1.本公开大体上涉及图像传感器的设计，且特定来说，涉及适于高动态范围成像的图像传感器。
背景技术：2.图像传感器已经变得无处不在。其广泛用于静态数码相机、蜂窝式手机、安防相机以及医疗、汽车等其它应用。用以制造图像传感器的技术快速地持续发展。例如，对较高的图像传感器分辨率和较低的功耗的要求促使图像传感器进一步小型化和集成到数字装置中。
3.在一些应用中，自然场景的动态范围可大于图像传感器的动态范围。捕获具有高动态范围(hdr)的此类图像通常包含使用不同的曝光时间捕获一群组图像，然后将所获取的图像组合成以高动态范围为特征的合成图像。但是，由于个别图像是在略有不同的时间捕获，所以场景中的任何变化都可能导致运动伪影。此外，当图像包含发光二极管(led)时，可发生led闪变，特别是对于由脉冲宽度调制 (pwm)控制的led，因为相机曝光可错过led脉冲。闪变问题对于hdr捕获可变得甚至更加相关，因为通常使用图像传感器的较短曝光时间捕获图像的明亮部分，因此使得图像传感器更有可能错过pwm的有效部分。对于汽车观察系统， led闪变可导致危险情况，因为司机可将闪变的led解读为表示应急灯。此外，由于led闪变，自动驾驶辅助系统(adas)可无法检测道路标志和交通信号。
技术实现要素：4.一方面，本技术案提供一种图像传感器，其包括：多个像素，其布置在放置在半导体衬底中的像素阵列的行及列中，其中每个像素包括多个单元；及多个滤色器，其放置在对应多个单元上；其中对应于个别像素的所述多个单元的所述多个滤色器对于所述多个滤色器中的每个颜色具有一个以上的滤色强度。
附图说明
5.参考下列图描述本发明的非限制性及非穷举性实施例，其中除非另外指定，否则贯穿各个视图，类似的参考符号指代类似的部分。
6.图1是根据本发明技术的实施例的实例图像传感器的图。
7.图2是根据本发明技术的实施例的实例图像传感器的横截面视图。
8.图3a到3c是根据本发明技术的实施例的滤色器布置的俯视示意图。
9.图4a到4c是根据本发明技术的实施例的滤色器布置的俯视示意图。
10.图5a和5b是根据本发明技术的实施例的滤色器布置的俯视示意图。
11.图6a和6b是根据本发明技术的实施例的滤色器布置的俯视示意图。
12.图7a到7c是根据本发明技术的实施例的滤色器布置的俯视示意图。
13.图8a和8b是根据本发明技术的实施例的滤色器布置的俯视示意图。
14.贯穿附图的若干视图，对应参考符号指示对应组件。所属领域的技术人员应了解，图中的元件为了简单且清楚起见而说明且并不一定按比例绘制。举例来说，图中一些元件的尺寸可相对于其它元件而放大以帮助改进对本发明的各种实施例的理解。并且，为了更方便地了解本发明的这些各种实施例，通常不描绘在商业可行的实施例中有用或必要的常见但好理解的元件。
具体实施方式
15.公开了图像传感器，且特定来说，适合于高动态范围成像和发光二极管(led) 闪变抑制的具有多个灵敏度的互补金属氧化物半导体(cmos)。在以下描述中，陈述众多特定细节以提供对实施例的透彻理解。但是，所属领域的技术人员将认识到；本文描述的技术可在没有一或多个特定细节的情况下或用其它方法、组件、材料等实践。在其它例子中，不详细展示或描述公知的结构、材料或操作以避免混淆某些方面。
16.贯穿此说明书对“一个实例”或“一个实施例”的参考意味着与实例相结合而描述的特定特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实例中。因此，贯穿此说明书在多个地方出现短语“在一个实例中”或“在一个实施例中”并不一定都指代相同的实例。此外，在一或多个实例中可以任何合适方式组合特定的特征、结构或特性。
17.空间相对术语(例如，“在
……
下”、“在
……
下方”、“下”、“在
……
下面”、“在
……
上方”、“上”等)可为便于描述的目的在本文中用于描述如图中说明的一个元件或特征与另一(些)元件或特征的关系。应理解，空间相对术语希望涵盖装置在使用或操作中除图中描绘的定向之外的不同定向。举例来说，如果图中的装置翻转，那么描述为在其它元件或特征“下方”或“下”或“下面”的元件将定向成在其它元件或特征“上方”。因此，示范性术语“下方”或“下面”可涵盖上方及下方的定向两者。装置可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文使用的空间相对描述符可因此而解译。另外，还将理解，当层被称为在两个层“之间”时，它可为两层之间的唯一层，或也可存在一或多个中介层。
18.根据上文将了解，尽管本文已出于说明的目的而描述本发明技术的特定实施例，但可在不背离本公开的情况下作出各种修改。再者，虽然上文已经在某些实施例的上下中描述与所述实施例相关联的各种优势和特征，但其他实施例也可展现此类优势及/或特征，且并非所有实施例必须展现此类优势及/或特征以落入本发明技术的范围内。在描述方法之情况下，所述方法可包含更多、更少或其它步骤。另外，可按任何适当顺序执行步骤。因此，本公开可涵盖本文未明确展示或描述的其它实施例。在本公开的上下文中，术语“约”指所述值的+/-5％。
19.贯穿此说明书，使用若干技术术语。这些术语具有其所来自的领域中的其普通含义，除非本文具体定义或其使用的上下文将另外明确暗示。应注意，元件名称及符号可贯穿此文件互换使用(例如，si对硅)；但两者具有相同含义。
20.简单来说，本发明技术的实施例涉及具有多灵敏度的含有像素的cmos图像传感器。在一些实施例中，图像传感器的个别像素可细分为子像素，每个子像素具有一或多个光电二极管。这些子像素的光敏度以及因此动态范围可通过其对应滤色器个别调整。作为非限制性实例，个别像素(例如，绿色像素)可细分为16个子像素，其中12个子像素具有透明滤色器(或弱滤色器)，而剩余4个子像素具有不同强度的个别滤色器。因此，此样本个别像素
包含不同滤色强度的总共5个滤色器。在本说明书的上下文中，“弱”滤色器(或“较暗”滤色器)意味着滤除相对较低量的入射光的滤色器，而“强”滤色器(或“较暗”滤色器)意味着滤除相对较高量的入射光的滤色器。例如，弱滤色器可为透明滤色器或阻挡特定颜色的入射光的5到10％(对于滤色器的给定颜色)的滤色器，而强滤色器可阻挡特定颜色的入射光的70到90％。作为另一实例，弱滤色器可为透明滤色器或可阻挡特定颜色的入射光的5到20％，而强滤色器可阻挡特定颜色的入射光的60到90％。作为又一实例，弱滤色器可为透明滤色器或可阻挡特定颜色的入射光的10到20％，而强滤色器可阻挡特定颜色的入射光的80到95％。在不同的实施例中，其它实例也是可能的。对于给定的像素，剩余的滤色器(例如，4个“较暗滤色器”的以上样本群组中的剩余3个滤色器)的滤色强度介于“弱”与“强”滤色器之间。当描述不同的实施例时，具有不同滤色强度的此类滤光器可称为第一滤光器、第二滤光器、第三滤光器，等等。
21.作为将像素划分为子像素的另一非限制性实例，个别像素(例如，蓝色像素) 可细分为9个子像素，其中6个子像素具有透明滤色器(或具有弱滤色器)，而对于具有不同强度的总共4个滤色器，剩余3个子像素具有不同强度的个别滤色器。在不同的实施例中，子像素和滤色器的其它组合也是可能的。在一些实施例中，滤色器可称为中性密度(nd)滤色器。在一些实施例中，可从图像传感器中省略透明滤色器。
22.在操作中，子像素展现不同的动态范围(也称为“灵敏度”)，这取决于其对应的滤色器的强度。例如，具有较强滤色器的子像素对应地具有较高的动态操作范围，反之亦然。因此，即使在捕获以高动态范围为特征的图像时，每个像素中的至少一些子像素也可保持不饱和。相反，当捕获导致图像传感器的相对低曝光的图像时，至少一些子像素可保持良好曝光，特定来说是以透明或弱滤色器为特征的像素。因此，在至少一些实施例中，可在单次曝光中获得可接受的图像，而不求助于易受运动伪影和led闪变影响的多次曝光。此外，在图像的此“单次曝光”捕获期间，像素的信噪比(snr)可保持在可接受的水平。
23.图1是根据本发明技术的实施例的实例图像传感器10的图。图像传感器10 包含像素阵列12、控制电路系统16、读出电路系统14及功能逻辑18。在一个实例中，像素阵列12是光电二极管或图像传感器像素11(例如，像素p1、p2
…
pn) 的二维(2d)阵列。在不同实施例中，可将两个或多于两个图像传感器像素11分组为多个像素单元。如说明，将光电二极管布置成行(例如，行r1到ry)和列(例如，列c1到cx)。在操作中，光电二极管获取场景的图像数据，然后所述图像数据可用于呈现人、地点、物件，等等。但是，在其它实施例中，光电二极管可布置成除行和列之外的配置。
24.在实施例中，在像素阵列12中的每一像素11获取其图像电荷之后，图像数据经由位线13由读出电路系统14读出，且接着传送到功能逻辑18。每个像素11 的读出图像数据共同构成图像帧。在各种实施例中，读出电路系统14可包含信号放大器、模数(adc)转换电路系统和数据传输电路系统。功能逻辑18可存储图像数据或甚至通过应用图像后效果(例如，剪裁、旋转、移除红眼、调整亮度、调整对比度或其它)而操纵图像数据。在一些实施例中，控制电路系统16和功能逻辑 18可组合成单个功能块，以控制像素11对图像的捕获和从读出电路系统14读出图像数据。功能逻辑18可包含数字处理器。在实施例中，读出电路系统14可沿着读出列线(位线13)一次读取一行图像数据或可使用各种其它技术(例如，串行读出所有像素或同时全部并行读出所有像素)读取图像数据。
25.在一个实施例中，控制电路系统16耦合到像素阵列12以控制像素阵列12 中的多个光电二极管的操作。例如，控制电路系统16可产生用于控制图像获取的快门信号。在一个实施例中，快门信号是用于同时启用像素阵列12内的所有像素以在单个数据获取窗期间同时捕获其相应图像数据的全局快门信号。在另一实施例中，快门信号是滚动快门信号，使得在连续获取窗期间循序启用像素的每一行、列或组。在另一实施例中，图像获取与照明效果(例如，闪光)同步。在不同实施例中，控制电路系统16可被配置以控制每个像素11以执行用于图像校准和正常图像帧的一或多个暗电流像素帧的获取操作。
26.在一个实施例中，读出电路系统14包含模数转换器(adc)，其将从像素阵列12接收的模拟图像数据转换为数字表示。图像数据的数字表示可提供到功能逻辑 18。
27.在不同实施例中，图像传感器10可为数码相机、手机、膝上型计算机等的部分。另外，图像传感器10可耦合到例如处理器(通用或其它处理器)、存储器元件、输出(usb端口、无线发射器、hdmi端口等)、照明/闪光灯、电输入(键盘、触控显示器、跟踪板、鼠标、麦克风等)和/或显示器的其它硬件。其它硬件可将指令递送到图像传感器10，从图像传感器10提取图像数据或操纵由图像传感器10供应的图像数据。
28.个别像素(p1到pn)的电压值可由读出电路系统14捕获。例如，控制电路系统 16可确定像素阵列12的特定行ri以与读出电路系统14耦合。在捕获行ri中的像素值之后，控制电路系统16可将行r
i+1
与读出电路系统14耦合，并且重复所述过程，直到捕获列中所有像素的电压值。在其它实施例中，读出电路系统14 可使用各种其它技术(图1中未说明)(例如串行读出所有像素或同时全部并行读出所有像素)来读出所述图像数据。在不同实施例中，读出电路系统14可包含放大电路系统、模数转换(“adc”)电路系统或其它电路系统。在一些实施例中，像素值由功能逻辑18捕获和处理。此处理可例如包含图像处理、图像过滤、图像提取和操纵、光强度的确定，等等。
29.图2是根据本发明技术的实施例的实例图像传感器的横截面视图。为了简单起见，说明两个光电二极管310-1和310-2。通常，图像传感器包含许多像素，并且每个像素可包含多个光电二极管。例如，光电二极管310-1和310-2(也称为“单元”或“子像素”)可构成一个像素。在所说明的实施例中，第一光电二极管(pd) 310-1可被配置成捕获低光，且第二光电二极管310-2可被配置成捕获亮光，如下文更详细地解释。
30.在所说明的实施例中，第一微透镜350-1和第一滤色器340-1堆叠在第一光电二极管310-1上。第二微透镜350-2和第二滤色器340-2堆叠在第二光电二极管 310-2上。光电二极管310-1和310-2可放置在硅衬底300中。第一光电二极管310-1 和第二光电二极管310-2两者放置在相同的半导体材料中，所述半导体材料被说明为硅衬底300。第一光电二极管310-1和第二光电二极管310-2可具有相同的尺寸并且具有相同的掺杂剂浓度，从而导致相同的全阱容量。在一个实施例中，第一光电二极管310-1和第二光电二极管310-2具有相同的曝光区域，其中曝光区域被定义为通过其对应微透镜的中心俯视光电二极管所看到的光电二极管的区域。滤色器340使特定颜色的图像光399(例如，红色、绿色或蓝色)通过，同时大体上阻挡不同于特定过滤颜色的图像光。电介质层320放置在硅衬底300与滤色器 340之间。电介质层320可包含低压化学气相沉积(“lpcvd”)二氧化硅或旋涂二氧化硅。
31.在操作中，第一微透镜350-1引导入射图像光399通过第一滤色器340-1朝向第一光电二极管310-1。第二微透镜350-2和第二滤色器340-2堆叠在第二光电二极管310-2上。
在所说明的实例中，滤色器340-1比滤色器340-2更具透射性(让更多的可见光通过)。因此，在相同曝光期间，光电二极管310-2接收的图像光399 少于第一光电二极管310-1。
32.在一个实施例中，滤色器340形成为大约50纳米厚的金属层。在一个实施例中，滤色器340的材料包含透明光阻剂，其被氮原子的等离子体冲击以降低材料的透明度。尽管滤色器340-1和340-2被说明为具有相同的厚度，但是滤色器340-2 可比滤色器340-1厚，因此由于高度增加而阻挡更多的光。在此情况下，可将不阻挡光的透明平坦化层添加到滤色器340-1的顶部或底部，以在与第二微透镜 350-22相同的高度处支撑第一微透镜350-1。在一个实施例中，滤色器340-1和 340-2由相同的材料制成，除了滤色器340-1具有贯穿透明材料的厚度的全部或一部分的微狭缝或孔阵列，使得通过滤色器340-1的图像光399比通过滤色器340-2 的图像光399多外。在又一实施例中，滤色器340-1和340-2由包含添加剂(例如，二氧化钛)的聚四氟乙烯(“ptfe”)制成以根据需要调整透明度。在本说明书的上下文中，术语“滤色器”涵盖滤色器和灰阶滤色器两者。
33.图3a到3c是根据本发明技术的实施例的滤色器布置3400的俯视示意图。图3a到3c中所说明布置中的每一者包含对应于图像传感器的像素的滤色器群组 345的3x3阵列。群组345可对应于不同颜色的像素，例如，分别具有指定为345-g、 345-r和345-b的其对应滤色器群组的绿色、红色及蓝色像素。每个说明的滤色器群组345(例如，345-g、345-b等等)包含3x3滤色器阵列，其对于群组345-g， (例如)枚举为340-g-1、340-g-2、340-g-3和340-g-4，且对于群组345-b和345-r，也类似地枚举。为了简单起见，个别滤色器可在说明书的其它地方用标号340-i 来表示。图像传感器和/或每个别像素的像素滤色器中的其它数目的像素也涵盖在本说明书中，下面关于说明书中的不同图讨论其中的一些实例。如上文解释，在一些实施例中，个别单元(子像素)340-i可对应于个别光电二极管。在其它实施例中，个别单元340-i可对应于若干光电二极管。
34.仍参考图3a到3c，针对每个相应颜色，每个说明的滤色器群组(例如，345-g、 345-b、345-r)包含具有4种不同强度的滤色器。例如，对于绿色滤色器群组345-g 有4个不同滤色强度，对于蓝色滤色器群组345-b有4个不同滤色强度，且对于红色滤色群组345-r有4个不同滤色强度。滤色器的增加的滤色强度(也称为“暗度”)由增加的阴影密度表示。例如，滤色器340-r-1表示透明或弱红色滤色器，且滤色器340-r-4表示群组345-r中的最强(最暗)红色滤色器。滤色器340-r-2和 340-r-3的滤色强度介于滤色器340-r-1和340-r-4的滤色强度之间。对于蓝色滤色器群组345-b和绿色滤色器群组345-g使用类似的阴影方案。在其它实施例中，可使用不同等级的滤色器。在所说明的实施例中，每个滤色器群组(例如，345-g、 345-b、345-r)包含6个透明(或弱)滤色器和对每个颜色具有增加的滤色强度的3 个滤色器。在不同的实施例中，可使用滤色器强度的不同分布。例如，对于3x3 滤色器群组(对应于一个像素)，5个单元可具有透明或弱滤色器，而剩余单元具有针对每个相应颜色的不同强度的滤色器。
35.图3a到3c说明每个滤色器群组内的滤色器的不同分布。在这些实施例中，滤色器的分布从一个滤色器群组(例如，345-g)到其它滤色器群组(例如，345-b、 345-r)保持相同。参考图3a，具有较高滤色强度的滤色器(例如，340-g-2、340-g-3、 340-g-4)分布在给定滤色器群组(例如，345-g)的上行和下行中。参考图3b和3c，具有较高滤色强度的滤色器相对于其群组分布得更集中，使得具有较高滤色强度的滤色器被透明/弱滤色器包围。
36.图4a到4c说明每个滤色器群组内的滤色器的不同分布。所说明的实施例表示灰色像素和对应的灰阶滤色器。如上文所解释，较密集的阴影指示较高的滤色强度。布置3400中的每个灰色像素包含3x3个单元(子像素或光电二极管)。在所说明的群组中，6个单元具有透明/弱滤色器，而3个单元具有增加的滤色强度的滤色器。在其它实施例中，可使用滤色器的滤色强度的不同分布。
37.在图4a到4c中，滤色器的分布随着滤色器群组345而不同。参考图4a，具有较高滤色强度的滤色器340-i均匀地布置在个别滤色器群组345内，并且通常沿着群组345之间的水平边界相邻。参考图4b，具有较高滤色强度的滤色器不均匀地分布在其对应滤色器群组345内(例如，在4个像素的对应群组的中间)。参考图4c，具有较高滤色强度的滤色器聚集在对应滤色器群组345的中间(例如，在4个像素的对应群组的中间)。在一些实施例中，具有较高滤色强度的滤色器的此相邻位置可减少由具有拥有较高滤色强度的滤色器的单元(子像素)接收的杂散光量，因此减少了串扰。
38.图5a和5b是根据本发明技术的实施例的滤色器布置的俯视示意图。如在之前实例中，滤色器的阴影密度表示其对应滤色强度。在不同的实施例中，在给定的滤色器群组345内的滤色器的分布可为不同的。图5a说明所谓的“均匀”分布，其中在每一行像素(对应于滤色器群组345的行)内，滤色器强度的分布对于每一滤色器群组345是相同的。例如，上行中的样本像素包含所说明的群组345-g 和345-b的滤色器强度的相同分布。另一方面，图5b说明所谓的“不均匀”分布。再看像素的上行，群组345-g和群组345-b的滤色器强度的分布是不同的。在不同的实施例中，均匀或不均匀的分布可调节群组之间或群组内的个别单元之间的串扰。
39.图6a和6b是根据本发明技术的实施例的滤色器布置的俯视示意图。这里，每个滤色器群组345包含4x4滤色器阵列，为了简单起见，所述滤色器阵列枚举为340-i。如上文解释，术语“滤色器”在本说明书的上下文中适用于彩色和灰色滤色器两者。在4x4滤色器群组(对应于像素)内，12个单元(子像素、光电二极管) 具有透明或相对较弱的滤色器，且4个单元具有拥有增加的滤色强度的滤色器。在其它实施例中，弱/强滤色器的其它比也是可能的。
40.图6a说明在像素的中间聚集具有相对强的滤色强度的单元的实施例。此布置可促进个别像素的相对均匀的响应。图6b说明对于不同像素，具有相对较强的滤色强度的单元彼此相邻(例如，聚集为群组)的实施例。此布置可通过减少从一个像素反射到另一像素的光量来减少像素之间的串扰。一般来说，具有较高滤色强度的滤色器也减少进入相邻单元的杂散光，因此减少了像素之间的串扰。
41.图7a到7c是根据本发明技术的实施例的滤色器布置的俯视示意图。图7a 中所说明的实施例相当于图6a中说明的实施例，因此促进像素的均匀响应和在像素区域上方的改进空间采样。在图7b和7c中所说明的实施例中，具有拥有相对较强滤色强度的滤色器的单元分布成从相邻像素面向对应单元。此单元布置减少沿给定像素的多个边界的像素之间的串扰。与图6b中说明的布置相比，图7b 和7c中说明的布置减少沿更多单元的串扰，但不如图6b中的具有拥有相对较强滤色强度的滤色器的单元的浓度显著。
42.图8a和8b是根据本发明技术的实施例的滤色器布置的俯视示意图。所说明的两个实施例描绘对于不同像素彼此相邻的具有相对较强滤色强度的单元。图8a 说明具有相对
较强滤色强度的单元对角相邻的实施例。图8b说明具有相对较强滤色强度的单元彼此横向相邻的实施例。在两种布置中，单元之间的串扰减小。
43.上文描述的技术的许多实施例可采取计算机或控制器可执行指令的形式，包含由可编程计算机或控制器执行的例程。相关领域的技术人员将了解，本技术可在除了上文展示及描述的计算机/控制器系统外的计算机/控制器系统上实践。本技术可在经特定编程、配置或构造以执行上文描述的一或多个计算机可执行指令的专用计算机、特定应用集成电路(asic)、控制器或数据处理器上体现。当然，本文描述的任何逻辑或算法都可以软件或硬件或软件和硬件的组合来实施。
44.本发明的所说明实例的以上描述(包含在摘要中的描述的内容)并不希望将本发明限制于所揭示的精确形式。虽然在本文中出于说明的目的描述本发明的特定实例，但相关领域的技术人员将认识到各种修改在本发明的范围内是可能的。
45.鉴于上文详细描述，可对本发明的实例做出这些修改。所附权利要求书中所使用的术语不应被解释为将本发明限制于说明书中公开的具体实例。事实上，本发明的范围将完全由以下权利要求确定，这些权利要求将根据权利要求解释的既定原则来解释。
技术特征：1.一种图像传感器，其包括：多个像素，其布置在放置在半导体衬底中的像素阵列的行及列中，其中每个像素包括多个单元；及多个滤色器，其放置在对应多个单元上；其中，对应于个别像素的所述多个单元的所述多个滤色器对于所述多个滤色器中的每个颜色具有一个以上的滤色强度。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括放置在对应多个滤色器上的多个微透镜。3.根据权利要求2所述的图像传感器，其进一步包括放置在所述多个滤色器与所述多个单元之间的电介质层。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述滤色器是中性密度滤色器。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中对应于所述个别像素的所述多个单元的所述多个滤色器包括针对所述多个滤色器的每个颜色的至少一个暗滤色器和至少一个透明滤色器。6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中对应于所述个别像素的所述多个单元的所述多个滤色器包括多个透明滤色器。7.根据权利要求5所述的图像传感器，其中所述多个滤色器的不同滤色强度导致对应单元的不同动态范围。8.根据权利要求5所述的图像传感器，其中所述至少一个暗滤色器放置在所述多个单元的外围，并且至少一个透明滤色器放置在所述多个单元的内部。9.根据权利要求5所述的图像传感器，其中所述至少一个暗滤色器放置在所述多个单元的内部，并且其中所述至少一个暗滤色器由多个透明滤色器包围。10.根据权利要求5所述的图像传感器，其中所述至少一个暗滤色器包括具有不同滤色强度的滤色器。11.根据权利要求1所述的图像传感器，其中对应于所述个别像素的所述多个单元的所述多个滤色器是第一像素的第一多个滤色器，其中所述第一多个滤色器包括至少一个第一暗滤色器和至少一个第一透明滤色器，所述图像传感器进一步包括放置在第二个别像素的对应第二多个单元上的第二多个滤色器，其中所述第二多个滤色器包括至少一个第二暗滤色器及至少一个第二透明滤色器，其中，所述第一像素与所述第二像素之间的串扰通过与所述第二暗滤色器相邻的所述第一暗滤色器而减小。12.根据权利要求11所述的图像传感器，其中所述至少一个第一暗滤色器与所述至少一个第二暗滤色器横向相邻。13.根据权利要求11所述的图像传感器，其中所述至少一个第一暗滤色器与所述至少一个第二暗滤色器对角相邻。14.根据权利要求11所述的图像传感器，其中所述至少一个透明滤色器与所述至少一个第二透明滤色器相邻。15.根据权利要求11所述的图像传感器，其中所述第一像素的多个透明滤色器与所述第二像素的多个透明滤色器相邻。
16.根据权利要求15所述的图像传感器，其中所述第一像素的所述多个透明滤色器和所述第二像素的所述多个透明滤色器以相同的布置放置在其相应像素内。17.根据权利要求11所述的图像传感器，其中所述第一像素是绿色g像素，且所述第二像素是蓝色b像素，所述图像传感器进一步包括至少一个红色r像素。18.根据权利要求11所述的图像传感器，其中所述第一像素和所述第二像素是灰阶像素。19.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述多个滤色器放置在4x4网格中，并且其中所述多个滤色器包括12个透明滤色器和4个暗滤色器。20.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述多个滤色器放置在3x3网格中，并且其中所述多个滤色器包括6个透明滤色器和3个暗滤色器。
技术总结本发明揭示用于高动态范围成像和发光二极管闪变抑制的具有多灵敏度的互补金属氧化物半导体图像传感器。在一个实施例中，图像传感器包含布置成放置在半导体衬底中的像素阵列的行和列的多个像素。每个像素包含多个单元。在对应多个单元上放置多个滤色器。对应于个别像素的所述多个单元的所述多个滤色器对于所述多个滤色器的每个颜色具有一个以上的滤色强度。滤色强度。滤色强度。
技术研发人员：刘成明 Z
受保护的技术使用者：豪威科技股份有限公司
技术研发日：2022.04.27
技术公布日：2022/11/1
