200mtorr。
7.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，s6中，利用氮气、氢气、氧气、一氧化碳、二氧化碳中至少一种气体处理所述开孔的内壁的过程中，气体的流量为300sccm至500sccm，处理时间为12s至60s。
8.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述待刻蚀基片具有氧化层，氧化层设置在所述介电层和所述刻蚀停止层之间，
9.根据权利要求8所述的刻蚀方法，其特征在于，s7，刻蚀气体的气体流量为10sccm至200sccm，稀释气体的气体流量为10sccm至200sccm，腔室压强为30mtorr至200mtorr。
