显示装置及其制造方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年4月30日向韩国知识产权局提交的第10-2021-0056897号韩国专利申请以及于2021年6月4日向韩国知识产权局提交的第10-2021-0073065号韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
3.本公开涉及显示装置及其制造方法。
背景技术：4.近年来，随着对信息显示的兴趣的增加，正在持续地开展对显示装置的研究和开发。
5.将理解，本背景技术部分部分地旨在为理解技术提供有用的背景。然而，本背景技术部分也可以包括不属于在本文中所公开的主题的相应有效申请日之前由相关领域的技术人员知晓或理解的思想、构思或认识。
技术实现要素：6.本公开的目的在于，提供显示装置及其制造方法，其中在制造工艺中防止了对线和中间层(通孔层等)的损坏。
7.本公开的另一目的在于，提供一种显示装置及其制造方法，其中改善了发光元件的对准。
8.本公开的目的不限于以上描述的目的，并且本领域技术人员将从以下描述清楚地理解其他目的。
9.根据实施方式，显示装置可以包括：背板线，设置在衬底上；保护层，与背板线重叠；第一电极，设置在保护层上；发光元件，电连接到第一电极；以及反射图案，包括反射材料并且设置在衬底和第一电极之间，并且反射图案在平面图中可以与背板线重叠。
10.根据实施方式，反射图案可以包括第一设置区域和第二设置区域，以及反射图案可以在第一设置区域中与背板线重叠，并且可以在第二设置区域中不与背板线重叠。
11.根据实施方式，反射图案可以包括铝(al)、钼(mo)、铜(cu)、银(ag)、镁(mg)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钛(ti)及其合金中的至少一种。
12.根据实施方式，反射图案可以具有约或更大的厚度。
13.根据实施方式，反射图案可以设置在保护层上。
14.根据实施方式，显示装置还可以包括：桥接图案，设置在衬底和第一电极之间，并且通过接触部分电连接到第一电极，反射图案的至少一部分可以具有在平面图中围绕包括接触部分的区域的形状。
15.根据实施方式，显示装置还可以包括：贯通孔，通过贯通孔将反射图案的至少一部分与反射图案的另一部分间隔开。
16.根据实施方式，保护层可以包括有机材料，以及贯通孔在平面图中可以不与背板线重叠。
17.根据实施方式，显示装置还可以包括：第一区域，反射图案设置在第一区域中；以及第二区域，第一电极设置在第二区域中，第一区域和第二区域在平面图中可以彼此不重叠，背板线的至少一部分在平面图中可以与第一区域重叠，以及背板线的至少另一部分在平面图中可以与第二区域重叠。
18.根据实施方式，背板线可以向发光元件提供电信号。
19.根据实施方式，第一电极可以电连接到发光元件的一端，显示装置还可以包括：第二电极，电连接到发光元件的另一端并且向发光元件提供阴极信号，以及反射图案可以电连接到第二电极。
20.根据实施方式，显示装置还可以包括：第一子像素区域，发射第一颜色的光；第二子像素区域，发射第二颜色的光；以及第三子像素区域，发射第三颜色的光。
21.根据实施方式，显示装置还可以包括：第一波长转换图案，设置在第一子像素区域中；第二波长转换图案，设置在第二子像素区域中；以及光透射图案，设置在第三子像素区域中，发光元件中的至少第一部分可以与第一子像素区域重叠，发光元件中的第二部分可以与第二子像素区域重叠，发光元件中的第三部分可以与第三子像素区域重叠，以及发光元件可以发射第三颜色的光。
22.根据实施方式，显示装置还可以包括：第一栅电极，设置在衬底和保护层之间，并且包括在平面图中与贯通孔重叠的至少一部分。
23.根据实施方式，第一栅电极可以包括钼(mo)。
24.根据实施方式，显示装置还可以包括：栅极绝缘层，设置在第一栅电极上；以及第二栅电极，设置在栅极绝缘层上，并且贯通孔在平面图中可以与第一栅电极和第二栅电极重叠。
25.根据实施方式，贯通孔在平面图中可以沿着第一栅电极设置成多个。
26.根据实施方式，显示装置还可以包括分别发射不同颜色的光的子像素区域，贯通孔中的每个在平面图中可以设置在与第一栅电极的至少一部分重叠的第一贯通区域和第二贯通区域中，第一贯通区域可以设置于在第一方向上相邻的子像素区域之间，以及第二贯通区域可以设置于在与第一方向相交的第二方向上相邻的子像素区域之间。
27.根据实施方式，显示装置可以包括：保护层，设置在衬底上；第一电极，设置在保护层上；发光元件，电连接到第一电极；以及反射图案，设置在保护层上并且包括反射材料，以及其上可设置有发光元件的表面和反射图案的上表面可以在相同的高度处。
28.根据实施方式，显示装置还可以包括设置在第一电极和发光元件之间的连接电极，以及反射图案的上表面和衬底之间的距离可以等于连接电极的上表面和衬底之间的距离。
29.根据实施方式，氧化物层可以设置在反射图案的外表面上，以及氧化物层可以防止第一电极和反射图案之间的短路。
30.根据实施方式，制造显示装置的方法可以包括：在衬底上设置背板线；形成与背板线重叠的保护层；在保护层上形成包括反射材料的反射图案；在保护层上形成绝缘层，并且在绝缘层上设置第一电极；在第一电极上设置连接电极；以及在连接电极上设置发光元件，
并且形成反射图案可以包括：形成在平面图中与背板线重叠的反射图案。
31.根据实施方式，形成反射图案可以包括：将反射图案设置在与背板线重叠的区域中。
32.根据实施方式，形成反射图案可以包括：在不设置反射图案的区域中以孔形状形成贯通孔，以及贯通孔在平面图中可以不与背板线重叠。
33.根据实施方式，在连接电极上设置发光元件可以包括：在连接电极和发光元件之间提供热量；以及电连接连接电极与发光元件。
34.根据实施方式，提供热量可以包括：在连接电极和发光元件之间提供激光。
35.根据实施方式，激光可以具有在约800nm至约1000nm的范围内的波长带。
36.本公开内容的目的的解决方式不限于以上描述的解决方式，并且本领域技术人员将从说明书和附图清楚地理解未描述的解决方式。
37.根据本公开的实施方式，可以提供一种显示装置及其制造方法，其中通过提供与线重叠的反射图案，在制造工艺期间防止对线和中间层(通孔层等)造成损坏。
38.根据实施方式，可以提供一种显示装置及其制造方法，其中改善发光元件的对准。
39.本公开的效果不限于以上描述的效果，并且本领域技术人员将从说明书和附图清楚地理解未描述的效果。
附图说明
40.通过参考附图更详细地描述本公开的实施方式，本公开的以上和其它特征将变得更加显而易见，在附图中：
41.图1是示意性地示出根据实施方式的显示装置的示意性平面图；
42.图2是根据实施方式的包括在像素中的像素电路的等效电路的示意图；
43.图3是示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图；
44.图4是示意性地示出根据实施方式的像素的结构的示意性平面图；
45.图5是示意性地示出根据实施方式的像素的结构的示意性剖视图；
46.图6是示出根据实施方式的像素的示意性剖视图；
47.图7是示出根据实施方式的像素的示意性平面图，并且是基于第一栅电极和第二栅电极的平面图；
48.图8是示意性地示出根据实施方式的像素的示意性平面图；
49.图9是示意性地示出根据实施方式的像素的示意性剖视图；
50.图10是示意性地示出根据实施方式的像素的示意性剖视图；
51.图11至图14是示出根据实施方式的制造显示装置的方法的针对每个工艺步骤的示意性剖视图；以及
52.图15至图18是示出应用根据实施方式的显示装置的示例的图。
具体实施方式
53.由于在说明书中描述的实施方式用于向本公开所属领域的技术人员清楚地描述本公开的精神和范围，因此本公开不受所描述的实施方式的限制，并且本公开的范围应被解释为包括包含在本公开的精神和范围内的修改或变化。
54.附图旨在容易地描述本公开。由于附图中所示的一个或多个形状可以根据需要被放大和示出以帮助理解本公开，因此本公开不受附图和/或附图中所示的一个或多个形状的限制。
55.例如，在附图中，为了便于描述和为了清楚，可以夸大元件的大小、厚度、比例和尺寸。相同的附图标记通篇表示相同的元件。
56.如本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
57.在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“a和/或b”可以理解为意指“a、b、或a和b”。术语“和”和“或”可以以连接词或反意连接词的含义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
58.在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语
“…
中的至少一个”旨在包括“选自
…
组中的至少一个”的含义。例如，“a和b中的至少一个”可以理解为意指“a、b、或a和b”。
59.将理解的是，尽管在本文中可以使用术语第一、第二等来描述各种元件，但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不背离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
60.为便于描述，在本文中可以使用“下方”、“下面”、“下”、“上方”、“上”等空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件之间的关系。将理解，除了在图中描绘的取向之外，空间相对术语旨在包括装置在使用或操作中的不同取向。例如，在图中所示的装置被翻转的情况下，定位在另一装置“下方”或“下面”的装置可以放置于另一装置“上方”。因此，说明性术语“下方”可以包括下位置和上位置两者。装置也可以在其它方向上取向，并且因此可以根据取向而不同地解释空间相对术语。
61.术语“重叠”或“重叠的”意指第一对象可以在第二对象的上方或下方，或者在第二对象的一侧，并且意指第二对象可以在第一对象的上方或下方，或者在第一对象的一侧。另外，术语“重叠”可以包括层、叠层、面对或面向、延伸遍及、覆盖或部分地覆盖、或如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
62.在元件被描述为“不与”另一元件“重叠”或
“…
成不与”另一元件“重叠”的情况下，这可以包括元件彼此间隔开、彼此偏移、或设定在彼此旁边、或者包括如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
63.术语“面对”和“面向”意指第一元件可以直接或间接地与第二元件相对。在第三元件插置于第一元件与第二元件之间的情况下，第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接相对，但仍彼此面对。
64.术语“包含”、“包含有”、“包括”和/或“包括有”、“具有(has)”、“具有(have)”和/或“具有(having)”及其变形在本说明书中使用的情况下指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。
65.短语“在平面图中”意指从顶部观察对象，并且短语“在示意性剖视图中”意指从侧面观察垂直切割的对象的剖面。
66.如本文中所使用的“约”或“近似”包括所述值和在由本领域普通技术人员考虑所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或在所述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。
67.除非在本文中另有限定或暗示，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还应理解，术语，诸如在常用词典中限定的术语，应被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且不应被解释为理想的或过于形式的含义，除非在本文中明确地如此限定。
68.将理解的是，在元件(诸如区域、层、部分等)在说明书中被称为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“联接到”另一元件的情况下，其可以直接设置在以上提及的另一元件上、直接连接到以上提及的另一元件或直接联接到以上提及的另一元件，或者中间元件可以设置在它们之间。
69.将理解的是，术语“连接到”或“联接到”可以包括物理或电连接、或者物理或电联接。
70.在本说明书中，当确定与本公开相关的配置或功能的详细描述可能使本公开的主题模糊时，可以根据需要省略其详细描述。
71.本公开涉及显示装置及其制造方法。在下文中，参考图1至图18描述根据实施方式的显示装置及其制造方法。
72.图1是示意性地示出根据实施方式的显示装置的示意性平面图。
73.根据实施方式的显示装置dd可以发光。参考图1，显示装置dd可以包括衬底sub和设置在衬底sub上的像素pxl。尽管图中未示出，但是显示装置dd还可以包括用于驱动像素pxl的驱动电路单元(例如，扫描驱动器和数据驱动器)、线和焊盘。
74.根据示例，像素pxl可以包括第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3。
75.显示装置dd可以包括显示区域da和非显示区域nda。非显示区域nda可以意指除了显示区域da之外的区域。非显示区域nda可以围绕显示区域da的至少一部分，或者可以与显示区域da相邻。
76.衬底sub可以形成显示装置dd的基础构件。衬底sub可以是刚性衬底或膜、或者柔性衬底或膜，但不限于特定示例或所描述的示例。
77.显示区域da可以意指其中设置有像素pxl的区域。非显示区域nda可以意指其中不设置有像素pxl的区域。在非显示区域nda中，可以设置与显示区域da中的像素pxl连接的驱动电路单元、线和焊盘。
78.根据示例，像素pxl可以根据条纹或布置结构进行布置或设置，但是本公开不限于此，并且可以应用各种实施方式。
79.根据实施方式，包括子像素(参考图5的“spxl”)的像素pxl可以设置在显示区域da中。例如，在显示区域da中，可以布置或设置发射第一颜色的光的第一子像素spxl1、发射第二颜色的光的第二子像素spxl2、以及发射第三颜色的光的第三子像素spxl3，并且第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3中的至少一个可以形成能够发射各种颜色的光的一个像素单元。
80.例如，第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3中的每个可以是发射一颜色的光的子像素。例如，第一子像素spxl1可以是发射红色(例如，第一颜色)光的红色像素，第二子像素spxl2可以是发射绿色(例如，第二颜色)光的绿色像素，并且第三子像素spxl3可以是发射蓝色(例如，第三颜色)光的蓝色像素。然而，形成每个像素单元的像素pxl的颜色、类型、数量等不限于特定示例或所描述的示例。
81.在下文中，为了便于描述，描述了像素pxl可以包括第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3的实施方式。在说明书中限定的子像素spxl可以是第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3中的任何一个。
82.图2是根据实施方式的包括在像素中的像素电路的等效电路的示意图。
83.图2示出了包括在应用于作为实施方式之一的有源显示装置dd的子像素spxl中的部件之间的电连接关系。然而，可向其应用本公开的实施方式的子像素spxl中所包括的部件的类型不限于此。
84.参考图2，子像素spxl可以包括发光元件ld和像素电路pxc。
85.发光元件ld可以连接在第一电力线vdd和第二电力线vss之间。发光元件ld的一个端部分(例如，p型半导体)可以经由第一电极elt1和像素电路pxc连接到第一电力线vdd，并且发光元件ld的另一端部分(例如，n型半导体)可以经由第二电极elt2连接到第二电力线vss。
86.根据实施方式，在通过像素电路pxc提供驱动电流的情况下，发光元件ld可以发射与驱动电流对应的亮度的光。
87.根据实施方式，发光元件ld可以在第一电力线vdd和第二电力线vss之间通过各种连接结构彼此连接。例如，发光元件ld可以仅与彼此并联连接、或者可以仅与彼此串联连接。通过示例的方式，发光元件ld可以以串联/并联混合结构连接。
88.第一电力线vdd和第二电力线vss可以具有不同的电势，使得发光元件ld可以发光。第一电力线vdd和第二电力线vss可以具有在子像素spxl的发射周期期间可发射光的电平的电势差。例如，第一电力线vdd可以设定为比第二电力线vss的电势高的电势。
89.像素电路pxc可以连接在第一电力线vdd和发光元件ld之间。像素电路pxc可以包括第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3和存储电容器cst。
90.根据实施方式，第一晶体管t1的一个电极可以连接到第一电力线vdd，并且另一电极可以连接到发光元件ld的一个电极(例如，阳极电极)。第一晶体管t1的栅电极可以连接到第一节点n1。第一晶体管t1可以响应于通过第一节点n1施加的电压来控制流过发光元件ld的电流。
91.根据实施方式，第二晶体管t2的一个电极可以连接到数据线dl，并且另一电极可以连接到第一节点n1。第二晶体管t2的栅电极可以连接到扫描线sl。在从扫描线sl提供扫描信号的情况下，第二晶体管t2可以被导通，并且此时，第二晶体管t2可以将从数据线dl提供的数据信号传输到第一节点n1。
92.根据实施方式，第三晶体管t3的一个电极可以连接到感测线senl，并且另一电极可以连接到第二节点n2。第三晶体管t3的栅电极可以连接到感测信号线sel。在第三晶体管t3响应于从感测信号线sel提供的感测信号而导通的情况下，可以通过感测线senl向第二节点n2提供参考电压。
93.根据实施方式，参考电压可以将第一晶体管t1的与发光元件ld连接的电极(例如，第一晶体管t1的源电极)的电压设定或初始化为恒定值。根据示例，参考电压可以设定为小于或等于第二电力线vss的电压。
94.根据实施方式，在第三晶体管t3响应于从感测信号线sel提供的感测信号而导通的情况下，第三晶体管t3可以向感测线senl传输感测电流。
95.根据实施方式，可以使用感测电流来计算第一晶体管t1的迁移率和阈值电压的变化量。
96.存储电容器cst可以连接在第一节点n1(或第一晶体管t1的栅电极)和第二节点n2(或第一晶体管t1的另一电极)之间。存储电容器cst可以存储与第一节点n1的电压和第二节点n2的电压之间的差相关的信息。
97.像素电路pxc的结构不限于图2中所示的结构，并且可以实施各种类型的结构。在图2中，示出了基于n型晶体管的第一晶体管t1至第三晶体管t3，但是本公开不限于此，并且第一晶体管t1至第三晶体管t3可以是p型晶体管。
98.在下文中，将参考图3至图5更详细地描述形成像素pxl的子像素spxl的结构。简要描述或省略可与以上描述的内容重复的内容。
99.图3是示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。
100.参考图3，显示装置dd可以包括衬底sub、像素电路部分pcl、显示元件部分dpl和光控制部分lcp。
101.根据示例，衬底sub、像素电路部分pcl、显示元件部分dpl和光控制部分lcp可以根据显示装置dd的显示方向(例如，第三方向dr3)彼此顺序地堆叠。这里，显示方向可以意指衬底sub的厚度方向。
102.衬底sub可以形成显示装置dd的基础表面。显示装置dd的单独配置可以设置在衬底sub上。
103.像素电路部分pcl可以设置在衬底sub上。像素电路部分pcl可以包括像素电路pxc以驱动像素pxl。
104.显示元件部分dpl可以设置在像素电路部分pcl上。显示元件部分dpl可以基于从像素电路部分pcl提供的电信号来发光。显示元件部分dpl可以包括能够发光的发光元件(参考图4的“ld”)。从显示元件部分dpl发射的光可以穿过光控制部分lcp并且可以被提供到外部。
105.光控制部分lcp可以设置在显示元件部分dpl上。光控制部分lcp可以设置在发光元件ld上。光控制部分lcp可以改变从显示元件部分dpl(或发光元件ld)提供的光的波长。根据示例，如图5中所示，光控制部分lcp可以包括颜色转换部分ccl和滤色器部分cfl，颜色转换部分ccl用于改变光的波长，滤色器部分cfl透射特定或给定波长的光。
106.在下文中，参考图4和图5更详细地描述包括在像素pxl中的子像素spxl的结构。简要描述或省略可与以上描述的内容重复的内容。
107.参考图4，基于平面图描述根据实施方式的像素pxl中包括的子像素spxl。
108.图4是示意性地示出根据实施方式的像素的结构的示意性平面图。
109.参考图4，像素pxl可以包括发射区域ema和非发射区域nea。
110.发射区域ema可以意指从其中发射光的区域，并且非发射区域nea可以意指不从其
中发射光的区域。发射区域ema和非发射区域nea可以由光阻挡层(参考图5的“lbl”)限定。稍后参考图5描述其细节。
111.根据实施方式，第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3可以设置成彼此间隔开。根据示例，第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3可以在第二方向dr2上延伸，并且可以在第一方向dr1上彼此间隔开。
112.可以提供发光元件ld并且可以将其设置(或布置)在发射区域ema中。例如，发光元件ld可以设置在第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3中。
113.根据实施方式，第一子像素区域spxa1可以意指第一子像素spxl1的发射区域ema。第二子像素区域spxa2可以意指第二子像素spxl2的发射区域ema。第三子像素区域spxa3可以意指第三子像素spxl3的发射区域ema。
114.根据实施方式，像素pxl可以包括反射图案rp。反射图案rp可以包括反射材料并且可以反射光。
115.反射图案rp可以设置在像素pxl的整个表面上。例如，反射图案rp的一部分可以设置在发射区域ema中，并且反射图案rp的另一部分可以设置在非发射区域nea中。
116.例如，反射图案rp可以设置在第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3中的每个中，并且也可以设置在第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3的外部。
117.参考图5，基于示意性剖视图来描述根据实施方式的像素pxl中包括的子像素spxl。
118.图5是示意性地示出根据实施方式的像素的结构的示意性剖视图。图5示出了第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3。在图5中，示出了在第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3中的每个中设置第一晶体管t1的实施方式。
119.像素电路部分pcl可以设置在衬底sub上。像素电路部分pcl可以包括缓冲层bfl、第一晶体管t1、第一栅极绝缘层gi1、第二栅电极ge2、第二栅极绝缘层gi2、第一层间绝缘层ild1、第二层间绝缘层ild2、桥接图案brp、背板线100、保护层psv、以及接触部分cnt的一部分。
120.根据示例，可以在第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3中的每个中限定像素电路部分pcl的单独配置。
121.缓冲层bfl可以设置在衬底sub上。缓冲层bfl可以防止杂质从外部扩散。缓冲层bfl可以包括诸如硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)和铝氧化物(alo
x
)的金属氧化物中的至少一种。
122.第一晶体管t1可以是薄膜晶体管。根据实施方式，第一晶体管t1可以是驱动晶体管。
123.根据实施方式，第一晶体管t1可以电连接到发光元件ld。例如，第一子像素spxl1的第一晶体管t1可以电连接到设置在第一子像素区域spxa1中的发光元件ld。第二子像素spxl2的第一晶体管t1可以电连接到设置在第二子像素区域spxa2中的发光元件ld。第三子像素spxl3的第一晶体管t1可以电连接到设置在第三子像素区域spxa3中的发光元件ld。
124.根据实施方式，第一晶体管t1可以包括有源层act、第一晶体管电极te1、第二晶体管电极te2和第一栅电极ge1。
125.有源层act可以意指半导体层。有源层act可以设置在缓冲层bfl上。有源层act可以包括多晶硅、非晶硅、低温多晶硅(ltps)和氧化物半导体中的至少一种。
126.根据实施方式，有源层act可以包括与第一晶体管电极te1接触的第一接触区域和与第二晶体管电极te2接触的第二接触区域。第一接触区域和第二接触区域可以是掺杂有杂质的半导体图案。第一接触区域和第二接触区域之间的区域可以是沟道区域。沟道区域可以是未掺杂杂质的本征半导体图案。
127.第一栅电极ge1可以设置在第一栅极绝缘层gi1上。第一栅电极ge1的位置可以对应于有源层act的沟道区域的位置。例如，第一栅电极ge1可以设置在有源层act的沟道区域上，且第一栅极绝缘层gi1插置在其间。
128.第一栅极绝缘层gi1可以设置在有源层act上。第一栅极绝缘层gi1可以包括无机材料。根据示例，第一栅极绝缘层gi1可以包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)和铝氧化物(alo
x
)中的至少一种。根据实施方式，第一栅极绝缘层gi1可以包括有机材料。
129.第二栅极绝缘层gi2可以设置在第一栅极绝缘层gi1上以覆盖第一栅电极ge1。第二栅极绝缘层gi2可以包括无机材料。根据示例，第二栅极绝缘层gi2可以包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)和铝氧化物(alo
x
)中的至少一种。根据实施方式，第二栅极绝缘层gi2可以包括有机材料。
130.第二栅电极ge2可以设置在第二栅极绝缘层gi2上。第二栅电极ge2可以与第一栅电极ge1重叠，且第二栅极绝缘层gi2插置在其间。
131.根据实施方式，第一栅电极ge1和第二栅电极ge2可以包括导电材料。例如，第一栅电极ge1和第二栅电极ge2可以包括铝(al)、铜(cu)、钛(ti)和钼(mo)中的任何一种。
132.根据实施方式，第一栅电极ge1和第二栅电极ge2可以包括耐温度的导电材料。例如，在有源层act设置为ltps的情况下，在执行设置第一栅电极ge1和第二栅电极ge2的工艺的情况下，环境温度可能是高的。因此，要求第一栅电极ge1和第二栅电极ge2包括耐温度的材料，从而降低了由于温度引起的影响。根据示例，为了减小由于温度引起的影响，第一栅电极ge1和第二栅电极ge2可以包括钼(mo)。
133.第一层间绝缘层ild1可以定位在第二栅电极ge2上。类似于第一栅极绝缘层gi1，第一层间绝缘层ild1可以包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)和铝氧化物(alo
x
)中的至少一种。
134.第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2可以定位在第一层间绝缘层ild1上。第一晶体管电极te1可以穿过第一栅极绝缘层gi1、第二栅极绝缘层gi2和第一层间绝缘层ild1，并且可以与有源层act的第一接触区域接触，并且第二晶体管电极te2可以穿过第一栅极绝缘层gi1、第二栅极绝缘层gi2和第一层间绝缘层ild1，并且可以与有源层act的第二接触区域接触。根据示例，第一晶体管电极te1可以是漏电极，并且第二晶体管电极te2可以是源电极，但本公开不限于此。
135.第二层间绝缘层ild2可以定位在第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2上。类似于第一层间绝缘层ild1，第二层间绝缘层ild2可以包括无机材料。无机材料可以包括例如像第一层间绝缘层ild1和第一栅极绝缘层gi1的配置材料一样的材料中的至少一种，例如硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)和铝氧化物(alo
x
)。
136.桥接图案brp可以设置在第二层间绝缘层ild2上。桥接图案brp可以通过穿过第二层间绝缘层ild2的接触孔连接到第一晶体管电极te1。根据示例，桥接图案brp可以包括导电材料。
137.背板线100可以设置在衬底sub上。背板线100可以设置在第二层间绝缘层ild2上。背板线100可以是提供给像素pxl的电信号移动通过的路径。
138.背板线100可以包括导电材料。根据示例，背板线100可以由选自由铜(cu)、钼(mo)、钨(w)、铝钕(alnd)、钛(ti)、铝(al)、银(ag)及其合金单独构成或由其混合物构成的组的单层形成，或者可以由钼(mo)、钛(ti)、铜(cu)、铝(al)或银(ag)(其是低电阻材料以降低线电阻)的双层结构(或多层结构)形成。
139.在像素电路部分pcl中移动的电信号可以移动通过背板线100。根据示例，提供给子像素spxl的扫描信号、数据信号和/或电力可以移动通过背板线100。提供给发光元件ld的阴极信号可以移动通过背板线100。
140.根据实施方式，背板线100可以在与桥接图案brp相同的工艺中形成，并且可以包括与桥接图案brp相同的材料或类似的材料。
141.根据实施方式，背板线100在平面图中可以与反射图案rp重叠。稍后参考图6描述其细节。
142.保护层psv可以定位在第二层间绝缘层ild2上。保护层psv可以是通孔层。保护层psv可以覆盖桥接图案brp和背板线100或与之重叠。
143.保护层psv可以设置成包括有机绝缘层、无机绝缘层或设置在无机绝缘层上的有机绝缘层的形式，但不限于此。根据实施方式，可以在保护层psv中形成接触部分cnt的与桥接图案brp的一个区域连接的至少一部分。
144.接触部分cnt可以通过保护层psv和第一绝缘层ins1形成。因此，设置在第一绝缘层ins1上的第一电极elt1可以通过接触部分cnt电连接到桥接图案brp。
145.显示元件部分dpl可以设置在像素电路部分pcl上。显示元件部分dpl可以包括反射图案rp、第一绝缘层ins1、接触部分cnt的至少一部分、第一电极elt1、连接电极col、发光元件ld和第二电极elt2。
146.根据示例，可以在第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3中的每个中限定显示元件部分dpl的单独配置。在下文中，为了便于描述，对在第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3中的每个中限定的显示元件部分dpl的单独配置进行了包括性描述。
147.反射图案rp可以设置在显示元件部分dpl中。反射图案rp可以设置在保护层psv上。反射图案rp可以插置在保护层psv和第一绝缘层ins1之间。反射图案rp可以被第一绝缘层ins1覆盖或与第一绝缘层ins1重叠。
148.根据实施方式，反射图案rp可以包括反射材料。反射图案rp可以包括不透明的金属。例如，反射图案rp可以包括铝(al)、钼(mo)、铜(cu)、银(ag)、镁(mg)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钛(ti)及其合金中的至少一种。
149.根据实施方式，反射图案rp可以具有一定厚度以具有反射特性。所述厚度可以是适于反射用于将发光元件ld接合到连接电极col的激光(参考图14的“500”)的厚度。根据示例，厚度可以是约或更大。
150.根据实施方式，尽管未在单独的附图中示出，但是反射图案rp可以电连接到第二电极elt2以提供阴极信号。因此，反射图案rp可以防止提供给发光元件ld的电信号的失真。
151.根据实施方式，在平面图中，反射图案rp的至少一部分可以与背板线100重叠。因此，在显示装置dd的制造工艺中，在照射用于将发光元件ld接合到连接电极col的激光500的情况下，可以防止背板线100被所照射的激光500影响。稍后参考图14描述其细节。
152.第一绝缘层ins1可以设置在保护层psv上。第一绝缘层ins1可以覆盖反射图案rp或与反射图案rp重叠。第一绝缘层ins1的至少一部分可以插置在第一电极elt1和反射图案rp之间，以稳定电连接。
153.根据实施方式，第一绝缘层ins1可以包括硅氧化物(sio
x
)、硅氮化物(sin
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)、铝氧化物(alo
x
)和钛氧化物(tio
x
)中的至少一种绝缘材料，并且可以由单层或多层形成。
154.根据实施方式，接触部分cnt可以穿过第一绝缘层ins1的一部分。
155.第一电极elt1可以设置在第一绝缘层ins1上。第一电极elt1可以插置在连接电极col和第一绝缘层ins1之间。
156.根据实施方式，第一电极elt1可以包括导电材料。例如，第一电极elt1可以包括铝(al)、钼(mo)、铜(cu)、银(ag)、镁(mg)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钛(ti)及其合金中的至少一种。然而，第一电极elt1不限于以上描述的示例。
157.根据实施方式，第一电极elt1可以电连接到桥接图案brp。例如，第一电极elt1可以通过穿过第一绝缘层ins1和保护层psv的接触部分cnt电连接到桥接图案brp。
158.根据实施方式，第一电极elt1可以向发光元件ld提供电信号。第一电极elt1可以电连接到第二半导体层13。例如，第一电极elt1可以向发光元件ld提供从第一晶体管t1提供的阳极信号。
159.连接电极col可以设置在第一电极elt1上。连接电极col可以插置在发光元件ld和第一电极elt1之间。
160.根据实施方式，连接电极col可以连接或联接到发光元件ld。例如，连接电极col的一个表面或一表面可以连接到发光元件ld，并且连接电极col的另一表面可以连接到第一电极elt1。
161.根据实施方式，连接电极col可以包括导电材料以电连接第一电极elt1和发光元件ld。
162.根据实施方式，连接电极col可以是接合结合到另一部件的接合金属。例如，在发光元件ld设置在连接电极col上之后，可以向连接电极col和发光元件ld之间的区域施加热量(例如，可以照射激光500)，以结合连接电极col和发光元件ld。
163.发光元件ld可以设置在连接电极col上并且发光。发光元件ld可以定位在第一电极elt1和第二电极elt2之间。
164.根据实施方式，发光元件ld可以包括在第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3中的每个中。多个发光元件ld可以设置在第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3中的每个中。然而，在图5中，为了便于描述，在第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3中的每个中设置一个发光元件ld。
165.根据实施方式，发光元件ld可以设置成沿着一个方向或一方向延伸的基本上柱形形状。发光元件ld可以具有第一端部分ep1和第二端部分ep2。第一半导体层11可以与发光元件ld的第一端部分ep1相邻。第二半导体层13可以与发光元件ld的第二端部分ep2相邻。
166.根据实施方式，在本公开的精神和范围内，发光元件ld可以是通过蚀刻方法等制造成柱形形状的发光元件。在本说明书中，术语“柱形形状”包括在长度方向上长(例如，纵横比大于1)的杆状形状或条状形状，诸如圆形柱或多边形柱，并且剖面的形状没有特别限制。例如，发光元件ld的长度可以大于其直径(或剖面的宽度)。在说明书中描述的形状也基本上包括所描述的形状。
167.根据实施方式，发光元件ld可以具有小至纳级至微级(纳米级至微米级)的尺寸。例如，发光元件ld中的每个可以具有纳级至微级范围的直径(或宽度)和/或长度。然而，发光元件ld的尺寸不限于此。
168.根据实施方式，发光元件ld可以包括第一半导体层11、第二半导体层13、以及插置在第一半导体层11和第二半导体层13之间的有源层12。
169.第一半导体层11可以是第一导电类型半导体层。例如，第一半导体层11可以包括n型半导体层。例如，第一半导体层11可以包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的任何一种半导体材料，并且可以包括掺杂有第一导电类型掺杂剂(诸如，si、ge和sn)的n型半导体层。然而，形成第一半导体层11的材料不限于此。
170.有源层12可以设置在第一半导体层11上，并且可以形成为单量子阱结构或多量子阱结构。例如，在有源层12形成为多量子阱结构的情况下，在有源层12中，阻挡层、应变增强层和阱层可以周期性地彼此重复堆叠为一个单元。应变增强层可以具有比阻挡层的晶格常数小的晶格常数，并且因此可以进一步增强施加到阱层的应变，例如压缩应变。然而，有源层12的结构不限于以上描述的实施方式。
171.根据实施方式，有源层12可以发射具有在约400nm至约900nm的范围内的波长的光。根据示例，有源层12可以包括诸如algan和inalgan的材料，但不限于以上描述的示例。
172.第二半导体层13可以设置在有源层12上，并且可以包括与第一半导体层11的类型不同的类型的半导体层。例如，第二半导体层13可以包括p型半导体层。例如，第二半导体层13可以包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种半导体材料，并且可以包括掺杂有诸如mg的第二导电类型掺杂剂的p型半导体层。然而，形成第二半导体层13的材料不限于此，并且各种其它材料可以形成第二半导体层13。
173.在大于或等于阈值电压的电压被施加到发光元件ld的两端的情况下，电子-空穴对在有源层12中复合，并且因此发光元件ld发光。通过使用该原理控制发光元件ld的发光，发光元件ld可以用作各种发光装置(包括显示装置的像素)的光源。
174.根据实施方式，发光元件ld还可以包括绝缘膜inf。绝缘膜inf可以设置在发光元件ld的外表面上，以稳定电连接。
175.根据示例，绝缘膜inf可以包括无机材料。例如，通过包括在硅氧化物(sio
x
)、硅氮化物(sin
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)、铝氧化物(alo
x
)和钛氧化物(tio
x
)中的至少一种绝缘材料，绝缘膜inf可以是单层或多层。
176.尽管示出了第一半导体层11和第二半导体层13中的每个可以形成为一个层或一层，但是本公开不限于此。在实施方式中，根据有源层12的材料，第一半导体层11和第二半
导体层13中的每个还可以包括一个或多个层，例如包覆层和/或拉伸应变势垒减小(tsbr)层。tsbr层可以是设置在具有不同晶格结构的半导体层之间的应变减缓层，以用作缓冲器来减小晶格常数差。tsbr层可以是p型半导体层，诸如p-gainp、p-alinp或p-algainp，但本公开不限于此。
177.根据实施方式，除了以上描述的配置之外，每个发光元件ld还可以包括设置在第一半导体层11上的第一接触电极和/或设置在第二半导体层13上的第二接触电极。
178.根据实施方式，发光元件ld可以电连接到第一电极elt1和第二电极elt2。因此，发光元件ld可以基于从第一电极elt1提供的第一电信号(例如，阳极信号)和从第二电极elt2提供的第二电信号(例如，阴极信号)来发光。
179.第二绝缘层ins2可以设置在第一绝缘层ins1上。第二绝缘层ins2可以覆盖连接电极col和第一电极elt1的至少一部分或与之重叠。根据示例，第二绝缘层ins2可以包括参考第一绝缘层ins1列出的无机材料中的任何一种。
180.根据实施方式，第二绝缘层ins2可以设置在发光元件ld之间。第二绝缘层ins2可以定位在发光元件ld之间以覆盖发光元件ld的外表面或与之重叠。根据示例，第二绝缘层ins2可以用作平坦化层，以减缓设置在显示元件部分dpl中的配置之间的台阶差。
181.第二电极elt2可以设置在第二绝缘层ins2和发光元件ld上。第二电极elt2可以设置成与第一半导体层11相邻。
182.根据实施方式，第二电极elt2可以包括导电材料。第二电极elt2可以包括透明导电材料。例如，第二电极elt2可以包括导电氧化物(诸如，氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟镓锌(igzo)和氧化铟锡锌(itzo))和导电聚合物(诸如，pedot(聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)))中的任何一种。
183.根据实施方式，第二电极elt2可以电连接到发光元件ld。尽管图中未示出，但是第二电极elt2可以电连接到提供阴极信号的另一个线。
184.根据实施方式，第二电极elt2可以向发光元件ld提供电信号。第二电极elt2可以电连接到第一半导体层11。例如，第二电极elt2可以向发光元件ld提供从另一个线提供的阴极信号。
185.光控制部分lcp可以设置在显示元件部分dpl上。光控制部分lcp可以改变从显示元件部分dpl提供的光的波长。光控制部分lcp可以包括颜色转换部分ccl和滤色器部分cfl。
186.根据实施方式，设置在第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3中的每个中的发光元件ld可以发射相同颜色的光。
187.例如，第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3可以包括发光元件ld，其发射第三颜色的光，例如蓝光。光控制部分lcp可以设置在第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3上，以显示全色图像。然而，本公开不限于此，并且第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3可以包括发射不同颜色的光的发光元件ld。
188.颜色转换部分ccl可以限定第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3。根据实施方式，颜色转换部分ccl可以包括具有第一波长转换图案wcp1和第二波长转换图案wcp2的波长转换图案wcp、光透射图案ltp和光阻挡层lbl。
189.第一钝化层pss1可以设置在显示元件部分dpl与光阻挡层lbl或波长转换图案wcp
或光透射图案ltp之间。第一钝化层pss1可以密封波长转换图案wcp和光透射图案ltp(或者覆盖波长转换图案wcp和光透射图案ltp或与之重叠)。第一钝化层pss1可以包括参考第一绝缘层ins1列出的材料中的任何一种，但不限于特定示例或所描述的示例。
190.尽管图中未示出，但是在第一钝化层pss1和第二电极elt2之间可以插置有粘合剂层。粘合剂层可以结合第一钝化层pss1和第二电极elt2。粘合剂层可以包括任何粘合剂材料，并且不限于特定示例或所描述的示例。
191.第一波长转换图案wcp1可以设置成与第一子像素spxl1的发射区域ema(例如，第一子像素区域spxa1)重叠。
192.例如，第一波长转换图案wcp1可以设置在由光阻挡层lbl限定的空间中，并且在平面图中可以与第一子像素区域spxa1重叠。例如，光阻挡层lbl可以包括壁或堤，并且第一波长转换图案wcp1可以设置在设置于与第一子像素spxl1对应的区域中的壁之间的空间中。
193.第二波长转换图案wcp2可以设置成与第二子像素spxl2的发射区域ema(例如，第二子像素区域spxa2)重叠。
194.例如，第二波长转换图案wcp2可以设置在由光阻挡层lbl限定的空间中，并且在平面图中可以与第二子像素区域spxa2重叠。例如，光阻挡层lbl可以包括壁，并且第二波长转换图案wcp2可以设置在设置于与第二子像素spxl2对应的区域中的壁之间的空间中。
195.光透射图案ltp可以设置成与第三子像素spxl3的发射区域ema(例如，第三子像素区域spxa3)重叠。
196.例如，光透射图案ltp可以设置在由光阻挡层lbl限定的空间中，并且在平面图中可以与第三子像素区域spxa3重叠。例如，光阻挡层lbl可以包括壁，并且光透射图案ltp可以设置在设置于与第三子像素spxl3对应的区域中的壁之间的空间中。
197.根据实施方式，第一波长转换图案wcp1可以包括第一颜色转换颗粒，其将从发光元件ld发射的第三颜色的光转换成第一颜色的光。例如，在发光元件ld是发射蓝光的蓝光发射元件并且第一子像素spxl1是红色像素的情况下，第一波长转换图案wcp1可以包括将从蓝光发射元件发射的蓝光转换成红光的第一量子点。
198.例如，第一波长转换图案wcp1可以包括分散在诸如基础树脂的基质材料中的第一量子点。第一量子点可以吸收蓝光，并且根据能量转换变换波长以发射红光。在第一子像素spxl1是不同颜色的像素的情况下，第一波长转换图案wcp1可以包括与第一子像素spxl1的颜色对应的第一量子点。
199.根据实施方式，第二波长转换图案wcp2可以包括第二颜色转换颗粒，其将从发光元件ld发射的第三颜色的光转换成第二颜色的光。例如，在发光元件ld是发射蓝光的蓝光发射元件并且第二子像素spxl2是绿色像素的情况下，第二波长转换图案wcp2可以包括将从蓝光发射元件发射的蓝光转换成绿光的第二量子点。
200.例如，第二波长转换图案wcp2可以包括分散在诸如基础树脂的基质材料中的第二量子点。第二量子点可以吸收蓝光，并且根据能量转换变换波长以发射绿光。在第二子像素spxl2是不同颜色的像素的情况下，第二波长转换图案wcp2可以包括与第二子像素spxl2的颜色对应的第二量子点。
201.第一量子点和第二量子点可以具有球状形状、棱锥形状、多臂或立方纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米片颗粒等的形状，但不限于此，并且第一量子点和第二量子点
的形状可以不同地改变。
202.在实施方式中，第一量子点和第二量子点的吸收系数可以通过向第一量子点和第二量子点中的每个注入在可见光区间中具有相对短波长的蓝光来增加。因此，最后，可以提高从第一子像素spxl1和第二子像素spxl2发射的光的效率，并且可以确保优异的颜色再现性。可以通过使用相同颜色的发光元件ld(例如，蓝光发射元件)形成第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3的像素单元，提高显示装置的制造效率。
203.根据实施方式，可以设置光透射图案ltp以有效地使用从发光元件ld发射的第三颜色的光。例如，在发光元件ld是发射蓝光的蓝光发射元件并且第三子像素spxl3是蓝色像素的情况下，光透射图案ltp可以包括至少一种类型的光散射颗粒，以便有效地使用从发光元件ld发射的光。
204.例如，光透射图案ltp可以包括分散在诸如基础树脂的基质材料中的光散射颗粒。例如，光透射图案ltp可以包括诸如二氧化硅的光散射颗粒，但是光散射颗粒的配置材料不限于此。光散射颗粒可以不设置在针对第三子像素spxl3限定的第三子像素区域spxa3中。例如，光散射颗粒可以选择性地包括在第一波长转换图案wcp1和/或第二波长转换图案wcp2中。
205.根据实施方式，光阻挡层lbl可以设置在显示元件部分dpl上。光阻挡层lbl可以设置在衬底sub上。光阻挡层lbl可以设置在第一钝化层pss1和第二钝化层pss2之间。光阻挡层lbl可以设置成在第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3之间的边界处围绕第一波长转换图案wcp1、第二波长转换图案wcp2和光透射图案ltp。
206.根据实施方式，光阻挡层lbl可以限定第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3的发射区域ema和非发射区域nea。包括在颜色转换部分ccl中的光阻挡层lbl可以限定第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3。
207.例如，在平面图中，光阻挡层lbl可以不与发射区域ema重叠。在平面图中，光阻挡层lbl可以与非发射区域nea重叠。
208.根据实施方式，其中不设置光阻挡层lbl的区域可以限定为第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3的发射区域ema。
209.根据实施方式，光阻挡层lbl可以由包括石墨、炭黑、黑色颜料和黑色染料中的至少一种的有机材料形成，或者可以由包括铬(cr)的金属材料形成，但不限于此，只要光阻挡层lbl的材料是能够阻挡光透射和吸收光的材料即可。
210.第二钝化层pss2可以设置在滤色器部分cfl与光阻挡层lbl或波长转换图案wcp或光透射图案ltp之间。第二钝化层pss2可以密封第一波长转换图案wcp1、第二波长转换图案wcp2和光透射图案ltp(或者覆盖第一波长转换图案wcp1、第二波长转换图案wcp2和光透射图案ltp或与之重叠)。第二钝化层pss2可以包括参考第一绝缘层ins1列出的材料中的任何一种，但不限于特定示例或所描述的示例。
211.滤色器部分cfl可以设置在颜色转换部分ccl上。滤色器部分cfl可以包括滤色器cf和平坦化层pla。这里，滤色器cf可以包括第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3。
212.滤色器cf可以设置在第二钝化层pss2上。在平面图中，滤色器cf可以与第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3的发射区域ema重叠。
213.例如，第一滤色器cf1可以设置在第一子像素区域spxa1中，第二滤色器cf2可以设置在第二子像素区域spxa2中，并且第三滤色器cf3可以设置在第三子像素区域spxa3中。
214.第一滤色器cf1可以透射第一颜色的光，并且可以不透射第二颜色的光和第三颜色的光。例如，第一滤色器cf1可以包括关于第一颜色的着色剂。
215.第二滤色器cf2可以透射第二颜色的光，并且可以不透射第一颜色的光和第三颜色的光。例如，第二滤色器cf2可以包括关于第二颜色的着色剂。
216.第三滤色器cf3可以透射第三颜色的光，并且可以不透射第一颜色的光和第二颜色的光。例如，第三滤色器cf3可以包括关于第三颜色的着色剂。
217.平坦化层pla可以设置在滤色器cf上。平坦化层pla可以覆盖滤色器cf或与滤色器cf重叠。平坦化层pla可以消除由滤色器cf生成的台阶差。
218.根据示例，平坦化层pla可以包括有机绝缘材料。然而，本公开不限于此，并且平坦化层pla可以包括参考第一绝缘层ins1列出的无机材料。
219.第一子像素spxl1、第二子像素spxl2和第三子像素spxl3的结构不限于以上参考图5描述的内容，并且可以适当地选择各种结构以提供根据实施方式的显示装置dd。例如，根据实施方式，显示装置dd还可以包括低折射率层以改善光效率。
220.在下文中，参考图6和图7更详细地描述根据实施方式的显示装置dd的结构。为了便于描述，简化或省略可与以上描述的内容重复的内容。
221.图6是示出根据实施方式的像素的示意性剖视图。
222.图7是示出根据实施方式的像素的示意性平面图，并且是基于第一栅电极和第二栅电极的平面图。
223.图6是示意性地示出与背板线100和反射图案rp相邻的层的图。
224.在图6中，简要地示出了包括在像素电路部分pcl中的层中的、设置在保护层psv下方或之下的层，并且设置在保护层psv下方或之下的层被包括并指定为下层200。例如，下层200可以包括设置在衬底sub上的缓冲层bfl、第一栅极绝缘层gi1、第二栅极绝缘层gi2、第一层间绝缘层ild1、第二层间绝缘层ild2、以及设置在每个层上的导电配置。
225.参考图6，背板线100可以设置在下层200上。
226.根据实施方式，背板线100在平面图中可以与反射图案rp重叠。例如，反射图案rp可以包括第一设置区域220和第二设置区域240。这里，反射图案rp在第一设置区域220中可以与背板线100或桥接图案brp重叠，并且在第二设置区域240中可以避免与背板线100或桥接图案brp重叠(或者可以不与之重叠)。
227.反射图案rp可以形成在保护层psv的整个表面上，并且可以不形成在与设置有接触部分cnt的区域相邻的区域中。例如，反射图案rp的至少一部分在平面图中可以具有围绕设置有接触部分cnt的区域的形状。
228.根据实施方式，为了进行将发光元件ld和连接电极col结合的工艺，详细地，施加热量以便在发光元件ld的一个表面或一表面和连接电极col之间形成接合结合。
229.例如，为了施加热量，可以在连接电极col上提供(或施加)激光500，并且激光500可以具有在约800nm至约1000nm的范围内的波长带，以便满足工艺条件。
230.此时，实验性地，提供在连接电极col上的激光500输出高能量，并且将热量施加到相邻区域。因此，存在像素电路部分pcl的单独配置(例如，背板线100)可能被损坏的风险。
231.然而，根据实施方式，反射图案rp可以减小激光照射工艺对像素电路部分pcl(例如，背板线100)的影响。例如，反射图案rp的至少一部分被形成为与背板线100重叠并且反射被照射的激光500，并且因此可以防止由于所照射的激光500而对背板线100造成缺陷。
232.反射图案rp的至少一部分可以彼此间隔开以形成(或限定)贯通孔ph。根据示例，第一绝缘层ins1可以填充在设置有贯通孔ph的区域中。
233.贯通孔ph可以意指通过不设置反射图案rp而提供的开口。在平面图中，贯通孔ph可以具有围绕反射图案rp的形状。根据示例，贯通孔ph在平面图中可以具有圆形形状。然而，本公开不限于此，并且贯通孔ph可以设置成诸如板形状的各种形状。
234.根据实施方式，在平面图中，贯通孔ph可以不与背板线100重叠。例如，可以设置多个贯通孔ph，并且多个贯通孔ph可以设置成不与背板线100重叠。
235.在图6中，贯通孔ph在平面图中与第一电极elt1重叠，但不限于此。根据实施方式，贯通孔ph也可以选择性地设置在不与第一电极elt1重叠的区域中。
236.贯通孔ph可以与第一栅电极ge1和/或第二栅电极ge2重叠。这将参考图7进行描述。在图7中，为了清楚地示出附图，没有单独标记贯通孔ph。
237.首先，第一栅电极ge1和第二栅电极ge2可以布置(或设置)成一形状。例如，在平面图中，第一栅电极ge1和第二栅电极ge2的一部分可以彼此重叠。
238.这里，第一栅电极ge1可以表示设置在与以上参考图5描述的第一栅电极ge1相同的层上的导电层。类似地，第二栅电极ge2可以表示设置在与以上参考图5描述的第二栅电极ge2相同的层上的导电层。
239.根据实施方式，在平面图中，贯通孔ph可以与第一栅电极ge1重叠。例如，贯通孔ph可以不与背板线100重叠，并且可以与第一栅电极ge1重叠。
240.根据实施方式，在平面图中，贯通孔ph可以与第二栅电极ge2重叠。例如，贯通孔ph可以不与背板线100重叠，并且可以与第二栅电极ge2重叠。
241.根据实施方式，贯通孔ph可以不与背板线100重叠，并且可以与第一栅电极ge1和第二栅电极ge2重叠。
242.根据实施方式，多个贯通孔ph在平面图中可以沿着第一栅电极ge1提供和设置。例如，多个贯通孔ph可以沿着形成第一栅电极ge1的路径并排布置或设置。
243.根据实施方式，多个贯通孔ph在平面图中可以沿着第二栅电极ge2提供和设置。例如，多个贯通孔ph可以沿着形成第二栅电极ge2的路径并排布置或设置。
244.根据实施方式，贯通孔ph可以设置在第一贯通区域520和/或第二贯通区域540中。
245.第一贯通区域520可以是在反射图案rp中设置贯通孔ph的区域，并且可以表示与第一栅电极ge1或第二栅电极ge2重叠的区域。根据示例，第一贯通区域520可以设置于在第一方向dr1上彼此相邻的像素区域之间(例如，在第一子像素区域spxa1和第二子像素区域spxa2之间、在第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3之间、以及在第一子像素区域spxa1和第三子像素区域spxa3之间)。
246.类似地，第二贯通区域540可以是在反射图案rp中设置贯通孔ph的区域，并且可以表示与第一栅电极ge1或第二栅电极ge2重叠的区域。根据示例，第二贯通区域540可以设置于在第二方向dr2上彼此相邻的像素区域之间。
247.实验性地，在实施方式中保护层psv设置成包括有机材料的情况下，可能由于保护
层psv中出现的脱气(outgassing)而导致像素pxl的劣化。例如，可能由于保护层psv中出现的脱气而导致像素pxl的收缩现象或像素pxl的寿命降低。
248.然而，根据实施方式，贯通孔ph可以限定可通过其将脱气排放到外部的路径，从而减少脱气对像素pxl的影响。
249.例如，根据实施方式，在平面图中，贯通孔ph可以与第一栅电极ge1和/或第二栅电极ge2重叠。如上所述，根据工艺设计，第一栅电极ge1和第二栅电极ge2可以包括耐高温的材料(例如，钼(mo))。在实施方式中，即使在照射激光以进行发光元件ld的接合工艺的情况下，第一栅电极ge1和/或第二栅电极ge2也可以受温度的影响较小。
250.最后，也可以实施贯通孔ph形成为与第一栅电极ge1和/或第二栅电极ge2重叠的实施方式，并且因此可以增加贯通孔ph的位置选择的自由度。
251.参考图8和图9描述根据实施方式的显示装置dd。省略了与以上描述的内容重复的内容或简化了其描述。
252.图8是示意性地示出根据实施方式的像素的示意性平面图。
253.图9是示意性地示出根据实施方式的像素的示意性剖视图。
254.参考图8和图9，根据参考图8和图9描述的实施方式的像素pxl与根据以上描述的实施方式的像素pxl的不同之处在于，反射图案rp不设置在设置有发光元件ld的区域中。作为实施方式，在根据实施方式的像素pxl中，反射图案rp在平面图中可以不与第一电极elt1重叠(参考图9)。例如，反射图案rp可以不设置在第一子像素区域spxa1、第二子像素区域spxa2和第三子像素区域spxa3的至少一部分中(参见图8)。
255.根据实施方式，可以避免反射图案rp在平面图中与第一电极elt1的重叠。
256.例如，显示装置dd可以包括第一区域320和第二区域340。反射图案rp可以设置在第一区域320中。第一电极elt1可以设置在第二区域340中。此时，第一区域320和第二区域340在平面图中可以彼此不重叠。
257.根据实施方式，背板线100的至少一部分可以与第一区域320重叠，并且背板线100的至少另一部分可以与第二区域340重叠。
258.根据实施方式，背板线100在平面图中可以与另一电极重叠。例如，背板线100的至少一部分可以与反射图案rp重叠，并且背板线100的至少另一部分可以与第一电极elt1重叠。因此，与根据以上描述的实施方式的显示装置dd类似，在发光元件ld的布置工艺期间照射激光500的情况下，可以防止由于所照射的激光500而对背板线100造成的损坏。
259.参考图10描述根据实施方式的显示装置dd。省略了与以上描述的内容重复的内容或简化了其描述。
260.图10是示意性地示出根据实施方式的像素的示意性剖视图。
261.参考图10，根据参考图10描述的实施方式的像素pxl与根据以上描述的实施方式的像素pxl的不同之处在于，反射图案rp的位置设置成与其上布置或设置发光元件ld的表面的位置类似。
262.根据实施方式，第一绝缘层ins1可以设置在保护层psv上，并且反射图案rp可以设置在第一绝缘层ins1上。例如，可以在形成第一电极elt1和连接电极col之后形成(或沉积)第一绝缘层ins1，并且可以在第一绝缘层ins1上形成反射图案rp。
263.根据实施方式，反射图案rp和连接电极col可以形成在相同的高度处。例如，反射
图案rp和衬底sub之间的间隔距离可以与提供在其上形成发光元件ld的表面的连接电极col和衬底sub之间的间隔距离相同。例如，反射图案rp的上表面和衬底sub之间的距离可以与连接电极col的上表面和衬底sub之间的距离相同。
264.反射图案rp和连接电极col可以设置在相同的高度处，并且可以彼此间隔开以彼此电分离。因此，可以防止相对于发光元件ld的短路。
265.根据实施方式，可以防止发光元件ld被异常布置或设置，并且可以改善发光元件ld的对准程度。例如，在反射图案rp相对于其上设置有发光元件ld的表面形成台阶差的情况下，发光元件ld可能是倾斜的(例如，朝向连接电极col的外部区域倾斜)。倾斜的发光元件ld可能难以正常操作。然而，可以减小反射图案rp的上表面和其上设置有发光元件ld的表面(例如，连接电极col的上表面)之间的台阶差，并且因此可以防止发光元件ld倾斜的现象。
266.根据实施方式，可以在反射图案rp的外表面上形成(或提供)氧化物层。例如，反射图案rp可以包括形成在其外表面上的氧化物层。形成在外表面上的氧化物层可以防止反射图案rp与另一个线电短路。例如，形成在外表面上的氧化物层可以防止反射图案rp与连接电极col或第一电极elt1电短路。
267.根据实施方式，可以在反射图案rp上另外地设置单独的绝缘层。另外形成的绝缘层可以防止连接电极col和第一电极elt1与反射图案rp电短路。
268.在下文中，参考图11至图14描述根据实施方式的制造显示装置的方法。为了便于描述，简化或省略可与以上描述的内容重复的内容的描述。
269.图11至图14是示出根据实施方式的制造显示装置的方法的针对每个工艺步骤的示意性剖视图。图11至图14是示出图5中所示的显示装置dd的结构的示意性剖视图。
270.参考图11，可以提供(或制备)衬底sub，并且可以将像素电路部分pcl设置在衬底sub上。设置在衬底sub上的像素电路部分pcl的单独配置可以通过执行使用掩模的工艺图案化导电层(或金属层)、无机材料、有机材料等来形成。
271.下层200可以设置在衬底sub上，并且桥接图案brp和背板线100可以形成在下层200上。这里，桥接图案brp和背板线100可以在相同的工艺中形成。
272.背板线100可以通过形成包括导电材料的导电层并对其进行图案化形成。
273.保护层psv可以设置(或形成)为至少覆盖背板线100或至少与背板线100重叠。
274.参考图12，可以将反射图案rp设置在保护层psv上。反射图案rp可以通过在保护层psv上沉积(或形成)用于形成反射图案rp的基础导电层并对基础导电层进行图案化而形成。
275.反射图案rp的至少一部分可以形成为在平面图中与背板线100重叠。
276.当执行随后的工艺时，可以在待形成接触部分cnt的位置处形成接触孔ch。根据实施方式，所形成的接触孔ch的位置可以在平面图中与桥接图案brp重叠。
277.贯通孔ph可以通过在至少一部分处不设置反射图案rp来形成。根据实施方式，所形成的贯通孔ph的位置在平面图中可以不与背板线100重叠。因此，在保护层psv可以包括有机材料的情况下，可生成的脱气可以通过贯通孔ph排出到外部。
278.根据实施方式，贯通孔ph可以设置成与设置在下层200中的第一栅电极ge1和/或第二栅电极ge2重叠。
279.根据实施方式，反射图案rp可以设置成不与稍后设置的第一电极elt1所设置的区域重叠。
280.根据另外的实施方式，反射图案rp可以在形成第一电极elt1和连接电极col之后设置。反射图案rp可以设置在与其上设置有发光元件ld的表面基本上相同的高度处(参考图10)，并且因此可以改善发光元件ld的对准程度。
281.参考图13，可以沉积(设置或形成)第一绝缘层ins1，并且可以在第一绝缘层ins1上设置第一电极elt1。
282.第一绝缘层ins1可以形成为至少覆盖反射图案rp或与之重叠，并且第一绝缘层ins1的至少一部分可以设置在贯通孔ph和接触孔ch中。
283.可以形成穿过第一绝缘层ins1和保护层psv的另外的接触孔，并且可以设置第一电极elt1。在设置第一电极elt1期间，可以利用形成第一电极elt1的材料填充所述另外的接触孔，以形成接触部分cnt。可以在第一绝缘层ins1上图案化第一电极elt1，并且第一电极elt1可以通过形成在穿过第一绝缘层ins1和保护层psv的另外的接触孔中的接触部分cnt电连接到桥接图案brp。
284.参考图14，可以在第一电极elt1上设置连接电极col，并且可以在连接电极col上设置发光元件ld。连接电极col可以包括接合金属。
285.连接电极col的至少一部分可以形成为连接到第一电极elt1。例如，可以通过形成覆盖第一电极elt1或与之重叠的电极层并且图案化电极层来提供连接电极col。
286.发光元件ld的第二半导体层13可以设置成面对连接电极col。尽管在图中没有单独示出，但是发光元件ld可以附接到单独提供的供体膜上并转移到连接电极col上。
287.这里，在将发光元件ld设置在衬底sub和像素电路部分pcl上之前，可以在特定或给定位置处预先提供供体膜。根据示例，供体膜可以被称为供体晶圆或供体衬底。然而，本公开不限于此，并且供体膜可以被称为载体衬底。
288.发光元件ld可以设置在像素电路部分pcl上。根据实施方式，在本公开的精神和范围内，可以采用使用单独热源的转移方法、静电转移方法、弹性体印模转移方法等来转移发光元件ld。
289.根据实施方式，使用单独热源的转移方法(例如，基于激光500的转移方法)可以应用于发光元件ld。在下文中，基于使用激光500作为热源以结合发光元件ld和连接电极col的实施方式给出描述。
290.发光元件ld可以布置或设置在连接电极col上，并且可以在发光元件ld和连接电极col之间提供(或照射)单独的激光500。如上所述，激光500可以具有在约800nm至约1000nm的范围内的波长带。
291.此时，可以照射激光500，并且因此可以通过热量在发光元件ld和连接电极col之间形成结合。因此，发光元件ld和连接电极col可以彼此结合。根据示例，可以应用共熔接合方法。
292.可以将多个发光元件ld转移到连接电极col上，并且多个发光元件ld可以彼此分离。
293.当照射激光500时，热量可以被施加到与连接电极col和/或发光元件ld相邻的区域。然而，根据实施方式，可以将包括反射材料的反射图案rp设置在与背板线100重叠的区
域中，并且因此可以防止由于激光500而导致的损坏。
294.此后，尽管在附图中未示出，但是可以连接发光元件ld和第二电极elt2，可以通过形成第二绝缘层ins2来提供显示元件部分dpl，并且可以在显示元件部分dpl上设置光控制部分lcp，以提供根据实施方式的显示装置dd。
295.在下文中，参考图15至图18描述根据实施方式的显示装置dd的应用领域。图15至图18是示出应用根据实施方式的显示装置的示例的图。根据示例，显示装置dd可以应用于智能电话、笔记本计算机、平板pc、电视等，并且可以应用于各种其它实施方式。
296.参考图15，根据实施方式的显示装置dd可以应用于包括框架1104和镜片部分1102的智能眼镜1100。智能眼镜1100可以是可佩戴在用户的脸部上的可佩戴电子装置，并且可以是框架1104的一部分被折叠或展开的结构。例如，智能眼镜1100可以是用于增强现实(ar)的可佩戴装置。
297.框架1104可以包括支承镜片部分1102的壳体1104b和供用户佩戴的镜腿部分1104a。镜腿部分1104a可以通过铰链连接到壳体1104b，并且可以折叠或展开。
298.框架1104可以包括电池、触摸板、麦克风、相机等。框架1104可以在其中包括输出光的投影仪、控制光信号等的处理器等。
299.镜片部分1102可以是透射光或反射光的光学构件。在本公开的精神和范围内，镜片部分1102可以包括玻璃、透明合成树脂等。
300.镜片部分1102可以通过由镜片部分1102的后表面(例如，面对用户的眼睛的表面)从框架1104的投影仪传输的光信号来反射图像，以允许用户的眼睛识别。例如，如图中所示，用户可以识别在镜片部分1102上显示的诸如时间和日期的信息。例如，镜片部分1102可以是一种类型的显示装置，并且根据上述实施方式的显示装置dd可以应用于镜片部分1102。
301.参考图16，根据实施方式的显示装置dd可以应用于包括显示部分1220和带部分1240的智能手表1200。
302.智能手表1200可以是可佩戴的电子装置，并且可以具有带部分1240安装在用户的手腕上的结构。这里，根据实施方式的显示装置dd可以应用于显示部分1220，并且因此可以向用户提供包括时间信息的图像数据。
303.参考图17，根据实施方式的显示装置dd可以应用于汽车显示器1300。这里，汽车显示器1300可以意指设置在车辆内部和外部以提供图像数据的电子装置。
304.根据示例，显示装置dd可以应用于设置在车辆中的信息娱乐面板1310、仪表盘(cluster)1320、辅助驾驶(co-driver)显示器1330、平视显示器1340、侧视镜显示器1350和后座显示器1360中的至少一个。
305.参考图18，根据实施方式的显示装置dd可以应用于头戴式显示器(hmd)1400，其包括头部安装带1402和显示器存储壳1404。hmd 1400是可佩戴在用户的头部上的可佩戴电子装置。
306.头部安装带1402是连接到显示器存储壳1404并固定显示器存储壳1404的部分。在附图中，头部安装带1402被示出为能够围绕用户的头部的上表面和两个侧表面，但是本公开不限于此。头部安装带1402可以用于将hmd 1400固定到用户的头部，并且可以形成为眼镜框架形式或头盔形式。
307.显示器存储壳1404可以容纳显示装置dd并且可以包括至少一个镜片。所述至少一个镜片是向用户提供图像的部分。例如，根据实施方式的显示装置dd可以应用于在显示器存储壳1404中实现的左眼镜片和右眼镜片。
308.根据实施方式的显示装置dd的应用领域不限于以上描述的示例，并且可以根据实施方式被应用于各种领域。
309.以上描述仅仅是本公开的精神和范围的示例，并且在不背离本公开的特征以及精神和范围的情况下，本公开所属领域的技术人员将能够进行各种修改和变化。因此，以上描述的实施方式可以单独实施或彼此组合实施。
310.因此，在本公开中公开的实施方式不旨在限制本公开的精神和范围，而是描述本公开的精神和范围，并且本公开的精神和范围不受这些实施方式的限制。本公开的范围应由所附权利要求来解释，并且应解释为所有等同被包括在本公开的精神和范围内。
技术特征：1.显示装置，包括：背板线，设置在衬底上；保护层，与所述背板线重叠；第一电极，设置在所述保护层上；发光元件，电连接到所述第一电极；以及反射图案，包括反射材料并且设置在所述衬底和所述第一电极之间，其中，所述反射图案在平面图中与所述背板线重叠。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述反射图案包括第一设置区域和第二设置区域，以及所述反射图案在所述第一设置区域中与所述背板线重叠，并且在所述第二设置区域中不与所述背板线重叠。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述反射图案包括铝、钼、铜、银、镁、铂、钯、金、镍、钕、铱、铬、钛及其合金中的至少一种。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述反射图案具有或更大的厚度。5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述反射图案设置在所述保护层上。6.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：桥接图案，设置在所述衬底和所述第一电极之间，并且通过接触部分电连接到所述第一电极，其中，所述反射图案的至少一部分具有在平面图中围绕包括所述接触部分的区域的形状。7.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：贯通孔，通过所述贯通孔将所述反射图案的至少一部分与所述反射图案的另一部分间隔开。8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述保护层包括有机材料，以及所述贯通孔在平面图中不与所述背板线重叠。9.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：第一区域，所述反射图案设置在所述第一区域中；以及第二区域，所述第一电极设置在所述第二区域中，其中，所述第一区域和所述第二区域在平面图中彼此不重叠，所述背板线的至少一部分在平面图中与所述第一区域重叠，以及所述背板线的至少另一部分在平面图中与所述第二区域重叠。10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述背板线向所述发光元件提供电信号。11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极电连接到所述发光元件的一端，所述显示装置还包括：第二电极，电连接到所述发光元件的另一端并且向所述发光元件提供阴极信号，以及所述反射图案电连接到所述第二电极。12.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
第一子像素区域，发射第一颜色的光；第二子像素区域，发射第二颜色的光；以及第三子像素区域，发射第三颜色的光。13.根据权利要求12所述的显示装置，还包括：第一波长转换图案，设置在所述第一子像素区域中；第二波长转换图案，设置在所述第二子像素区域中；以及光透射图案，设置在所述第三子像素区域中，其中，所述发光元件中的至少一部分与所述第一子像素区域重叠，所述发光元件中的另一部分与所述第二子像素区域重叠，所述发光元件中的又一部分与所述第三子像素区域重叠，以及所述发光元件发射所述第三颜色的光。14.根据权利要求7所述的显示装置，还包括：第一栅电极，设置在所述衬底和所述保护层之间，并且包括在平面图中与所述贯通孔重叠的至少一部分。15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一栅电极包括钼。16.根据权利要求14所述的显示装置，还包括：栅极绝缘层，设置在所述第一栅电极上；以及第二栅电极，设置在所述栅极绝缘层上，其中，所述贯通孔在平面图中与所述第一栅电极和所述第二栅电极重叠。17.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述贯通孔在平面图中沿着所述第一栅电极设置成多个。18.根据权利要求14所述的显示装置，还包括：子像素区域，分别发射不同颜色的光，其中，在平面图中，所述贯通孔中的每个设置在与所述第一栅电极的至少一部分重叠的第一贯通区域和第二贯通区域中，所述第一贯通区域设置于在第一方向上相邻的子像素区域之间，以及所述第二贯通区域设置于在与所述第一方向相交的第二方向上相邻的子像素区域之间。19.显示装置，包括：保护层，设置在衬底上；第一电极，设置在所述保护层上；发光元件，电连接到所述第一电极；以及反射图案，设置在所述保护层上并且包括反射材料，其中，其上设置有所述发光元件的表面和所述反射图案的上表面在相同的高度处。20.根据权利要求19所述的显示装置，还包括：连接电极，设置在所述第一电极和所述发光元件之间，其中，所述反射图案的所述上表面和所述衬底之间的距离等于所述连接电极的上表面和所述衬底之间的距离。21.根据权利要求19所述的显示装置，其中，
氧化物层设置在所述反射图案的外表面上，以及所述氧化物层防止所述第一电极和所述反射图案之间的短路。22.制造显示装置的方法，所述方法包括：在衬底上设置背板线；形成与所述背板线重叠的保护层；在所述保护层上形成包括反射材料的反射图案；在所述保护层上形成绝缘层，并且在所述绝缘层上设置第一电极；在所述第一电极上设置连接电极；以及在所述连接电极上设置发光元件，其中，形成所述反射图案包括：形成在平面图中与所述背板线重叠的所述反射图案。23.根据权利要求22所述的方法，其中，形成所述反射图案包括：将所述反射图案设置在与所述背板线重叠的区域中。24.根据权利要求22所述的方法，其中，形成所述反射图案包括：在不设置所述反射图案的区域中以孔形状形成贯通孔，以及所述贯通孔在平面图中不与所述背板线重叠。25.根据权利要求22所述的方法，其中，在所述连接电极上设置所述发光元件包括：在所述连接电极和所述发光元件之间提供热量；以及电连接所述连接电极与所述发光元件。26.根据权利要求25所述的方法，其中，提供所述热量包括：在所述连接电极和所述发光元件之间提供激光。27.根据权利要求26所述的方法，其中，所述激光具有在800nm至1000nm的范围内的波长带。
技术总结本申请涉及显示装置及其制造方法。显示装置包括设置在衬底上的背板线、与背板线重叠的保护层、设置在保护层上的第一电极、与第一电极电连接的发光元件、以及包括反射材料并且设置在衬底和第一电极之间的反射图案，反射图案在平面图中与背板线重叠。在平面图中与背板线重叠。在平面图中与背板线重叠。
技术研发人员：全亨一 朴声国 徐基盛 尹昭妍 赵珠完
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2022.04.28
技术公布日：2022/11/1
