本发明涉及制冷红外探测器，特别涉及一种改善光刻曝光均匀性的方法。
背景技术：
1、红外焦平面探测技术具有光谱响应波段宽、可获得更多地面目标信息、能昼夜工作等显著优点，广泛应用于预警探测、情报侦察、毁伤效果评估以及农牧业、森林资源的调查、开发和管理、气象预报、地热分布、地震、火山活动，太空天文探测等领域。碲镉汞红外探测器是红外探测技术的代表产品之一。
2、碲镉汞芯片的材料单晶率低，导致碲镉汞的材料划切出来是尺寸不一致的方形，且尺寸小，无法采用自动化设备进行量产。同样地，光刻工序比如，匀胶、曝光、显影等工序都是手动操作或者半自动操作。因为芯片为方形且芯片尺寸不一致，无法采用去边设备给匀胶完的芯片去边角，导致芯片四边的光刻胶厚。另外，由于光刻采用的接触式曝光，在机器旋转的过程中，由于离心力的作用，碲镉汞芯片表面涂布的光刻胶在四角边缘处堆积比较厚，而在碲镉汞芯片表面中间位置的光刻胶厚度比较薄，从而导致在曝光时，光刻版与光刻胶之间存在间隙，影响了曝光图形的分辨率，从而出来的图形很差。
3、需要说明的是，公开于该发明背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明一般背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种改善光刻曝光均匀性的方法，以解决碲镉汞芯片表面涂布的光刻胶在四角边缘处堆积比较厚，而在碲镉汞芯片表面中间位置的光刻胶厚度比较薄，从而导致在曝光时，光刻版与光刻胶之间存在间隙，影响了曝光图形的分辨率的问题。
2、为解决上述技术问题，本发明提供一种改善光刻曝光均匀性的方法，包括：
3、提供一基板，所述基板具有第一端部和第二端部，将所述基板的第一端部做倒角处理，以在所述第一端部形成倒角部；
4、将具有倒角部的基板涂布光刻胶，并将所述光刻胶固化；
5、将固化之后的光刻胶进行曝光，以得到目标图形。
6、优选地，所述将所述基板的第一端部做倒角处理，以在所述第一端部形成倒角部包括：
7、将所述基板的第一端部涂布第一光刻胶；
8、将涂布有第一光刻胶的基板的第一端部通过研磨的方式进行倒角处理，以在所述第一端部形成倒角部；
9、将所述第一光刻胶去除。
10、优选地，所述将所述基板的第一端部做倒角处理，以在所述第一端部形成倒角部包括：
11、将所述基板的第一端部通过使用腐蚀液进行腐蚀，以进行倒角处理，在所述第一端部形成倒角部。
12、优选地，所述腐蚀液为可对碲镉汞材料进行腐蚀的腐蚀液。
13、优选地，所述腐蚀液为hbr溶液，且所述hbr溶液的浓度为68％。
14、优选地，所述将所述基板的第一端部做倒角处理，以在所述第一端部形成倒角部包括：
15、将所述基板涂布第一光刻胶；
16、采用氧气对所述第一光刻胶进行第一刻蚀，以对所述第一光刻胶进行倒角处理；
17、采用ch4、h2、ar混合气体对所述基板进行第二刻蚀，以对所述基板的第一端部进行倒角处理，在所述第一端部形成倒角部。
18、优选地，在所述第一刻蚀中，氧气流量为200sccm～400sccm。
19、优选地，在所述第二刻蚀中，所述ch4、h2、ar的体积比为1:2:6。
20、优选地，所述倒角部为弧形结构。
21、优选地，在将所述基板的第一端部做倒角处理之前，该改善光刻曝光均匀性的方法还包括：
22、采用清洗液对所述基板的表面进行清洗。
23、与现有技术相比，本发明的改善光刻曝光均匀性的方法具有如下优点：
24、本发明通过提供一基板，将所述基板的边角做倒角处理；将倒角处理之后的基板涂布光刻胶，并将所述光刻胶固化；将固化之后的光刻胶进行曝光，以得到目标图形。由此，本发明提供的改善光刻曝光均匀性的方法，由于基板的第一端部做倒角处理，在第一端部形成倒角部。当后续对基板进行涂布光刻胶、对光刻胶进行固化之后，再通过接触式曝光的方式进行曝光，可以避免在光刻版与光刻胶之间存在间隙，使得光刻版与光刻胶紧密贴合。改善了光刻曝光均匀性，提高了曝光图形的分辨率，也提高了图形效果。
1.一种改善光刻曝光均匀性的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的改善光刻曝光均匀性的方法，其特征在于，所述将所述基板的第一端部做倒角处理，以在所述第一端部形成倒角部包括：
3.根据权利要求1所述的改善光刻曝光均匀性的方法，其特征在于，所述将所述基板的第一端部做倒角处理，以在所述第一端部形成倒角部包括：
4.根据权利要求3所述的改善光刻曝光均匀性的方法，其特征在于，所述腐蚀液为可对碲镉汞材料进行腐蚀的腐蚀液。
5.根据权利要求4所述的改善光刻曝光均匀性的方法，其特征在于，所述腐蚀液为hbr溶液，且所述hbr溶液的浓度为68％。
6.根据权利要求1所述的改善光刻曝光均匀性的方法，其特征在于，所述将所述基板的第一端部做倒角处理，以在所述第一端部形成倒角部包括：
7.根据权利要求6所述的改善光刻曝光均匀性的方法，其特征在于，在所述第一刻蚀中，氧气流量为200sccm～400sccm。
8.根据权利要求6所述的改善光刻曝光均匀性的方法，其特征在于，在所述第二刻蚀中，所述ch4、h2、ar的体积比为1:2:6。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的改善光刻曝光均匀性的方法，其特征在于，所述倒角部为弧形结构。
10.根据权利要求1所述的改善光刻曝光均匀性的方法，其特征在于，在将所述基板的第一端部做倒角处理之前，该改善光刻曝光均匀性的方法还包括：
