1.本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体来说，涉及存储器子系统刷新。
背景技术：2.存储器子系统可以包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。
技术实现要素：3.本公开的一实施例提供一种用于刷新字线的方法，所述方法包括：确定存储器单元块的第一字线的第一存储器存取计数阈值；确定所述存储器单元块的第二字线的第二存储器存取计数阈值；其中所述第二存储器存取计数阈值大于所述第一存储器存取计数阈值；响应于接收到存储器存取命令而使对应于包含所述第一字线和所述第二字线的所述存储器单元块的存储器块存取计数递增；和当对应于所述存储器单元块的所述存储器块存取计数等于所述第一存储器存取计数阈值时，刷新所述第一字线。
4.本公开的另一实施例提供一种用于刷新字线的设备，所述设备包括：存储器单元块，其包括第一字线和第二字线；和存储器子系统刷新组件，其耦合到所述存储器单元块，其中所述存储器子系统刷新组件将进行以下操作：响应于接收到存储器存取命令而使对应于所述存储器单元块的存储器块存取计数递增；当对应于所述存储器单元块的所述存储器块存取计数等于第一存储器存取计数阈值时，刷新所述第一字线；和当对应于所述存储器单元块的所述存储器块存取计数等于第二存储器存取计数阈值时，刷新所述第二字线，其中所述第二存储器存取计数阈值大于所述第一存储器存取计数阈值。
5.本公开的又一实施例提供一种用于刷新字线的系统，所述系统包括：多个存储器组件，其被布置成形成可堆叠交叉网格化存储器单元阵列；和处理装置，其耦合到所述多个存储器组件，所述处理装置执行包括以下操作的操作：接收读取命令；响应于接收到所述读取命令而使存储器块存取计数递增；当所述存储器块存取计数等于第一读取计数阈值时，刷新第一字线；和当所述存储器块存取计数等于第二读取计数阈值时，刷新第二字线，其中所述第二读取计数阈值大于所述第一读取计数阈值。
附图说明
6.根据下文提供的具体实施方式和本公开的各种实施例的附图将更加充分地理解本公开。
7.图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
8.图2是根据本公开的一些实施例的对应于存储器子系统温度刷新的流程图。
9.图3说明根据本公开的一或多个实施例的存储器装置的一部分的实例。
10.图4是根据本公开的一些实施例的对应于用于存储器子系统刷新的方法的流程图。
11.图5是其中可操作本公开的实施例的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
12.本公开的方面针对于存储器子系统刷新，特定来说，针对于包含存储器子系统刷新组件的存储器子系统。存储器子系统可以是存储系统、存储装置、存储器模块或这些的组合。存储器子系统的实例是如固态驱动器(ssd)的存储系统。下文结合图1以及在其它处描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含一或多个组件(例如存储数据的存储器装置)的存储器子系统。主机系统可提供数据以存储于存储器子系统处，且可请求从存储器子系统检索数据。
13.存储器装置可以为非易失性存储器装置。非易失性存储器装置的一个实例是与非(nand)存储器装置(也称为快闪技术)。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。非易失性存储器装置为一或多个裸片的封装。每一裸片可由一或多个平面组成。平面可分组成逻辑单元(lun)。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，nand装置)，每一平面由物理块集组成。每一块由页集合组成。每个页由一组存储器单元(“单元”)组成。单元是存储信息的电子电路。在下文中，块是指用于存储数据的存储器装置的单元，且可包含存储器单元群组、字线群组、字线或单独存储器单元。对于一些存储器装置，块(下文也被称为“存储器块”和/或“存储器单元块”)是可被擦除的最小区域。不可单独地擦除页，且仅可擦除整个块。
14.存储器装置中的每一个可以包含一或多个存储器单元阵列。取决于单元类型，单元可存储一或多个二进制信息位，且具有与所存储的位数相关的各种逻辑状态。逻辑状态可以由二进制值(例如，“0”和“1”或这类值的组合)表示。存在各种类型的单元，例如单层级单元(slc)、多层级单元(mlc)、三层级单元(tlc)和四层级单元(qlc)。举例来说，slc可存储一个信息位且具有两种逻辑状态。
15.一些nand存储器装置采用浮置栅极架构，其中基于位线与字线之间的相对电压变化来控制存储器存取。nand存储器装置的其它实例可采用替换栅极架构，所述替换栅极架构可包含使用字线布局，所述字线布局可允许基于用于建构字线的材料的属性而在存储器单元内捕获对应于数据值的电荷。
16.在操作期间，存储器子系统将执行数个存储器存取命令(例如，读取命令)。随着存储器存取命令数目增加，可发生电压电平移位。这些电压电平移位最终可引起错误(例如，读取错误)。
17.可由例如nand制造者确定和/或指配的nand表征数据可包含块存储器存取阈值(例如，块读取计数阈值)。块存储器存取阈值可与最差性能字线(例如，块和/或数个块的最差性能字线)相关联。先前刷新操作利用与最差性能字线相关联的块存储器存取阈值；例如，当块的存储器存取(例如，读取)的数目等于与最差性能字线相关联的块存储器存取阈值时，刷新整个块。虽然可依据块的存储器存取的数目等于与最差性能字线相关联的块存储器存取阈值而需要刷新最差性能字线，但并不需要刷新其它字线(例如，相较于最差性能字线具有改进的nand表征数据的较好性能字线)。基于最差性能字线刷新整个存储器单元
块可被称为“过度刷新”。过度刷新消耗系统资源并且可致使擦除放大升高，因此降低系统性能并且减小装置预期寿命。因而，可能需要减少过度刷新。
18.本公开的方面通过利用第一存储器存取计数阈值和第二存储器存取计数阈值来解决以上和其它缺陷。第一存储器存取计数阈值对应于存储器单元块的第一字线且第二存储器存取计数阈值对应于存储器单元块的一或多个第二字线。本公开的实施例规定第二存储器存取计数阈值大于第一存储器存取计数阈值。另外，本公开的实施例可允许在不存在其中特定块的所有字线被刷新的块刷新操作的执行时刷新个别字线(例如，与其它字线相比具有较差性能的字线)。
19.在响应于接收到存取命令而使存储器块存取计数递增时，将存储器块存取计数与第一存储器存取计数阈值进行比较。如果存储器块存取计数等于第一存储器存取计数阈值，那么刷新第一字线。然而，实施例不限于此，且在一些实施例中，当存储器块存取计数小于但接近第一存储器存取计数阈值时，可刷新第一字线。举例来说，如果第一存储器存取计数阈值是x，那么当第一存储器块存取计数等于x-1、x-2等时，可刷新第一字线。在一些实施例中，当第一字线被刷新时，不刷新存储器单元块的其它字线(例如，一或多个第二字线)，进而减少过度刷新。在响应于接收到存取命令而使存储器块存取计数进一步递增时，将存储器块存取计数与第二存取计数阈值进行比较。如果存储器块存取计数等于第二存取计数阈值，那么刷新第二字线。然而，实施例不限于此，且在一些实施例中，当存储器块存取计数小于但接近第二存储器存取计数阈值时，可刷新第二字线。举例来说，如果第二存储器存取计数阈值是y，那么当第一存储器块存取计数等于y-1、y-2等时，可刷新第一字线。一或多个实施例规定当存储器块存取计数等于(或小于但接近存储器块存取计数，如上文所描述)第二存取计数阈值时，(例如，在刷新第二字线之后)和/或当整个块被刷新时，可重置存储器块存取计数。
20.图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统110的实例计算系统100。存储器子系统110可包含媒体，例如一或多个易失性存储器装置(例如，存储器装置140)、一或多个非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)或此类的组合。
21.存储器子系统110可为存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的混合。存储装置的实例包含固态驱动器(ssd)、快闪驱动器、通用串行总线(usb)快闪驱动器、嵌入式多媒体控制器(emmc)驱动器、通用快闪存储(ufs)驱动器、安全数字(sd)卡和硬盘驱动器(hdd)。存储器模块的实例包含双列直插式存储器模块(dimm)、小型dimm(so-dimm)，和各种类型的非易失性双列直插式存储器模块(nvdimm)。
22.计算系统100可为计算装置，例如台式计算机、手提式计算机、服务器、网络服务器、移动装置、交通工具(例如，飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、具有物联网(iot)功能的装置、嵌入式计算机(例如，交通工具、工业设备或联网商业装置中包含的嵌入式计算机)，或包含存储器和处理装置的此类计算装置。
23.计算系统100可包含耦合到一或多个存储器子系统110的主机系统120。在一些实施例中，主机系统120耦合到不同类型的存储器子系统110。图1说明耦合到一个存储器子系统110的主机系统120的一个实例。如本文中所使用，“耦合到”或“与
……
耦合”通常是指组件之间的连接，其可以是间接通信连接或直接通信连接(例如不具有介入组件)，无论有线或无线，包含例如电连接、光学连接、磁连接等连接。
24.主机系统120可包含处理器芯片组和由所述处理器芯片组执行的软件堆栈。处理器芯片组可包含一或多个核心、一或多个高速缓存、存储器控制器(例如，ssd控制器)以及存储协议控制器(例如，pcie控制器、sata控制器)。主机系统120使用存储器子系统110，例如，将数据写入到存储器子系统110以及从存储器子系统110读取数据。
25.主机系统120可经由物理主机接口耦合到存储器子系统110。物理主机接口的实例包含但不限于串行高级技术附件(sata)接口、外围组件互连高速(pcie)接口、通用串行总线(usb)接口、光纤通道、串行附接scsi(sas)、双数据速率(ddr)存储器总线、小型计算机系统接口(scsi)、双列直插式存储器模块(dimm)接口(例如，支持双数据速率(ddr)的dimm套接接口)、开放nand快闪接口(onfi)、双数据速率(ddr)、低功率双数据速率(lpddr)或任何其它接口。物理主机接口可用于在主机系统120与存储器子系统110之间发射数据。当存储器子系统110通过pcie接口与主机系统120耦合时，主机系统120可进一步利用nvm高速(nvme)接口来存取组件(例如，存储器装置130)。物理主机接口可提供用于在存储器子系统110与主机系统120之间传送控制、地址、数据和其它信号的接口。图1说明作为实例的存储器子系统110。一般来说，主机系统120可经由同一通信连接、多个单独通信连接和/或通信连接的组合存取多个存储器子系统。
26.存储器装置130、140可以包含不同类型的非易失性存储器装置和/或易失性存储器装置的任何组合。易失性存储器装置(例如，存储器装置140)可为但不限于随机存取存储器(ram)，例如动态随机存取存储器(dram)和同步动态随机存取存储器(sdram)。
27.非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)的一些实例包含“与非”(nand)型快闪存储器和就地写入存储器，例如三维交叉点(“3d交叉点”)存储器装置，其为非易失性存储器单元的交叉点阵列。非易失性存储器的交叉点阵列可结合可堆叠交叉网格化数据存取阵列而基于体电阻的改变来进行位存储。另外，与许多基于闪存的存储器对比，交叉点非易失性存储器可执行就地写入操作，其中可在不预先擦除非易失性存储器单元的情况下对非易失性存储器单元进行编程。nand型快闪存储器包含例如二维nand(2d nand)和三维nand(3d nand)。
28.存储器装置130、140中的每一个可包含一或多个存储器单元阵列。一种类型的存储器单元，例如，单层级单元(slc)可存储一个位每单元。其它类型的存储器单元，例如多层单元(mlc)、三层单元(tlc)、四层单元(qlc)和五层单元(plc)可每单元存储多个位。在一些实施例中，存储器装置130中的每一个可包含一或多个存储器单元阵列，例如slc、mlc、tlc、qlc或此类存储器单元阵列的任何组合。在一些实施例中，特定存储器装置可包含存储器单元的slc部分，以及mlc部分、tlc部分、qlc部分或plc部分。存储器装置130的存储器单元可分组为页，所述页可指用于存储数据的存储器装置的逻辑单元。对于一些类型的存储器(例如，nand)，页可进行分组以形成块。
29.虽然描述了非易失性存储器组件，例如非易失性存储器单元三维交叉点阵列和nand型快闪存储器(例如，2d nand、3d nand)，但存储器装置130可基于任何其它类型的非易失性存储器或存储装置，例如只读存储器(rom)、相变存储器(pcm)、自选存储器、其它基于硫属化物的存储器、铁电晶体管随机存取存储器(fetram)、铁电随机存取存储器(feram)、磁随机存取存储器(mram)、自旋转移力矩(stt)-mram、导电桥接ram(cbram)、电阻性随机存取存储器(rram)、基于氧化物的rram(oxram)、“或非”(nor)快闪存储器或电可擦
除可编程只读存储器(eeprom)。
30.存储器子系统控制器115(或简称为控制器115)可与存储器装置130通信以执行操作，例如在存储器装置130处读取数据、写入数据或擦除数据，及其它这类操作。存储器子系统控制器115可以包含硬件，例如一或多个集成电路和/或离散组件、缓冲存储器或其组合。硬件可包含具有专用(即，硬译码)逻辑的数字电路系统以执行本文所描述的操作。存储器子系统控制器115可以是微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(fpga)、专用集成电路(asic)等)，或其它合适的处理器。
31.存储器子系统控制器115可包含被配置成执行存储于本地存储器119中的指令的处理器117(例如，处理装置)。在所说明实例中，存储器子系统控制器115的本地存储器119包含被配置成存储指令的嵌入式存储器，所述指令用于执行控制存储器子系统110的操作(包含处置存储器子系统110与主机系统120之间的通信)的各种过程、操作、逻辑流和例程。
32.在一些实施例中，本地存储器119可包含存储存储器指针、提取的数据等的存储器寄存器。本地存储器119还可包含用于存储微码的只读存储器(rom)。虽然在图1中的实例存储器子系统110已说明为包含存储器子系统控制器115，但在本公开的另一个实施例中，存储器子系统110不包含存储器子系统控制器115，而是替代地可依靠外部控制(例如，由外部主机或由与存储器子系统分开的处理器或控制器提供)。
33.一般来说，存储器子系统控制器115可从主机系统120接收命令或操作并且可将所述命令或操作转换成指令或适当命令以实现对存储器装置130和/或存储器装置140的所要存取。存储器子系统控制器115可负责其它操作，例如耗损均衡操作、垃圾收集操作、错误检测和错误校正码(ecc)操作、加密操作、高速缓存操作，以及与存储器装置130相关联的逻辑地址(例如，逻辑块地址(lba)、名字空间)与物理地址(例如，物理块地址、物理媒体地址)之间的地址转译。存储器子系统控制器115可另外包含主机接口电路系统以经由物理主机接口与主机系统120通信。主机接口电路系统可将从主机系统接收到的命令转换为命令指令，以存取存储器装置130和/或存储器装置140以及将与存储器装置130和/或存储器装置140相关联的响应转换为用于主机系统120的信息。
34.存储器子系统110还可包含未说明的额外电路或组件。在一些实施例中，存储器子系统110可包含高速缓存或缓冲器(例如dram)和地址电路系统(例如行解码器和列解码器)，所述地址电路系统可接收来自存储器子系统控制器115的地址，且解码所述地址以存取存储器装置130和/或存储器装置140。
35.在一些实施例中，存储器装置130包含本地媒体控制器135，其结合存储器子系统控制器115操作以在存储器装置130的一或多个存储器单元上执行操作。外部控制器(例如，存储器系统控制器115)可在外部管理存储器装置130(例如，对存储器装置130执行媒体管理操作)。在一些实施例中，存储器装置130是受管理存储器装置，其为与同一存储器装置封装内进行媒体管理的本地控制器(例如，本地控制器135)组合的原始存储器装置。受管理存储器装置的实例是受管理nand(mnand)装置。
36.存储器子系统110可包含存储器子系统刷新组件113，为简洁起见可在本文中称为“刷新组件113”。虽然图1中未示出以免混淆图式，但刷新组件113可包含各种电路系统以促进以下操作：使对应于存储器单元块的存储器块存取计数递增，所述存储器单元块包含存储器子系统和/或存储器子系统的组件的第一字线(例如，本文中在图3中所说明的字线
382)和第二字线(例如，本文中在图3中所说明的字线383)；当对应于存储器单元块的存储器块存取计数等于存储器子系统和/或存储器子系统的组件的第一存储器存取计数阈值时，刷新第一字线；和当对应于存储器单元块的存储器块存取计数等于第二存储器存取计数阈值时，刷新第二字线。在一些实施例中，刷新组件113可包含呈asic、fpga、状态机和/或其它逻辑电路系统的形式的专用电路系统，所述专用电路系统可允许刷新组件113编排和/或执行操作以基于存储器存取计数来选择性地执行用于存储器装置130和/或存储器装置140的刷新操作。
37.在一些实施例中，存储器子系统控制器115包含刷新组件113的至少一部分。举例来说，存储器子系统控制器115可包含处理器117(处理装置)，其被配置成执行存储在本地存储器119中的指令以用于执行本文中所描述的操作。在一些实施例中，刷新组件113是主机系统110、应用程序或操作系统的部分。
38.在非限制性实例中，设备(例如，计算系统100)可包含存储器子系统刷新组件113。存储器子系统刷新组件113可驻存在存储器子系统110上。如本文中所使用，术语“驻存于
……
上”是指某物物理上位于特定组件上。举例来说，存储器子系统刷新组件113“驻留在存储器子系统110上”是指包括存储器子系统热节制组件113的硬件电路系统在物理上位于存储器子系统110上的状况。术语“驻存于
……
上”可在本文中与例如“部署于
……
上”或“位于
……
上”的其它术语互换使用。
39.存储器子系统刷新组件113可响应于接收到存储器存取命令而使对应于存储器单元块(例如，本文中在图3中所说明的存储器块380/381)的存储器块存取计数递增，并且当对应于存储器单元块的存储器块存取计数等于第一存储器存取计数阈值时，刷新第一字线，当对应于存储器单元块的存储器块存取计数等于第二存储器存取计数阈值时，刷新第二字线。在一些实施例中，第二存储器存取计数阈值大于第一存储器存取计数阈值。如上文所描述，存储器组件可以是形成存储器装置130的至少一部分的存储器裸片或存储器封装。
40.存储器子系统热刷新组件113可当对应于存储器单元块的存储器存取计数等于(或小于但接近)第一存储器存取计数阈值时，通过将数据从第一字线复制到不同于第一字线和第二字线的字线来刷新第一字线。在一些实施例中，从第一字线复制到不同于第一字线和第二字线的字线的数据在刷新第二字线之前不会从第一字线擦除。在一些实施例中，不同于第一字线和第二字线的字线处于不同的存储器单元块内(例如，如果第一字线和第二字线处于图3中所说明的存储器块380中，那么不同的字线可处于图3中所说明的存储器块381中，反之亦然)；然而，实施例不限于此。举例来说，在一些实施例中，不同于第一字线和第二字线的字线处于包含先前提及的第一字线和第二字线的存储器单元块内(例如，第一字线、第二字线以及不同于第一字线和第二字线的字线可处于图3中所说明的存储器块380中)。
41.在一些实施例中，存储器子系统刷新组件113可当对应于存储器单元块的存储器存取计数等于第二存储器存取计数阈值时，重置对应于存储器单元块的存储器存取计数。另外，在一些实施例中，存储器子系统刷新组件113可当对应于存储器单元块的存储器存取计数等于(或小于但接近)第二存储器存取计数阈值时，擦除存储器单元块。另外，在一些实施例中，存储器子系统刷新组件113可执行将数据写入到存储器单元块的编程操作。
42.在另一非限制性实例中，系统(例如，计算系统100)可包含存储器子系统110，其包
括被布置成形成可堆叠交叉网格化存储器单元阵列(例如，三维nand阵列)的存储器组件。处理装置(例如，刷新组件113、处理器117和/或本地媒体控制器135)可耦合到存储器组件并且可确定存储器单元块的第一字线的第一存储器存取计数阈值并且确定存储器单元块的第二字线的第二存储器存取计数阈值。在一些实施例中，第二存储器存取计数阈值大于第一存储器存取计数阈值。处理装置可响应于接收到存储器存取命令而使对应于包含第一字线和第二字线的存储器单元块的存储器块存取计数递增并且当对应于存储器单元块的存储器块存取计数等于第一存储器存取计数阈值时刷新第一字线。
43.存储器子系统刷新组件113可当对应于存储器单元块的存储器块存取计数小于第一存储器存取计数阈值时制止刷新第一字线。存储器子系统刷新组件113可当对应于存储器单元块的存储器块存取计数小于第二存储器存取计数阈值时制止刷新第二字线。这(例如，当对应于存储器单元块的存储器块存取计数小于第二存储器存取计数阈值时制止刷新第二字线)可有助于实现过度刷新的减少，原因是当满足第一存储器存取计数阈值时和/或当刷新第一字线时不刷新整个存储器单元块。
44.图2是根据本公开的一些实施例的对应于存储器子系统刷新控制的流程图259。流程259可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)，或其组合。在一些实施例中，流程259是由图1的刷新组件113执行。虽然以特定顺序或次序来展示，但是除非另有指定，否则可修改过程的次序。因此，应理解，所说明实施例仅为实例，且所说明过程可以不同次序进行，且一些过程可并行地进行。另外，在各个实施例中可以省略一或多个过程。因此，在每个实施例中并不需要所有过程。其它过程流程也是可能的。
45.在操作260处，接收命令。作为实例，所述命令可从主机系统(例如，图1中示出的主机系统120)接收。在操作261处，可做出接收到的命令是否是存储器存取命令(例如，读取命令)的确定。如果确定接收到的命令并非存储器存取命令，那么可执行与除存储器存取命令以外的其它命令相关联的一或多个操作。然而，如果在操作261处确定接收到的命令是存储器存取命令，那么流程图259转到以下操作。存储器存取命令可与存储器位置(例如，存储器地址)相关联。举例来说，存储器存取命令可与特定存储器单元块和存储器单元块内的特定字线相关联。
46.在操作262处，使存储器块存取计数递增。响应于接收到的命令是与存储器单元块和存储器单元块内的字线相关联的存储器存取命令而使存储器块存取计数递增。存储器块存取计数从存储器块存取计数的前一值递增。
47.在操作263处，将经递增存储器块存取计数与第一存储器存取计数阈值进行比较。如本文中所使用，“存储器存取计数阈值”是指存储器的与其相关联的部分被刷新时所处的值。存储器存取计数阈值可基于已经发生的涉及存储器阵列的至少一部分(例如，存储器装置的某一数量的字线)的存储器存取(例如，读取操作、写入操作、擦除操作等)的数量。例如，一或多个实施例规定存储器存取计数阈值可由制造者(例如，本文中所论述的存储器组件中的一或多个的制造者)指配和/或在出售之前的存储器测试阶段指配。存储器存取计数阈值可由一或多个诊断程序确定(例如，以为制造者的指配做准备)实施例规定可针对各种应用利用不同的诊断程序。
48.一或多个实施例规定可针对每个特定存储器单元块确定和指配多个存储器存取计数阈值。举例来说，第一存储器存取计数阈值可与特定存储器单元块的一或多个字线相关联，其中这一或多个字线相较于特定存储器单元块的数个其它字线具有较差性能(例如，如由一或多个诊断程序确定)。另外，第二存储器存取计数阈值可与特定存储器单元块的一或多个字线相关联，其中这一或多个字线相较于与第一存储器存取计数阈值相关联的一或多个字线具有改进的性能(例如，如由一或多个诊断程序确定)。换句话说，在一些实施例中，第二存储器存取计数阈值大于第一存储器存取计数阈值。存储器存取计数阈值可针对不同应用具有各种值。
49.如果将存储器块存取计数与第一存储器存取计数阈值进行比较，且存储器块存取计数等于(或小于但接近，如上文所描述)第一存储器存取计数阈值，那么流程259转到操作264。在操作264处，刷新第一字线。一或多个实施例规定刷新第一字线可包含将数据从第一字线复制到不同于第一字线的字线。另外，一或多个实施例规定当数据从第一字线复制到不同于第一字线的字线(例如，第一字线被刷新)时，归因于第一字线正在被刷新而不被从第一字线擦除数据；然而，实施例不限于此。
50.如果将存储器块存取计数与第一存储器存取计数阈值进行比较，且存储器块存取计数不等于第一存储器存取计数阈值(例如，存储器块存取计数不同于第一存储器存取计数阈值)，那么流程259转到操作266。
51.在操作266处，将存储器块存取计数与第二存储器存取计数阈值进行比较。第二存储器存取计数阈值可与特定存储器单元块的一或多个字线相关联，其中这一或多个字线相较于特定存储器单元块的数个其它字线具有改进的性能(例如，由一或多个诊断程序确定)。实施例规定第二存储器存取计数阈值大于第一存储器存取计数阈值。
52.如果将存储器块存取计数与第二存储器存取计数阈值进行比较(在操作266处)，且存储器块存取计数不等于第二存储器存取计数阈值(例如，存储器块存取计数小于第二存储器存取计数阈值)，那么流程259转到操作272。在操作272处，流程259结束直到在操作260处接收到另一命令为止且接着流程259再次继续进行，如本文中所论述。
53.如果将存储器块存取计数与第二存储器存取计数阈值进行比较(在操作266处)，且存储器块存取计数等于(或小于但接近，如上文所描述)第二存储器存取计数阈值，那么流程259转到操作268。
54.在操作268处，刷新第二字线。一或多个实施例规定刷新第二字线包含将数据从第二字线复制到不同于第二字线的字线。
55.如图2所示，在操作268处刷新第二字线之后，在操作269处重置存储器块存取计数。实施例规定将存储器块存取计数重置到小于第一存储器存取计数阈值的值。举例来说，可将存储器块存取计数重置到值零。
56.在操作272处，在操作269处重置存储器块存取计数之后，流程259结束直到在操作260处接收到另一命令为止且接着流程259再次继续进行，如本文中所论述。
57.图3说明根据本公开的一或多个实施例的存储器装置330的一部分的实例。如图3所示，存储器装置330包含多个存储器单元块。如图3中所示，存储器装置330包含第一存储器单元块380和第二存储器单元块381；然而，实施例不限于此，且存储器装置330可包含图3中未说明的额外存储器单元块。
58.第一存储器单元块380包含多个字线。如图3中所示，第一存储器单元块380包含字线382、字线383和字线384；然而，实施例不限于此，且第一存储器单元块380可包含图3中未说明的额外字线。第二存储器单元块381包含多个字线。如图3中所示，第二存储器单元块381包含字线385、字线386和字线387；然而，实施例不限于此，且第二存储器单元块381可包含图3中未说明的额外字线。
59.存储器存取计数阈值可由一或多个诊断程序确定(例如，以为制造者的指配做好准备)，且可针对每个特定存储器单元块380/381确定和指配多个存储器存取计数阈值。存储器装置330的每个特定存储器单元块380/381可具有第一存储器存取计数阈值和第二存储器存取计数阈值。一些实施例规定第一存储器存取计数阈值和第二存储器存取计数阈值至少部分地基于存储器单元块380/381的第一字线或第二字线的读取干扰表征。举例来说，第一存储器单元块380可具有第一存储器存取计数阈值和第二存储器存取计数阈值。相较于存储器单元块380的数个其它字线，第一存储器存取计数阈值具有较差性能(例如，如由一或多个诊断程序确定)。作为实例，第一存储器存取计数阈值可对应于块380的字线382。与第二存储器存取计数阈值相关联的字线相较于存储器单元块380的一或多个其它字线具有改进的性能(例如，如由一或多个诊断程序确定)。作为实例，第二存储器存取计数阈值可对应于块380的字线383。如所提及，第二存储器存取计数阈值大于第一存储器存取计数阈值。
60.当与存储器单元块380相关联的存储器块存取计数等于(或小于但接近，如上文所描述)第一存储器存取计数阈值时，刷新与第一存储器存取计数阈值相关联的字线。在此实例中，如所提及，第一存储器存取计数阈值与字线382相关联；因而，刷新字线382。当与存储器单元块380相关联的存储器块存取计数小于第一存储器存取计数阈值时，制止刷新与第一存储器存取计数阈值相关联的字线直到存储器块存取计数递增到等于(或小于但接近，如上文所描述)第一存储器存取计数阈值。
61.刷新字线382可包含将数据从字线382复制到不同字线。举例来说，刷新字线382可包含将数据从字线382复制到同一存储器单元块(即，存储器单元块380)中的不同字线，例如字线384。然而，实施例不限于此。举例来说，刷新字线382可包含将数据从字线382复制到不同存储器单元块(例如，存储器单元块381)。举例来说，可将数据从字线382复制到存储器单元块381的字线387。一或多个实施例规定从字线382复制到不同字线的数据在存储器块存取计数等于(或小于但接近，如上文所描述)第二存储器存取计数阈值之前不被从字线382擦除(例如，使得相较于与第一存储器存取计数阈值相关联的字线具有改进的性能的字线被刷新)。
62.当与存储器单元块380相关联的存储器块存取计数等于第二存储器存取计数阈值时，刷新与第二存储器存取计数阈值相关联的字线。在此实例中，如所提及，第二存储器存取计数阈值与字线383相关联；因而刷新字线383。另外，当与存储器单元块380相关联的存储器块存取计数等于(或小于但接近，如上文所描述)第二存储器存取计数阈值时，还可刷新存储器单元块380的其它字线(例如，当与存储器单元块相关联的存储器块存取计数等于第二存储器存取计数阈值时，可刷新那个存储器单元块的每个字线)。刷新字线383可包含将数据从字线383复制到不同字线。举例来说，刷新字线383可包含将数据从字线383复制到不同的存储器单元块(例如，存储器单元块381)。当与存储器单元块380相关联的存储器块
存取计数小于第二存储器存取计数阈值时，制止刷新与第二存储器存取计数阈值相关联的字线直到存储器块存取计数递增到等于(或小于但接近，如上文所描述)第二存储器存取计数阈值。
63.一些实施例规定当与存储器单元块380相关联的存储器块存取计数等于第二存储器存取计数阈值时，可擦除存储器单元块(例如，在数据已经复制到不同位置之后)。另外，可执行编程操作以将数据写入到存储器单元块。
64.图4是根据本公开的一些实施例的对应于用于存储器子系统刷新的方法490的流程图。方法490可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)，或其组合。在一些实施例中，方法490是由图1的刷新组件113执行。虽然以特定顺序或次序来展示，但是除非另有指定，否则可修改过程的次序。因此，应理解，所说明实施例仅为实例，且所说明过程可以不同次序进行，且一些过程可并行地进行。另外，在各个实施例中可以省略一或多个过程。因此，在每个实施例中并不需要所有过程。其它过程流程也是可能的。
65.在操作492处，可确定存储器单元块(例如，本文中在图3中所说明的存储器块380和/或存储器块381)的第一字线(例如，本文中在图3中所说明的字线382、383、384、385、386、387中的一个)的第一存储器存取计数阈值。在一些实施例中，存储器子系统可类似于图1中所说明的存储器子系统110。如上文所描述，存储器组件可为彼此耦合以形成存储器单元阵列(例如供存储器子系统用以存储数据的三维可堆叠交叉网格化存储器单元阵列)的存储器裸片或存储器封装。
66.在操作494处，可确定存储器单元块的第二字线的第二存储器存取计数阈值。第二存储器存取计数阈值可大于第一存储器存取计数阈值。如所提及，可由例如nand制造者确定和/或指配的nand表征数据可包含数个存储器存取计数阈值(例如，第一存储器存取计数阈值和第二存储器存取计数阈值)。
67.在操作496处，响应于接收到存储器存取命令而使对应于包含第一字线和第二字线的存储器单元块的存储器块存取计数递增。存储器存取命令的实例是读取命令。
68.在操作498处，当对应于存储器单元块的存储器块存取计数等于第一存储器存取计数阈值时，刷新第一字线。一或多个实施例规定当对应于存储器单元块的存储器块存取计数小于第一存储器存取计数阈值时，制止刷新第一字线。
69.在一些实施例中，方法490可包含当对应于存储器单元块的存储器块存取计数等于第二存储器存取计数阈值时，刷新第二字线。一或多个实施例规定当对应于存储器单元块的存储器块存取计数小于第二存储器存取计数阈值时，制止刷新第二字线。
70.在一些实施例中，方法490可包含当对应于存储器单元块的块存储器存取计数等于第二存储器存取计数阈值时，重置对应于存储器单元块的块存储器存取计数。
71.在一些实施例中，方法490可包含当对应于存储器单元块的存储器块存取计数等于第二存储器存取计数阈值时，刷新存储器单元块的每个字线。
72.图5是可操作本公开的实施例的实例计算机系统500的框图。举例来说，图5说明计算机系统500的实例机器，可执行所述计算机系统500内的用于致使所述机器执行本文中所论述的方法中的任一种或多种方法的指令集。在一些实施例中，计算机系统500可对应于主
机系统(例如，图1的主机系统120)，其包含、耦合到或使用存储器子系统(例如，图1的存储器子系统110)或可用以执行控制器的操作(例如，执行操作系统以执行对应于图1的刷新组件113的操作)。在替代性实施例中，机器可连接(例如联网)到lan、内联网、外联网和/或因特网中的其它机器。机器可作为对等(或分布式)网络环境中的对等机器或作为云计算基础设施或环境中的服务器或客户端机器而以客户端-服务器网络环境中的服务器或客户端机器的容量进行操作。
73.所述机器可以是个人计算机(pc)、平板pc、机顶盒(stb)、个人数字助理(pda)、蜂窝式电话、网络器具、服务器、网络路由器、交换机或桥接器，或能够执行(依序或以其它方式)指定将由所述机器采取的动作的指令集的任何机器。另外，尽管说明单个机器，但还应认为术语“机器”包含机器的任何集合，所述集合单独地或共同地执行一(或多)个指令集以进行本文中所论述的方法中的任何一或多种。
74.实例计算机系统500包含处理装置502、主存储器504(例如，只读存储器(rom)、快闪存储器、动态随机存取存储器(dram)例如同步dram(sdram)或rambus dram(rdram)等)、静态存储器506(例如，闪存存储器、静态随机存取存储器(sram)等)，以及数据存储系统518，其经由总线530彼此通信。
75.处理装置502表示一或多个通用处理装置，例如微处理器、中央处理单元等。更特定来说，处理装置可以是复杂指令集计算(cisc)微处理器、精简指令集计算(risc)微处理器、超长指令字(vliw)微处理器或实施其它指令集的处理器，或实施指令集的组合的处理器。处理装置502也可为一或多个专用处理装置，例如专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)、数字信号处理器(dsp)、网络处理器等。处理装置502被配置成执行指令526以用于执行本文中所论述的操作和步骤。计算机系统500可另外包含网络接口装置508以在网络520上通信。
76.数据存储系统518可包含机器可读存储媒体524(也称为计算机可读媒体)，其上存储有一或多个指令集526或体现本文中所描述的方法或功能中的任一或多种的软件。指令526还可在由计算机系统500执行期间完全或至少部分地驻存在主存储器504内和/或处理装置502内，主存储器504和处理装置502也构成机器可读存储媒体。机器可读存储媒体524、数据存储系统518和/或主存储器504可对应于图1的存储器子系统110。
77.在一个实施例中，指令526包含用于实施对应于刷新操作组件(例如，图1的刷新组件113)的功能性的指令。尽管在实例实施例中机器可读存储媒体524展示为单个媒体，但是应认为术语“机器可读存储媒体”包含存储一或多组指令的单个媒体或多个媒体。术语“机器可读存储媒体”还应被认为包含能够存储或编码供机器执行的指令集合且致使机器执行本公开的方法中的任何一种或多种的任何媒体。术语“机器可读存储媒体”因此应被视为包含但不限于固态存储器、光学媒体和磁性媒体。
78.已在针对计算机存储器内的数据位的操作的算法和符号表示方面呈现了先前详细描述的一些部分。这些算法描述和表示是数据处理领域的技术人员用以将其工作的主旨最有效地传达给所属领域的其他技术人员的方式。在本文中，且一般将算法构想为产生所要结果的操作的自洽序列。操作是要求对物理量进行物理操纵的操作。通常(但未必)，这些量采用能够存储、组合、比较以及以其它方式操纵的电或磁信号的形式。已经证实，主要出于常用的原因，将这些信号称为位、值、元素、符号、字符、项、编号等等有时是便利的。
79.然而，应牢记，所有这些和类似术语将与适当物理量相关联，且仅仅为应用于这些量的便利标记。本公开可以指操控和变换计算机系统的寄存器和存储器内的表示为物理(电子)数量的数据为计算机系统存储器或寄存器或其它这类信息存储系统内的类似地表示为物理量的其它数据的计算机系统或类似电子计算装置的动作和过程。
80.本公开还涉及用于执行本文中的操作的设备。这一设备可以出于所需目的而专门构造，或其可包含通过存储在计算机中的计算机程序选择性地激活或重新配置的通用计算机。这种计算机程序可存储在计算机可读存储媒体中，例如但不限于任何类型的盘，包含软盘、光盘、cd-rom以及磁性光盘、只读存储器(rom)、随机存取存储器(ram)、eprom、eeprom、磁卡或光卡，或适合于存储电子指令的任何类型的媒体，其各自连接到计算机系统总线。
81.本文中呈现的算法和显示器在本质上并不与任何特定计算机或其它设备相关。各种通用系统可以与根据本文中的教示的程序一起使用，或可以证明构造用以执行所述方法更加专用的设备是方便的。将如下文描述中所阐述的那样来呈现各种这些系统的结构。另外，未参考任何特定编程语言来描述本公开。应了解，可使用各种编程语言来实施如本文中所描述的本公开的教示内容。
82.本公开可提供为计算机程序产品或软件，其可包含在其上存储有可用于编程计算机系统(或其它电子装置)以进行根据本公开的过程的指令的机器可读媒体。机器可读媒体包含用于以机器(例如，计算机)可读的形式存储信息的任何机构。在一些实施例中，机器可读(例如，计算机可读)媒体包含机器(例如，计算机)可读存储媒体，例如只读存储器(“rom”)、随机存取存储器(“ram”)、磁盘存储媒体、光学存储媒体、快闪存储器装置等。
83.在前述说明书中，本公开的实施例已经参照其特定实例实施例进行描述。将显而易见的是，可在不脱离如所附权利要求书中阐述的本公开的实施例的更广精神和范围的情况下对本公开进行各种修改。因此，应在说明性意义上而非限制性意义上看待说明书及图式。
技术特征：1.一种用于刷新字线的方法，所述方法包括：确定存储器单元块(380、381)的第一字线(382、383、384、385、386、387)的第一存储器存取计数阈值；确定所述存储器单元块的第二字线(382、383、384、385、386、387)的第二存储器存取计数阈值；其中所述第二存储器存取计数阈值大于所述第一存储器存取计数阈值；响应于接收到存储器存取命令(261)而使对应于包含所述第一字线和所述第二字线的所述存储器单元块的存储器块存取计数递增(262)；和当对应于所述存储器单元块的所述存储器块存取计数等于所述第一存储器存取计数阈值时，刷新(264)所述第一字线。2.根据权利要求1所述的方法，其另外包括当对应于所述存储器单元块的所述存储器块存取计数等于所述第二存储器存取计数阈值时，刷新(268)所述第二字线。3.根据权利要求1所述的方法，其另外包括当对应于所述存储器单元块的所述存储器块存取计数等于所述第二存储器存取计数阈值时，重置(269)对应于所述存储器单元块的所述存储器块存取计数。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法另外包括当对应于所述存储器单元块的所述存储器块存取计数等于所述第二存储器存取计数阈值时，刷新所述存储器单元块的每个字线。5.根据权利要求1所述的方法，其另外包括当对应于所述存储器单元块的所述存储器块存取计数小于所述第一存储器存取计数阈值时，制止刷新所述第一字线。6.根据权利要求1所述的方法，其另外包括当对应于所述存储器单元块的所述存储器块存取计数小于所述第二存储器存取计数阈值时，制止刷新所述第二字线。7.一种用于刷新字线的设备，所述设备包括：存储器单元块(380、381)，其包括第一字线(382、383、384、385、386、387)和第二字线(382、383、384、385、386、387)；和存储器子系统刷新组件(113)，其耦合到所述存储器单元块，其中所述存储器子系统刷新组件将进行以下操作：响应于接收到存储器存取命令(261)而使对应于所述存储器单元块的存储器块存取计数(262)递增；当对应于所述存储器单元块的所述存储器块存取计数等于第一存储器存取计数阈值时，刷新所述第一字线(264)；和当对应于所述存储器单元块的所述存储器块存取计数等于第二存储器存取计数阈值时，刷新所述第二字线(268)，其中所述第二存储器存取计数阈值大于所述第一存储器存取计数阈值。8.根据权利要求7所述的设备，其中所述存储器子系统刷新组件将在对应于所述存储器单元块的所述存储器块存取计数等于所述第一存储器存取计数阈值时，通过将数据从所述第一字线复制到不同于所述第一字线和所述第二字线的字线来刷新所述第一字线。9.根据权利要求8所述的设备，其中从所述第一字线复制到不同于所述第一字线和所述第二字线的所述字线的所述数据在刷新所述第二字线之前不被从所述第一字线擦除。10.根据权利要求7所述的设备，其中所述存储器子系统刷新组件被进一步配置成当对
应于所述存储器单元块的所述存储器块存取计数等于所述第二存储器存取计数阈值时，重置(269)对应于所述存储器单元块的所述存储器块存取计数。11.根据权利要求7所述的设备，其中所述存储器子系统刷新组件将进行以下操作：当对应于所述存储器单元块的所述存储器块存取计数等于所述第二存储器存取计数阈值时，擦除所述存储器单元块；和执行编程操作以将数据写入到所述存储器单元块。12.一种用于刷新字线的系统(100、500)，所述系统包括：多个存储器组件，其被布置成形成可堆叠交叉网格化存储器单元阵列；和处理装置(502)，其耦合到所述多个存储器组件，所述处理装置执行包括以下操作的操作：接收(261)读取命令；响应于接收到所述读取命令而使存储器块存取计数递增(262)；当所述存储器块存取计数等于第一读取计数阈值时，刷新(264)第一字线；和当所述存储器块存取计数等于第二读取计数阈值时，刷新(269)第二字线，其中所述第二读取计数阈值大于所述第一读取计数阈值。13.根据权利要求12所述的系统，其中所述第一读取计数阈值和所述第二读取计数阈值至少部分地基于所述第一字线或所述第二字线或这两者的读取干扰表征。14.根据权利要求12所述的系统，其中所述多个存储器组件包括多个存储器单元块，且其中所述多个存储器单元块的至少一个子集利用所述第一读取计数阈值和所述第二读取计数阈值。15.根据权利要求12所述的系统，其中所述处理装置将执行另外包括当所述存储器块存取计数等于所述第二读取计数阈值时重置所述存储器块存取计数的操作。
技术总结本公开涉及存储器子系统刷新。一种方法包含确定存储器单元块的第一字线的第一存储器存取计数阈值并确定所述存储器单元块的第二字线的第二存储器存取计数阈值。所述第二存储器存取计数阈值可大于所述第一存储器存取计数阈值。所述方法可另外包含响应于接收到存储器存取命令而使对应于包含所述第一字线和所述第二字线的所述存储器单元块的存储器块存取计数递增，并且当对应于所述存储器单元块的所述存储器块存取计数等于所述第一存储器存取计数阈值时，刷新所述第一字线。刷新所述第一字线。刷新所述第一字线。
技术研发人员：刘涛 罗婷 J
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2022.04.27
技术公布日：2022/11/1
