显示装置和制造该显示装置的方法
1.本技术要求于2021年4月30日向韩国知识产权局(kipo)提交的第10-2021-0056924号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
2.本公开总体上涉及一种显示装置。
背景技术：3.近年来，随着对信息显示的兴趣增加，正在不断进行针对显示装置的研究和开发。
技术实现要素：4.本公开的一个或更多个实施例的方面涉及其中增加了能够正常操作的发光元件的比率从而提高了发光元件的设置效率的显示装置和制造该显示装置的方法。
5.本公开的一个或更多个实施例的方面涉及一种其中改善了工艺的可预测性的显示装置和制造该显示装置的方法。
6.本公开的一个或更多个实施例的方面不限于上述方面，并且本领域技术人员通过以下描述将清楚地理解未描述的其他技术方面。
7.根据本公开的一个或更多个实施例，一种显示装置可以包括：多个发光元件，在基底上，并且沿着第一布置方向和与第一布置方向交叉的第二布置方向以矩阵形式布置；以及第一子像素区域和第二子像素区域，各自与多个发光元件的至少一部分叠置，在第一方向上彼此间隔开，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。第二方向和第一布置方向可以彼此不平行。
8.根据一个或更多个实施例，显示装置还可以包括在基底上并限定第一子像素区域和第二子像素区域的光阻挡层。
9.根据一个或更多个实施例，在第一子像素区域中可以发射第一颜色的光，在第二子像素区域中可以发射第二颜色的光。
10.根据一个或更多个实施例，第二方向和第一布置方向可以形成具有锐角的间隙角。
11.根据一个或更多个实施例，间隙角可以为5度至40度。
12.根据一个或更多个实施例，第一子像素区域可以包括与第一方向平行且具有第一长度的边，多个发光元件可以包括第一发光元件和第二发光元件，第一发光元件和第二发光元件在第一布置方向上彼此相邻并且彼此间隔开第一布置距离，并且第一长度和第一布置距离可以满足
[0013][0014]
其中，x1是第一长度，并且y是第一布置距离。
[0015]
根据一个或更多个实施例，第一布置距离可以是第一发光元件与第二发光元件之
间的最短距离。
[0016]
根据一个或更多个实施例，显示装置还可以包括沿着第一方向与第一子像素区域和第二子像素区域间隔开的第三子像素区域。第一子像素区域可以在第二子像素区域的一侧处，并且第三子像素区域可以在第二子像素区域的另一侧处，第一子像素区域的端部和第三子像素区域的另一端部可以彼此间隔开第二长度，多个发光元件可以包括第一发光元件和第二发光元件，第一发光元件和第二发光元件在第一布置方向上彼此相邻并且彼此间隔开第一布置距离，第二长度和第一布置距离可以满足
[0017][0018]
其中，x2是第二长度，并且y是第一布置距离。
[0019]
根据一个或更多个实施例，第一子像素区域和第二子像素区域可以彼此间隔开间隔距离(例如，预定间隔距离)，多个发光元件中的每个可以具有底部长度(例如，预定底部长度)，并且间隔距离和底部长度可以满足
[0020][0021]
其中，z是间隔距离，并且w是底部长度。
[0022]
根据一个或更多个实施例，多个发光元件中的每个的底表面可以具有圆形形状，并且底部长度可以是圆的直径。
[0023]
根据一个或更多个实施例，多个发光元件中的每个的底表面可以具有矩形形状，并且底部长度可以是矩形的对角线长度。
[0024]
根据一个或更多个实施例，显示装置还可以包括：光控制部，在多个发光元件上，并且被构造为改变从多个发光元件发射的光的波长；以及第三子像素区域，沿着第一方向与第一子像素区域和第二子像素区域间隔开，并且在第二方向上延伸。光控制部可以包括：第一波长转换图案，与第一子像素区域叠置；第二波长转换图案，与第二子像素区域叠置；以及光透射图案，与第三子像素区域叠置。
[0025]
根据一个或更多个实施例，至少多个发光元件的第一部分可以与第一子像素区域叠置，多个发光元件的第二部分可以与第二子像素区域叠置，多个发光元件的第三部分可以与第三子像素区域叠置，多个发光元件可以发射相同颜色的光。
[0026]
根据一个或更多个实施例，基底上的多个发光元件的每单位面积的数量可以是均匀的。
[0027]
根据本公开的一个或更多个实施例，一种制造显示装置的方法可以包括下述步骤：提供堆叠基底；在堆叠基底上形成第一半导体层、活性层和第二半导体层；通过蚀刻第一半导体层、活性层和第二半导体层来提供多个发光元件；将堆叠基底与多个发光元件分离，并且将多个发光元件结合在供体膜上；将供体膜上的多个发光元件设置在基底上；以及在多个发光元件上设置限定第一子像素区域和第二子像素区域的光阻挡层。提供多个发光元件的步骤可以包括沿着第一布置方向和与第一布置方向交叉的第二布置方向以矩阵形式将多个发光元件图案化，设置光阻挡层的步骤可以包括将光阻挡层形成为使得第一子像素区域和第二子像素区域在第一方向上彼此间隔开且第一子像素区域和第二子像素区域中的每个在与第一方向交叉的第二方向上延伸，第二方向和第一布置方向可以彼此不平
行。
[0028]
根据一个或更多个实施例，该方法还可以包括：使供体膜变形为使得多个发光元件之间的间隔距离增加。
[0029]
根据一个或更多个实施例，在执行使供体膜变形的步骤之前，多个发光元件可以以未变形距离彼此间隔开，在使供体膜变形时，多个发光元件之间的间隔距离可以增加，多个发光元件中的在第一布置方向上相邻的发光元件可以彼此间隔开第一布置距离，多个发光元件中的在第二布置方向上相邻的发光元件可以彼此间隔开第二布置距离。
[0030]
根据一个或更多个实施例，可扩展范围可以是当使供体膜在一个方向上扩展时在非破坏性的限度内的长度倍数，并且供体膜的可扩展范围满足
[0031][0032]
其中，a是供体膜的可扩展范围，y是第一布置距离，并且v是未变形距离。
[0033]
根据一个或更多个实施例，第二方向和第一布置方向可以形成具有锐角的间隙角。
[0034]
根据一个或更多个实施例，该方法还可以包括与光阻挡层在同一层处形成第一波长转换图案、第二波长转换图案和光透射图案，设置光阻挡层的步骤可以包括将光阻挡层形成为使得限定第三子像素区域，该第三子像素区域在第一方向上与第一子像素区域和第二子像素区域间隔开并在第二方向上延伸，多个发光元件可以发射第三颜色的光，第一波长转换图案可以将第三颜色的光改变为第一颜色的光，第二波长转换图案可以将第三颜色的光改变为第二颜色的光，光透射图案可以透射第三颜色的光，多个发光元件可以包括：第一发光元件，与第一子像素区域和第一波长转换图案叠置；第二发光元件，与第二子像素区域和第二波长转换图案叠置；以及第三发光元件，与第三子像素区域和光透射图案叠置。
[0035]
本公开的一个或更多个实施例的方面和方法不限于上述方面和方法，并且本领域技术人员通过本说明书和附图将清楚地理解未描述的方面和方法。
[0036]
根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置和制造该显示装置的方法增加了能够正常操作的发光元件的比率，从而提高了发光元件的设置效率。
[0037]
根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置和制造该显示装置的方法改善了工艺的可预测性。
[0038]
本公开的效果和方面不限于上述效果，并且本领域技术人员通过本说明书和附图将清楚地理解未描述的效果和方面。
附图说明
[0039]
通过参考附图更详细地描述本公开的实施例，本公开的上述和其他方面及特征将变得更加明显，在附图中：
[0040]
图1是示意性地示出根据一个或更多个实施例的显示装置的透视图；
[0041]
图2是示意性地示出根据一个或更多个实施例的显示装置的平面图；
[0042]
图3是示出根据一个或更多个实施例的显示装置的剖视图；
[0043]
图4是示出根据一个或更多个实施例的包括在子像素中的像素电路的图；
[0044]
图5是示意性地示出根据一个或更多个实施例的像素的剖视图；
[0045]
图6至图8是图2的区域ea1的放大图；
[0046]
图9和图10是示意性地示出根据一个或更多个实施例的包括在显示装置中的发光元件的位置关系的平面图；
[0047]
图11至图15和图17是根据一个或更多个实施例的针对制造显示装置的方法的每个步骤(或动作)的剖视图；
[0048]
图16和图18是根据一个或更多个实施例的针对制造显示装置的方法的每个步骤(或动作)的平面图；以及
[0049]
图19至图22是示出应用根据一个或更多个实施例的显示装置的示例的图。
具体实施方式
[0050]
因为本说明书中描述的实施例是为了向本公开所属领域的技术人员清楚地描述本公开的精神，所以本公开不受本说明书中描述的实施例限制，并且本公开的范围应被解释为包括不脱离本公开的精神的修改或变型。
[0051]
现在将参考附图更充分地描述本公开，在附图中示出了公开的实施例。附图中同样的附图标记始终表示同样的元件，并且可能不提供其重复描述。
[0052]
这里所使用的术语仅用于描述具体实施例的目的，并不旨在限制这里所描述的实施例。
[0053]
如这里所使用的，除非上下文另有明确说明，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。
[0054]
还将理解的是，当术语“包括”、“包含”和/或其变型用在本说明书中时，说明存在陈述的特征、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其他特征、步骤、操作、元件、组件和/或其组。
[0055]
如这里所使用的，当诸如
“……
中的至少一个(种/者)”、
“……
中的一个(种/者)”和“选自于
……”
的表述位于一列元件(要素)之后(或之前)时，修饰整列元件(要素)，而不修饰该列中的个别元件(要素)。
[0056]
如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任意组合和所有组合。
[0057]
此外，在描述本公开的实施例时使用“可以”指“本公开的一个或更多个实施例”。
[0058]
将理解的是，当元件被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时，所述元件可以直接在所述另一元件上、直接连接或结合到所述另一元件，或者也可以存在一个或更多个居间元件。当元件被称为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件时，不存在居间元件。
[0059]
在附图中，为了清楚起见，可以夸大和/或简化元件、层和区域的相对尺寸。为了便于描述，这里可以使用诸如“在
……
之下”、“在
……
下方”、“在
……
下面”、“在
……
上方”、“在
……
上面”、“底”、“顶”等的空间相对术语，从而描述如附图中示出的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语旨在包括装置的除了附图中描绘的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定向为“在”所述其他元件或特征“上方”或“之上”。因此，术语“在
……
下方”可以包括“在
……
上方”和“在
……
下方”的两个方
位。装置可以被另外定向(旋转90度或在其他方位处)，并且应相应地解释这里使用的空间相对描述语。
[0060]
如这里所使用的，术语“基本上(基本)”、“约(大约)”和类似术语用作近似术语而不是程度术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。
[0061]
尽管术语第一、第二等可以用于描述各种元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
[0062]
除非另有限定，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。术语(诸如在常用词典中定义的术语)应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于形式化的含义来解释，除非这里明确地如此定义。
[0063]
本公开涉及一种显示装置。在下文中，参考图1至图22来描述根据一个或更多个实施例的显示装置。
[0064]
图1是示意性地示出根据一个或更多个实施例的显示装置的透视图。图2是示意性地示出根据一个或更多个实施例的显示装置的平面图。
[0065]
参考图1和图2，根据一个或更多个实施例的显示装置dd可以被构造为发光。
[0066]
根据一个或更多个实施例，显示装置dd可以包括基底sub和设置在基底sub上的像素pxl。在一个或更多个实施例中，显示装置dd还可以包括用于驱动像素pxl的驱动电路单元(例如，扫描驱动器和数据驱动器)、线和垫(pad，又称为“焊盘”或“焊垫”)。
[0067]
根据示例，像素pxl可以包括第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3。
[0068]
显示装置dd可以包括显示区域da和非显示区域nda。非显示区域nda可以指除显示区域da之外的区域。非显示区域nda可以在显示区域da的至少一部分周围(例如，围绕显示区域da的至少一部分)。
[0069]
基底sub可以构造显示装置dd的基体构件。基底sub可以是刚性基底或柔性基底或者膜，但不限于特定示例。
[0070]
显示区域da可以指其中设置有像素pxl的区域。非显示区域nda可以指其中未设置有像素pxl的区域。在非显示区域nda中，可以设置连接到显示区域da的像素pxl的驱动电路单元、线和垫。
[0071]
根据示例，像素pxl可以根据条纹或(是韩国三星显示有限公司的注册商标)布置结构(例如，rgbg布置结构)布置，但本公开不限于此，并且可以应用任意合适的改变。
[0072]
根据一个或更多个实施例，包括多个子像素(例如，见图4的“spxl”)的像素pxl可以设置在显示区域da中。例如，在显示区域da中，可以布置发射第一颜色的光的第一子像素spxl1、发射第二颜色的光的第二子像素spxl2和发射第三颜色的光的第三子像素spxl3，第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3中的至少一个可以构造或形成能够发射各种合适的颜色的光的像素单元或像素pxl。
[0073]
例如，第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3中的每个可以是发
射一定颜色(例如，预定颜色)的光的子像素。例如，第一子像素spxl1可以是发射红色(例如，第一颜色)光的红色像素，第二子像素spxl2可以是发射绿色(例如，第二颜色)光的绿色像素，第三子像素spxl3可以是发射蓝色(例如，第三颜色)光的蓝色像素。然而，构造或形成每个像素单元或像素pxl的子像素spxl的颜色、类型和/或数量等不限于特定示例。
[0074]
在下文中，为了便于说明，描述了其中像素pxl包括第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3的一个或更多个实施例。本说明书中定义的子像素spxl可以是第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3中的任意一个。
[0075]
图3是示出根据一个或更多个实施例的显示装置的剖视图。
[0076]
显示装置dd可以包括基底sub、像素电路部pcl、显示元件部dpl和光控制部lcp。根据示例，基底sub、像素电路部pcl、显示元件部dpl和光控制部lcp可以根据显示装置dd的显示方向(例如，第三方向dr3)堆叠(例如，顺序堆叠)。这里，显示方向可以指基底sub的厚度方向。
[0077]
基底sub可以构造显示装置dd的基体表面。显示装置dd的单独构造可以设置在基底sub上。
[0078]
像素电路部pcl可以设置在基底sub上。像素电路部pcl可以包括被构造为驱动像素pxl的像素电路(例如，见图4的“pxc”)。
[0079]
显示元件部dpl可以设置在像素电路部pcl上。显示元件部dpl可以基于从像素电路部pcl提供的电信号而发光。显示元件部dpl可以包括能够发光的发光元件(例如，见图4的“ld”)。从显示元件部dpl发射的光可以穿过光控制部lcp，并且可以被提供到外部(例如，显示装置dd外部的区域)。
[0080]
光控制部lcp可以设置在显示元件部dpl上。光控制部lcp可以设置在发光元件ld上。光控制部lcp可以改变从显示元件部dpl(或发光元件ld)提供的光的波长。根据示例，如图5中所示，光控制部lcp可以包括被构造为改变光的波长的颜色转换部ccl和透射特定波长的光的滤色器部cfl。
[0081]
图4是示出根据一个或更多个实施例的包括在子像素中的像素电路的图。
[0082]
图4示出了根据一个或更多个实施例的包括在应用于显示装置(例如，有源显示装置)dd的子像素spxl中的组件之间的电连接关系。虽然图4示出了包括在子像素spxl中的组件的类型，但包括在子像素spxl中的组件的类型不限于此。
[0083]
参考图4，子像素spxl可以包括发光元件ld和像素电路pxc。
[0084]
发光元件ld可以连接在第一电源线vdd与第二电源线vss之间。发光元件ld的端部(例如，p型半导体)可以经由第一电极elt1和像素电路pxc连接到第一电源线vdd，发光元件ld的另一端部(例如，n型半导体)可以经由第二电极elt2连接到第二电源线vss。
[0085]
根据一个或更多个实施例，当通过像素电路pxc供应驱动电流时，发光元件ld可以发射与驱动电流对应的亮度的光。
[0086]
根据一个或更多个实施例，发光元件ld可以通过在第一电源线vdd与第二电源线vss之间的各种合适的连接结构彼此连接。例如，发光元件ld可以仅彼此并联连接，或者可以仅彼此串联连接。可选择地，发光元件ld可以以串联/并联混合结构连接。例如，第一多个发光元件ld可以彼此串联连接，第二多个发光元件ld可以彼此并联连接。
[0087]
第一电源线vdd和第二电源线vss可以具有彼此不同的电位，使得发光元件ld可以
发光。第一电源线vdd和第二电源线vss可以具有在子像素spxl的发射时段期间可以发光所处的电平的电位差。例如，第一电源线vdd可以设定为具有比第二电源线vss的电位高的电位。
[0088]
像素电路pxc可以连接在第一电源线vdd与发光元件ld之间。像素电路pxc可以包括第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3和存储电容器cst。
[0089]
根据一个或更多个实施例，第一晶体管t1的电极可以连接到第一电源线vdd，并且另一电极可以连接到发光元件ld的一个电极(例如，阳极电极)。第一晶体管t1的栅电极可以连接到第一节点n1。第一晶体管t1可以响应于通过第一节点n1施加的电压来控制流过发光元件ld的电流。
[0090]
根据一个或更多个实施例，第二晶体管t2的电极可以连接到数据线dl，并且另一电极可以连接到第一节点n1。第二晶体管t2的栅电极可以连接到扫描线sl。当从扫描线sl供应扫描信号时，第二晶体管t2可以导通，并且此时，第二晶体管t2可以将从数据线dl提供的数据信号传输到第一节点n1。
[0091]
根据一个或更多个实施例，第三晶体管t3的电极可以连接到感测线senl，并且另一电极可以连接到第二节点n2。第三晶体管t3的栅电极可以连接到感测信号线sel。当第三晶体管t3响应于从感测信号线sel提供的感测信号而导通时，参考电压可以通过感测线senl被提供到第二节点n2。
[0092]
根据一个或更多个实施例，参考电压可以将第一晶体管t1的连接到发光元件ld的电极(例如，第一晶体管t1的源电极)的电压设定为恒定值或使第一晶体管t1的连接到发光元件ld的电极(例如，第一晶体管t1的源电极)的电压初始化为恒定值。根据示例，参考电压可以设定为小于或等于第二电源线vss的电压。
[0093]
根据一个或更多个实施例，当第三晶体管t3响应于从感测信号线sel提供的感测信号而导通时，第三晶体管t3可以将感测电流传输到感测线senl。
[0094]
根据一个或更多个实施例，感测电流可以用于计算第一晶体管t1的阈值电压的迁移率和变化量。
[0095]
存储电容器cst可以连接在第一节点n1(或第一晶体管t1的栅电极)与第二节点n2(或第一晶体管t1的另一电极)之间。存储电容器cst可以存储关于第一节点n1的电压与第二节点n2的电压之间的差的信息。
[0096]
同时，像素电路pxc的结构不限于图4中所示的结构，并且可以实施各种合适类型的结构。另外，在图4中，基于n型晶体管示出了第一晶体管t1至第三晶体管t3，但本公开不限于此，第一晶体管t1至第三晶体管t3可以由p型晶体管构造。
[0097]
在下文中，参考图5更详细地描述构造像素pxl的子像素spxl的结构。相对于上述内容可能重复的内容被简要描述或不被重复。
[0098]
图5是示意性地示出根据一个或更多个实施例的像素的剖视图。
[0099]
图5示出了第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3。
[0100]
在图5中，基于包括在参考图4描述的像素电路pxc中的构造之中的第一晶体管t1给出了描述。例如，图5中示出了其中第一晶体管t1设置在第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3中的每个中的一个或更多个实施例。
[0101]
像素电路部pcl可以设置在基底sub上。像素电路部pcl可以包括缓冲层bfl、第一
晶体管t1、栅极绝缘层gi、第一层间绝缘层ild1、第二层间绝缘层ild2、桥接图案brp、接触部cnt和保护层psv。
[0102]
根据示例，像素电路部pcl的单独构造可以限定在第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3中的每个中。
[0103]
缓冲层bfl可以设置在基底sub上。缓冲层bfl可以防止或基本上防止杂质从外部扩散。缓冲层bfl可以包括诸如氧化铝(alo
x
)的金属氧化物以及氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)中的至少一种。
[0104]
根据一个或更多个实施例，第一晶体管t1可以是薄膜晶体管。根据一个或更多个实施例，第一晶体管t1可以是驱动晶体管。
[0105]
第一晶体管t1可以连接(例如，电连接)到发光元件ld。例如，第一子像素spxl1的第一晶体管t1可以连接(例如，电连接)到设置在第一子像素区域spxa1中的发光元件ld。第二子像素spxl2的第一晶体管t1可以连接(例如，电连接)到设置在第二子像素区域spxa2中的发光元件ld。第三子像素spxl3的第一晶体管t1可以连接(例如，电连接)到设置在第三子像素区域spxa3中的发光元件ld。
[0106]
根据一个或更多个实施例，第一晶体管t1可以包括有源层act、第一晶体管电极te1、第二晶体管电极te2和栅电极ge。
[0107]
有源层act可以指半导体层。有源层act可以设置在缓冲层bfl上。有源层act可以包括多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的至少一种。
[0108]
根据一个或更多个实施例，有源层act可以包括与第一晶体管电极te1接触的第一接触区域和与第二晶体管电极te2接触的第二接触区域。第一接触区域和第二接触区域可以是掺杂有杂质的半导体图案。在第一接触区域与第二接触区域之间的区域可以是沟道区。沟道区可以是未掺杂有杂质的本征半导体图案。
[0109]
栅电极ge可以设置在栅极绝缘层gi上。栅电极ge的位置可以与有源层act的沟道区的位置对应。例如，栅电极ge可以设置在有源层act的沟道区上，且栅极绝缘层gi置于其间。
[0110]
栅极绝缘层gi可以设置在有源层act上。栅极绝缘层gi可以包括无机材料。根据示例，栅极绝缘层gi可以包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)和氧化铝(alo
x
)中的至少一种。根据一个或更多个实施例，栅极绝缘层gi可以包括有机材料。
[0111]
第一层间绝缘层ild1可以位于栅电极ge上。与栅极绝缘层gi类似，第一层间绝缘层ild1可以包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)和氧化铝(alo
x
)中的至少一种。
[0112]
第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2可以位于第一层间绝缘层ild1上。第一晶体管电极te1可以穿过栅极绝缘层gi和第一层间绝缘层ild1并且可以与有源层act的第一接触区域接触，第二晶体管电极te2可以穿过栅极绝缘层gi和第一层间绝缘层ild1并且可以与有源层act的第二接触区域接触。根据示例，第一晶体管电极te1可以是源电极，第二晶体管电极te2可以是漏电极，但本公开不限于此。
[0113]
第二层间绝缘层ild2可以位于第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2上。与第一层间绝缘层ild1和栅极绝缘层gi类似，第二层间绝缘层ild2可以包括无机材料。第二层间绝缘层ild2的无机材料的示例可以包括第一层间绝缘层ild1和栅极绝缘层gi的材料(例
如，氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)和氧化铝(alo
x
))中的至少一种。然而，本公开不限于此。根据一个或更多个实施例，第二层间绝缘层ild2可以包括有机材料。
[0114]
桥接图案brp可以设置在第二层间绝缘层ild2上。桥接图案brp可以通过穿过第二层间绝缘层ild2的接触孔连接到第一晶体管电极te1。
[0115]
保护层psv可以位于第二层间绝缘层ild2上。保护层psv可以覆盖桥接图案brp。保护层psv可以以包括有机绝缘层、无机绝缘层或设置在无机绝缘层上的有机绝缘层的形式设置，但不限于此。根据一个或更多个实施例，连接到桥接图案brp的区域的接触部cnt可以形成在保护层psv中或穿过保护层psv形成。
[0116]
显示元件部dpl可以设置在像素电路部pcl上。显示元件部dpl可以包括第一电极elt1、连接电极col、绝缘层ins、发光元件ld和第二电极elt2。根据示例，显示元件部dpl的单独构造可以限定在第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3中的每个中。
[0117]
第一电极elt1可以设置在保护层psv上。第一电极elt1可以设置在发光元件ld下面。第一电极elt1可以通过接触部cnt连接到桥接图案brp。
[0118]
根据一个或更多个实施例，第一电极elt1可以连接(例如，电连接)到发光元件ld。根据示例，第一电极elt1可以将从第一晶体管t1提供的电信号提供到发光元件ld。第一电极elt1可以将阳极信号施加到发光元件ld。
[0119]
根据一个或更多个实施例，第一电极elt1可以包括导电材料。例如，第一电极elt1可以包括诸如银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钛(ti)及其合金的金属。然而，第一电极elt1不限于上述示例。
[0120]
连接电极col可以设置在第一电极elt1上。例如，连接电极col的表面可以连接到发光元件ld，并且连接电极col的另一表面可以连接到第一电极elt1。
[0121]
连接电极col可以包括导电材料，并且可以将第一电极elt1和发光元件ld连接(例如，电连接)。例如，连接电极col可以连接(例如，电连接)到发光元件ld的第二半导体层13。根据一个或更多个实施例，连接电极col可以包括具有反射性质以反射从发光元件ld发射的光的导电材料，从而提高像素pxl的发光效率。
[0122]
根据一个或更多个实施例，连接电极col可以是组接或接合到发光元件ld的接合金属。连接电极col可以组接或接合到发光元件ld。
[0123]
发光元件ld可以包括在第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3中的每个中。发光元件ld被构造为发光。发光元件ld可以包括第一半导体层11、第二半导体层13以及置于第一半导体层11与第二半导体层13之间的活性层12。例如，当发光元件ld的延伸方向是长度方向时，发光元件ld可以包括沿着长度方向堆叠(例如，顺序堆叠)的第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13。
[0124]
根据一个或更多个实施例，发光元件ld可以以沿着一个方向延伸的柱形状设置。发光元件ld可以具有第一端部ep1和第二端部ep2。第一半导体层11和第二半导体层13中的一个可以与发光元件ld的第一端部ep1相邻。第一半导体层11和第二半导体层13中的另一个可以与发光元件ld的第二端部ep2相邻。
[0125]
根据一个或更多个实施例，发光元件ld可以是通过蚀刻方法等以柱形状制造的发光元件。在本说明书中，术语“柱形状”包括在长度方向上长(即，长宽比大于1)的杆状形状或棒状形状，诸如圆柱或多边形柱，并且剖面的形状不受具体限制。例如，发光元件ld的长
度可以大于其直径(或剖面的宽度)。
[0126]
根据一个或更多个实施例，发光元件ld可以具有小至纳米级至微米级(纳米尺寸至微米尺寸)的尺寸。例如，发光元件ld中的每个可以具有纳米级至微米级范围的直径(或宽度)和/或长度。然而，发光元件ld的尺寸不限于此。
[0127]
第一半导体层11可以是第一导电类型半导体层。例如，第一半导体层11可以包括n型半导体层。例如，第一半导体层11可以包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn之中的任意一种半导体材料，并且可以包括掺杂有第一导电类型掺杂剂(诸如si、ge和sn)的n型半导体层。然而，构造第一半导体层11的材料不限于此。
[0128]
活性层12可以设置在第一半导体层11上，并且可以以单量子阱结构或多量子阱结构形成。例如，当活性层12以多量子阱结构形成时，在活性层12中，势垒层、应变增强层和阱层可以作为一个单元周期性地重复堆叠。应变增强层可以具有比势垒层的晶格常数小的晶格常数，并因此可以进一步增强该结构以免受施加到阱层的应变(例如压缩应变)的影响。然而，活性层12的结构不限于上述实施例。
[0129]
根据一个或更多个实施例，活性层12可以发射具有400nm至900nm的波长的光。根据示例，活性层12可以包括诸如algan和inalgan的材料，但不限于上述示例。
[0130]
第二半导体层13可以设置在活性层12上，并且可以包括与第一半导体层11的类型不同的类型的半导体层。例如，第二半导体层13可以包括p型半导体层。例如，第二半导体层13可以包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn之中的至少一种半导体材料，并且可以包括掺杂有第二导电类型掺杂剂(诸如mg)的p型半导体层。然而，构造第二半导体层13的材料不限于此，并且各种其他合适的材料可以构造第二半导体层13。
[0131]
当将大于或等于阈值电压的电压施加到发光元件ld的两端时，电子-空穴对在活性层12中结合，因此发光元件ld发光。通过使用该原理控制发光元件ld的光发射，发光元件ld可以用作包括显示装置的像素的各种发光装置的光源。
[0132]
根据一个或更多个实施例，发光元件ld还可以包括设置在表面上的绝缘膜inf。绝缘膜inf可以由单膜或双膜形成，但不限于此，并且可以由多个膜形成。例如，绝缘膜inf可以包括包含第一材料的第一绝缘膜以及包含与第一材料不同的第二材料的第二绝缘膜。
[0133]
根据一个或更多个实施例，绝缘膜inf可以暴露发光元件ld的具有不同极性的两个端部。例如，绝缘膜inf可以暴露第一半导体层11和第二半导体层13中的每个的分别位于发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2处的一端。
[0134]
根据一个或更多个实施例，绝缘膜inf可以包括无机材料。例如，绝缘膜inf可以通过包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(alo
x
)和氧化钛(tio
x
)之中的至少一种绝缘材料由单层或多层构造或形成，但不限于此。
[0135]
根据一个或更多个实施例，绝缘膜inf可以确保发光元件ld的电稳定性。另外，即使多个发光元件ld彼此紧密地或靠近地设置，也可以防止在发光元件ld之间(例如，在相邻的发光元件ld之间)发生不期望的短路。
[0136]
根据一个或更多个实施例，除了上述构造之外，发光元件ld还可以包括附加构造。例如，发光元件ld可以附加地包括设置在第一半导体层11、活性层12和/或第二半导体层13的端侧上或端侧处的至少一个磷光体层、活性层、半导体层和/或电极层。例如，接触电极层可以进一步设置在发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2中的每个上。
[0137]
绝缘层ins可以设置在保护层psv上。绝缘层ins可以覆盖第一电极elt1和/或连接电极col的至少一部分。绝缘层ins可以设置在组接或接合到连接电极col的发光元件ld之间。绝缘层ins可以设置在发光元件ld之间，并且可以覆盖发光元件ld的外表面。根据示例，绝缘层ins可以包括参考绝缘膜inf列出的材料中的任意一种，但不限于此。
[0138]
第二电极elt2可以设置在绝缘层ins上。第二电极elt2可以设置在发光元件ld上。
[0139]
根据一个或更多个实施例，第二电极elt2可以连接(例如，电连接)到发光元件ld。第二电极elt2可以连接(例如，电连接)到第一半导体层11。根据示例，第二电极elt2可以将阴极信号施加到发光元件ld。第二电极elt2可以将从第二电源线vss供应的电信号提供到发光元件ld。
[0140]
根据一个或更多个实施例，第二电极elt2可以包括导电材料。例如，第二电极elt2可以包括透明导电材料。第二电极elt2可以包括诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟镓锌(igzo)和氧化铟锡锌(itzo)的导电氧化物以及诸如pedot(聚(3,4-乙撑二氧噻吩))的导电聚合物中的任意一种。然而，第二电极elt2不限于上述示例。
[0141]
光控制部lcp可以设置在显示元件部dpl上。光控制部lcp可以改变从显示元件部dpl提供的光的波长。光控制部lcp可以包括颜色转换部ccl和滤色器部cfl。
[0142]
根据一个或更多个实施例，设置在第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3中的每个中的发光元件ld可以发射相同颜色的光。例如，第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3可以包括发射第三颜色的光(例如，蓝光)的发光元件ld。光控制部lcp可以设置在第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3上以显示全色图像。然而，本公开不限于此，第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3可以包括发射彼此不同的颜色的光的发光元件ld。
[0143]
颜色转换部ccl可以包括第一钝化层pss1、波长转换图案wcp、光透射图案ltp、光阻挡层lbl和第二钝化层pss2。波长转换图案wcp可以包括第一波长转换图案wcp1和第二波长转换图案wcp2。
[0144]
第一钝化层pss1可以设置在显示元件部dpl与光阻挡层lbl之间以及/或者显示元件部dpl与波长转换图案wcp之间。第一钝化层pss1可以密封(或覆盖)波长转换图案wcp。第一钝化层pss1可以包括参考绝缘膜inf列出的材料中的任意一种，但不限于特定示例。
[0145]
在一个或更多个实施例中，粘合层可以置于第一钝化层pss1与第二电极elt2之间。粘合层可以将第一钝化层pss1和第二电极elt2结合。粘合层可以包括任意合适的粘合材料，并且不限于特定示例。
[0146]
第一波长转换图案wcp1可以设置为与第一子像素spxl1的发射区域ema(例如，第一子像素区域spxa1)叠置。例如，第一波长转换图案wcp1可以设置在由光阻挡层lbl限定的空间中，并且当在平面图中观看时可以与第一子像素区域spxa1叠置。
[0147]
根据一个或更多个实施例，光阻挡层lbl可以包括多个壁，第一波长转换图案wcp1可以设置在设置于与第一子像素spxl1对应的区域中的多个壁之间的空间中。
[0148]
第二波长转换图案wcp2可以设置为与第二子像素spxl2的发射区域ema(例如，第二子像素区域spxa2)叠置。例如，第二波长转换图案wcp2可以设置在由光阻挡层lbl限定的空间中，并且当在平面图中观看时可以与第二子像素区域spxa2叠置。
[0149]
根据一个或更多个实施例，光阻挡层lbl可以包括多个壁，第二波长转换图案wcp2
可以设置在设置于与第二子像素spxl2对应的区域中的多个壁之间的空间中。
[0150]
光透射图案ltp可以设置为与第三子像素spxl3的发射区域ema(例如，第三子像素区域spxa3)叠置。例如，光透射图案ltp可以设置在由光阻挡层lbl限定的空间中，并且当在平面图中观看时可以与第三子像素区域spxa3叠置。
[0151]
根据一个或更多个实施例，光阻挡层lbl可以包括多个壁，光透射图案ltp可以设置在设置于与第三子像素spxl3对应的区域中的多个壁之间的空间中。
[0152]
根据一个或更多个实施例，第一波长转换图案wcp1可以包括将从发光元件ld发射的第三颜色的光转换为第一颜色的光的第一颜色转换颗粒。例如，当发光元件ld是发射蓝光的蓝色发光元件且第一子像素spxl1是红色像素时，第一波长转换图案wcp1可以包括将从蓝色发光元件发射的蓝光转换为红光的第一量子点。
[0153]
例如，第一波长转换图案wcp1可以包括分散在诸如基体树脂的基质材料(例如，预定基质材料)中的多个第一量子点。第一量子点可以吸收蓝光并根据能量跃迁来转变波长以发射红光。同时，当第一子像素spxl1是不同颜色的像素时，第一波长转换图案wcp1可以包括与第一子像素spxl1的颜色对应的第一量子点。
[0154]
根据一个或更多个实施例，第二波长转换图案wcp2可以包括将从发光元件ld发射的第三颜色的光转换为第二颜色的光的第二颜色转换颗粒。例如，当发光元件ld是发射蓝光的蓝色发光元件且第二子像素spxl2是绿色像素时，第二波长转换图案wcp2可以包括将从蓝色发光元件发射的蓝光转换为绿光的第二量子点。
[0155]
例如，第二波长转换图案wcp2可以包括分散在诸如基体树脂的基质材料(例如，预定基质材料)中的多个第二量子点。第二量子点可以吸收蓝光并根据能量跃迁来转变波长以发射绿光。同时，当第二子像素spxl2是不同颜色的像素时，第二波长转换图案wcp2可以包括与第二子像素spxl2的颜色对应的第二量子点。
[0156]
同时，第一量子点和第二量子点可以具有球状、金字塔状、多臂或立方的形状的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米片颗粒等，但形状不限于此，第一量子点和第二量子点的形状可以以合适的方式进行各种改变。
[0157]
在一个或更多个实施例中，可以通过将在可见光区域中具有相对短波长的蓝光注入到第一量子点和第二量子点中的每个来增加第一量子点和第二量子点的吸收系数。因此，可以增加从第一子像素spxl1和第二子像素spxl2发射的光的效率，并且可以确保优异的颜色再现性。另外，通过使用相同颜色的发光元件ld(例如，蓝色发光元件)来构造第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3的像素单元，可以增加显示装置dd的制造效率。
[0158]
根据一个或更多个实施例，光透射图案ltp可以设置为有效地使用从发光元件ld发射的第三颜色的光。例如，当发光元件ld是发射蓝光的蓝色发光元件且第三子像素spxl3是蓝色像素时，光透射图案ltp可以包括至少一种类型的光散射颗粒，以有效地使用从发光元件ld发射的光。
[0159]
例如，光透射图案ltp可以包括分散在诸如基体树脂的基质材料(例如，预定基质材料)中的多个光散射颗粒。例如，光透射图案ltp可以包括诸如二氧化硅(silica)的光散射颗粒，但光散射颗粒的构造材料不限于此。
[0160]
同时，光散射颗粒可以不设置在其中形成有第三子像素spxl3的第三子像素区域
spxa3中。例如，光散射颗粒可以选择性地包括在第一波长转换图案wcp1和/或第二波长转换图案wcp2中。
[0161]
光阻挡层lbl可以设置在显示元件部dpl上。光阻挡层lbl可以设置在基底sub上。光阻挡层lbl可以设置在第一钝化层pss1与第二钝化层pss2之间。光阻挡层lbl可以在子像素spxl之间的边界处设置为围绕第一波长转换图案wcp1、第二波长转换图案wcp2和光透射图案ltp。
[0162]
根据一个或更多个实施例，光阻挡层lbl可以限定子像素spxl的发射区域ema和非发射区域nea。光阻挡层lbl可以限定第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3。
[0163]
例如，当在平面图中观看时，光阻挡层lbl可以不与发射区域ema叠置。当在平面图中观看时，光阻挡层lbl可以与非发射区域nea叠置。其中未设置有光阻挡层lbl的区域可以被定义为第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3的发射区域ema。第一子像素spxl1的发射区域ema可以是第一子像素区域spxa1，第二子像素spxl2的发射区域ema可以是第二子像素区域spxa2，第三子像素spxl3的发射区域ema可以是第三子像素区域spxa3。
[0164]
根据一个或更多个实施例，光阻挡层lbl可以由包括石墨、炭黑、黑色颜料和黑色染料中的至少一种的有机材料形成，或者可以由包括铬(cr)的金属材料形成，但不限于此，只要光阻挡层lbl的材料是能够阻挡光透射和吸收光的材料即可。
[0165]
第二钝化层pss2可以设置在滤色器部cfl与光阻挡层lbl之间以及/或者滤色器部cfl与波长转换图案wcp之间。第二钝化层pss2可以密封(或覆盖)第一波长转换图案wcp1、第二波长转换图案wcp2和光透射图案ltp。第二钝化层pss2可以包括参考绝缘膜inf列出的材料中的任意一种，但不限于特定示例。
[0166]
根据一个或更多个实施例，滤色器部cfl可以设置在颜色转换部ccl上。滤色器部cfl可以包括滤色器cf和平坦化层pla。这里，滤色器cf可以包括第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3。
[0167]
根据一个或更多个实施例，滤色器cf可以设置在第二钝化层pss2上。当在平面图中观看时，滤色器cf可以与第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3的发射区域ema叠置。
[0168]
例如，第一滤色器cf1可以设置在第一子像素区域spxa1中，第二滤色器cf2可以设置在第二子像素区域spxa2中，第三滤色器cf3可以设置在第三子像素区域spxa3中。
[0169]
根据一个或更多个实施例，第一滤色器cf1可以透射第一颜色的光，并且可以不透射第二颜色的光和/或第三颜色的光。例如，第一滤色器cf1可以包括关于第一颜色的着色剂。
[0170]
根据一个或更多个实施例，第二滤色器cf2可以透射第二颜色的光，并且可以不透射第一颜色的光和第三颜色的光。例如，第二滤色器cf2可以包括关于第二颜色的着色剂。
[0171]
根据一个或更多个实施例，第三滤色器cf3可以透射第三颜色的光，并且可以不透射第一颜色的光和第二颜色的光。例如，第三滤色器cf3可以包括关于第三颜色的着色剂。
[0172]
根据一个或更多个实施例，平坦化层pla可以设置在滤色器cf上。平坦化层pla可以覆盖滤色器cf。平坦化层pla可以消除由滤色器cf产生的台阶差。换句话说，平坦化层pla
可以覆盖滤色器cf的台阶，并且具有平坦的上表面或基本上平坦的上表面。
[0173]
根据示例，平坦化层pla可以包括有机绝缘材料。然而，本公开不限于此，并且平坦化层pla可以包括参考绝缘膜inf列出的无机材料。
[0174]
第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3的结构不限于上面参考图5描述的内容，并且可以适当地或合适地选择各种合适的结构以提供根据一个或更多个实施例的显示装置dd。例如，根据一个或更多个实施例，显示装置dd还可以包括低折射率层以提高光效率。
[0175]
在下文中，参考图6至图10描述根据一个或更多个实施例的显示装置dd的发光元件ld与子像素spxl之间的位置关系。相对于上述内容可能重复的内容被简化或不被重复。
[0176]
图6至图8是图2的区域ea1的放大图。这里，图6基于限定子像素spxl的区域的颜色转换部ccl示出了区域ea1。图7和图8基于包括在子像素spxl中的发光元件ld的布置形式示出了区域ea1。
[0177]
参考图6，第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3(和/或第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3)的位置可以由光阻挡层lbl限定。
[0178]
例如，其中未设置有光阻挡层lbl的区域可以是其中从第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3发射的光被提供到外部的发射区域ema。其中设置有光阻挡层lbl的区域可以是其中从第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3发射的光基本上不被提供到外部的非发射区域nea。
[0179]
根据一个或更多个实施例，光阻挡层lbl可以包括第一开口op1、第二开口op2和第三开口op3。第一开口op1、第二开口op2和第三开口op3可以是其中未设置有光阻挡层lbl的区域。根据示例，第一开口op1的位置可以与第一子像素区域spxa1对应，第二开口op2的位置可以与第二子像素区域spxa2对应，第三开口op3的位置可以与第三子像素区域spxa3对应。
[0180]
光阻挡层lbl的至少一部分可以以在旨在设置为第一子像素spxl1的区域(例如，第一子像素区域spxa1)周围(例如，围绕旨在设置为第一子像素spxl1的区域(例如，第一子像素区域spxa1))的形状设置，因此可以形成第一开口op1。此时，第一子像素区域spxa1可以限定在第一开口op1中。第一子像素区域spxa1可以是其中设置有第一子像素spxl1的区域，并且可以指第一子像素spxl1的发射区域ema。
[0181]
根据一个或更多个实施例，包括第一波长转换材料的第一波长转换图案wcp1可以设置在与第一开口op1对应的位置处。因此，从包括在第一子像素spxl1中的发光元件ld发射的光可以被提供为具有第一颜色的光并输出到外部。
[0182]
光阻挡层lbl的至少一部分可以以在旨在设置为第二子像素spxl2的区域(例如，第二子像素区域spxa2)周围(例如，围绕旨在设置为第二子像素spxl2的区域(例如，第二子像素区域spxa2))的形状设置，因此可以形成第二开口op2。此时，第二子像素区域spxa2可以限定在第二开口op2中。第二子像素区域spxa2可以是其中设置有第二子像素spxl2的区域，并且可以指第二子像素spxl2的发射区域ema。
[0183]
根据一个或更多个实施例，包括第二波长转换材料的第二波长转换图案wcp2可以设置在与第二开口op2对应的位置处。因此，从包括在第二子像素spxl2中的发光元件ld发
射的光可以被提供为具有第二颜色的光并输出到外部。
[0184]
光阻挡层lbl的至少一部分可以以在旨在设置为第三子像素spxl3的区域(例如，第三子像素区域spxa3)周围(例如，围绕旨在设置为第三子像素spxl3的区域(例如，第三子像素区域spxa3))的形状设置，因此可以形成第三开口op3。此时，第三子像素区域spxa3可以限定在第三开口op3中。第三子像素区域spxa3可以是其中设置有第三子像素spxl3的区域，并且可以指第三子像素spxl3的发射区域ema。
[0185]
根据一个或更多个实施例，在与第三开口op3对应的位置处可以不设置单独的波长转换材料。因此，从包括在第三子像素spxl3中的发光元件ld发射的光可以被提供为具有第三颜色的光并输出到外部。
[0186]
根据一个或更多个实施例，第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3可以在第一方向dr1上彼此间隔开。第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3可以在第一方向dr1上彼此间隔开。
[0187]
根据示例，第一子像素区域spxa1可以设置在第二子像素区域spxa2的一侧上或一侧处，第三子像素区域spxa3可以设置在第二子像素区域spxa2的另一侧上或另一侧处。
[0188]
根据一个或更多个实施例，第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3可以在第二方向dr2上延伸。第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3可以在第二方向dr2上彼此间隔开。
[0189]
这里，第一方向dr1和第二方向dr2可以彼此交叉。第一方向dr1和第二方向dr2可以彼此不平行。根据示例，第一方向dr1和第二方向dr2可以彼此正交。
[0190]
图7和图8示出了其中布置有发光元件ld的结构。图7是示出根据第一实施例的发光元件ld的布置结构的图。图8是示出根据第二实施例的发光元件ld的布置结构的图。
[0191]
参考图7和图8，发光元件ld可以以矩阵形式布置。
[0192]
发光元件ld可以以矩阵形式设置，该矩阵形式由在第一布置方向adr1上延伸的行方向和在第二布置方向adr2上延伸的列方向限定或者沿着在第一布置方向adr1上延伸的行方向和在第二布置方向adr2上延伸的列方向限定。然而，根据一个或更多个实施例，发光元件ld可以以矩阵形式设置，该矩阵形式由在第一布置方向adr1上延伸的列方向和在第二布置方向adr2上延伸的行方向限定或者沿着在第一布置方向adr1上延伸的列方向和在第二布置方向adr2上延伸的行方向限定。
[0193]
这里，第一布置方向adr1和第二布置方向adr2可以彼此交叉。第一布置方向adr1和第二布置方向adr2可以彼此不平行。根据一个或更多个实施例，第一布置方向adr1和第二布置方向adr2可以彼此正交。
[0194]
根据一个或更多个实施例，发光元件ld可以布置在与矩阵形式中的每行和每列对应的位置处。在矩阵形式中，第ij发光元件ldij可以指布置在第i行和第j列中的发光元件ld。例如，发光元件ld可以设置在第一行和第一列中，另一发光元件ld可以设置在第十行和第十列中。
[0195]
参考图7，当在平面图中观看时，发光元件ld可以具有四边形形状(或正方形形状)。例如，当发光元件ld具有长方体形状时，当在平面图中观看时，发光元件ld可以以四边形形状(或正方形形状)设置。
[0196]
可选择地，参考图8，当在平面图中观看时，发光元件ld可以具有圆形形状。例如，
当发光元件ld以其底表面是圆形形状的柱形状设置时，当在平面图中观看时，发光元件ld可以以圆形形状设置。
[0197]
然而，发光元件ld的形状不限于上述示例，根据一个或更多个实施例，可以提供具有任意合适的底部形状的发光元件ld。
[0198]
根据一个或更多个实施例，基底sub上的发光元件ld的每单位面积的数量可以是均匀的。设置在第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3中的发光元件ld的每单位面积的数量可以是基本上均匀的。
[0199]
例如，发光元件ld可以包括设置在第一子像素区域spxa1中的第一多个发光元件、设置在第二子像素区域spxa2中的第二多个发光元件以及设置在第三子像素区域spxa3中的第三多个发光元件。这里，第一多个发光元件、第二多个发光元件和第三多个发光元件中的每个的数量可以基本上彼此相同，或者可以小于或等于一定差值(例如，预定差值)。
[0200]
根据一个或更多个实施例，发光元件ld可以大体上沿着第一布置方向adr1并排布置。发光元件ld可以大体上沿着第二布置方向adr2并排布置。也就是说，与发光元件ld的形状无关，可以根据发光元件ld的布置位置清楚地限定矩阵布置形式。
[0201]
根据一个或更多个实施例，以矩阵形式布置的发光元件ld中的至少一些可以设置在第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3中。例如，发光元件ld可以间歇地设置在第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3中，或者可以不间歇地设置在第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3中。
[0202]
然而，根据本公开的一个或更多个实施例，可以使未设置在第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3中的发光元件ld的数量最小化或减少未设置在第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3中的发光元件ld的数量。稍后参考图9和图10对其进行描述。
[0203]
图9和图10是示意性地示出根据一个或更多个实施例的包括在显示装置中的发光元件的位置关系的平面图。图10是图9的区域ea2的放大图。
[0204]
在图9和图10中，为了便于描述，主要示出了第一子像素spxl1和第二子像素spxl2。参考图9和图10描述的第一子像素spxl1和第二子像素spxl2的技术特征可以限定并应用到子像素spxl。
[0205]
另外，在图9中，为了便于描述，基于多个发光元件ld之中的彼此相邻的第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3给出描述。发光元件ld可以包括第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3。
[0206]
根据一个或更多个实施例，第一发光元件ld1和第二发光元件ld2可以设置在第一子像素区域spxa1中。因此，从第一子像素spxl1发射的光中可以包括从第一发光元件ld1和第二发光元件ld2发射的光。
[0207]
根据一个或更多个实施例，第三发光元件ld3可以设置在第二子像素区域spxa2中。因此，从第二子像素spxl2发射的光中可以包括从第三发光元件ld3发射的光。
[0208]
根据一个或更多个实施例，第一发光元件ld1可以沿着第一布置方向adr1与第二发光元件ld2相邻。第一发光元件ld1和第二发光元件ld2可以彼此间隔开第一布置距离120。这里，第一布置距离120可以指第一发光元件ld1与第二发光元件ld2之间的最短距离。
[0209]
根据一个或更多个实施例，第一发光元件ld1可以沿着第二布置方向adr2与第三发光元件ld3相邻。第一发光元件ld1和第三发光元件ld3可以彼此间隔开第二布置距离140。这里，第二布置距离140可以指第一发光元件ld1与第三发光元件ld3之间的最短距离。
[0210]
根据示例，第一布置距离120和第二布置距离140可以相同。因此，上面参考图7和图8描述的发光元件ld可以设置为使得相邻发光元件ld所间隔开的距离相同。然而，根据一个或更多个实施例，发光元件ld可以设置为使得第一布置距离120和第二布置距离140彼此不同。
[0211]
第一子像素spxl1和第二子像素spxl2延伸所沿的方向和第一布置方向adr1可以彼此交叉。第一子像素spxl1和第二子像素spxl2延伸所沿的方向和第一布置方向adr1可以彼此不平行。
[0212]
例如，如上所述，子像素spxl可以在第一方向dr1上彼此间隔开，并且可以在第二方向dr2上延伸。因此，第一布置方向adr1和第二方向dr2可以交叉。第一布置方向adr1和第二方向dr2可以彼此不平行。
[0213]
具体地，参考图9，与第一子像素spxl1延伸所沿的方向平行的延伸线210和第一布置方向adr1可以形成间隙角θ。这里，延伸线210可以与第二方向dr2平行。
[0214]
例如，第二方向dr2可以形成关于第一布置方向adr1具有锐角的间隙角θ。
[0215]
根据一个或更多个实施例，间隙角θ可以不是0度、45度和90度。根据示例，间隙角θ可以是5度至40度。可选择地，间隙角θ可以是10度至35度。
[0216]
根据本公开，间隙角θ可以形成为避免0度、45度和90度的值，因此可以减少未布置在第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3中的发光元件ld的数量。因此，可以提高发光元件ld的设置效率。
[0217]
根据一个或更多个实施例，发光元件ld之间的间隔距离(例如，第一布置距离120和第二布置距离140)可以与第一长度220满足一数值关系(例如，预定数值关系)。这里，第一长度220可以指子像素spxl的与第一方向dr1平行的一条边的长度。例如，参考图9，第一长度220可以指第一子像素spxl1的与第一方向dr1平行的一条边的长度。
[0218]
根据一个或更多个实施例，发光元件ld之间的间隔距离和第一长度220可以满足下面的方程式1。
[0219]
方程式1
[0220][0221]
这里，x1指第一长度220，y指发光元件ld之间的间隔距离。因此，y可以指第一布置距离120和/或第二布置距离140。
[0222]
然而，根据一个或更多个实施例，发光元件ld之间的间隔距离y和像素pxl的沿着第一方向dr1的一条边的长度x2可以满足下面的方程式2。
[0223]
方程式2
[0224][0225]
这里，x2可以指像素pxl的第二长度230(见图7)。第二长度230可以指像素pxl在第一方向dr1上的长度。例如，当像素pxl由在第一方向dr1上顺序布置的第一子像素spxl1、第
二子像素spxl2和第三子像素spxl3构造时，第二长度230可以指第一子像素spxl1(或第一子像素区域spxa1)的端部232(见图7)与第三子像素spxl3(或第三子像素区域spxa3)的另一端部234(见图7)之间基于第一方向dr1的间隔距离。在一个或更多个实施例中，第一子像素spxl1(或第一子像素区域spxa1)的端部232和第三子像素spxl3(或第三子像素区域spxa3)的另一端部234可以在像素pxl的相对的外端处。
[0226]
n是沿着第一方向dr1布置的子像素spxl的数量，例如，当像素pxl由第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3构造时，n可以是3。
[0227]
根据本示例，通过基于由子像素spxl构造的像素pxl的一条边的长度和子像素spxl的数量来定义一个子像素spxl的一条边的长度，可以导出发光元件ld之间的距离和像素pxl之间的长度关系。在这种情况下，当进行工艺时，可以增加设计发光元件ld的布置的便利性。
[0228]
同时，参考图10，第一子像素spxl1与第二子像素spxl2之间的间隔距离240和发光元件ld的长度特性可以彼此满足一数值关系(例如，预定数值关系)。
[0229]
例如，第一子像素spxl1与第二子像素spxl2之间沿着第一方向dr1的间隔距离240可以由单个发光元件ld的长度特性确定。
[0230]
根据一个或更多个实施例，当在平面图中观看时，发光元件ld可以具有底表面长度(例如，预定底表面长度)100。这里，发光元件ld的底表面长度100可以是根据发光元件ld的底表面的形状确定的长度。
[0231]
例如，当发光元件ld的底表面具有正方形(或矩形)形状时，底表面长度100可以指正方形(或矩形)的对角线长度。可选择地，当发光元件ld的底表面具有圆形形状时，底表面长度100可以指圆的直径。可选择地，当发光元件ld的底表面具有椭圆形形状时，底表面长度100可以指椭圆的主半径。
[0232]
根据一个或更多个实施例，发光元件ld的底表面长度100与子像素spxl之间的距离可以满足下面的方程式3。
[0233]
方程式3
[0234][0235]
这里，z可以是子像素spxl之间的距离。例如，z可以是第一子像素spxl1(或第一子像素区域spxa1)与第二子像素spxl2(或第二子像素区域spxa2)之间的根据第一方向dr1的间隔距离240。此外，w可以是发光元件ld的底表面长度(或称为“底部长度”)100。
[0236]
根据本示例，可以根据发光元件ld的特性长度来限定子像素spxl之间的距离，因此可以防止或基本上防止短路缺陷。
[0237]
根据本实施例，发光元件ld之间的距离与子像素spxl的长度之间的关系可以由一方程式(例如，预定方程式)定义。因此，可以增加工艺设计的便利性，并且可以防止或基本上防止短路缺陷。因此，可以提供具有改善的可靠性的显示装置dd。
[0238]
在下文中，参考图11至图18描述根据一个或更多个实施例的制造显示装置dd的方法。相对于上述内容可能重复的内容被简化或不被重复。
[0239]
图11至图15和图17是针对制造显示装置dd的方法的每个步骤(或动作)的剖面图。图16和图18是针对制造显示装置dd的方法的每个步骤(或动作)的平面图。
[0240]
参考图11，可以准备(或提供)堆叠基底1，可以在堆叠基底1上形成第一半导体层
11、活性层12和第二半导体层13。
[0241]
根据一个或更多个实施例，堆叠基底1可以是用于堆叠目标材料的基体板。堆叠基底1可以是用于使材料(例如，预定材料)外延生长的晶圆。根据示例，堆叠基底1可以是蓝宝石基底、gaas基底、ga基底和inp基底中的任意一种，但不限于此。例如，当特定材料满足用于制造发光元件ld的选择性且可以使材料(例如，预定材料)的外延生长平滑地产生时，特定材料可以被选择为堆叠基底1的材料。
[0242]
在本步骤(或动作)中，可以通过金属有机化学气相沉积(mocvd)、分子束外延(mbe)、气相外延(vpe)和液相外延(lpe)之中的任意一种方法形成第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13。
[0243]
参考图12，可以通过去除第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13中的每个的至少一部分来提供彼此单独分离的发光元件ld。
[0244]
在本步骤(或动作)中，可以对第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13执行蚀刻工艺。为了形成单独分离的发光元件ld，可以在其中堆叠(例如，顺序堆叠)有第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13的结构中设置掩模，并且可以执行蚀刻工艺，以执行纳米级或微米级距离的图案化。可以在从第二半导体层13朝向第一半导体层11的方向上执行蚀刻工艺。
[0245]
根据示例，蚀刻工艺可以是反应性离子蚀刻(rie)、反应性离子束蚀刻(ribe)和电感耦合等离子体反应性离子蚀刻(icp-rie)中的任意一种，但不限于特定示例。
[0246]
在本步骤(或动作)中，可以以由第一布置方向adr1和第二布置方向adr2限定的矩阵形式使所提供的发光元件ld图案化。
[0247]
参考图13，可以将堆叠基底1与发光元件ld分离，可以将发光元件ld结合(设置或连接)在供体膜16上。
[0248]
在本步骤(或动作)中，可以将堆叠基底1与第一半导体层11物理地分离。根据示例，可以通过激光剥离(llo)方法将堆叠基底1和第一半导体层11分离。然而，本公开不限于此，并且根据一个或更多个实施例，可以通过化学剥离(clo)方法将堆叠基底1和第一半导体层11分离。
[0249]
在本步骤(或动作)中，也可以去除与第一半导体层11在同一工艺中形成而未被独立蚀刻并因此不构造单独的发光元件ld的层。因此，可以执行本步骤(或动作)，可以提供在供体膜16上以一定距离(例如，预定距离)被图案化的多个发光元件ld的阵列。
[0250]
根据一个或更多个实施例，供体膜16可以是在执行后续工艺(例如，将发光元件ld设置在基底sub和像素电路部pcl上的工艺)之前用于在一位置(例如，预定位置)处制备发光元件ld的构造。供体膜16可以被称为供体晶圆或供体基底。供体膜16可以是各向同性可拉伸膜。根据示例，供体膜16可以包括聚合物成分(例如，聚氯乙烯(pvc)类材料)，但不限于特定示例。
[0251]
根据一个或更多个实施例，可以将在本步骤(或动作)中被图案化的发光元件ld以矩阵形式布置，该矩阵形式沿或沿着在第一布置方向adr1上延伸的行方向和在第二布置方向adr2上延伸的列方向构造。
[0252]
参考图14，可以将供体膜16变形。可以增加供体膜16的在平面上或在平面图中的面积。可以在一个方向上使供体膜16扩展。可以在面方向上使供体膜16扩展。
[0253]
在执行本步骤(或动作)之前，在供体膜16上彼此相邻的发光元件ld可以彼此间隔开未变形距离(或未修改距离)112。
[0254]
例如，发光元件ld可以在供体膜16上以矩阵形式布置，并且彼此相邻的发光元件ld可以彼此间隔开未变形距离112。这里，未变形距离112可以指在平面上或在平面图中彼此相邻的发光元件ld之间的最短距离。例如，在第一布置方向adr1或第二布置方向adr2上相邻的发光元件ld可以彼此间隔开未变形距离112。
[0255]
根据一个或更多个实施例，在本步骤(或动作)中，可以均匀地使供体膜16辐射状地(径向地)扩展。在本步骤(或动作)中，可以确定供体膜16的长度(或面积)，因此可以增加发光元件ld之间的间隔距离。根据示例，可以使供体膜16物理地延伸或扩展，但可以应用任意合适的方法，并且供体膜16不限于特定示例。
[0256]
根据示例，可以执行本步骤(或动作)，因此在第一布置方向adr1上彼此相邻的发光元件ld可以间隔开第一布置距离120，在第二布置方向adr2上彼此相邻的发光元件ld可以间隔开第二布置距离140。
[0257]
根据一个或更多个实施例，可以通过未变形距离112、第一布置距离120和/或第二布置距离140之间的数值关系来确定适合于供体膜16的物理性质。
[0258]
例如，可以通过未变形距离112、第一布置距离120和/或第二布置距离140之间的数值关系来确定供体膜16在长度方向上的可延伸范围(或称为“可扩展范围”)。
[0259]
这里，供体膜16的可扩展范围可以指在其中即使在平面上或在平面图中使供体膜16扩展也不破坏供体膜16的限度内的倍数。换句话说，供体膜16扩展至可扩展范围可以是非破坏性的。
[0260]
例如，当供体膜16的可扩展范围是2时，供体膜16的长度可以在一个方向(例如，第一布置方向adr1)上扩展至两倍，当供体膜16的长度扩展至两倍或更小时，可能不会发生分离的破坏。
[0261]
根据一个或更多个实施例，未变形距离(或未修改距离)112、第一布置距离120和/或第二布置距离140以及供体膜16的可扩展范围可以满足下面的方程式4。
[0262]
方程式4
[0263][0264]
这里，y可以是如上所述的发光元件ld之间的间隔距离，并且可以指第一布置距离120和/或第二布置距离140。另外，a可以表示供体膜16的可扩展范围。v可以是在供体膜16独立变形之前发光元件ld之间的距离，并且可以是未变形距离112。
[0265]
可以执行本步骤(或动作)，因此可以将发光元件ld之间的间隔距离提供为满足上述方程式1(和/或方程式2)。也就是说，可以根据方程式1(和/或方程式2)确定发光元件ld之间的间隔距离，可以在本步骤(或动作)中适当地或合适地调节发光元件ld之间的间隔距离以满足方程式1(和/或方程式2)。此时，为了调节发光元件ld之间的间隔距离，可以基于方程式4计算适合于供体膜16的物理性质。因此，根据一个或更多个实施例，可以改善工艺的可预测性。
[0266]
参考图15和图16，可以通过使用设置构件17将发光元件ld设置在基底sub和像素电路部pcl上。可以将发光元件ld结合到连接电极col。
[0267]
在本步骤(或动作)中，设置构件17可以被构造为将布置在供体膜16上的发光元件ld的阵列结合到一个表面并且将发光元件ld沉积或转移到基底sub和像素电路部pcl上。设置构件17可以并发地(例如，同时地)拾取各个发光元件ld，并且可以将各个发光元件ld放在基底sub和像素电路部pcl上。根据示例，设置构件17的拾取过程可以是弹性冲压方法、电磁方法或使用粘合构件的方法，但不限于特定示例。
[0268]
在本步骤(或动作)中，将发光元件ld和设置构件17结合为使得第一半导体层11面向设置构件17，并且可以将发光元件ld布置为使得第二半导体层13面向连接电极col。
[0269]
同时，参考图16，在本步骤(或动作)中，可以将发光元件ld设置为使得第一布置方向adr1和第二布置方向adr2从随后将形成的第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3所处的位置偏离。具体地，通过调节供体膜16的倾斜角度，可以调节随后将形成的第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3的位置与第一布置方向adr1和第二布置方向adr2的位置之间的位置关系。
[0270]
例如，第一方向dr1可以是第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3彼此间隔开所沿的方向，第二方向dr2可以是与第一方向dr1交叉的方向，并且可以被定义为第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3延伸所沿的方向。
[0271]
这里，当正在进行设置供体膜16的发光元件ld(例如，见图15)的工艺时，可以调节供体膜16对基底sub和像素电路部pcl的位姿。此时，通过调节供体膜16的位姿，可以将第一布置方向adr1设置为与第二方向dr2交叉(或不平行)。
[0272]
参考图17和图18，可以在连接电极col上设置绝缘层ins，使得填充发光元件ld之间的区域。另外，可以将连接(例如，电连接)到发光元件ld的第二电极elt2图案化，然后可以在显示元件部dpl上设置光控制部lcp。在图17中，为了便于描述，示出了上方参考图5描述的子像素spxl之中的第一子像素spxl1。
[0273]
在本步骤(或动作)中，可以在显示元件部dpl上设置颜色转换部ccl。此时，可以在显示元件部dpl上形成光阻挡层lbl以限定第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3的发射区域ema(例如，第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3)。
[0274]
具体地，参考图18，可以将光阻挡层lbl设置为使得形成第一开口op1、第二开口op2和第三开口op3。根据示例，在形成用于形成光阻挡层lbl的基体光阻挡层之后，可以对与第一开口op1、第二开口op2和第三开口op3对应的位置执行蚀刻工艺。
[0275]
在本步骤(或动作)中，通过调节光阻挡层lbl的第一开口op1、第二开口op2和第三开口op3之间的间隔距离，可以控制随后设置的第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3之间的在第一方向dr1上的间隔距离240。例如，如上所述，可以将第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3之间的间隔距离240提供为满足方程式3。
[0276]
在本步骤(或动作)中，通过调节形成有光阻挡层lbl的第一开口op1、第二开口op2和第三开口op3所处的位置，可以将第一布置方向adr1设置为使得第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3的延伸方向(例如，第二方向dr2)具有相对于第一布置方向adr1具备一范围(例如，预定范围)的间隙角θ。
[0277]
在下文中，参考图19至图22描述根据一个或更多个实施例的显示装置dd的应用领
域。图19至图22是示出应用根据一个或更多个实施例的显示装置dd的示例的图。根据示例，显示装置dd可以应用于智能电话、笔记本计算机、平板pc和/或电视等，并且可以应用于各种其他实施例。
[0278]
参考图19，根据一个或更多个实施例的显示装置dd可以应用于包括框架1104和透镜部1102的智能眼镜1100。智能眼镜1100可以是可以佩戴在用户的面部上的可穿戴电子装置，并且可以是其中框架1104的一部分被折叠或被展开的结构。例如，智能眼镜1100可以是用于增强现实(ar)的可穿戴装置。
[0279]
框架1104可以包括支撑透镜部1102的壳体1104b和用于用户的佩戴的腿部1104a。腿部1104a可以通过铰链连接到壳体1104b，并且可以被折叠或被展开。
[0280]
框架1104可以在其中包括电池、触摸板、麦克风和/或相机等。另外，框架1104可以在其中包括输出光的投影仪和/或控制光信号等的处理器等。
[0281]
透镜部1102可以是透射光和/或反射光的光学构件。透镜部1102可以包括玻璃、透明合成树脂等。
[0282]
另外，透镜部1102可以基于从框架1104的投影仪传输的光信号通过透镜部1102的后表面(例如，面向用户的眼睛的表面)反射图像，以允许用户的眼睛识别到图像。例如，如图中所示，用户可以识别到显示在透镜部1102上的信息(诸如时间和日期)。也就是说，透镜部1102可以是一种显示装置，并且根据上述实施例的显示装置dd可以应用于透镜部1102。
[0283]
参考图20，根据一个或更多个实施例的显示装置dd可以应用于包括显示部1220和带部1240的智能手表1200。
[0284]
智能手表1200可以是可穿戴电子装置，并且可以具有其中将带部1240装戴在用户的手腕上的结构。这里，根据一个或更多个实施例的显示装置dd可以应用于显示部1220，因此可以向用户提供包括时间信息的图像数据。
[0285]
参考图21，根据一个或更多个实施例的显示装置dd可以应用于车载显示器1300。这里，车载显示器1300可以指设置在车辆内部和外部以提供图像数据的电子装置。
[0286]
根据示例，显示装置dd可以应用于设置在车辆中的信息娱乐面板1310、仪表1320、辅助驾驶员显示器1330、平视显示器1340、侧视镜显示器1350和后座显示器1360中的至少一个。
[0287]
参考图22，根据一个或更多个实施例的显示装置dd可以应用于包括头戴式带1402和显示器存储箱1404的头戴式显示器(hmd)1400。hmd 1400是可以穿戴在用户的头部上的可穿戴电子装置。
[0288]
头戴式带1402是连接到显示器存储箱1404的部分，并且可以将显示器存储箱1404固定在期望的位置处。在附图中，头戴式带1402被示出为能够围绕用户的头部的上表面和两个侧表面，但本公开不限于此。头戴式带1402可以用于将hmd 1400固定到用户的头部，并且可以以眼镜框形式或头盔形式形成。
[0289]
显示器存储箱1404可以容纳显示装置dd并且可以包括至少一个透镜。至少一个透镜是向用户提供图像的部分。例如，根据一个或更多个实施例的显示装置dd可以应用于在显示器存储箱1404中实现的左眼透镜和右眼透镜。
[0290]
根据一个或更多个实施例的显示装置dd的应用领域不限于上述示例，并且可以根据一个或更多个实施例应用于各种领域。
[0291]
以上描述仅是本公开的技术精神的示例，并且本公开所属领域的技术人员将能够在不脱离本公开的精神和范围的情况下进行各种修改和变化。因此，上述本公开的实施例可以单独实施或彼此组合实施。
[0292]
因此，虽然已经参考本公开的实施例具体示出和描述了本公开，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求及其等同物中阐述的本公开的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。
技术特征：1.一种显示装置，所述显示装置包括：多个发光元件，在基底上，并且沿着第一布置方向和与所述第一布置方向交叉的第二布置方向以矩阵形式布置；以及第一子像素区域和第二子像素区域，各自与所述多个发光元件的至少一部分叠置，在第一方向上彼此间隔开，并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，其中，所述第二方向和所述第一布置方向彼此不平行。2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：光阻挡层，在所述基底上，并且限定所述第一子像素区域和所述第二子像素区域。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，在所述第一子像素区域中发射第一颜色的光，并且其中，在所述第二子像素区域中发射第二颜色的光。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二方向和所述第一布置方向形成具有锐角的间隙角。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述间隙角为5度至40度。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子像素区域包括与所述第一方向平行且具有第一长度的边，其中，所述多个发光元件包括第一发光元件和第二发光元件，所述第一发光元件和所述第二发光元件在所述第一布置方向上彼此相邻并且彼此间隔开第一布置距离，其中，所述第一长度和所述第一布置距离满足：其中，x1是所述第一长度，并且y是所述第一布置距离。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一布置距离是所述第一发光元件与所述第二发光元件之间的最短距离。8.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：第三子像素区域，沿着所述第一方向与所述第一子像素区域和所述第二子像素区域间隔开，其中，所述第一子像素区域在所述第二子像素区域的一侧处，并且所述第三子像素区域在所述第二子像素区域的另一侧处，其中，所述第一子像素区域的端部和所述第三子像素区域的另一端部彼此间隔开第二长度，其中，所述多个发光元件包括第一发光元件和第二发光元件，所述第一发光元件和所述第二发光元件在所述第一布置方向上彼此相邻并且彼此间隔开第一布置距离，其中，所述第二长度和所述第一布置距离满足：其中，x2是所述第二长度，并且y是所述第一布置距离。9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子像素区域和所述第二子像素区域
彼此间隔开间隔距离，其中，所述多个发光元件中的每个具有底部长度，其中，所述间隔距离和所述底部长度满足：其中，z是所述间隔距离，并且w是所述底部长度。10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述多个发光元件中的每个的底表面具有圆形形状，并且其中，所述底部长度是圆的直径。11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述多个发光元件中的每个的底表面具有矩形形状，并且其中，所述底部长度是矩形的对角线长度。12.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：光控制部，在所述多个发光元件上，并且被构造为改变从所述多个发光元件发射的光的波长；以及第三子像素区域，沿着所述第一方向与所述第一子像素区域和所述第二子像素区域间隔开，并且在所述第二方向上延伸，其中，所述光控制部包括：第一波长转换图案，与所述第一子像素区域叠置；第二波长转换图案，与所述第二子像素区域叠置；以及光透射图案，与所述第三子像素区域叠置。13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，至少所述多个发光元件的第一部分与所述第一子像素区域叠置，所述多个发光元件的第二部分与所述第二子像素区域叠置，并且所述多个发光元件的第三部分与所述第三子像素区域叠置，并且其中，所述多个发光元件发射相同颜色的光。14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基底上的所述多个发光元件的每单位面积的数量是均匀的。15.一种制造显示装置的方法，所述方法包括下述步骤：提供堆叠基底；在所述堆叠基底上形成第一半导体层、活性层和第二半导体层；通过蚀刻所述第一半导体层、所述活性层和所述第二半导体层来提供多个发光元件；将所述堆叠基底与所述多个发光元件分离，并且将所述多个发光元件结合在供体膜上；将所述供体膜上的所述多个发光元件设置在基底上；以及在所述多个发光元件上设置限定第一子像素区域和第二子像素区域的光阻挡层，其中，提供所述多个发光元件的步骤包括沿着第一布置方向和与所述第一布置方向交叉的第二布置方向以矩阵形式将所述多个发光元件图案化，其中，设置所述光阻挡层的步骤包括将所述光阻挡层形成为使得所述第一子像素区域和所述第二子像素区域在第一方向上彼此间隔开，并且所述第一子像素区域和所述第二子像素区域中的每个在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，并且其中，所述第二方向和所述第一布置方向彼此不平行。
16.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括：使所述供体膜变形为使得所述多个发光元件之间的间隔距离增加。17.根据权利要求16所述的方法，其中，在执行使所述供体膜变形的步骤之前，所述多个发光元件以未变形距离彼此间隔开，并且其中，在使所述供体膜变形时，所述多个发光元件之间的所述间隔距离增加，所述多个发光元件中的在所述第一布置方向上相邻的发光元件彼此间隔开第一布置距离，并且所述多个发光元件中的在所述第二布置方向上相邻的发光元件彼此间隔开第二布置距离。18.根据权利要求17所述的方法，其中，可扩展范围是当使所述供体膜在一个方向上扩展时在非破坏性的限度内的长度倍数，其中，所述供体膜的所述可扩展范围满足：其中，a是所述供体膜的所述可扩展范围，y是所述第一布置距离，并且v是所述未变形距离。19.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第二方向和所述第一布置方向形成具有锐角的间隙角。20.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括：与所述光阻挡层在同一层处形成第一波长转换图案、第二波长转换图案和光透射图案，其中，设置所述光阻挡层的步骤包括将所述光阻挡层形成为使得限定第三子像素区域，所述第三子像素区域在所述第一方向上与所述第一子像素区域和所述第二子像素区域间隔开并在所述第二方向上延伸，其中，所述多个发光元件发射第三颜色的光，其中，所述第一波长转换图案将所述第三颜色的所述光改变为第一颜色的光，其中，所述第二波长转换图案将所述第三颜色的所述光改变为第二颜色的光，其中，所述光透射图案透射所述第三颜色的所述光，并且其中，所述多个发光元件包括：第一发光元件，与所述第一子像素区域和所述第一波长转换图案叠置；第二发光元件，与所述第二子像素区域和所述第二波长转换图案叠置；以及第三发光元件，与所述第三子像素区域和所述光透射图案叠置。
技术总结提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。所述显示装置可以包括：多个发光元件，在基底上，并且沿着第一布置方向和与第一布置方向交叉的第二布置方向以矩阵形式布置；以及第一子像素区域和第二子像素区域，各自与多个发光元件的至少一部分叠置，在第一方向上彼此间隔开，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。第二方向和第一布置方向可以彼此不平行。伸。第二方向和第一布置方向可以彼此不平行。伸。第二方向和第一布置方向可以彼此不平行。
技术研发人员：崔镇宇 杨秉春 金敏佑 朴声国 全亨一
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2022.04.27
技术公布日：2022/11/1
