本发明涉及一种半导体用黏合膜、切割晶粒接合膜、及使用这些制造半导体装置的方法。
背景技术：
1、已普及通过层叠为多层而成的半导体芯片实现高容量化的层叠式mcp(multichip package：多芯片封装)。作为层叠式mcp的例子，可举出导线(wire)埋入型及芯片埋入型的半导体封装件。导线通过黏合膜被埋入的半导体封装件的结构有时被称为fow(filmover wire：导线包裹膜)。半导体芯片通过黏合膜被埋入的半导体封装件的结构有时被称为fod(film over die：芯片包裹膜)。作为采用fod的半导体封装件的一例，有具有配置于最下层的控制器芯片和将其埋入的黏合膜的半导体封装件(参考专利文献1)。
2、以往技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2014-175459号公报
5、专利文献2：日本专利第5736899号公报
技术实现思路
1、发明要解决的技术课题
2、在具有fod或fow的结构的半导体封装件的制造中，要求半导体芯片或导线通过黏合膜被充分埋入。低粘度化的黏合膜虽然能够显示良好的埋入性，但有时会大量产生黏合膜从半导体芯片的端部溢出的渗出。尤其，当被埋入的半导体芯片或导线的体积相对于黏合膜的体积的比例大时，不易适当地埋入半导体芯片或导线，因此容易难以兼顾渗出的抑制和充分的埋入性。例如，在用薄的黏合膜埋入控制器芯片的情况下，被埋入的控制器芯片的体积相对于黏合膜的体积的比例通常相对大。
3、本发明的一方面涉及一种能够在抑制渗出的同时改善fod或fow中的埋入性的黏合膜。
4、用于解决技术课题的手段
5、本发明的一方面涉及一种含有热固性成分的半导体用黏合膜。该黏合膜在60～150℃的范围内可以显示最小为2000pa·s以上且最大为200000pa·s以下的频率4.4hz下的剪切粘度。
6、本发明的另一方面涉及一种具备切割膜和设置于所述切割膜上的所述半导体用黏合膜的切割晶粒接合膜。
7、本发明的又一方面涉及一种制造半导体装置的方法，该方法包括通过所述半导体用黏合膜将第二半导体芯片黏合于搭载有第一半导体芯片的基板上的步骤。所述第一半导体芯片通过所述黏合膜被埋入。
8、本发明的又一方面涉及一种制造半导体装置的方法，该方法包括通过所述半导体用黏合膜将第二半导体芯片黏合于第一半导体芯片上的步骤。导线与所述第一半导体芯片连接，所述导线的一部分或整体通过所述黏合膜被埋入。
9、本发明包括以下。
10、[1]
11、一种半导体用黏合膜，其含有热固性成分，
12、在60～150℃的范围内显示最小为2000pa·s以上且最大为200000pa·s以下的频率4.4hz下的剪切粘度。
13、[2]
14、根据[1]所述的半导体用黏合膜，其具有50～150μm的厚度。
15、[3]
16、根据[1]或[2]所述的半导体用黏合膜，其用于在埋入其他半导体芯片的同时将半导体芯片黏合于基板上。
17、[3]’
18、根据[1]或[2]所述的半导体用黏合膜，其应用于制造在埋入其他半导体芯片的同时将半导体芯片黏合于基板上的半导体用黏合膜。
19、[4]
20、根据[1]所述的半导体用黏合膜，其具有25～80μm的厚度。
21、[5]
22、根据[1]或[4]所述的半导体用黏合膜，其用于在埋入与其他半导体芯片连接的导线的一部分或整体的同时将半导体芯片黏合于其他半导体芯片上。
23、[5]’
24、根据[1]或[4]所述的半导体用黏合膜，其应用于制造在埋入与其他半导体芯片连接的导线的一部分或整体的同时将半导体芯片黏合于其他半导体芯片上的半导体装置。
25、[6]
26、根据[1]至[5]中任一项所述的半导体用黏合膜，其还含有弹性体，以该黏合膜的质量为基准，所述弹性体的含量为10～60质量％。
27、[7]
28、根据[6]所述的半导体用黏合膜，其中，
29、以该黏合膜的质量为基准，所述弹性体的含量为20～55质量％。
30、[8]
31、根据[1]至[7]中任一项所述的半导体用黏合膜，其还含有无机填料，相对于所述热固性成分100质量份，所述无机填料的含量为60质量份以上。
32、[9]
33、根据[8]所述的半导体用黏合膜，其中，
34、相对于所述热固性成分100质量份，所述无机填料的含量为78～267质量份。
35、[10]
36、根据[1]至[9]中任一项所述的半导体用黏合膜，其中，
37、以该黏合膜的质量为基准，所述热固性成分的含量为15～30质量％。
38、[11]
39、一种切割晶粒接合膜，其具备：
40、切割膜；及
41、设置于所述切割膜上的[1]至[10]中任一项所述的半导体用黏合膜。
42、[12]
43、一种制造半导体装置的方法，其包括通过[1]或[2]所述的黏合膜将第二半导体芯片黏合于搭载有第一半导体芯片的基板上的步骤，
44、所述第一半导体芯片通过所述黏合膜被埋入。
45、[13]
46、一种制造半导体装置的方法，其包括通过[1]或[4]所述的半导体用黏合膜将第二半导体芯片黏合于第一半导体芯片上的步骤，
47、导线与所述第一半导体芯片连接，
48、所述导线的一部分或整体通过所述黏合膜被埋入。
49、[14]
50、根据[12]所述的方法，其中，
51、所述第一半导体芯片为控制器芯片。
52、[15]
53、根据[13]所述的方法，其中，
54、所述第一半导体芯片为控制器芯片。
55、发明效果
56、能够在抑制渗出的同时改善fod或fow中的埋入性。
1.一种半导体用黏合膜，其含有热固性成分，
2.根据权利要求1所述的半导体用黏合膜，其具有50～150μm的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体用黏合膜，其用于在埋入其他半导体芯片的同时将半导体芯片黏合于基板上。
4.根据权利要求1所述的半导体用黏合膜，其具有25～80μm的厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体用黏合膜，其用于在埋入与其他半导体芯片连接的导线的一部分或整体的同时将半导体芯片黏合于所述其他半导体芯片上。
6.根据权利要求1所述的半导体用黏合膜，其还含有弹性体，以该黏合膜的质量为基准，所述弹性体的含量为10～60质量％。
7.根据权利要求6所述的半导体用黏合膜，其中，
8.根据权利要求1所述的半导体用黏合膜，其还含有无机填料，相对于所述热固性成分100质量份，所述无机填料的含量为60质量份以上。
9.根据权利要求8所述的半导体用黏合膜，其中，
10.根据权利要求1所述的半导体用黏合膜，其中，
11.一种切割晶粒接合膜，其具备：
12.一种制造半导体装置的方法，其包括通过权利要求1所述的黏合膜将第二半导体芯片黏合于搭载有第一半导体芯片的基板上的步骤，
13.一种制造半导体装置的方法，其包括通过权利要求1所述的半导体用黏合膜将第二半导体芯片黏合于第一半导体芯片上的步骤，
14.根据权利要求12所述的方法，其中，
15.根据权利要求13所述的方法，其中，
