本公开涉及层压构件和包括该层压构件的电子装置。
背景技术：
1、当将形成在生长基板上的化合物半导体层粘附在支撑基板上时，期望确保结合强度。例如，专利文献1描述了在制造固态成像设备的方法中将固态成像元件接合至支撑基板。
2、[现有技术文献]
3、[专利文献]
4、[专利文献1]
5、wo 2019/087764
技术实现思路
1、[技术问题]
2、然而，当在接合工艺期间温度升高或下降时，由于生长基板与化合物半导体层之间的热膨胀系数(cte)失配而可能发生翘曲，并且化合物半导体层的角可能不能保持接合强度并且可能变得浮起。当在化合物半导体层中发生这种翘曲时，存在以下风险：当在后续过程中将化合物半导体层接合至诸如驱动电路板或支撑基板的基板时，可能发生诸如化合物半导体层从基板剥落的故障。
3、本公开的目的是提供能够抑制化合物半导体层翘曲发生的层压构件以及包括该层压构件的电子装置。
4、[问题的解决方案]
5、为了解决上述问题，根据本公开的层压构件包括：
6、驱动电路板；以及
7、半导体元件层，设置在驱动电路板上并且包括化合物半导体层，
8、其中，
9、化合物半导体层具有在俯视观察下为椭圆形的形状、多边形的至少一个角被切掉的形状、或多边形的至少一个角被弯曲成凸形的形状。
10、根据本公开的电子装置包括根据本公开的层压构件。
1.一种层压构件，包括：
2.根据权利要求1所述的层压构件，其中，
3.根据权利要求1所述的层压构件，其中，
4.根据权利要求1所述的层压构件，其中，
5.根据权利要求1所述的层压构件，其中，
6.根据权利要求1所述的层压构件，其中，
7.根据权利要求6所述的层压构件，其中，
8.根据权利要求7所述的层压构件，其中，
9.根据权利要求1所述的层压构件，其中，
10.根据权利要求1所述的层压构件，其中，
11.根据权利要求1所述的层压构件，其中，
12.根据权利要求1所述的层压构件，进一步包括：
13.根据权利要求12所述的层压构件，其中，
14.根据权利要求12所述的层压构件，其中，
15.根据权利要求1所述的层压构件，其中，
16.根据权利要求15所述的层压构件，其中，
17.根据权利要求1所述的层压构件，其中，
18.根据权利要求17所述的层压构件，其中，
19.根据权利要求17所述的层压构件，其中，
20.一种电子装置，包括根据权利要求1所述的层压构件。
