本发明涉及一种静电卡盘装置。
背景技术：
1、在使用半导体晶圆制造半导体集成电路时，或在使用玻璃基板、膜等绝缘性基板制造液晶面板时，会需要将半导体晶圆、玻璃基板、绝缘性基板等基材吸附保持于规定部位。因此，为了吸附保持这些基材，使用有基于机械的方法的机械卡盘、真空卡盘等。然而，这些保持方法存在难以均匀地保持基材（被吸附体）、无法在真空中使用、试样表面的温度过度上升等问题。因此，近年来，在保持被吸附体时，使用有能够解决这些问题的静电卡盘装置。
2、静电卡盘装置具备成为内部电极的导电性支承部件、以及由包覆该导电性支承部件的介电材料构成的介电层作为主要部分。可以通过该主要部分来吸附被吸附体。若向静电卡盘装置内的内部电极施加电压，使被吸附体与导电性支承部件之间产生电位差，则在介电层之间产生静电吸附力。由此，被吸附体被支承为相对于导电性支承部件大致平坦。
3、作为现有的静电卡盘装置，已知有在内部电极上层叠绝缘性有机膜，而形成介电层的静电卡盘装置（例如，参照专利文献1）。另外，已知有在内部电极上喷镀陶瓷，而形成介电层的静电卡盘装置（例如，参照专利文献2）。另外，已知有在层叠于内部电极上的绝缘性有机膜上喷镀陶瓷，形成陶瓷层的静电卡盘装置（例如，参照专利文献3）。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开2004-235563号公报
7、专利文献2：日本实公平6-36583号公报
8、专利文献3：日本特许第5054022号公报
技术实现思路
1、发明要解决的技术问题
2、专利文献1所记载的那样的通过利用设置在内部电极上的由绝缘性有机膜构成的介电层形成的库仑力，来吸附被吸附体的静电卡盘装置的吸附力优异。然而，该静电卡盘装置存在以下的技术问题：在由干法蚀刻装置所使用的等离子体环境下的耐性低、产品寿命短。
3、另外，如专利文献2所记载的那样的具有在内部电极上喷镀陶瓷形成的介电层的静电卡盘装置具有等离子体耐性。然而，由于在陶瓷粒子间存在空隙，因此，不仅难以得到稳定的绝缘性，而且为了确保绝缘性，必须加厚介电层。因此，作为利用库仑力来吸附被吸附体的静电卡盘装置，存在难以得到高吸附力的技术问题。
4、另外，在如专利文献3所记载的那样的具有在层叠于内部电极上的绝缘性有机膜上喷镀陶瓷形成的陶瓷层的静电卡盘装置中，由于在绝缘性有机膜上喷镀形成陶瓷层，因此需要在绝缘性有机膜上形成凹凸。然而，通过形成该凹凸、陶瓷喷镀，会降低绝缘性有机膜的绝缘性，在用作静电卡盘装置时，需要陶瓷层的厚度至少为100μm。另外，在向绝缘性有机膜上喷镀陶瓷时，无法通过陶瓷层覆盖至绝缘性有机膜的端部。当绝缘性有机膜的端部露出时，静电卡盘装置的等离子体耐性会降低。
5、本发明鉴于上述情况而提出，其课题在于，提供一种具有优异的等离子体耐性和耐电压性，且吸附性也优异的静电卡盘装置。
6、用于解决问题的技术方案
7、本发明具有以下方面。
8、[1]一种静电卡盘装置，其特征在于，具备：多个内部电极；绝缘性有机膜，设置于该内部电极的厚度方向上的两面侧；以及陶瓷层，隔着中间层层叠于至少包括所述内部电极和所述绝缘性有机膜的层叠体的厚度方向上的上表面。
9、[2]根据[1]所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述陶瓷层隔着所述中间层覆盖所述层叠体的外表面整面。
10、[3]根据[1]或[2]所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述陶瓷层具有：基底层；以及表层，形成于该基底层的上表面，且具有凹凸。
11、[4]根据[1]～[3]中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述中间层包括：有机绝缘性树脂及无机绝缘性树脂中的至少一方、以及无机填充剂及纤维状填充剂中的至少一方。
12、[5]根据[4]所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述无机填充剂为球形粉体以及无规则粉体中的至少一方。
13、[6]根据[5]所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述球形粉体以及所述无规则粉体为选自由氧化铝、二氧化硅及氧化钇组成的组中的至少一种。
14、[7]根据[4]～[6]中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述纤维状填充剂为选自由植物纤维、无机纤维及纤维化的有机树脂组成的组中的至少一种。
15、[8]根据[1]～[7]中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述绝缘性有机膜为聚酰亚胺膜。
16、[9]根据[1]～[8]中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述绝缘性有机膜由设置于所述内部电极的厚度方向上的下表面侧的第一绝缘性有机膜和设置于所述内部电极的厚度方向上的上表面侧的第二绝缘性有机膜构成，在所述第一绝缘性有机膜的与所述内部电极相反一侧的表面上设置第一粘接剂层，在所述第一绝缘性有机膜以及设置于所述第一绝缘性有机膜的厚度方向上的上表面侧的所述内部电极与所述第二绝缘性有机膜之间设置第二粘接剂层，所述第一粘接剂层的厚度、所述第一绝缘性有机膜的厚度、所述内部电极的厚度、所述第二粘接剂层的厚度、所述第二绝缘性有机膜的厚度、所述中间层的厚度以及所述陶瓷层的厚度的合计为200μm以下。
17、发明的效果
18、根据本发明，可以提供一种具有优异的等离子体耐性和耐电压性，且吸附性也优异的静电卡盘装置。
1.一种静电卡盘装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的静电卡盘装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的静电卡盘装置，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的静电卡盘装置，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其特征在于，
8.根据权利要求1至7中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，
