1.本技术涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及其制造方法。
背景技术：2.micro led具有信赖性高、功耗低、亮度高及响应速度快等优点。micro led显示器的制造主要由背板、led和巨量转移三大部分组成。其中，巨量转移主要有三大技术难点，分别为对位、键合和修补，任何一个环节均会极大程度的制约micro led显示器的量产。
3.因此，为了不影响micro led显示器的量产，需要在巨量转移后，解决led修补困难的问题。
技术实现要素：4.本技术主要解决的技术问题是提供一种显示面板及其制造方法，解决现有技术中巨量转移后对发光单元修补困难的问题。
5.为了解决上述技术问题，本技术提供的第一个技术方案为：提供一种显示面板，显示面板包括多个发光单元、封装层、相对设置的封装基板和驱动基板。发光单元设置于封装基板与驱动基板之间；封装层封装发光单元，且位于封装基板与驱动基板之间；发光单元包括主发光单元和副发光单元；其中，主发光单元和副发光单元不同层设置；副发光单元与至少一部分主发光单元一一对应设置，且在平行于驱动基板和/或封装基板的延伸方向上，主发光单元的中心点与副发光单元的中心点的间距不大于主发光单元在延伸方向上投影长度的2倍。
6.其中，主发光单元包括坏点发光单元和正常发光单元，坏点发光单元一一对应副发光单元设置。
7.其中，正常发光单元与副发光单元不重叠设置；其中，
8.副发光单元与坏点发光单元在平行于驱动基板和/或封装基板的延伸方向的投影完全重叠；或
9.副发光单元与坏点发光单元在平行于驱动基板和/或封装基板的延伸方向的投影部分重叠；或
10.副发光单元与坏点发光单元在平行于驱动基板和/或封装基板的延伸方向的投影不重叠。
11.其中，主发光单元与副发光单元的电极朝向一致。
12.其中，还包括电极延伸线，电极延伸线的一端连接发光单元，另一端连接驱动基板。
13.其中，封装层包括层叠设置的第一封装层和第二封装层，第一封装层用于封装主发光单元，第二封装层用于封装副发光单元。
14.其中，主发光单元和副发光单元的电极朝向驱动基板设置，第二封装层设置于第一封装层远离封装基板的一侧；
15.或
16.主发光单元和副发光单元的电极朝向封装基板设置，第二封装层设置于第一封装层远离驱动基板的一侧。
17.为了解决上述技术问题，本技术提供的第二个技术方案为：提供一种显示面板的制造方法，显示面板的制造方法包括：
18.提供基板，基板为驱动基板或封装基板；
19.将主发光单元设置于基板的一侧；
20.对主发光单元进行封装，形成第一封装层，第一封装层位于主发光单元远离基板的一侧；
21.使主发光单元发光；其中，不亮的主发光单元为坏点发光单元；
22.将副发光单元设置于第一封装层远离基板的一侧；其中，副发光单元与坏点发光单元一一对应设置，且坏点发光单元的中心点与副发光单元的中心点的间距不大于主发光单元在平行于基板的延伸方向上投影长度的2倍；
23.对副发光单元进行封装，形成第二封装层；第二封装层位于第一封装层远离基板的一侧。
24.其中，使主发光单元发光；其中，不亮的主发光单元为坏点发光单元，包括：
25.制作检测线，对主发光单元输送电流，使主发光单元发光；其中，不亮的主发光单元为坏点发光单元；
26.去除检测线。
27.其中，主发光单元和副发光单元的电极的朝向背离基板；
28.对副发光单元进行封装，形成第二封装层；第二封装层位于第一封装层远离基板的一侧，之后还包括：
29.使主发光单元和副发光单元的电极裸露。
30.本技术的有益效果：区别于现有技术，本技术提供了一种显示面板及其制造方法，显示面板包括多个发光单元、封装层、相对设置的封装基板和驱动基板。发光单元设置于封装基板与驱动基板之间；封装层封装发光单元，且位于封装基板与驱动基板之间；发光单元包括主发光单元和副发光单元；其中，主发光单元和副发光单元不同层设置；副发光单元与至少一部分主发光单元一一对应设置，且在平行于驱动基板和/或封装基板的延伸方向上，主发光单元的中心点与副发光单元的中心点的间距不大于主发光单元在延伸方向上投影长度的2倍。通过在另一层设置副发光单元，可以在主发光单元出现坏点发光单元时，用副发光单元替代坏点发光单元发光，在不影响正常的主发光单元发光的情况下，有效地实现了巨量转移后对发光单元的修补。
附图说明
31.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出任何创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
32.图1是本技术提供的显示面板第一实施例的结构示意图；
33.图2是图1中去除驱动基板的俯视结构示意图；
34.图3是本技术提供的显示面板第二实施例的结构示意图；
35.图4是本技术提供的显示面板第三实施例的结构示意图；
36.图5是本技术提供的显示面板第四实施例的结构示意图
37.图6是本技术提供的显示面板的制造方法一实施方式的流程示意图；
38.图7是图6中步骤s11至s19对应的结构示意图；
39.图8是图6中步骤s14一实施方式的流程示意图；
40.图9是图8中步骤s141至s143对应的结构示意图。
41.附图标号说明：
42.驱动基板-1、封装基板-2、发光单元-3、主发光单元-31、坏点发光单元-311、正常发光单元-312、副发光单元-32、电极延伸线-4、封装层5、第一封装层-51、第二封装层-52、第一沉孔-53、第二沉孔-54、第一缓冲胶材层-55、第二缓冲胶材层-56、第一基板-6、第二基板-7、第一检测线-8、第二检测线-9、凹槽-10、中心点-a/b。
具体实施方式
43.下面结合说明书附图，对本技术实施例的方案进行详细说明。
44.以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透彻理解本技术。
45.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
46.本技术中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
47.在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
48.请参阅图1和图2，图1是本技术提供的显示面板第一实施例的结构示意图，图2是图1中去除驱动基板的俯视结构示意图。
49.本技术提供一种显示面板100，显示面板100包括封装基板2、驱动基板1、发光单元
3和封装层5。封装基板2与驱动基板1相对设置。多个发光单元3设置于封装基板2与驱动基板1之间，且与驱动基板1电连接。驱动基板1用于驱动发光单元3发光。封装层5用于封装发光单元3，且位于封装基板2与驱动基板1之间。
50.封装基板2可以是硬性膜材，也可以是柔性膜材。当封装基板2为硬性膜材时，可以是玻璃等；当封装基板2为柔性膜材时，可以是pi胶材。
51.发光单元3包括主发光单元31和副发光单元32，主发光单元31和副发光单元32均为发光二极管，发光二极管的尺寸小于等于200μm。发光二极管可以为微米发光二极管(micro-led)或小型发光二极管(mini-led)，mini-led的尺寸为50～200μm，micro-led的尺寸小于50μm。发光二极管还可分为普通单色发光二极管、高亮度发光二极管、超高亮度发光二极管、变色发光二极管、闪烁发光二极管、电压控制型发光二极管、红外发光二极管和负阻发光二极管等，此处不作过多限制，根据实际需求进行选择。其中，主发光单元31和副发光单元32为同一类型同一尺寸的发光单元3。
52.主发光单元31和副发光单元32设置于不同层，也就是说，主发光单元31与副发光单元32为相同的发光二极管，只是设置的位置不一样。副发光单元32与至少一部分主发光单元31一一对应设置，也就是说，副发光单元32可以与一部分主发光单元31一一对应设置，也可以与所有的主发光单元31一一对应设置。在平行于驱动基板1和/或封装基板2的延伸方向上，主发光单元31的中心点a与副发光单元32的中心点b的间距不大于主发光单元31在该延伸方向上投影长度的2倍。即，主发光单元31与副发光单元32的中心间距不大于主发光单元31在该延伸方向上投影长度的2倍。也就是说，在平行于封装基板2和/或驱动基板1的延伸方向上，主发光单元31与副发光单元32可以完全重叠、也可以部分重叠或者不重叠，且主发光单元31与副发光单元32的中心间距在该延伸方向上最多间隔一个主发光单元31在该延伸方向上的投影长度。下面对主发光单元31与副发光单元32在平行于封装基板2和/或驱动基板1的延伸方向上的中心间距与主发光单元31在该延伸方向上的投影长度之间的关系进行具体说明。需要说明的是，下面对主发光单元31与副发光单元32关于中心间距以及相对位置关系均是在平行于封装基板2和/或驱动基板1的延伸方向上进行描述。当主发光单元31与副发光单元32的中心间距等于0时，主发光单元31的中心点a与副发光单元32的中心点b重合，即，主发光单元31与副发光单元32完全重叠。当主发光单元31与副发光单元32的中心间距小于主发光单元31在该延伸方向上投影长度的1倍且主发光单元31与副发光单元32的中心间距大于0时，主发光单元31与副发光单元32部分重叠设置。当主发光单元31与副发光单元32的中心间距等于主发光单元31在该延伸方向上投影长度的1倍时，主发光单元31与副发光单元32相切设置，即不重叠设置。当主发光单元31与副发光单元32的中心间距大于主发光单元31在该延伸方向上投影长度的1倍，且小于主发光单元31在该延伸方向上投影长度的2倍时，主发光单元31与副发光单元32间隔设置，且主发光单元31与副发光单元32的间隔距离小于主发光单元31在该延伸方向上投影长度。当主发光单元31与副发光单元32的中心间距等于主发光单元31在该延伸方向上投影长度的2倍时，主发光单元31与副发光单元32完全重叠设置。
53.主发光单元31可以包括正常发光单元312和坏点发光单元311，也可以仅包括正常发光单元312。坏点发光单元311可以是损坏、失效或光电特性不符合规格的发光单元3。当主发光单元31仅包括正常发光单元312时，在平行于封装基板2的延伸方向上，主发光单元
31与副发光单元32均可正常发光，能增加显示面板100的发光亮度。当主发光单元31包括正常发光单元312和坏点发光单元311时，坏点发光单元311至少为一个，副发光单元32一一对应坏点发光单元311设置，也就是说，坏点发光单元311的数量与副发光单元32的数量相同，一个副发光单元32对应一个坏点发光单元311，用于替代坏点发光单元311发光。下面主要以主发光单元31包括正常发光单元312和坏点发光单元311为实施例进行说明。
54.在本实施例中，坏点发光单元311为一个，副发光单元32为一个。在平行于封装基板2的延伸方向上，主发光单元31与副发光单元32在平行于封装基板2的延伸方向上的投影不重叠。在其他可选实施例中，坏点发光单元311与副发光单元32在平行于封装基板2的延伸方向上的投影可以部分重叠，也可以完全重叠。
55.一个发光单元3即为一个像素单元，一个像素单元对应一种颜色像素。多个主发光单元31对应多种颜色像素，也就是说，一个主发光单元31对应一种颜色像素，每个主发光单元31对应的颜色像素可以相同也可以不相同。颜色像素代表的颜色可以为红色、绿色和蓝色这三种颜色，也可以为其他颜色，此处不作限制。副发光单元32与对应的坏点发光单元311对应的颜色像素相同，即某一个坏点发光单元311对应的颜色像素代表的颜色为红色，则与该坏点发光单元311对应设置的副发光单元32的颜色像素代表的颜色也为红色。
56.主发光单元31与副发光单元32的电极朝向一致，且主发光单元31正装于驱动基板1或封装基板2上。在本实施例中，主发光单元31正装于封装基板2上，主发光单元31与副发光单元32的电极均朝向驱动基板1设置，副发光单元32设置于主发光单元31远离封装基板2的一侧。驱动基板1设置于副发光单元32远离封装基板2的一侧。在其他可选实施例中，主发光单元31也可以正装于驱动基板1上，主发光单元31与副发光单元32的电极均朝向封装基板2设置，副发光单元32设置于主发光单元31远离驱动基板1的一侧，封装基板2设置于副发光单元32远离驱动基板1的一侧，应当可以理解，该封装基板2也可以为其他透明封装层5。下面主要以主发光单元31正装于封装基板2上为实施例进行说明。
57.封装层5包括层叠设置的第一封装层51、第二封装层52、第一缓冲胶材层55和第二缓冲胶材层56。第一封装层51用于封装主发光单元31，第二封装层52用于封装副发光单元32。在本实施例中，第一缓冲胶材层55设置于封装基板2的一侧的整个表面，主发光单元31通过第一缓冲胶材层55固定于封装基板2上。可选地，第一缓冲胶材层55也可以在封装基板2的表面间隔设置，能够承接主发光单元31即可。第一封装层51设置于第一缓冲胶材层55的一侧，且第一封装层51环绕主发光单元31并填充主发光单元31之间的间隙，同时覆盖主发光单元31远离封装基板2的一侧。
58.第二缓冲胶材层56设置于第一封装层51远离封装基板2的一侧的整个表面，副发光单元32通过第二缓冲胶材层56固定于第一封装层51上。可选地，第二缓冲胶材层56也可以在第一封装层51远离第一缓冲胶材层55的一侧的表面间隔设置，能够承接副发光单元32即可。第二封装层52设置于第二缓冲胶材层56远离封装基板2的一侧，第一封装层51环绕副发光单元32并填充副发光单元32之间的间隙，同时覆盖副发光单元32远离封装基板2的一侧。驱动基板1设置于第二封装层52远离封装基板2的一侧。其中，第一封装层51和第二封装层52可以是单层结构，也可以是多层结构，具体根据需要进行选择。第一封装层51和第二封装层52的材料可以是环氧材料，也可以是其他材料，此处不作过多限制，根据实际需求进行选择。第一缓冲胶材层55和第二缓冲胶材层56具有缓冲性和粘附性。第一缓冲胶材层55和
第二缓冲胶材层56的折射率满足发光单元3的出光设计，利于发光单元3的出光，提升出光效果。具体地，第一缓冲胶材层55和第二缓冲胶材层56可以是环氧树脂，也可以为其他材料。第一缓冲胶材层55和第二缓冲胶材层56与第一封装层51和第二封装层52的材料可以相同也可以不同。
59.封装层5远离封装基板2的一侧的表面还设置有第一沉孔53和第二沉孔54。第一沉孔53贯穿第二封装层52和第一缓冲胶材层55并向第一封装层51延伸，以裸露主发光单元31的电极。其中，第一沉孔53的高度小于等于主发光单元31远离封装基板2的一侧的表面到第二封装层52远离第一封装层51的一侧的表面的高度。第一沉孔53为至少两个，一个第一沉孔53对应裸露一个主发光单元31的一个电极，且第一沉孔53之间间隔设置。第二沉孔54设置于第二封装层52远离第一封装层51的一侧的表面，向第二封装层52靠近第一封装层51的方向延伸，以裸露副发光单元32的电极。其中，第二沉孔54的高度小于等于副发光单元32远离封装基板2的一侧的表面到第二封装层52远离第一封装层51的一侧的表面的高度。第二沉孔54为至少两个，一个第二沉孔54对应裸露一个副发光单元32的一个电极，且第二沉孔54之间间隔设置。第一沉孔53与第二沉孔54间隔设置。第一沉孔53与第二沉孔54可以通过对封装层5远离封装基板2的一侧的表面蚀刻得到，也可以通过钻孔等其他方式得到，此处不作限制。
60.在其他可选实施例中，在第一缓冲胶材层55和/或第二缓冲胶材层56远离封装基板2的一侧可以开设凹槽。通过设置凹槽，可以对要转移至封装基板2的主发光单元31和/或要转移至第二封装层52的副发光单元32进行限位。
61.显示面板100还包括电极延伸线4，电极延伸线4的一端连接驱动基板1，另一端连接发光单元3。具体地，每个发光单元3的一个电极对应一个电极延伸线4。电极延伸线4通过第一沉孔53与裸露的主发光单元31的电极连接；电极延伸线4通过第二沉孔54与裸露的副发光单元32的电极连接。电极延伸线4在第二封装层52远离第一封装层51的一侧的表面的延伸方向，可以平行于x方向，也可以平行于y方向，x方向与y方向相互垂直，其中，x方向为数据线(图未示)的延伸方向或扫描线(图未示)的延伸方向。应当可以理解，电极延伸线4在第二封装层52远离第一封装层51的一侧的表面的延伸方向也可以为其他方向，只需方便电极延伸线4与驱动基板1连接即可。通过设置电极延伸线4，可以增大后续发光单元3与驱动基板1的对位精度，降低了对位难度，利于提升良率。在本实施例中，副发光单元32沿电极延伸线4在第二封装层52远离第一封装层51的一侧的表面的延伸方向设置，可以使得所有的电极延伸线4在第二封装层52远离第一封装层51的一侧的表面的延伸方向一致，便于与驱动基板1进行对位和电连接。在其他可选实施例中，显示面板100可以不设置电极延伸线4，则，发光单元3正装于封装基板2上，驱动基板1的电极与发光单元3的电极直接连接。
62.驱动基板1可以为硬质基板也可以为柔性基板。当驱动基板1为硬性膜材时，可以为玻璃等；当驱动基板1为柔性膜材时，可以是pi胶材等。驱动基板1包括衬底基板(图未示)以及设置于衬底基板上的驱动电路(图未示)，驱动电路包括多个扫描线、多个数据线和多个薄膜晶体管(tft)。驱动基板1还可以包括与驱动电路绑定的驱动芯片(图未示)。驱动电路可以是采用基于非晶硅、多晶硅、氧化物等技术的主动式驱动电路，也可以是进行走线的被动式驱动电路，此处不作限制，根据实际需求进行设计。
63.请参阅图1和图3，图3是本技术提供的显示面板第二实施例的结构示意图。
64.本技术提供的显示面板100的第二实施例与本技术提供的显示面板100的第一实施例的结构基本相同，不同之处在于：坏点发光单元311与副发光单元32在平行于封装基板2的延伸方向上的投影部分重叠。
65.坏点发光单元311与副发光单元32在平行于封装基板2的延伸方向上的投影部分重叠，正常发光单元312与副发光单元32在平行于封装基板2的延伸方向上的投影不重叠，在保证正常发光单元312能正常发光的情况下，副发光单元32替代坏点发光单元311发光，有效地实现了巨量转移后对发光单元3的修补。
66.请参阅图1和图4，图4是本技术提供的显示面板第三实施例的结构示意图。
67.本技术提供的显示面板100的第三实施例与本技术提供的显示面板100的第一实施例的结构基本相同，不同之处在于：坏点发光单元311与副发光单元32在平行于封装基板2的延伸方向上的投影完全重叠。
68.坏点发光单元311与副发光单元32在平行于封装基板2的延伸方向上的投影完全重叠，正常发光单元312与副发光单元32在平行于封装基板2的延伸方向上的投影不重叠，使得在平行于封装基板2的延伸方向上，副发光单元32和正常发光单元312之间的间距与正常发光单元312之间的间距一样，在不影响正常发光单元312正常发光的情况下，更有利于显示面板100发光均匀。
69.请参阅图1和图5，图5是本技术提供的显示面板第四实施例的结构示意图。
70.本技术提供的显示面板100的第四实施例与本技术提供的显示面板100的第一实施例的结构基本相同，不同之处在于：在第一缓冲胶材层55和第二缓冲胶材层56远离封装基板2的一侧开设有凹槽10。
71.凹槽10的形状可以设置为矩形，也可以设置为弧形等其他形状。凹槽10的高度小于发光单元3的高度。凹槽10的形状和高度可以根据需要进行设计。在本实施例中，凹槽10为矩形。凹槽10与发光单元3的个数相同。一个凹槽10内对应设置一个发光单元3。在将发光单元3转移至第一缓冲胶材层55和第二缓冲胶材层56时，发光单元3之间会发生横向位移，导致发光单元3之间的间距过大或过小，在与预先制备好的驱动基板1进行对位贴合时，会使部分发光单元3的电极无法与驱动基板1进行较好的电性连接。通过在第一缓冲胶材层55和第二缓冲胶材层56远离封装基板2的一侧开设凹槽10，凹槽10之间的间距和凹槽的宽度决定了发光单元3之间的最大横向位移量，使得发光单元3之间的间距在一定可控范围内，与驱动基板1进行对位贴合时，可以提高对位精度。
72.本技术提供了一种显示面板100，显示面板100包括多个发光单元3、封装层5、相对设置的封装基板2和驱动基板1。发光单元3设置于封装基板2与驱动基板1之间；封装层5封装发光单元3，且位于封装基板2与驱动基板1之间；发光单元3包括主发光单元31和副发光单元32；其中，主发光单元31和副发光单元32不同层设置，副发光单元32与至少一部分主发光单元31一一对应设置，且在平行于驱动基板1和/或封装基板2的延伸方向上，主发光单元31的中心点a与副发光单元的中心点b的间距不大于主发光单元31在延伸方向上投影长度的2倍。通过在另一层设置副发光单元32，可以在主发光单元31出现坏点发光单元311时，用副发光单元32替代坏点发光单元311发光，在不影响正常的主发光单元31发光的情况下，有效地实现了巨量转移后对发光单元3的修补。
73.本技术提供一种显示面板100的制造方法，在制造显示面板100时，还对巨量转移
后的发光单元3进行修补。显示面板100的制造方法的步骤具体如下所示：
74.请参阅图6和图7，图6是本技术提供的显示面板的制造方法一实施方式的流程示意图，图7是图6中步骤s11至s19对应的结构示意图。
75.s11：提供第一基板，第一基板为驱动基板或封装基板。
76.具体地，提供第一基板6，第一基板6为驱动基板或封装基板。
77.驱动基板可以为硬质基板也可以为柔性基板。当驱动基板为硬性膜材时，可以为玻璃等；当驱动基板为柔性膜材时，可以是pi胶材等。驱动基板包括衬底基板(图未示)、以及设置于衬底基板上的驱动电路(图未示)，驱动电路包括多个扫描线(图未示)、多个数据线(图未示)和多个薄膜晶体管(tft)。驱动基板还可以包括与驱动电路绑定的驱动芯片(图未示)。驱动电路可以是采用基于非晶硅、多晶硅、氧化物等技术的主动式驱动电路，也可以是进行走线的被动式驱动电路，此处不作限制，根据实际需求进行设计。
78.封装基板可以是硬性膜材，也可以是柔性膜材。当封装基板为硬性膜材时，可以是玻璃等；当封装基板为柔性膜材时，可以是pi胶材。封装基板还可以为生长基板，生长基板可以为蓝宝石、硅、碳化硅中的一种或多种。
79.s12：将主发光单元设置于第一基板的一侧。
80.具体地，在第一基板6的一侧的表面设置第一缓冲胶材层55，且第一缓冲胶材层55设置于第一基板6的整个表面，再将主发光单元31正装于第一缓冲胶材层55远离第一基板6的一侧。其中，第一缓冲胶材层55具有缓冲性和粘附性。主发光单元31通过第一缓冲胶材层55固定于第一基板6的一侧。在本实施例中，第一缓冲胶材层55的折射率满足主发光单元31的出光设计，利于主发光单元31的出光，提升出光效果。具体地，第一缓冲胶材层55可以是环氧树脂。可选地，第一缓冲胶材层55也可以在第一基板6的表面间隔设置，能够承接主发光单元31即可。
81.在一实施方式中，第一缓冲胶材层55设置于第一基板6的整个表面，在第一缓冲胶材层55远离第一基板6的一侧开设凹槽。通过设置凹槽，可以对要转移至第一基板6的主发光单元31进行限位。凹槽的形状可以设置为矩形，也可以设置为弧形等其他形状。凹槽的高度小于发光单元3的高度。凹槽的形状和高度可以根据需要进行设计。
82.主发光单元31为发光二极管，发光二极管的尺寸小于等于200μm。发光二极管可以为微米发光二极管(micro-led)或小型发光二极管(mini-led)，mini-led的尺寸为50～200μm，micro-led的尺寸小于50μm。发光二极管还可分为普通单色发光二极管、高亮度发光二极管、超高亮度发光二极管、变色发光二极管、闪烁发光二极管、电压控制型发光二极管、红外发光二极管和负阻发光二极管等，此处不作过多限制，根据实际需求进行选择。
83.主发光单元31间隔设置于第一基板6的一侧。主发光单元31的电极的朝向背离第一基板6。一个主发光单元31对应一种颜色像素，每个主发光单元31对应的颜色像素可以相同也可以不相同。颜色像素代表的颜色可以为红色、绿色和蓝色这三种颜色，也可以为其他颜色，此处不作限制。
84.s13：对主发光单元进行封装，形成第一封装层，第一封装层位于主发光单元远离第一基板的一侧。
85.具体地，通过气相沉积等方式对主发光单元31进行封装，形成第一封装层51。第一封装层51位于第一缓冲胶材层55远离第一基板6的一侧，且第一封装层51环绕主发光单元
31并填充主发光单元31之间的间隙，同时覆盖主发光单元31远离第一基板6的一侧。对主发光单元31进行封装，可以实现主发光单元31远离第一基板6一侧的平坦化；同时，可以防止多个主发光单元31之间的光干扰。其中，第一封装层51可以是单层结构，也可以是多层结构，具体根据需要进行选择。第一封装层51的材料可以是环氧材料，也可以是其他材料。
86.s14：使主发光单元发光；其中，不亮的主发光单元为坏点发光单元。
87.具体地，连接主发光单元31的电极，对主发光单元31输送电流，使主发光单元31发光。其中，不亮的主发光单元31为坏点发光单元311。
88.在一具体实施例中，使主发光单元31发光的步骤具体如下所示：
89.请参阅图8和图9，图8是图6中步骤s14一实施方式的流程示意图，图9是图8中步骤s141至s143对应的结构示意图。
90.s141：使主发光单元的电极裸露。
91.具体地，通过对第一封装层51远离第一基板6的一侧的表面进行蚀刻，使主发光单元31的电极裸露。每个主发光单元31的电极之间依旧具有至少部分第一封装层51，防止电极之间发生短路。可选地，也可以通过钻孔等其他合适的方式使主发光单元31的电极裸露，此处不作限制。
92.s142：制作检测线，对主发光单元输送电流，使主发光单元发光；其中，不亮的主发光单元为坏点发光单元。
93.具体地，在第一封装层51远离第一基板6的一侧制作阵列检测线，阵列检测线可以外接电流输送装置，也可以与驱动电路连接。通过电流输送装置或驱动电路对阵列检测线输送电流。阵列检测线包括第一检测线8和第二检测线9。所有主发光单元31的阳极并联连接于第一检测线8，所有主发光单元31的阴极并联连接于第二检测线9，给第一检测线8和第二检测线9输送电流，使每个主发光单元31的阴极和阳极导通，从而使主发光单元31发光。其中，不亮的主发光单元31即为坏点发光单元311。标记坏点发光单元311，以便于后续对坏点发光单元311进行修补。可选地，也可以采用其他方法对主发光单元31进行检测，以检测出坏点发光单元311，坏点发光单元311可以是损坏、失效、或光电特性不符合规格的发光单元3。
94.s143：去除检测线。
95.具体地，将在第一封装层51远离第一基板6的一侧制作的阵列检测线去除。
96.s15：将副发光单元设置于第一封装层远离第一基板的一侧；其中，副发光单元与坏点发光单元一一对应设置，且坏点发光单元的中心点与副发光单元的中心点的间距不大于主发光单元在平行于第一基板的延伸方向上投影长度的2倍。
97.具体地，在第一封装层51远离第一基板6的一侧的表面设置第二缓冲胶材层56，且第二缓冲胶材层56设置于第一封装层51的整个表面，再将副发光单元32正装于第二缓冲胶材层56远离第一基板6的一侧。其中，第二缓冲胶材层56具有缓冲性和粘附性。副发光单元32通过第二缓冲胶材层56固定于第一封装层51的一侧。在本实施例中，第二缓冲胶材层56的折射率满足主发光单元31的出光设计，利于主发光单元31的出光，提升出光效果。具体地，第二缓冲胶材层56可以是环氧树脂。可选地，第二缓冲胶材层56也可以在第一基板6的表面间隔设置，能够承接主发光单元31即可。
98.在一实施方式中，第二缓冲胶材层56设置于第一封装层51的整个表面，在第二缓
冲胶材层56远离第一基板6的一侧开设凹槽。通过设置凹槽，可以对要转移至第一基板6的主发光单元31进行限位。凹槽的形状可以设置为矩形，也可以设置为弧形等其他形状。凹槽的高度小于发光单元3的高度。凹槽的高度高于发光单元3的高度，会使显示面板100的整体厚度增加。凹槽的形状和高度可以根据需要进行设计。
99.正常发光单元312与副发光单元32在第一基板6上的投影不重叠，坏点发光单元311与副发光单元32在平行于第一基板6的延伸方向上的投影可以部分重叠，也可以完全重叠，还可以不重叠，且主发光单元31与副发光单元32的电极的朝向一致。主发光单元31与副发光单元32为相同的发光二极管。在本实施方式中，坏点发光单元311与副发光单元32在平行于第一基板6的延伸方向上的投影完全重叠。
100.副发光单元32为一个，副发光单元32对应坏点发光单元311设置。也就是说，坏点发光单元311的数量与副发光单元32的数量相同，一个副发光单元32对应一个坏点发光单元311，用于替代坏点发光单元311发光。
101.副发光单元32与对应的坏点发光单元311对应的颜色像素相同，即某一个坏点发光单元311对应的颜色像素代表的颜色为红色，则与该坏点发光单元311对应设置的副发光单元32的颜色像素代表的颜色也为红色。
102.s16：对副发光单元进行封装，形成第二封装层；第二封装层位于第一封装层远离第一基板的一侧。
103.具体地，对副发光单元32进行封装，形成第二封装层52。第二封装层52位于副发光单元32远离第一基板6的一侧，且第二封装层52环绕副发光单元32并填充副发光单元32之间的间隙，同时覆盖副发光单元32远离第一基板6的一侧。对副发光单元32进行封装，可以实现副发光单元32远离第一基板6一侧的平坦化。副发光单元32为多个时，可以防止多个副发光单元32之间的光干扰。其中，第二封装层52可以是单层结构，也可以是多层结构，具体根据需要进行选择。第二封装层52的材料可以是环氧材料，也可以是其他材料。
104.s17：使主发光单元和副发光单元的电极裸露。
105.具体地，通过钻孔的方式在第二封装层52远离第一基板6的一侧开设第一沉孔53和第二沉孔54。第一沉孔53和第二沉孔54也可以通过其他方式开设，此处不作限制，根据实际需求进行设计。在第一沉孔53贯穿第二封装层52和第一缓冲胶材层55并向第一封装层51延伸，以裸露主发光单元31的电极。其中，第一沉孔53的高度小于等于主发光单元31远离第一基板6的一侧的表面到第二封装层52远离第一封装层51的一侧的表面的高度。第一沉孔53为至少两个，一个第一沉孔53对应裸露一个主发光单元31的一个电极，且第一沉孔53之间间隔设置。第二沉孔54设置于第二封装层52远离第一封装层51的一侧的表面，向第二封装层52靠近第一封装层51的方向延伸，以裸露副发光单元32的电极。其中，第二沉孔54的高度小于等于副发光单元32远离第一基板6的一侧的表面到第二封装层52远离第一封装层51的一侧的表面的高度。第二沉孔54为至少两个，一个第二沉孔54对应裸露一个副发光单元32的一个电极，且第二沉孔54之间间隔设置。第一沉孔53与第二沉孔54间隔设置。
106.s18：在第二封装层远离第一封装层的一侧制备电极延伸线。
107.具体地，在第二封装层52远离第一封装层51的一侧制备电极延伸线4。电极延伸线4的一端连接驱动电路，另一端连接发光单元3。每个发光单元3的一个电极对应一个电极延伸线4。通过设置电极延伸线4，可以增大后续发光单元3与驱动基板1的对位精度，降低了对
位难度，利于提升良率。
108.s19：在第二封装层远离第一封装层的一侧制备第二基板。
109.具体地，在第二封装层52远离第一封装层51的一侧制备第二基板7。第二基板7覆盖电极延伸线4。第二基板7可以是封装基板也可以是驱动基板。
110.步骤s11中的第一基板6为封装基板，则第二基板7为驱动基板，驱动基板可以在第二封装层52远离第一封装层51的一侧通过半导体成膜工艺制备得到。也可以将预先制备好的封装基板与第二封装层52对位贴合，此处不作限制，根据实际需求进行设计。
111.步骤s11中的第一基板6为驱动基板，则第二基板7为封装基板。
112.本技术提供的一种显示面板的制备方法，显示面板的制备方法包括：提供基板，基板为驱动基板或封装基板；将主发光单元设置于基板的一侧；对主发光单元进行封装，形成第一封装层，第一封装层位于主发光单元远离基板的一侧；使主发光单元发光；其中，不亮的主发光单元为坏点发光单元；将副发光单元设置于第一封装层远离基板的一侧；其中，坏点发光单元的中心点与副发光单元的中心点的间距不大于主发光单元在平行于基板的延伸方向上投影长度的2倍；对副发光单元进行封装，形成第二封装层；第二封装层位于第一封装层远离基板的一侧。通过在平行于基板的方向上，将副发光单元与坏点发光单元对应设置，可以在主发光单元出现坏点发光单元时，用副发光单元替代坏点发光单元发光，在不影响正常的主发光单元发光的情况下，有效地实现了巨量转移后对发光单元的修补。
113.以上仅为本技术的实施方式，并非因此限制本技术的专利保护范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。
技术特征：1.一种显示面板，包括：相对设置的封装基板和驱动基板；多个发光单元，所述发光单元设置于所述封装基板与所述驱动基板之间；封装层，封装所述发光单元，且位于所述封装基板与所述驱动基板之间；其特征在于，所述发光单元包括主发光单元和副发光单元；其中，所述主发光单元和所述副发光单元不同层设置；所述副发光单元与至少一部分所述主发光单元一一对应设置，且在平行于所述驱动基板和/或所述封装基板的延伸方向上，所述主发光单元的中心点与所述副发光单元的中心点的间距不大于所述主发光单元在所述延伸方向上投影长度的2倍。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述主发光单元包括坏点发光单元和正常发光单元，所述坏点发光单元一一对应所述副发光单元设置。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述正常发光单元与所述副发光单元不重叠设置；其中，所述副发光单元与所述坏点发光单元在平行于所述驱动基板和/或所述封装基板的延伸方向的投影完全重叠；或所述副发光单元与所述坏点发光单元在平行于所述驱动基板和/或所述封装基板的延伸方向的投影部分重叠；或所述副发光单元与所述坏点发光单元在平行于所述驱动基板和/或所述封装基板的延伸方向的投影不重叠。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述主发光单元与所述副发光单元的电极朝向一致。5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括电极延伸线，所述电极延伸线的一端连接所述发光单元，另一端连接所述驱动基板。6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述封装层包括层叠设置的第一封装层和第二封装层，所述第一封装层用于封装所述主发光单元，所述第二封装层用于封装所述副发光单元。7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述主发光单元和所述副发光单元的电极朝向所述驱动基板设置，所述第二封装层设置于所述第一封装层远离所述封装基板的一侧；或所述主发光单元和所述副发光单元的电极朝向所述封装基板设置，所述第二封装层设置于所述第一封装层远离所述驱动基板的一侧。8.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板为驱动基板或封装基板；将主发光单元设置于所述基板的一侧；对所述主发光单元进行封装，形成第一封装层，所述第一封装层位于所述主发光单元远离所述基板的一侧；使所述主发光单元发光；其中，不亮的所述主发光单元为坏点发光单元；将副发光单元设置于所述第一封装层远离所述基板的一侧；其中，所述副发光单元与
所述坏点发光单元一一对应设置，且所述坏点发光单元的中心点与所述副发光单元的中心点的间距不大于所述主发光单元在平行于所述基板的延伸方向上投影长度的2倍；对所述副发光单元进行封装，形成第二封装层；所述第二封装层位于所述第一封装层远离所述基板的一侧。9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述使所述主发光单元发光；其中，不亮的所述主发光单元为坏点发光单元，包括：制作检测线，对所述主发光单元输送电流，使所述主发光单元发光；其中，不亮的所述主发光单元为所述坏点发光单元；去除检测线。10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述主发光单元和所述副发光单元的电极的朝向背离所述基板；所述对所述副发光单元进行封装，形成第二封装层；所述第二封装层位于所述第一封装层远离所述基板的一侧，之后还包括：使所述主发光单元和所述副发光单元的电极裸露。
技术总结本申请提供了一种显示面板及其制造方法。显示面板包括发光单元、封装层、封装基板和驱动基板。发光单元设置于封装基板与驱动基板之间；封装层封装发光单元且位于封装基板与驱动基板之间；发光单元包括不同层设置的主发光单元和副发光单元；副发光单元与至少一部分主发光单元一一对应设置，且在平行于驱动基板和/或封装基板的延伸方向上，主发光单元的中心点与副发光单元的中心点的间距不大于主发光单元在延伸方向上投影长度的2倍。通过在另一层设置副发光单元，可以在主发光单元出现坏点发光单元时，用副发光单元替代坏点发光单元发光，在不影响正常的主发光单元发光的情况下，有效地实现了巨量转移后对发光单元的修补。有效地实现了巨量转移后对发光单元的修补。有效地实现了巨量转移后对发光单元的修补。
技术研发人员：李泽尧 李荣荣
受保护的技术使用者：惠科股份有限公司
技术研发日：2022.06.15
技术公布日：2022/11/1
