1.本发明的一个方式涉及一种光电转换器件、光功能装置或半导体装置。
2.注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的例子可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。
背景技术：3.已知显示区域中的像素包括发光元件及光电转换元件的功能面板(专利文献1)。例如，功能面板包括第一驱动电路、第二驱动电路及区域，第一驱动电路供应第一选择信号，第二驱动电路供应第二选择信号及第三选择信号，区域包括像素。像素包括第一像素电路、发光元件、第二像素电路及光电转换元件。第一像素电路被供应第一选择信号，第一像素电路根据第一选择信号获取图像信号，发光元件与第一像素电路电连接，发光元件根据图像信号发光。另外，第二像素电路在没有被供应第一选择信号的期间被供应第二选择信号及第三选择信号，第二像素电路根据第二选择信号获取摄像信号，根据第三选择信号供应摄像信号，光电转换元件与第二像素电路电连接，光电转换元件生成摄像信号。
4.[专利文献1]wo2020/152556号
技术实现要素：[0005]
本发明的一个方式的目的之一是提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的光电转换器件。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的光功能装置。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的光电转换器件、新颖的光功能装置或新颖的半导体装置。
[0006]
注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。注意，本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。注意，除上述目的外的目的从说明书、附图、权利要求书等的描述中是显而易见的，并且可以从说明书、附图、权利要求书等的描述中抽出。
[0007]
(1)本发明的一个方式是一种光电转换器件，包括第一电极、第二电极及第一单元。
[0008]
第一单元位于第一电极与第二电极之间，第一单元包含第一电子供给性材料及第一电子接收性材料。
[0009]
第一电子供给性材料是稠合芳香化合物，第一电子接收性材料具有苝骨架及2个以上的烷基。另外，烷基分别独立地具有数量为1以上且13以下的碳原子。
[0010]
(2)另外，本发明的一个方式是上述光电转换器件，其中第一单元的吸收光谱在波长低于500nm处呈现极大值且在波长为500nm以上处呈现吸收端。
[0011]
由此，可以获取可见光区域的入射光并将其转换成电信号。另外，可以感测到反射可见光区域的光的物体并将被物体反射的光转换成电信号。其结果是，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的光电转换器件。
[0012]
(3)另外，本发明的一个方式是上述光电转换器件，其中第一电子供给性材料是稠合环的数量为4以上且11以下的稠合芳香化合物。
[0013]
由此，可以获得良好的电流饱和特性。另外，可以高效地将光转换成电流。另外，可以获取入射光的强度的连续变化并将其转换成电信号。此外，可以将光电转换器件适当地用于摄像器件。其结果是，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的光电转换器件。
[0014]
(4)本发明的一个方式是上述烷基具有支链结构的光电转换器件。
[0015]
由此，可以提高第一电子接收性材料的溶解性。另外，易于进行纯度测量。易于进行第一电子接收性材料的升华纯化。易于进行蒸镀。易于进行电子接收性材料的品质管理。其结果是，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的光电转换器件。
[0016]
(5)另外，本发明的一个方式是上述光电转换器件，其中第一电子接收性材料为由下述通式(r0)表示的苝四羧酸二酰亚胺衍生物。
[0017]
[化学式1]
[0018][0019]
注意，在上述通式(r0)中，r1及r2分别独立地表示氢、碳原子数为1至13的链状烷基或碳原子数为3至13的支链烷基，r3至r
10
分别独立地表示氢、碳原子数为1至13的链状烷基、碳原子数为3至13的支链烷基、碳原子数为1至13的卤化烷基、碳原子数为3至13的环烷基或卤素。
[0020]
(6)另外，本发明的一个方式是上述光电转换器件，其中包括第一层。
[0021]
第一层位于第一电极与第一单元之间，第一层包含第二电子接收性材料。另外，第一层具有1
×
102[ω
·
cm]以上且1
×
108[ω
·
cm]以下的电阻率。
[0022]
(7)另外，本发明的一个方式是上述光电转换器件，其中包括第二层。
[0023]
第二层位于第一单元与第二电极之间，第二层包含第二电子供给性材料。
[0024]
(8)另外，本发明的一个方式是上述光电转换器件，其中第一单元包括第三层、第四层及第五层。
[0025]
第三层位于第四层与第五层之间，第三层包含第一电子接收性材料及第一电子供给性材料。
[0026]
第四层位于第一电极与第三层之间，第四层包含空穴传输性材料。
[0027]
第五层位于第三层与第二电极之间，第五层包含电子传输性材料。
[0028]
(9)另外，本发明的一个方式是一种光功能装置，其中包括上述光电转换器件和发光器件，并且发光器件与光电转换器件相邻。
[0029]
(10)另外，本发明的一个方式是一种光功能装置，其中包括上述光电转换器件和
发光器件。
[0030]
发光器件与光电转换器件相邻，发光器件包括第二单元、第三电极及第二电极。
[0031]
第二单元位于第三电极与第二电极之间，第二单元包括第六层、上述第四层及上述第五层。
[0032]
第四层位于第三电极与第六层之间，第五层位于第六层与第二电极之间。另外，第六层包含发光性材料。
[0033]
在本说明书的附图中，根据其功能对构成要素进行分类而示出为彼此独立的方框的方框图，但是，实际上的构成要素难以根据其功能完全划分，而一个构成要素会涉及多个功能。
[0034]
根据本发明的一个方式，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的光电转换器件。另外，根据本发明的一个方式，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的光功能装置。此外，根据本发明的一个方式，可以提供一种新颖的光电转换器件、新颖的光功能装置或新颖的半导体装置。
[0035]
注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。此外，本发明的一个方式并不需要具有所有上述效果。注意，除上述效果外的效果从说明书、附图、权利要求书等的描述中是显而易见的，并且可以从说明书、附图、权利要求书等的描述中抽出。
附图说明
[0036]
图1a及图1b是说明根据实施方式的光电转换器件的结构的图；
[0037]
图2a至图2c是说明根据实施方式的光功能装置的结构的图；
[0038]
图3是说明根据实施方式的光功能装置的结构的图；
[0039]
图4是说明根据实施方式的光功能装置的结构的图；
[0040]
图5是说明根据实施方式的光功能装置的结构的电路图；
[0041]
图6是说明根据实施方式的光功能装置的结构的电路图；
[0042]
图7a及图7b是说明根据实施方式的光功能装置的结构的电路图；
[0043]
图8是说明根据实施例的光电转换器件的结构的图；
[0044]
图9是说明根据实施例的光电转换器件的结构的图；
[0045]
图10是说明根据实施例的光电转换器件的结构的图；
[0046]
图11是说明根据实施例制造的光电转换器件的特性的图；
[0047]
图12是说明根据实施例制造的光电转换器件的特性的图；
[0048]
图13是说明根据实施例制造的光电转换器件的特性的图；
[0049]
图14是说明根据实施例制造的光电转换器件的特性的图；
[0050]
图15是说明根据实施例制造的光电转换器件的特性的图；
[0051]
图16是说明根据实施例制造的光电转换器件的特性的图；
[0052]
图17是说明根据实施例制造的光电转换器件的特性的图；
[0053]
图18是说明根据实施例制造的光电转换器件的特性的图；
[0054]
图19是说明根据实施例制造的光电转换器件的特性的图；
[0055]
图20是说明根据实施例制造的光电转换器件的特性的图；
[0056]
图21是说明根据实施例制造的光电转换器件的特性的图；
[0057]
图22是说明根据实施例制造的光电转换器件的特性的图；
[0058]
图23是说明根据实施例制造的光电转换器件的特性的图；
[0059]
图24是说明根据实施例制造的光电转换器件的特性的图；
[0060]
图25是说明根据实施例制造的光电转换器件的特性的图。
具体实施方式
[0061]
包括第一电极、第二电极及第一单元的光电转换器件。第一单元位于第一电极与第二电极之间，第一单元包含第一电子供给性材料及第一电子接收性材料。第一电子供给性材料是稠合芳香化合物，第一电子接收性材料具有苝骨架及2个以上的烷基。另外，烷基分别独立地具有数量为1以上且13以下的碳原子。
[0062]
由此，可以获得良好的电流饱和特性。另外，可以高效地将光转换成电流。另外，可以获取入射光的强度的连续变化并将其转换成电信号。此外，可以将光电转换器件适当地用于摄像器件。其结果是，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的光电转换器件。
[0063]
参照附图对实施方式进行详细说明。注意，本发明不局限于以下说明，而所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。注意，在以下说明的发明的结构中，在不同的附图之间共同使用相同的附图标记来表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。
[0064]
实施方式1
[0065]
在本实施方式中，参照图1a及图1b说明本发明的一个方式的光电转换器件550s的结构。
[0066]
图1a是本发明的一个方式的光电转换器件550s的截面图，图1b是说明本发明的一个方式的光电转换器件550s的单元103s的结构的图。注意，图1b是电极551s、层104、单元103s(层112、层114s1、层114s2及层113)、层105及电极552的能量图。另外，用实线表示真空能级。
[0067]
《光电转换器件550s的结构例子1》
[0068]
本实施方式所说明的光电转换器件550s包括电极551s、电极552及单元103s(参照图1a)。单元103s被夹在电极551s与电极552之间。
[0069]
《《单元103s的结构例子1》》
[0070]
单元103s包含电子供给性材料dm1(第一材料)及电子接收性材料am1(第二材料)。
[0071]
《《单元103s的结构例子2》》
[0072]
单元103s的吸收光谱在波长低于500n处呈现极大值且在波长为500nm以上处呈现吸収端。例如，可以将在波长低于500nm处呈现极大值且在波长为500nm以上处呈现吸収端的材料用作电子供给性材料dm1。另外，可以将在波长低于500nm处呈现极大值且在波长为500nm以上处呈现吸収端的材料用作电子接收性材料am1。另外，可以将在波长低于500nm处呈现极大值且在波长为500nm以上处呈现吸収端的材料用作电子供给性材料dm1及电子接收性材料am1的混合材料。
[0073]
由此，可以获取可见光区域的入射光hv并将其转换成电信号。另外，可以感测到反射可见光区域的光的物体并将被物体反射的光转换成电信号。其结果是，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的光电转换器件。
[0074]
[电子供给性材料dm1的结构例子]
[0075]
电子供给性材料dm1为稠合芳香化合物。例如，可以将稠合环的数量为4以上且11以下的稠合芳香化合物用于电子供给性材料dm1。注意，构成芳香环的元素不局限于碳，也可以包含氮。
[0076]
具体而言，可以使用并四苯衍生物、并五苯衍生物、二茚并芘衍生物等。例如，可以将四苯基二苯并二茚并芘(简称：dbp)、红荧烯(rubrene)等以下所示的稠合芳香化合物用于电子供给性材料dm1。
[0077]
[化学式2]
[0078][0079]
[电子接收性材料am1的结构例子1]
[0080]
电子接收性材料am1具有苝骨架及2个以上的烷基。另外，烷基的碳原子数优选分别独立地为1以上且13以下。从量子效率的观点来看，碳原子数优选为12以下，更优选为10以下，尤其优选为6以下。
[0081]
由此，可以获得良好的电流饱和特性。另外，可以高效地将光转换成电流。另外，可以获取入射光的强度的连续变化并将其转换成电信号。此外，可以将光电转换器件适当地用于摄像器件。其结果是，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的光电转换器件。
[0082]
注意，单元103s包含电子供给性材料dm1及电子接收性材料am1，可以换称为活性层。单元103s吸收光，在吸收过光的单元103s中，由光激发能hν引起电荷分离(参照图1a及图1b)。然后，空穴被电子供给性材料dm1一侧俘获，电子被电子接收性材料am1一侧俘获。例如，在使用包含电子供给性材料dm1的层114s1与包含电子接收性材料am1的层114s2的叠层时，附图中以符号(+)表示的空穴移动到层114s1一侧，附图中以符号(-)表示的电子移动到层114s2一侧(参照图1b)。由此，光电转换器件可以将光转换成电流。注意，优选的是，电子供给性材料dm1的最高占据分子轨道(homo)能级高于电子接收性材料am1的homo能级，电子供给性材料dm1的最低未占有分子轨道(lumo)能级高于电子接收性材料am1的lumo能级。例
如，通过将电子供给性材料dm1用于层114s1而将电子接收性材料am1用于层114s2，得到图1b所示的能量图。
[0083]
[电子接收性材料am1的结构例子2]
[0084]
另外，包含具有支链结构的烷基的电子接收性材料am1适合被用于光电转换器件。尤其是，碳原子数为3以上且12以下的支链烷基是优选的。从量子效率的观点来看，碳原子数优选为10以下，尤其优选为6以下。
[0085]
由此，可以提高电子接收性材料am1的溶解性。另外，易于进行电子接收性材料am1的品质管理。其结果是，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的光电转换器件。
[0086]
[电子接收性材料am1的结构例子3]
[0087]
例如，作为电子接收性材料am1，可以适当地使用下面由通式(r0)表示的苝四羧酸二酰亚胺衍生物。
[0088]
[化学式3]
[0089][0090]
注意，在上述通式(r0)中，r1及r2分别独立地表示氢、碳原子数为1至13的链状烷基或碳原子数为3至13的支链烷基，r3至r
10
分别独立地表示氢、碳原子数为1至13的链状烷基、碳原子数为3至13的支链烷基、碳原子数为1至13的卤化烷基、碳原子数为3至13的环烷基或卤素。为了得到高溶解性，尤其优选的是，r1及r2分别独立地表示碳原子数为2至12的链状烷基。进一步优选的是，r1及r2分别独立地表示支链烷基。
[0091]
具体而言，可以将以下所示的n，n
’‑
二甲基-3，4，9，10-苝四羧酸二酰亚胺(简称：me-ptcdi)、n，n
′‑
二-n-辛基-3，4，9，10-苝四羧酸二酰亚胺(简称：ptcdi-c8)、n，n
′‑
二十三烷基苝-3，4，9，10-四羧酸二酰亚胺(简称：ptcdi-c13)、n，n
’‑
双(2-乙基己基)-3，4，9，10-苝四羧酸二酰亚胺(简称：ethex-ptcdi)等用于电子接收性材料am1。
[0092]
[化学式4]
[0093][0094]
《光电转换器件550s的结构例子2》
[0095]
另外，本实施方式所说明的光电转换器件550s包括电极551s及层104(参照图1a)。层104被夹在电极551s与单元103s之间。
[0096]
《电极551s的结构例子》
[0097]
例如，可以将导电材料用于电极551s。具体而言，可以将包含金属、合金或导电化合物的膜的单层或叠层用于电极551s。
[0098]
例如，可以将高效地反射光的膜用于电极551s。具体而言，可以将包含银及铜等的合金、包含银及钯等的合金或铝等金属膜用于电极551s。
[0099]
此外，例如可以将对可见光具有透光性的膜用于电极551s。具体而言，可以将薄到透射光的程度的金属膜、合金膜或导电氧化物膜的单层或叠层用于电极551s。
[0100]
例如，可以使用包含铟的导电氧化物。具体而言，可以使用氧化铟、氧化铟-氧化锡(简称：ito)、包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡(简称：itso)、氧化铟-氧化锌、包含氧化钨及氧化锌的氧化铟(简称：iwzo)等。
[0101]
此外，例如可以使用包含锌的导电氧化物。具体而言，可以使用氧化锌、添加有镓的氧化锌、添加有铝的氧化锌等。
[0102]
另外，例如可以使用金(au)、铂(pt)、镍(ni)、钨(w)、铬(cr)、钼(mo)、铁(fe)、钴(co)、铜(cu)、钯(pd)或金属材料的氮化物(例如，氮化钛)等。此外，可以使用石墨烯。
[0103]
《《层104的结构例子》》
[0104]
例如，可以将具有空穴注入性的材料用于层104。
对亚苯基二胺(简称：dtdppa)、4，4
’‑
双[n-(4-二苯基氨基苯基)-n-苯基氨基]联苯(简称：dpab)、n，n
’‑
双{4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基}-n，n
’‑
二苯基-(1，1
’‑
联苯)-4，4
’‑
二胺(简称：dntpd)、1，3，5-三[n-(4-二苯基氨基苯基)-n-苯基氨基]苯(简称：dpa3b)等。
[0123]
作为咔唑衍生物，例如可以使用3-[n-(9-苯基咔唑-3-基)-n-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：pczpca1)、3，6-双[n-(9-苯基咔唑-3-基)-n-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：pczpca2)、3-[n-(1-萘基)-n-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(简称：pczpcn1)、4，4
’‑
二(n-咔唑基)联苯(简称：cbp)、1，3，5-三[4-(n-咔唑基)苯基]苯(简称：tcpb)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑(简称：czpa)、1，4-双[4-(n-咔唑基)苯基]-2，3，5，6-四苯基苯等。
[0124]
作为芳烃，例如可以使用2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(简称：t-budna)、2-叔丁基-9，10-二(1-萘基)蒽、9，10-双(3，5-二苯基苯基)蒽(简称：dppa)、2-叔丁基-9，10-双(4-苯基苯基)蒽(简称：t-budba)、9，10-二(2-萘基)蒽(简称：dna)、9，10-二苯基蒽(简称：dpanth)、2-叔丁基蒽(简称：t-buanth)、9，10-双(4-甲基-1-萘基)蒽(简称：dmna)、2-叔丁基-9，10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、9，10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(1-萘基)蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(2-萘基)蒽、9，9
’‑
联蒽、10，10
’‑
二苯基-9，9
’‑
联蒽、10，10
’‑
双(2-苯基苯基)-9，9
’‑
联蒽、10，10
’‑
双[(2，3，4，5，6-五苯基)苯基]-9，9
’‑
联蒽、蒽、并四苯、红荧烯、苝、2，5，8，11-四(叔丁基)苝、并五苯、晕苯等。
[0125]
作为具有乙烯基的芳烃，例如可以使用4，4
’‑
双(2，2-二苯基乙烯基)联苯(简称：dpvbi)、9，10-双[4-(2，2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(简称：dpvpa)等。
[0126]
作为高分子化合物，例如可以使用聚(n-乙烯基咔唑)(简称：pvk)、聚(4-乙烯基三苯胺)(简称：pvtpa)、聚[n-(4-{n
’‑
[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-n
’‑
苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](简称：ptpdma)、聚[n，n
’‑
双(4-丁基苯基)-n，n
’‑
双(苯基)联苯胺](简称：poly-tpd)等。
[0127]
另外，例如可以将具有咔唑骨架、二苯并呋喃骨架、二苯并噻吩骨架及蒽骨架中的任意个的物质适合用于复合材料的具有空穴传输性的材料。另外，可以使用如下物质，即包含具有包括二苯并呋喃环或二苯并噻吩环的取代基的芳香胺、包括萘环的芳香单胺、或者9-芴基通过亚芳基键合于胺的氮的芳香单胺的物质。
[0128]
作为这些材料，例如可以使用n-(4-联苯)-6，n-二苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-胺(简称：bnfabp)、n，n-双(4-联苯)-6-苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-胺(简称：bbabnf)、4，4
’‑
双(6-苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-基)-4
”‑
苯基三苯基胺(简称：bnfbb1bp)、n，n-双(4-联苯)苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-6-胺(简称：bbabnf(6))、n，n-双(4-联苯)苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-胺(简称：bbabnf(8))、n，n-双(4-联苯)苯并[b]萘并[2，3-d]呋喃-4-胺(简称：bbabnf(ii)(4))、n，n-双[4-(二苯并呋喃-4-基)苯基]-4-氨基-对三联苯基(简称：dbfbb1tp)、n-[4-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-n-苯基-4-联苯胺(简称：thba1bp)、4-(2-萘基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bbaβnb)、4-[4-(2-萘基)苯基]-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bbaβnbi)、4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(6；1
’‑
联萘基-2-基)三苯基胺(简称：bbaαnβnb)、4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(7；1
’‑
联萘基-2-基)三苯基胺(简称：bbaαnβnb-03)、4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(7-苯基)萘基-2-基三苯基胺(简称：bbapβnb-03)、4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(6；2
’‑
联萘基-2-基)三苯基胺(简称：bba(βn2)b)、4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(7；2
’‑
联萘基-2-基)-三苯基
胺(简称：bba(βn2)b-03)、4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(4；2
’‑
联萘基-1-基)三苯基胺(简称：bbaβnαnb)、4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(5；2
’‑
联萘基-1-基)三苯基胺(简称：bbaβnαnb-02)、4-(4-联苯基)-4
’‑
(2-萘基)-4
”‑
苯基三苯基胺(简称：tpbiaβnb)、4-(3-联苯基)-4
’‑
[4-(2-萘基)苯基]-4
”‑
苯基三苯基胺(简称：mtpbiaβnbi)、4-(4-联苯基)-4
’‑
[4-(2-萘基)苯基]-4
”‑
苯基三苯基胺(简称：tpbiaβnbi)、4-苯基-4
’‑
(1-萘基)三苯基胺(简称：αnba1bp)、4，4
’‑
双(1-萘基)三苯基胺(简称：αnbb1bp)、4，4
’‑
二苯基-4
”‑
[4
’‑
(咔唑-9-基)联苯-4-基]三苯基胺(简称：ygtbi1bp)、4
’‑
[4-(3-苯基-9h-咔唑-9-基)苯基]三(1，1
’‑
联苯-4-基)胺(简称：ygtbi1bp-02)、4-[4
’‑
(咔唑-9-基)联苯-4-基]-4
’‑
(2-萘基)-4
”‑
苯基三苯基胺(简称：ygtbiβnb)、n-[4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基]-n-[4-(1-萘基)苯基]-9，9
’‑
螺双[9h-芴]-2-胺(简称：pcbnbsf)、n，n-双([1，1
’‑
联苯]-4-基)-9，9
’‑
螺双[9h-芴]-2-胺(简称：bbasf)、n，n-双([1，1
’‑
联苯]-4-基)-9，9
’‑
螺双[9h-芴]-4-胺(简称：bbasf(4))、n-(1，1
’‑
联苯-2-基)-n-(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)-9，9
’‑
螺双(9h-芴)-4-胺(简称：ofbisf)、n-(4-联苯)-n-(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)二苯并呋喃-4-胺(简称：frbif)、n-[4-(1-萘基)苯基]-n-[3-(6-苯基二苯并呋喃-4-基)苯基]-1-萘基胺(简称：mpdbfbnbn)、4-苯基-4
’‑
(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(简称：bpaflp)、4-苯基-3
’‑
(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(简称：mbpaflp)、4-苯基-4
’‑
[4-(9-苯基芴-9-基)苯基]三苯基胺(简称：bpaflbi)、4-苯基-4
’‑
(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯基胺(简称：pcba1bp)、4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯基胺(简称：pcbbi1bp)、4-(1-萘基)-4
’‑
(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯基胺(简称：pcbanb)、4，4
’‑
二(1-萘基)-4
”‑
(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯基胺(简称：pcbnbb)、n-苯基-n-[4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基]螺-9，9
’‑
二芴-2-胺(简称：pcbasf)、n-(1，1
’‑
联苯-4-基)-n-[4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基]-9，9-二甲基-9h-芴-2-胺(简称：pcbbif)、n，n-双(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)-9，9
’‑
螺双-9h-芴-4-胺、n，n-双(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)-9，9
’‑
螺双-9h-芴-3-胺、n，n-双(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)-9，9
’‑
螺双-9h-芴-2-胺、n，n-双(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)-9，9
’‑
螺双-9h-芴-1-胺等。
[0129]
《光电转换器件550s的结构例子3》
[0130]
另外，本实施方式所说明的光电转换器件550s包括层105(参照图1a)。层105被夹在单元103s与电极552之间。
[0131]
《电极552的结构例子》
[0132]
例如，可以将导电材料用于电极552。具体而言，可以将包含金属、合金或导电化合物的材料的单层或叠层用于电极552。
[0133]
例如，可以将能够用于电极551s的材料用于电极552。
[0134]
例如，可以将属于元素周期表中的第1族的元素、属于元素周期表中的第2族的元素、稀土金属及包含它们的合金用于电极552。
[0135]
具体而言，可以将锂(li)、铯(cs)等、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)等、铕(eu)、镱(yb)等及包含它们的合金(mgag、alli)用于电极552。
[0136]
《《层105的结构例子》》
[0137]
例如，可以将具有电子注入性的材料用于层105。
[0138]
具体而言，具有电子供给性的物质用于层105。或者，可以将具有电子供给性的物质及具有电子传输性的材料的复合材料用于层105。或者，可以将电子化合物用于层105。
二苯并噻吩基)苯基]嘧啶(简称：4，6mdbtp2pm-ii)、4，8-双[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-苯并[h]喹唑啉(简称：4，8mdbtp2bqn)等。
[0154]
作为具有吡啶骨架的杂环化合物，例如可以使用3，5-双[3-(9h-咔唑-9-基)苯基]吡啶(简称：35dczppy)、1，3，5-三[3-(3-吡啶基)苯基]苯(简称：tmpypb)等。
[0155]
作为具有三嗪骨架的杂环化合物，例如可以使用2-[3
’‑
(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)联苯-3-基]-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：mfbptzn)、2-[(1，1
’‑
联苯)-4-基]-4-苯基-6-[9，9
’‑
螺二(9h-芴)-2-基]-1，3，5-三嗪(简称：bp-sftzn)、2-{3-[3-(苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-基)苯基]苯基}-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：mbnfbptzn)、2-{3-[3-(苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-6-基)苯基]苯基}-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：mbnfbptzn-02)等。
[0156]
《《单元103s的结构例子3》》
[0157]
例如，可以将包含电子供给性材料dm1及电子接收性材料am1的混合材料用于单元103s。注意，可以将使用包含电子供给性材料dm1及电子接收性材料am1的混合材料的结构称为本体异质结型。
[0158]
《《单元103s的结构例子4》》
[0159]
另外，可以将层叠有包含电子供给性材料dm1的层及包含电子接收性材料am1的层的叠层结构用于单元103s。注意，可以将使用层叠包含电子供给性材料dm1的层及包含电子接收性材料am1的层的结构称为异质结型。
[0160]
例如，可以将包括层114s1及层114s2的层114s用于单元103s(参照图1a)。具体而言，可以将电子供给性材料dm1用于层114s1，将电子接收性材料am1用于层114s2。
[0161]
《《单元103s的结构例子5》》
[0162]
例如，单元103s包括层114s、层112及层113。注意，可以将选自空穴传输层、电子传输层、载流子阻挡层等功能层的层用于单元103s。或者，可以将选自空穴注入层、电子注入层、激子阻挡层及电荷产生层等功能层的层用于单元103s。
[0163]
《《层114s的结构例子》》
[0164]
层114s被夹在层112与层113之间，层114s包含电子接收性材料am1及电子供给性材料dm1。
[0165]
《《层112的结构例子》》
[0166]
层112被夹在电极551s与层114s之间，层112包含空穴传输性材料。
[0167]
例如，可以将空穴传输性材料用于层112。此外，可以将层112称为空穴传输层。
[0168]
[具有空穴传输性的材料]
[0169]
可以将空穴迁移率为1
×
10-6
cm2/vs以上的材料适合用于具有空穴传输性的材料。
[0170]
例如，可以将胺化合物或具有富π电子杂芳环骨架的有机化合物用于具有空穴传输性的材料。具体而言，可以使用具有芳香胺骨架的化合物、具有咔唑骨架的化合物、具有噻吩骨架的化合物、具有呋喃骨架的化合物等。尤其是，具有芳香胺骨架的化合物或具有咔唑骨架的化合物具有良好的可靠性和高空穴传输性并有助于降低驱动电压，所以是优选的。
[0171]
作为具有芳香胺骨架的化合物，例如可以使用4，4
’‑
双[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]联苯(简称：npb)、n，n
’‑
双(3-甲基苯基)-n，n
’‑
二苯基-[1，1
’‑
联苯]-4，4
’‑
二胺(简称：
tpd)、4，4
’‑
双[n-(螺-9，9
’‑
二芴-2-基)-n-苯基氨基]联苯(简称：bspb)、4-苯基-4
’‑
(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：bpaflp)、4-苯基-3
’‑
(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：mbpaflp)、4-苯基-4
’‑
(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯胺(简称：pcba1bp)、4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯胺(简称：pcbbi1bp)、4-(1-萘基)-4
’‑
(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯胺(简称：pcbanb)、4，4
’‑
二(1-萘基)-4
”‑
(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯胺(简称：pcbnbb)、9，9-二甲基-n-苯基-n-[4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基]芴-2-胺(简称：pcbaf)、n-苯基-n-[4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基]螺-9，9
’‑
二芴-2-胺(简称：pcbasf)等。
[0172]
作为具有咔唑骨架的化合物，例如可以使用1，3-双(n-咔唑基)苯(简称：mcp)、4，4
’‑
二(n-咔唑基)联苯(简称：cbp)、3，6-双(3，5-二苯基苯基)-9-苯基咔唑(简称：cztp)、3，3
’‑
双(9-苯基-9h-咔唑)(简称：pccp)等。
[0173]
作为具有噻吩骨架的化合物，例如可以使用4，4’，4
”‑
(苯-1，3，5-三基)三(二苯并噻吩)(简称：dbt3p-ii)、2，8-二苯基-4-[4-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]二苯并噻吩(简称：dbtflp-iii)、4-[4-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]-6-苯基二苯并噻吩(简称：dbtflp-iv)等。
[0174]
作为具有呋喃骨架的化合物，例如可以使用4，4’，4
”‑
(苯-1，3，5-三基)三(二苯并呋喃)(简称：dbf3p-ii)、4-{3-[3-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]苯基}二苯并呋喃(简称：mmdbfflbi-ii)等。
[0175]
《《层113的结构例子》》
[0176]
层113被夹在层114s与电极552之间，层113包含电子传输性材料。
[0177]
例如，可以将具有电子传输性的材料、具有蒽骨架的材料及混合材料等用于层113。另外，可以将层113称为电子传输层。
[0178]
[具有电子传输性的材料]
[0179]
例如，可以将金属配合物或具有缺π电子杂芳环骨架的有机化合物用于具有电子传输性的材料。
[0180]
可以将如下材料适合用于具有电子传输性的材料：在电场强度[v/cm]的平方根为600的条件下，电子迁移率为1
×
10-7
cm2/vs以上且5
×
10-5
cm2/vs以下的材料。
[0181]
例如，可以将能够用于层104的材料用于层113。具体而言，可以将能够用于复合材料的具有电子传输性的材料用于层113。
[0182]
[具有蒽骨架的材料]
[0183]
可以将具有蒽骨架的有机化合物用于层113。尤其是，可以适合使用具有蒽骨架和杂环骨架的双方的有机化合物。
[0184]
例如，可以使用具有蒽骨架及含氮五元环骨架的双方的有机化合物。另外，可以使用环中包含两个杂原子的含氮五元环骨架和蒽骨架的双方的有机化合物。具体而言，可以将吡唑环、咪唑环、恶唑环、噻唑环等适合用于该杂环骨架。
[0185]
例如，可以使用具有蒽骨架及含氮六元环骨架的双方的有机化合物。另外，可以使用环中包含两个杂原子的含氮六元环骨架和蒽骨架的双方的有机化合物。具体而言，可以将吡嗪环、吡啶环、哒嗪环等适合用于该杂环骨架。
[0186]
[混合材料的结构例子]
[0187]
另外，可以将混合多种物质的材料用于层113。具体而言，可以将包含碱金属、碱金属化合物或碱金属配合物及具有电子传输性的物质的混合材料用于层113。
[0188]
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
[0189]
实施方式2
[0190]
在本实施方式中，参照图2a至图2c及图3说明本发明的一个方式的光功能装置的结构。
[0191]
图2a是本发明的一个方式的光功能装置的俯视图，图2b是说明图2a的一部分的俯视图。此外，图2c是沿着图2a所示的截断线x1-x2、截断线x3-x4、截断线x9-x10、截断线x11-x12及一组像素703(i，j)的截面图。
[0192]
图3是本发明的一个方式的光功能装置的一组像素的截面图。
[0193]
注意，在本说明书中，有时将取1以上的整数的值的变数用于符号。例如，有时将包含取1以上的整数的值的变数p的(p)用于指定最大为p个构成要素中的任一个的符号的一部分。另外，例如，有时将包含取1以上的整数的值的变数m及变数n的(m，n)用于指定最大为m
×
n个构成要素中的任一个的符号的一部分。
[0194]
此外，在本说明书等中，有时将使用金属掩模或fmm(fine metal mask：高精细金属掩模)制造的器件称为具有mm(metal mask：金属掩模)结构的器件。此外，在本说明书等中，有时将不使用金属掩模或fmm制造的器件称为具有mml(metal mask less)结构的器件。
[0195]
《光功能装置700的结构例子1》
[0196]
本实施方式所说明的光功能装置700包括区域231(参照图2a)。另外，光功能装置700包括驱动电路gd、驱动电路sd、驱动电路rd及驱动电路rc。
[0197]
区域231包括一组像素703(i，j)，一组像素703(i，j)包括像素702x(i，j)及像素702s(i，j)(参照图2b)。
[0198]
像素702x(i，j)包括发光器件550x(i，j)及像素电路530x(i，j)。发光器件550x(i，j)通过开口部591x与像素电路530x(i，j)电连接(参照图2c)。
[0199]
像素702s(i，j)包括光电转换器件550s(i，j)及像素电路530s(i，j)。光电转换器件550s(i，j)通过开口部591s与像素电路530s(i，j)电连接。
[0200]
另外，光功能装置700包括功能层520(参照图2c)。功能层520包括像素电路530x(i，j)、像素电路530s(i，j)、驱动电路gd、驱动电路sd、驱动电路rd及驱动电路rc。注意，驱动电路gd将控制信号供应到像素电路530x(i，j)，驱动电路sd例如将图像信号供应到像素电路530x(i，j)。另外，驱动电路rd将控制信号供应到像素电路530s(i，j)，驱动电路rc例如从像素电路530s(i，j)获取摄像信号。
[0201]
光功能装置700包括端子部519b。端子部519b例如通过导电材料cp与柔性印刷衬底fpc1电连接。
[0202]
《光功能装置700的结构例子2》
[0203]
本实施方式所说明的光功能装置700包括光电转换器件550s(i，j)及发光器件550x(i，j)，发光器件550x(i，j)与光电转换器件550s(i，j)相邻(参照图2c)。
[0204]
例如，可以将实施方式1所说明的光电转换器件用作光电转换器件550s(i，j)。
[0205]
另外，例如，可以将有机el元件或发光二极管等用于发光器件550x(i，j)。
[0206]
由此，例如，光功能装置700不仅可以显示图像，还可以检测周围亮度的分布。此外，例如，不仅可以显示图像，还可以实现光学式触摸传感器。其结果是，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的光功能器件。
[0207]
《光电转换器件550s(i，j)的结构例子》
[0208]
光电转换器件550s(i，j)包括单元103s(i，j)、电极551s(i，j)及电极552(参照图3)。单元103s(i，j)被夹在电极551s(i，j)与电极552之间。注意，电极551s(i，j)例如被形成在绝缘膜521上。此外，在电极551s(i，j)上形成包括与电极551s(i，j)重叠的开口部的绝缘膜528。
[0209]
具体而言，可以将实施方式1所说明的能够用于单元103s的结构用于单元103s(i，j)，可以将实施方式1所说明的能够用于电极551s的结构用于电极551s(i，j)。此外，可以将实施方式1所说明的能够用于层114s的结构用于层114s(i，j)。
[0210]
《发光器件550x(i，j)的结构例子》
[0211]
例如，发光器件550x(i，j)包括单元103x(i，j)、电极551x(i，j)及电极552(参照图3)。单元103x(i，j)被夹在电极551x(i，j)与电极552之间。注意，电极551x(i，j)例如被形成在绝缘膜521上。另外，在电极551x(i，j)上形成包括与电极551x(i，j)重叠的开口部的绝缘膜528。
[0212]
《单元103x(i，j)的结构例子》
[0213]
单元103x(i，j)具有单层结构或叠层结构。例如，单元103x(i，j)包括层111x(i，j)、层112及层113。单元103具有发射光el1的功能。
[0214]
层112被夹在电极551x(i，j)与层111x(i，j)之间，层113被夹在层111x(i，j)与电极552之间。
[0215]
例如，可以将选自发光层、空穴传输层、电子传输层、载流子阻挡层等功能层的层用于单元103x(i，j)。此外，可以将选自空穴注入层、电子注入层、激子阻挡层及电荷产生层等功能层的层用于单元103x(i，j)。
[0216]
《《层112的结构例子》》
[0217]
例如，可以将空穴传输性材料用于层112。此外，可以将层112称为空穴传输层。注意，优选将其带隙大于层111x(i，j)中的发光性材料的材料用于层112。因此，可以抑制从层111x(i，j)所产生的激子向层112的能量转移。
[0218]
[具有空穴传输性的材料]
[0219]
可以将空穴迁移率为1
×
10-6
cm2/vs以上的材料适合用于具有空穴传输性的材料。
[0220]
例如，可以将实施方式1所说明的能够用于层112的具有空穴传输性的材料用于层112。
[0221]
《《层113的结构例子》》
[0222]
例如，可以将具有电子传输性的材料、具有蒽骨架的材料及混合材料等用于层113。另外，可以将层113称为电子传输层。注意，优选将其带隙大于层111x(i，j)中的发光性材料的材料用于层113。因此，可以抑制从层111x(i，j)所产生的激子向层113的能量转移。
[0223]
[具有电子传输性的材料]
[0224]
例如，可以将金属配合物或具有缺π电子杂芳环骨架的有机化合物用于具有电子传输性的材料。
[0225]
例如，可以将实施方式1所说明的能够用于层113的具有电子传输性的材料用于层113。
[0226]
《《层111x(i，j)的结构例子1》》
[0227]
层111x(i，j)包含发光性材料。例如，可以将发光性材料及主体材料用于层111x(i，j)。另外，可以将层111x(i，j)称为发光层。注意，优选在空穴与电子复合的区域中配置层111x(i，j)。由此，可以高效地将载流子复合所产生的能量作为光发射。
[0228]
另外，优选从用于电极等的金属远离的方式配置层111x(i，j)。因此，可以抑制用于电极等的金属发生猝灭现象。
[0229]
此外，优选调节从具有反射性的电极等到层111x(i，j)的距离，以在对应于发光波长的合适位置配置层111x(i，j)。由此，通过利用电极等所反射的光与层111x(i，j)所发射的光的干涉现象，可以相互加强振幅。此外，可以加强规定波长的光来使光谱谱线变窄。此外，可以以较高光强度得到鲜明的发光颜色。换言之，通过在电极等之间的合适位置配置层111x(i，j)，可以获得微腔结构。
[0230]
例如，可以将荧光发光物质、磷光发光物质或呈现热活化延迟荧光tadf(thermally activated delayed fluorescence)的物质(也被称为tadf材料)用于发光性材料。由此，可以将因载流子的复合而产生的能量从发光性材料作为光el1射出(参照图3)。
[0231]
由此，可以将发光器件的制造工序的一部分用于光电转换器件的制造工序的一部分。另外，利用现有的发光器件的生产线可以附加新的价值。其结果是，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的光功能器件。
[0232]
[荧光发光物质]
[0233]
可以将荧光发光物质用于层111x(i，j)。例如，可以将下述荧光发光物质用于层111x(i，j)。注意，荧光发光物质不局限于此，可以将各种已知的荧光发光物质用于层111x(i，j)。
[0234]
具体而言，可以使用5，6-双[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-2，2
’‑
联吡啶(简称：pap2bpy)、5，6-双[4
’‑
(10-苯基-9-蒽基)联苯-4-基]-2，2
’‑
联吡啶(简称：papp2bpy)、n，n
’‑
二苯基-n，n
’‑
双[4-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(简称：1，6flpaprn)、n，n
’‑
双(3-甲基苯基)-n，n
’‑
双[3-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(简称：1，6mmemflpaprn)、n，n
’‑
双[4-(9h-咔唑-9-基)苯基]-n，n
’‑
二苯基二苯乙烯-4，4
’‑
二胺(简称：yga2s)、4-(9h-咔唑-9-基)-4
’‑
(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(简称：ygapa)、4-(9h-咔唑-9-基)-4
’‑
(9，10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(简称：2ygappa)、n，9-二苯基-n-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑-3-胺(简称：pcapa)、二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯(简称：tbp)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4
’‑
(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯胺(简称：pcbapa)、n，n
”‑
(2-叔丁基蒽-9，10-二基二-4，1-亚苯基)双[n，n’，n
’‑
三苯基-1，4-苯二胺](简称：dpabpa)、n，9-二苯基-n-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-9h-咔唑-3-胺(简称：2pcappa)、n，n
’‑
(芘-1，6-二基)双[(6，n-二苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃)-8-胺](简称：1，6bnfaprn-03)、3，10-双[n-(9-苯基-9h-咔唑-2-基)-n-苯基氨基]萘并[2，3-b；6，7-b’]双苯并呋喃(简称：3，10pca2nbf(iv)-02)、3，10-双[n-(二苯并呋喃-3-基)-n-苯基氨基]萘并[2，3-b；6，7-b’]双苯并呋喃(简称：3，10fra2nbf(iv)-02)等。
[0235]
尤其是，以1，6flpaprn、1，6mmemflpaprn、1，6bnfaprn-03等芘二胺化合物为代表的稠合芳族二胺化合物具有高空穴俘获性和良好的发光效率或可靠性，所以是优选的。
[0236]
另外，可以使用n-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-n，n’，n
’‑
三苯基-1，4-苯二胺(简称：2dpappa)、n，n，n’，n’，n”，n”，n
”’
，n
”’‑
八苯基二苯并[g，p]-2，7，10，15-四胺(简
(4’，6
’‑
二氟苯基)吡啶根-n，c2’
]铱(iii)吡啶甲酸盐(简称：firpic)、双{2-[3’，5
’‑
双(三氟甲基)苯基]吡啶根-n，c2’
}铱(iii)吡啶甲酸盐(简称：[ir(cf3ppy)2(pic)])、双[2-(4’，6
’‑
二氟苯基)吡啶根-n，c2’
]铱(iii)乙酰丙酮(简称：firacac)等。
[0246]
上述物质是发射蓝色磷光的化合物，并且是在440nm至520nm具有发光波长的峰的化合物。
[0247]
[磷光发光物质(绿色)]
[0248]
作为具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物等，可以使用三(4-甲基-6-苯基嘧啶根)铱(iii)(简称：[ir(mppm)3])、三(4-叔丁基-6-苯基嘧啶根)铱(iii)(简称：[ir(tbuppm)3])、(乙酰丙酮根)双(6-甲基-4-苯基嘧啶根)铱(iii)(简称：[ir(mppm)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双(6-叔丁基-4-苯基嘧啶根)铱(iii)(简称：[ir(tbuppm)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双[6-(2-降冰片基)-4-苯基嘧啶根]铱(iii)(简称：[ir(nbppm)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双[5-甲基-6-(2-甲基苯基)-4-苯基嘧啶根]铱(iii)(简称：[ir(mpmppm)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双(4，6-二苯基嘧啶根)铱(iii)(简称：[ir(dppm)2(acac)])等。
[0249]
作为具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物等，可以使用(乙酰丙酮根)双(3，5-二甲基-2-苯基吡嗪根)铱(iii)(简称：[ir(mppr-me)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双(5-异丙基-3-甲基-2-苯基吡嗪根)铱(iii)(简称：[ir(mppr-ipr)2(acac)])等。
[0250]
作为具有吡啶骨架的有机金属铱配合物等，可以使用三(2-苯基吡啶根-n，c2’
)铱(iii)(简称：[ir(ppy)3])、双(2-苯基吡啶根-n，c2’
)铱(iii)乙酰丙酮(简称：[ir(ppy)2(acac)])、双(苯并[h]喹啉)铱(iii)乙酰丙酮(简称：[ir(bzq)2(acac)])、三(苯并[h]喹啉)铱(iii)(简称：[ir(bzq)3])、三(2-苯基喹啉-n，c2’
]铱(iii)(简称：[ir(pq)3])、双(2-苯基喹啉-n，c2’
)铱(iii)乙酰丙酮(简称：[ir(pq)2(acac)])、[2-d3-甲基-8-(2-吡啶基-κn)苯并呋喃并[2，3-b]吡啶-κc]双[2-(5-d3-甲基-2-吡啶基-κn2)苯基-κc]铱(iii)(简称：[ir(5mppy-d3)2(mbfpypy-d3)])、[2-d3-甲基-(2-吡啶基-κn)苯并呋喃并[2，3-b]吡啶-κc]双[2-(2-吡啶基-κn)苯基-κc]铱(iii)(简称：[ir(ppy)2(mbfpypy-d3)])等。
[0251]
作为稀土金属配合物，可以举出三(乙酰丙酮根)(单菲咯啉)铽(iii)(简称：[tb(acac)3(phen)])等。
[0252]
上述物质主要是发射绿色磷光的化合物，并且在500nm至600nm具有发光波长的峰。另外，由于具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物具有特别优异的可靠性或发光效率，所以是特别优选的。
[0253]
[磷光发光物质(红色)]
[0254]
作为具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物等，可以使用(二异丁酰基甲烷根)双[4，6-双(3-甲基苯基)嘧啶根]铱(iii)(简称：[ir(5mdppm)2(dibm)])、双[4，6-双(3-甲基苯基)嘧啶根)(二新戊酰基甲烷根)铱(iii)(简称：[ir(5mdppm)2(dpm)])、双[4，6-二(萘-1-基)嘧啶根](二新戊酰基甲烷根)铱(iii)(简称：[ir(d1npm)2(dpm)])等。
[0255]
作为具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物等，可以使用(乙酰丙酮根)双(2，3，5-三苯基吡嗪根)铱(iii)(简称：[ir(tppr)2(acac)])、双(2，3，5-三苯基吡嗪根)(二新戊酰基甲烷根)铱(iii)(简称：[ir(tppr)2(dpm)])、(乙酰丙酮根)双[2，3-双(4-氟苯基)喹喔啉合(quinoxalinato)]铱(iii)(简称：[ir(fdpq)2(acac)])等。
[0256]
作为具有吡啶骨架的有机金属铱配合物等，可以使用三(1-苯基异喹啉-n，c2’
)铱(iii)(简称：[ir(piq)3])、双(1-苯基异喹啉-n，c2’
)铱(iii)乙酰丙酮(简称：[ir(piq)2(acac)])等。
[0257]
作为稀土金属配合物等，可以举出三(1，3-二苯基-1，3-丙二酮基)(单菲咯啉)铕(iii)(简称：[eu(dbm)3(phen)])、三[1-(2-噻吩甲酰基)-3，3，3-三氟丙酮](单菲咯啉)铕(iii)(简称：[eu(tta)3(phen)])等。
[0258]
作为铂配合物等，可以使用2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21h，23h-卟啉铂(ii)(简称：ptoep)等。
[0259]
上述物质是发射红色磷光的化合物，并且在600nm至700nm具有发光峰。另外，具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物可以获得红色发光，其具有能够适合用于显示装置的色度。
[0260]
[呈现热活化延迟荧光(tadf)的物质]
[0261]
可以将tadf材料用于层111x(i，j)。例如，可以将以下所示的tadf材料用于发光性材料。注意，不局限于此，可以将各种已知的tadf材料用于发光性材料。
[0262]
由于tadf材料中s1能级与t1能级之差小而可以利用少量热能量将三重激发态反系间窜跃(上转换)为单重激发态。由此，可以高效地从三重激发态生成单重激发态。另外，可以将三重激发态转换成发光。
[0263]
以两种物质形成激发态的激基复合物(exciplex)因s1能级和t1能级之差极小而具有将三重激发能转换为单重激发能的tadf材料的功能。
[0264]
注意，作为t1能级的指标，可以使用在低温(例如，10k至77k)下观察到的磷光光谱。关于tadf材料，优选的是，当以通过在荧光光谱的短波长侧的尾处引切线得到的外推线的波长能量为s1能级并以通过在磷光光谱的短波长侧的尾处引切线得到的外推线的波长能量为t1能级时，s1能级与t1能级之差为0.3ev以下，更优选为0.2ev以下。
[0265]
此外，当使用tadf材料作为发光物质时，主体材料的s1能级优选比tadf材料的s1能级高。此外，主体材料的t1能级优选比tadf材料的t1能级高。
[0266]
例如，可以将富勒烯及其衍生物、吖啶及其衍生物以及伊红衍生物等用于tadf材料。另外，可以将包含镁(mg)、锌(zn)、镉(cd)、锡(sn)、铂(pt)、铟(in)或钯(pd)等的含金属卟啉用于tadf材料。
[0267]
具体而言，可以使用以下述结构式表示的原卟啉-氟化锡配合物(snf2(proto ix))、中卟啉-氟化锡配合物(snf2(meso ix))、血卟啉-氟化锡配合物(snf2(hemato ix))、粪卟啉四甲酯-氟化锡配合物(snf2(copro iii-4me)、八乙基卟啉-氟化锡配合物(snf2(oep))、初卟啉-氟化锡配合物(snf2(etio i))以及八乙基卟啉-氯化铂配合物(ptcl2oep)等。
[0268]
[化学式5]
[0269][0270]
另外，例如可以将具有富π电子型杂芳环和缺π电子型杂芳环的一方或双方的杂环化合物用于tadf材料。
[0271]
具体而言，可以使用以下述结构式表示的2-(联苯-4-基)-4，6-双(12-苯基吲哚并[2，3-a]咔唑-11-基)-1，3，5-三嗪(简称：pic-trz)、9-(4，6-二苯基-1，3，5-三嗪-2-基)-9
’‑
苯基-9h，9’h-3，3
’‑
联咔唑(简称：pccztzn)、2-{4-[3-(n-苯基-9h-咔唑-3-基)-9h-咔唑-9-基]苯基}-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：pcczptzn)、2-[4-(10h-吩恶嗪-10-基)苯基]-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：pxz-trz)、3-[4-(5-苯基-5，10-二氢吩嗪-10-基)苯基]-4，5-二苯基-1，2，4-三唑(简称：ppz-3tpt)、3-(9，9-二甲基-9h-吖啶-10-基)-9h-氧杂蒽-9-酮(简称：acrxtn)、双[4-(9，9-二甲基-9，10-二氢吖啶)苯基]硫砜(简称：dmac-dps)、10-苯基-10h，10’h-螺[吖啶-9，9
’‑
蒽]-10
’‑
酮(简称：acrsa)等。
[0272]
[化学式6]
[0273][0274]
另外，该杂环化合物具有富π电子型杂芳环和缺π电子型杂芳环，电子传输性和空穴传输性都高，所以是优选的。尤其是，在具有缺π电子杂芳环的骨架中，吡啶骨架、二嗪骨架(嘧啶骨架、吡嗪骨架、哒嗪骨架)及三嗪骨架稳定且可靠性良好，所以是优选的。尤其是，苯并呋喃并嘧啶骨架、苯并噻吩并嘧啶骨架、苯并呋喃并吡嗪骨架、苯并噻吩并吡嗪骨架的电子接收性高且可靠性良好，所以是优选的。
[0275]
另外，在具有富π电子型杂芳环的骨架中，吖啶骨架、吩恶嗪骨架、吩噻嗪骨架、呋喃骨架、噻吩骨架及吡咯骨架稳定且可靠性良好，所以优选具有上述骨架中的至少一个。另外，作为呋喃骨架优选使用二苯并呋喃骨架，作为噻吩骨架优选使用二苯并噻吩骨架。作为吡咯骨架，特别优选使用吲哚骨架、咔唑骨架、吲哚咔唑骨架、联咔唑骨架、3-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)-9h-咔唑骨架。
[0276]
在富π电子型杂芳环和缺π电子型杂芳环直接键合的物质中，富π电子杂芳环的电
萘基)-10-[4-(2-萘基)苯基]蒽(简称：αn-βnpanth)、9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑(简称：pczpa)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基(anthracenyl))苯基]-9h-咔唑(简称：czpa)、7-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-7h-二苯并[c，g]咔唑(简称：cgdbczpa)、3-[4-(1-萘基)-苯基]-9-苯基-9h-咔唑(简称：pcpn)等。
[0292]
尤其是，czpa、cgdbczpa、2mbnfppa、pczpa呈现非常良好的特性。
[0293]
[呈现热活化延迟荧光(tadf)的物质]
[0294]
可以将tadf材料用作主体材料。在将tadf材料用于主体材料时，可以通过反系间窜跃将在tadf材料中生成的三重态激发能转换为单重态激发能。另外，可以将激发能转移到发光物质。换言之，tadf材料被用作能量供体，发光物质被用作能量受体。由此，可以提高发光器件的发光效率。
[0295]
当上述发光物质为荧光发光物质时这是非常有效的。此外，此时，为了得到高发光效率，tadf材料的s1能级优选比荧光发光物的s1能级高。此外，tadf材料的t1能级优选比荧光发光物质的s1能级高。因此，tadf材料的t1能级优选比荧光发光物质的t1能级高。
[0296]
此外，优选使用呈现与荧光发光物质的最低能量一侧的吸收带的波长重叠的发光的tadf材料。由此，激发能顺利地从tadf材料转移到荧光发光物质，可以高效地得到发光，所以是优选的。
[0297]
为了高效地从三重激发能通过反系间窜跃生成单重激发能，优选在tadf材料中产生载流子的复合。此外，优选的是在tadf材料中生成的三重激发能不转移到荧光发光物质的三重激发能。为此，荧光发光物质优选在荧光发光物质所具有的发光体(成为发光的原因的骨架)的周围具有保护基。作为该保护基，优选为不具有π键的取代基，优选为饱和烃，具体而言，可以举出碳原子数为3以上且10以下的烷基、取代或未取代的碳原子数为3以上且10以下的环烷基、碳原子数为3以上且10以下的三烷基硅基，更优选具有多个保护基。不具有π键的取代基由于几乎没有传输载流子的功能，所以对载流子传输或载流子复合几乎没有影响，可以使tadf材料与荧光发光物质的发光体彼此远离。
[0298]
在此，发光体是指在荧光发光物质中成为发光的原因的原子团(骨架)。发光体优选为具有π键的骨架，优选包含芳香环，并优选具有稠合芳香环或稠合杂芳环。
[0299]
作为稠合芳香环或稠合杂芳环，可以举出菲骨架、二苯乙烯骨架、吖啶酮骨架、吩恶嗪骨架、吩噻嗪骨架等。尤其是，具有萘骨架、蒽骨架、芴骨架、骨架、三亚苯骨架、并四苯骨架、芘骨架、苝骨架、香豆素骨架、喹吖啶酮骨架、萘并双苯并呋喃骨架的荧光发光物质具有高荧光量子产率，所以是优选的。
[0300]
例如，可以将可用于发光性材料的tadf材料用于主体材料。
[0301]
[混合材料的结构例子1]
[0302]
另外，可以将混合多种物质的材料用于主体材料。例如，可以将混合具有电子传输性的材料和具有空穴传输性的材料用于混合材料。混合的材料中的具有空穴传输性的材料和具有电子传输性的材料的重量比例的值为(具有空穴传输性的材料/具有电子传输性的材料)＝(1/19)以上且(19/1)以下即可。由此，可以容易调整层111x(i，j)的载流子传输性。另外，可以更简便地进行复合区域的控制。
[0303]
[混合材料的结构例子2]
[0304]
可以将混合磷光发光物质的材料用于主体材料。磷光发光物质在作为发光物质使
用荧光发光物质时可以被用作对荧光发光物质供应激发能的能量供体。
[0305]
[混合材料的结构例子3]
[0306]
可以将包含形成激基复合物的材料的混合材料用于主体材料。例如，可以将所形成的激基复合物的发射光谱与发光物质的最低能量一侧的吸收带的波长重叠的材料用于主体材料。因此，可以使能量转移变得顺利，从而提高发光效率。另外，可以抑制驱动电压。通过采用这样的结构，可以高效地得到利用从激基复合物到发光物质(磷光材料)的能量转移的extet(exciplex-triplet energy transfer：激基复合物-三重态能量转移)的发光。
[0307]
可以将磷光发光物质用于形成激基复合物的材料的至少一个。由此，可以利用反系间窜跃。或者，可以高效地将三种激发能转换为单重激发能。
[0308]
作为形成激基复合物的材料的组合，具有空穴传输性的材料的homo能级优选为具有电子传输性的材料的homo能级以上。或者，具有空穴传输性的材料的lumo能级优选为具有电子传输性的材料的lumo能级以上。由此，可以高效地形成激基复合物。另外，材料的lumo能级及homo能级可以从电化学特性(还原电位及氧化电位)求出。具体而言，可以利用循环伏安法(cv)测定法测量还原电位及氧化电位。
[0309]
注意，激基复合物的形成例如可以通过如下方法确认：对具有空穴传输性的材料的发射光谱、具有电子传输性的材料的发射光谱及混合这些材料而成的混合膜的发射光谱进行比较，当观察到混合膜的发射光谱比各材料的发射光谱向长波长一侧漂移(或者在长波长一侧具有新的峰值)的现象时说明形成有激基复合物。或者，对具有空穴传输性的材料的瞬态光致发光(pl)、具有电子传输性的材料的瞬态pl及混合这些材料而成的混合膜的瞬态pl进行比较，当观察到混合膜的瞬态pl寿命与各材料的瞬态pl寿命相比具有长寿命成分或者延迟成分的比率变大等瞬态响应不同时说明形成有激基复合物。此外，可以将上述瞬态pl称为瞬态电致发光(el)。换言之，与对具有空穴传输性的材料的瞬态el、具有电子传输性的材料的瞬态el及这些材料的混合膜的瞬态el进行比较，观察瞬态响应的不同，可以确认激基复合物的形成。
[0310]
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
[0311]
实施方式3
[0312]
在本实施方式中，参照图2a至图2c及图4至图7b说明本发明的一个方式的装置的结构。
[0313]
图4是说明本发明的一个方式的装置的结构的方框图。
[0314]
图5是说明本发明的一个方式的装置的结构的电路图。
[0315]
图6是说明本发明的一个方式的装置的结构的电路图。
[0316]
图7a及图7b是说明本发明的一个方式的装置的结构的电路图。图7a是说明能够用于本发明的一个方式的装置的放大电路amp1的电路图，图7b是说明能够用于本发明的一个方式的装置或光功能装置的采样电路sc(j)的电路图。
[0317]
《光功能装置700的结构例子1》
[0318]
本发明的一个方式的光功能装置700包括一组像素703(i，j)、导电膜ano及导电膜vcom2(参照图2c及图5)。光功能装置700具有显示图像的功能。
[0319]
《《一组像素703(i，j)的结构例子1》》
[0320]
一组像素703(i，j)包括像素702x(i，j)(参照图2b及图2c)。
[0321]
像素702x(i，j)包括发光器件550x(i，j)及像素电路530x(i，j)。发光器件550x(i，j)包括一对电极，其中一个电极与像素电路530x(i，j)电连接，另一个电极与导电膜vcom2电连接。
[0322]
例如，可以将实施方式2所说明的发光器件用作发光器件550x(i，j)。
[0323]
像素电路530x(i，j)与导电膜ano电连接(参照图5)。
[0324]
《光功能装置700的结构例子2》
[0325]
另外，本发明的一个方式的光功能装置700包括一组像素703(i，j)、导电膜wx(j)及导电膜vpd(参照图2c及图6)。光功能装置700具有供应摄像信号的功能。
[0326]
《《一组像素703(i，j)的结构例子2》》
[0327]
一组像素703(i，j)包括像素702s(i，j)(参照图2b及图2c)。
[0328]
像素702s(i，j)包括光电转换器件550s(i，j)及像素电路530s(i，j)。光电转换器件550s(i，j)包括一对电极，其中一个电极与像素电路530s(i，j)电连接，另一个电极与导电膜vpd电连接。
[0329]
例如，可以将实施方式1所说明的光电转换器件用作光电转换器件550s(i，j)。
[0330]
像素电路530s(i，j)与导电膜wx(i)电连接，像素电路530s(i，j)具有供应摄像信号的功能(参照图6)。
[0331]
《光功能装置700的结构例子3》
[0332]
另外，本发明的一个方式的光功能装置700包括驱动电路gd、导电膜g1(i)及导电膜g2(i)(参照图4及图5)。
[0333]
《《驱动电路gd的结构例子》》
[0334]
驱动电路gd供应第一选择信号及第二选择信号。
[0335]
导电膜g1(i)被供应第一选择信号，导电膜g2(i)被供应第二选择信号。
[0336]
《光功能装置700的结构例子4》
[0337]
此外，本发明的一个方式的光功能装置700包括驱动电路sd、导电膜s1(j)及导电膜s2(j)(参照图4及图5)。光功能装置700包括导电膜v0。
[0338]
《《驱动电路sd的结构例子》》
[0339]
驱动电路sd供应第一控制信号及第二控制信号。
[0340]
导电膜s1(j)被供应第一控制信号，导电膜s2(j)被供应第二控制信号。
[0341]
《《像素电路530x(i，j)的结构例子1》》
[0342]
像素电路530x(i，j)与导电膜g1(i)及导电膜s1(j)电连接。导电膜g1(i)供应第一选择信号，导电膜s1(j)供应第一控制信号。
[0343]
像素电路530x(i，j)根据第一选择信号及第一控制信号驱动发光器件550x(i，j)。另外，发光器件550x(i，j)发射光。
[0344]
《《像素电路530x(i，j)的结构例子2》》
[0345]
像素电路530x(i，j)包括开关sw21、开关sw22、晶体管m21、电容器c21及节点n21。
[0346]
晶体管m21包括与节点n21电连接的栅电极、与发光器件550x(i，j)电连接的第一电极以及与导电膜ano电连接的第二电极。
[0347]
开关sw21包括具有根据与节点n21电连接的第一端子、与导电膜s1(j)电连接的第二端子及导电膜g1(i)的电位控制导通状态或非导通状态的功能的栅电极。
[0348]
开关sw22包括具有根据与导电膜s2(j)电连接的第一端子及导电膜g2(i)的电位控制导通状态或非导通状态的功能的栅电极。
[0349]
电容器c21包括与节点n21电连接的导电膜以及与开关sw22的第二电极电连接的导电膜。
[0350]
由此，可以将图像信号储存在节点n21中。另外，可以使用开关sw22改变节点n21的电位。另外，可以使用节点n21的电位控制发光器件550x(i，j)所发射的光的强度。其结果是，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的装置。
[0351]
《《像素电路530x(i，j)的结构例子3》》
[0352]
像素电路530x(i，j)包括开关sw23、节点n22及电容器c22。
[0353]
开关sw23包括具有根据与导电膜v0电连接的第一端子、与节点n22电连接的第二端子以及导电膜g2(i)的电位控制导通状态或非导通状态的功能的栅电极。
[0354]
电容器c22包括与节点n21电连接的导电膜以及与节点n22电连接的导电膜。
[0355]
注意，晶体管m21的第一电极与节点n22电连接。
[0356]
《光功能装置700的结构例子5》
[0357]
本发明的一个方式的光功能装置700包括驱动电路rd、导电膜rs(i)、导电膜tx(i)及导电膜se(i)(参照图4及图6)。
[0358]
《《驱动电路rd的结构例子》》
[0359]
驱动电路rd供应第三选择信号、第四选择信号及第五选择信号。
[0360]
导电膜rs(i)被供应第三选择信号，导电膜tx(i)被供应第四选择信号，导电膜se(i)被供应第五选择信号。
[0361]
《《像素电路530s(i，j)的结构例子1》》
[0362]
像素电路530s(i，j)与导电膜rs(i)、导电膜tx(i)及导电膜se(i)电连接。导电膜rs(i)供应第三选择信号，导电膜tx(i)供应第四选择信号，导电膜se(i)供应第五选择信号。
[0363]
像素电路530s(i，j)根据第三选择信号被进行初始化，像素电路530s(i，j)根据第四选择信号进行摄像，像素电路530s(i，j)根据第五选择信号供应摄像信号。注意，可以在发光器件550x(i，j)发射光的期间进行摄像。
[0364]
《《像素电路530s(i，j)的结构例子2》》
[0365]
像素电路530s(i，j)包括开关sw31、开关sw32、开关sw33、晶体管m31、电容器c31及节点fd。
[0366]
开关sw31包括具有根据与光电转换器件550s(i，j)电连接的第一端子、与节点fd电连接的第二端子以及导电膜tx(i)的电位控制导通状态或非导通状态的功能的栅电极。
[0367]
开关sw32包括具有根据与节点fd电连接的第一端子、与导电膜vr电连接的第二端子以及导电膜rs(i)的电位控制导通状态或非导通状态的功能的栅电极。
[0368]
电容器c31包括与节点fd电连接的导电膜以及与导电膜vcp电连接的导电膜。
[0369]
晶体管m31包括与节点fd电连接的栅电极以及与导电膜vpi电连接的第一电极。
[0370]
开关sw33包括具有根据与晶体管m31的第二电极电连接的第一端子、与导电膜wx(j)电连接的第二端子以及导电膜se(i)的电位控制导通状态或非导通状态的功能的栅电极。
[0371]
由此，可以使用开关sw31将光电转换器件550s(i，j)生成的摄像信号传送到节点fd。另外，可以使用开关sw31将光电转换器件550s(i，j)生成的摄像信号储存到节点fd。另外，可以使用开关sw31使像素电路530s(i，j)与光电转换器件550s(i，j)之间处于非导通状态。另外，可以使用相关双采样法。另外，可以降低包括在摄像信号中的杂音。其结果是，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的装置。
[0372]
《光功能装置700的结构例子6》
[0373]
本发明的一个方式的光功能装置700包括驱动电路rc、导电膜cl及导电膜capsel(参照图4、图7a及图7b)。
[0374]
另外，光功能装置700包括导电膜vlen及导电膜viv。
[0375]
光功能装置700包括导电膜vcl、导电膜cdsvdd、导电膜cdsvss及导电膜cdsbias。
[0376]
《《驱动电路rc的结构例子》》
[0377]
驱动电路rc包括读出电路rc(j)(参照图4)。
[0378]
读出电路rc(j)包括放大电路amp1(j)及采样电路sc(j)。
[0379]
[放大电路amp1(j)的结构例子1]
[0380]
増幅电路amp1(j)与导电膜wx(j)电连接，放大电路amp1(j)具有放大摄像信号的功能。
[0381]
[放大电路amp1(j)的结构例子2]
[0382]
放大电路amp1(j)包括晶体管m32(j)，晶体管m32(j)包括与导电膜vlen电连接的栅电极、与导电膜wx(j)电连接的第一电极及与导电膜viv电连接的第二电极。
[0383]
注意，在开关sw33处于导通状态时，导电膜wx(j)与晶体管m31及晶体管m32(j)连接(参照图6及图7a)。由此，可以使用晶体管m31及晶体管m32(j)构成源极跟随电路。另外，可以根据节点fd的电位改变导电膜wx(j)的电位。
[0384]
[采样电路sc(j)的结构例子]
[0385]
采样电路sc(j)包括端子in1(j)、端子in2、端子in3及端子out(j)(参照图7b)。
[0386]
端子in1(j)与导电膜wx(j)电连接，端子in2与导电膜cl电连接，端子in3与导电膜capsel电连接。
[0387]
采样电路sc(j)具有根据导电膜cl及导电膜capsel的电位获取摄像信号的功能。另外，端子out(j)具有供应根据端子in1(j)的电位而变化的信号的功能。
[0388]
由此，可以从像素电路530s(i，j)获取摄像信号。另外，例如，可以采用相关双采样法。另外，可以将采样电路sc(j)设置在每个导电膜wx(j)中。可以在每个导电膜wx(j)获取像素电路530s(i，j)的差分信号。另外，可以抑制采样电路sc(j)的工作频率。另外，可以降低噪声。其结果是，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的装置。
[0389]
《光功能装置700的结构例子7》
[0390]
本发明的一个方式的光功能装置700包括区域231(参照图4)。区域231具有显示图像的功能。
[0391]
区域231包括一群像素703(i，1)至像素703(i，n)及另一群像素703(1，j)至像素703(m，j)。
[0392]
一群像素703(i，1)至像素703(i，n)配置在行方向(附图中以箭头r1表示的方向)上，一群像素703(i，1)至像素703(i，n)包括像素703(i，j)。
[0393]
另外，导电膜g1(i)与一群像素703(i，1)至像素703(i，n)电连接。
[0394]
另一群像素703(1，j)至像素703(m，j)配置在与行方向交叉的列方向(附图中以箭头c1表示的方向)上，另一群像素703(1，j)至像素703(m，j)包括像素703(i，j)。
[0395]
另外，另一群像素703(1，j)至像素703(m，j)与导电膜s1(j)电连接。
[0396]
《光功能装置700的结构例子8》
[0397]
本发明的一个方式的光功能装置700包括多路复用器mux、放大电路amp2及模拟数字转换电路adc(参照图4)。
[0398]
多路复用器mux具有如下功能：从多个采样电路sc(j)中选择一个并获取摄像信号，例如将该信号供应到放大电路amp2。
[0399]
由此，可以从配置在行方向上的多个像素选择指定像素而获取摄像数据。另外，可以将同时获取的摄像信号的数量抑制在指定的数量的范围内。另外，可以使用输入通道数比配置在行方向上的像素数少的模拟数字转换电路adc。其结果是，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的装置。
[0400]
放大电路amp2可以放大摄像信号并将该信号供应到模拟数字转换电路adc。
[0401]
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
[0402]
实施例1
[0403]
在本实施例中，参照图8、图11至图13说明本发明的一个方式的器件1至器件4。
[0404]
图8是说明光电转换器件550s的结构的图。
[0405]
图11是说明器件1至器件4的分光灵敏度的图。
[0406]
图12是说明在照射光的状态下的器件1至器件4的电压-电流密度特性的图。
[0407]
图13是说明在没有照射光的状态下的器件1至器件4的电压-电流密度特性的图。
[0408]
《器件1》
[0409]
本实施例所说明的制造的器件1具有与光电转换器件550s相同的结构(参照图8)。
[0410]
光电转换器件550s包括电极551s、电极552及单元103s。单元103s被夹在电极551s与电极552之间。
[0411]
单元103s包含电子供给性材料dm1及电子接收性材料am1。电子供给性材料dm1为稠合芳香化合物，电子接收性材料am1具有苝骨架及2个以上的烷基。另外，烷基的碳原子数分别独立地为1以上且13以下。
[0412]
《《器件1的结构》》
[0413]
表1示出器件1的结构。另外，以下示出用于本实施例所说明的器件的材料的结构式。
[0414]
[表1]
[0415][0416]
[化学式7]
[0417][0418]
[化学式8]
[0419][0420]
《《器件1的制造方法》》
[0421]
使用包括下述步骤的方法制造本实施例所说明的器件1。
[0422]
[第一步骤]
[0423]
在第一步骤，形成反射膜ref。具体而言，作为靶材使用包含银(ag)、钯(pd)及铜(cu)的合金(简称：apc)，利用溅射法形成上述反射膜。
[0424]
反射膜ref包含apc且厚度为100nm。
[0425]
[第二步骤]
[0426]
在第二步骤，在反射膜ref上形成电极551s。具体而言，作为靶材使用含有硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡(简称：itso)通过溅射法形成上述电极。
[0427]
电极551s包含itso，厚度为100nm，面积为4mm2(2mm
×
2mm)。
[0428]
接着，用水洗涤形成有电极551s的衬底，以200℃焙烧1小时。然后，将衬底放入其内部被减压至10-4
pa左右的真空蒸镀装置中，并在真空蒸镀装置内的加热室以180℃进行真空焙烧60分钟。然后，将该衬底自然冷却至室温。
[0429]
[第三步骤]
[0430]
在第三步骤，在电极551s上形成层104。具体而言，通过电阻加热法对材料进行共蒸镀。
[0431]
注意，层104以bbabnf：ochd-003＝1：0.1(重量比)包含n，n-双(4-联苯)-6-苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-胺(简称：bbabnf)及电子受体材料(ochd-003)且厚度为11nm。电子受体材料ochd-003包含氟，其分子量为672。
[0432]
[第四步骤]
[0433]
在第四步骤，在层104上形成层112。具体而言，通过电阻加热法蒸镀材料。
[0434]
注意，层112包含bbabnf且厚度为40nm。
[0435]
[第五步骤]
[0436]
在第五步骤，在层112上形成层114s1。具体而言，通过电阻加热法蒸镀材料。
[0437]
注意，层114s1包含红荧烯(rubrene)且厚度为54nm。
[0438]
[第六步骤]
[0439]
在第六步骤，在层114s1上形成层114s2。具体而言，通过电阻加热法蒸镀材料。
[0440]
注意，层114s2包含me-ptcdi且厚度为6nm。
[0441]
[第七步骤]
[0442]
在第七步骤，在层114s2上形成层113(1)。具体而言，通过电阻加热法蒸镀材料。
[0443]
注意，层113(1)包含2mdbtbpdbq-ii且厚度为10nm。
[0444]
[第八步骤]
[0445]
在第八步骤，在层113(1)上形成层113(2)。具体而言，通过电阻加热法蒸镀材料。
[0446]
注意，层113(2)包含2，9-二(2-萘基)-4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(简称：nbphen)且厚度为10nm。
[0447]
[第九步骤]
[0448]
在第九步骤，在层113(2)上形成层105。具体而言，通过电阻加热法蒸镀材料。
[0449]
注意，层105包含氟化锂(简称：lif)且厚度为1nm。
[0450]
[第十步骤]
[0451]
在第十步骤，在层105上形成电极552。具体而言，通过电阻加热法对材料进行共蒸镀。
[0452]
注意，电极552以银(ag)：镁(mg)＝1：0.1(体积比)包含ag及mg且厚度为10nm。
[0453]
[第十一步骤]
[0454]
在第十一步骤，在电极552上形成层cap。具体而言，通过电阻加热法蒸镀材料。
[0455]
注意，层cap包含4，4’，4
”‑
(苯-1，3，5-三基)三(二苯并噻吩)(简称：dbt3p-ii)且厚度为80nm。
[0456]
《《器件1的工作特性》》
[0457]
在室温下测量器件1的工作特性(参照图11至图13)。注意，以电极551s的电位为基准，在对电极552供应-4v的电位的状态下照射单色光，测量相对应照射光量的电流转换效率，并将其记作eqe(参照图11)。在375nm以上且750nm以下的范围内，按25nm的间隔照射单色光。另外，在以12.5μw/cm2的强度照射525nm的光的状态下，以电极552的电位为基准，从-6v至+2v扫描电极551s的电位，并测量流过器件的电流密度(参照图12)。此外，在没有照射光的状态下，以电极552的电位为基准，从-6v至+2v扫描电极551s的电位，并测量流过器件的暗电流的电流密度(参照图13)。表2记载出器件1及后述其他器件的特性。
[0458]
[表2]
[0459][0460]
可知器件1呈现良好的特性。例如，具有良好的电流饱和性且效率较高。另外，可以提供也适用于拍摄包含模拟灰度的拍摄对象的摄像器件。
[0461]
《器件2》
[0462]
本实施例所说明的制造的器件2具有与光电转换器件550s相同的结构(参照图8)。注意，器件2与器件1的不同之处在于：层114s2包含ptcdi-c8代替me-ptcdi。
[0463]
《《器件2的制造方法》》
[0464]
器件2与上述器件1的制造方法的不同之处在于：在第六步骤，使用ptcdi-c8在层114s1上以厚度为6nm的方式形成层114s2。
[0465]
《器件3》
[0466]
本实施例所说明的制造的器件3具有与光电转换器件550s相同的结构(参照图8)。注意，器件3与器件1的不同之处在于：层114s2包含ptcdi-c13代替me-ptcdi。
[0467]
《《器件3的制造方法》》
[0468]
器件3与上述器件1的制造方法的不同之处在于：在第六步骤，使用ptcdi-c13在层114s1上以厚度为6nm的方式形成层114s2。
[0469]
《器件4》
[0470]
本实施例所说明的制造的器件4具有与光电转换器件550s相同的结构(参照图8)。注意，器件4与器件1的不同之处在于：层114s2包含ethex-ptcdi代替me-ptcdi。
[0471]
《《器件4的制造方法》》
[0472]
器件4与上述器件1的制造方法的不同之处在于：在第六步骤，使用ethex-ptcdi在层114s1上以厚度为6nm的方式形成层114s2。
[0473]
实施例2
[0474]
在本实施例中，说明可用于本发明的一个方式的光电转换器件的电子接收性材料的溶解性。注意，使用液相色谱质谱仪评价材料的溶解性。
[0475]
具体而言，在使用液相色谱质谱仪检测出材料的色谱图中的峰及ms谱时用圆圈表示”。在没有检测出材料的色谱图中的峰但检测出ms谱时用三角形表示。此外，在既没有检测出材料的色谱图的峰也没有检测出ms谱时用叉号表示。
[0476]
注意，液相色谱质谱仪由acquity h-class(沃特世(waters)公司制造)及xevotm g2 q-tof ms(沃特世公司制造)构成，作为色谱柱使用acquity uplc(注册商标)beh c8 1.7μm 2.1
×
100mm column(沃特世公司制造，以下记载为色谱柱)。
[0477]
对用于溶解性评价的样品的调制方法进行说明。将0.5mg的电子接收性材料am1和0.25ml的氯仿放入玻璃试剂瓶中，进行超声波处理1分钟。对所得的混合物添加2.5ml的乙腈，静置所得的混合物，在18小时后进行过滤。当am1溶于所得的样品(滤液)时，会得到具有
am1的颜色的溶液(此次的样品中为橙色溶液)，但在溶解度低时会得到无色透明的样品。将所得的滤液作为样品，使用上述液相色谱质谱仪进行溶解度测试。
[0478]
对使用液相色谱质谱仪的溶解度测试的测量方法进行说明。作为流动相a使用乙腈，作为流动相b使用甲酸水溶液(0.1％)，溶剂的流速为0.5ml/min，样品注入量为5μl。
[0479]
《《me-ptcdi的溶解性测试》》
[0480]
作为调整me-ptcdi的样品的结果，得到无色透明的样品，因此判断me-ptcdi完全没有溶解，不进行溶解性测试。用叉号表示溶解性测试的结果。
[0481]
《《ptcdi-c8的溶解性测试》》
[0482]
ptcdi-c8的样品为橙色溶液，测量的输液条件如下：以使流动相a与流动相b的比率具有线性梯度的方式，将从测量开始至1分钟的该比率设为75：25，然后将1分钟至9分钟的该比率设为95：5。
[0483]
《《ptcdi-c13的溶解性测试》》
[0484]
ptcdi-c13的样品为淡橙色溶液，测量的输液条件如下：以使流动相a与流动相b的比率具有线性梯度的方式，将从测量开始至1分钟的该比率设为80：20，然后将1分钟至9分钟的该比率设为95：5。
[0485]
《《ethex-ptcdi的溶解性测试》》
[0486]
ethex-ptcdi的样品为橙色溶液，测量的输液条件如下：从测量开始至10分钟的流动相a与流动相b的比率保持为95：5。
[0487]
《《材料的溶解性》》
[0488]
表3示出材料的溶解性。
[0489]
[表3]
[0490][0491]
与me-ptcdi或ptcdi-c13相比，ptcdi-c8及ethex-ptcdi都呈现良好的溶解性。由此，可确认：碳原子数为2至12的烷基具有提高苝四羧酸二酰亚胺衍生物的溶解性的效果。另外，与碳原子数为8的ptcdi-c8相比，碳原子数为8的ethex-ptcdi呈现更加良好的溶解性。由此，可确认：支链烷基比链状烷基更具有提高苝四羧酸二酰亚胺衍生物的溶解性的效果。
[0492]
实施例3
[0493]
在本实施例中，参照图9至图25说明本发明的一个方式的器件d111至器件d411。
[0494]
图9是说明光电转换器件550s的结构的图。
[0495]
图10是说明光电转换器件550s的结构的图。
[0496]
图14是说明器件d111及器件d112的分光灵敏度的图。
[0497]
图15是说明器件d111及器件d112在被照射光的状态下的电压-电流密度特性的
图。
[0498]
图16是说明器件d111及器件d112在没有被照射光的状态下的电压-电流密度特性的图。
[0499]
图17是说明器件d211及器件d212的分光灵敏度的图。
[0500]
图18是说明器件d211及器件d212在被照射光的状态下的电压-电流密度特性的图。
[0501]
图19是说明器件d211及器件d212在没有被照射光的状态下的电压-电流密度特性的图。
[0502]
图20是说明器件d311的分光灵敏度的图。
[0503]
图21是说明器件d311在被照射光的状态下的电压-电流密度特性的图。
[0504]
图22是说明器件d311在没有被照射光的状态下的电压-电流密度特性的图。
[0505]
图23是说明器件d411的分光灵敏度的图。
[0506]
图24是说明器件d411在被照射光的状态下的电压-电流密度特性的图。
[0507]
图25是说明器件d411在没有被照射光的状态下的电压-电流密度特性的图。
[0508]
《器件d111》
[0509]
本实施例所说明的制造的器件d111具有与光电转换器件550s相同的结构(参照图9)。
[0510]
光电转换器件550s包括电极551s、电极552及单元103s。单元103s被夹在电极551s与电极552之间。
[0511]
单元103s包含电子供给性材料dm1及电子接收性材料am1。电子供给性材料dm1为稠合芳香化合物，电子接收性材料am1具有苝骨架及2个以上的烷基。注意，烷基的碳原子数分别独立地为1以上且13以下。
[0512]
《《器件d111及器件d112的结构》》
[0513]
表4示出器件d111及器件d112的结构。注意，表中的y为10或20。
[0514]
[表4]
[0515][0516]
《《器件d111的制造方法》》
[0517]
使用包括下述步骤的方法制造本实施例所说明的器件d111。
[0518]
[第一步骤]
[0519]
在第一步骤，形成反射膜ref。具体而言，作为靶材使用包含银(ag)、钯(pd)及铜
(cu)的合金(简称：apc)，利用溅射法形成上述反射膜。
[0520]
反射膜ref包含apc且厚度为100nm。
[0521]
[第二步骤]
[0522]
在第二步骤，在反射膜ref上形成电极551s。具体而言，作为靶材使用含有硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡(简称：itso)通过溅射法形成上述电极。
[0523]
电极551s包含itso，厚度为100nm，面积为4mm2(2mm
×
2mm)。
[0524]
接着，用水洗涤形成有电极551s的衬底，以200℃焙烧1小时。然后，将衬底放入其内部被减压至10-4
pa左右的真空蒸镀装置中，并在真空蒸镀装置内的加热室以180℃进行真空焙烧60分钟。然后，将该衬底自然冷却至室温。
[0525]
[第三步骤]
[0526]
在第三步骤，在电极551s上形成层104。具体而言，通过电阻加热法对材料进行共蒸镀。
[0527]
注意，层104以bbabnf：ochd-003＝1：0.1(重量比)包含bbabnf及ochd-003且厚度为11nm。
[0528]
[第四步骤]
[0529]
在第四步骤，在层104上形成层112。具体而言，通过电阻加热法蒸镀材料。
[0530]
注意，层112包含bbabnf且厚度为40nm。
[0531]
[第五步骤]
[0532]
在第五步骤，在层112上形成层114s1。具体而言，通过电阻加热法蒸镀材料。
[0533]
注意，层114s1包含红荧烯且厚度为42nm。
[0534]
[第六步骤]
[0535]
在第六步骤，在层114s1上形成层114s2。具体而言，通过电阻加热法蒸镀材料。
[0536]
注意，层114s2包含ethex-ptcdi且厚度为18nm。
[0537]
[第七步骤]
[0538]
在第七步骤，在层114s2上形成层113(1)。具体而言，通过电阻加热法蒸镀材料。
[0539]
注意，层113(1)包含2mdbtbpdbq-ii且厚度为10nm。
[0540]
[第八步骤]
[0541]
在第八步骤，在层113(1)上形成层113(2)。具体而言，通过电阻加热法蒸镀材料。
[0542]
注意，层113(2)包含nbphen且厚度为10nm。
[0543]
[第九步骤]
[0544]
在第九步骤，在层113(2)上形成层105。具体而言，通过电阻加热法蒸镀材料。
[0545]
注意，层105包含lif且厚度为1nm。
[0546]
[第十步骤]
[0547]
在第十步骤，在层105上形成电极552。具体而言，通过电阻加热法对材料进行共蒸镀。
[0548]
注意，电极552以ag：mg＝1：0.1(体积比)包含ag及mg且厚度为10nm。
[0549]
《《器件d111的工作特性》》
[0550]
在室温下测量器件d111的工作特性(参照图14至图16)。注意，以电极551s的电位为基准，在对电极552供应-4v的电位的状态下照射单色光，测量相对应照射光量的电流转
换效率，并将其记作eqe(参照图14)。在375nm以上且750nm以下的范围内，按25nm的间隔照射单色光。另外，在以12.5μw/cm2的强度照射550nm的光的状态下，以电极552的电位为基准，从-6v至+2v扫描电极551s的电位，并测量流过器件的电流密度(参照图15)。此外，在没有照射光的状态下，以电极552的电位为基准，从-6v至+2v扫描电极551s的电位，并测量流过器件的暗电流的电流密度(参照图16)。表5记载出器件d111及后述其他器件的特性。
[0551]
[表5]
[0552][0553]
可知器件d111呈现良好的特性。例如，具有良好的电流饱和性且效率较高。另外，可以提供也适用于拍摄包含模拟灰度的拍摄对象的摄像器件。
[0554]
《器件d112》
[0555]
本实施例所说明的制造的器件d112具有与光电转换器件550s相同的结构(参照图9)。注意，器件d112与器件d111的不同之处在于：层113(1)及层113(2)的厚度为20nm。
[0556]
可知即使层113(2)的厚度较厚，器件d112也具有良好的饱和特性。
[0557]
《器件d211》
[0558]
本实施例所说明的制造的器件d211具有与光电转换器件550s相同的结构(参照图9)。
[0559]
《《器件d211及器件d212的结构》》
[0560]
表6示出器件d211及器件d212的结构。注意，表中的y为10或20。
[0561]
[表6]
[0562][0563]
注意，器件d211与器件d111的不同之处在于：层114s1的厚度不是42nm而是30nm，以及层114s2的厚度不是18nm而是30nm。
[0564]
可知器件d211具有良好的饱和特性。
[0565]
《器件d212》
[0566]
本实施例所说明的制造的器件d212具有与光电转换器件550s相同的结构(参照图9)。注意，器件d212与器件d211的不同之处在于：层113(1)及层113(2)的厚度为20nm。
[0567]
可知即使层113(2)的厚度较厚，器件d212也具有良好的饱和特性。
[0568]
《器件d311》
[0569]
本实施例所说明的制造的器件d311具有与光电转换器件550s相同的结构(参照图10)。
[0570]
《《器件d311的结构》》
[0571]
表7示出器件d311的结构。
[0572]
[表7]
[0573][0574]
注意，器件d311与器件d111的不同之处在于：包括单层结构的层114s代替具有层叠有层114s1及层114s2的叠层结构的层114s。
[0575]
《《器件d311的制造方法》》
[0576]
器件d311与器件d111的制造方法的不同之处在于：在第五步骤，通过电阻加热法对材料进行共蒸镀；从第五步骤进入第七步骤而跳过第六步骤。
[0577]
[第五步骤]
[0578]
在第五步骤，在层112上形成层114s。具体而言，通过电阻加热法对材料进行共蒸镀。
[0579]
注意，层114s以rubrene：ethex-ptcdi＝0.7：0.3(重量比)包含rubrene及ethex-ptcdi且厚度为60nm。
[0580]
可知器件d311对绿色的光具有良好的受光灵敏度。
[0581]
《器件d411》
[0582]
本实施例所说明的制造的器件d411与光电转换器件550s具有相同的结构(参照图10)。
[0583]
《《器件d411的结构》》
[0584]
表8示出器件d411的结构。
[0585]
[表8]
[0586][0587]
注意，器件d411与器件d311的不同之处在于：层114s的组成不同。
[0588]
《《器件d411的制造方法》》
[0589]
器件d411与器件d111的制造方法的不同之处在于：在第五步骤，通过电阻加热法对材料进行共蒸镀；从第五步骤进入第七步骤而跳过第六步骤。
[0590]
[第五步骤]
[0591]
在第五步骤，在层112上形成层114s。具体而言，通过电阻加热法对材料进行共蒸镀。
[0592]
注意，层114s以rubrene：ethex-ptcdi＝0.5：0.5(重量比)包含rubrene及ethex-ptcdi且厚度为60nm。
[0593]
可知器件d411对绿色的光具有良好的受光灵敏度。
技术特征：1.一种光电转换器件，包括：第一电极；第二电极；以及第一单元，其中，所述第一单元位于所述第一电极与所述第二电极之间，所述第一单元包含第一电子供给性材料及第一电子接收性材料，所述第一电子供给性材料是稠合芳香化合物，所述第一电子接收性材料具有苝骨架及2个以上的烷基，并且，所述烷基分别独立地具有数量为1以上且13以下的碳原子。2.根据权利要求1所述的光电转换器件，其中所述第一单元的吸收光谱在波长低于500nm处呈现极大值且在波长为500nm以上处呈现吸收端。3.根据权利要求1所述的光电转换器件，其中所述第一电子供给性材料是稠合环的数量为4以上且11以下的稠合芳香化合物。4.根据权利要求1所述的光电转换器件，其中所述烷基分别具有支链结构。5.根据权利要求1所述的光电转换器件，其中所述第一电子接收性材料为由通式(r0)表示的苝四羧酸二酰亚胺衍生物，[化学式1]r1及r2分别独立地表示氢、碳原子数为1至13的链状烷基或碳原子数为3至13的支链烷基，并且r3至r
10
分别独立地表示氢、碳原子数为1至13的链状烷基、碳原子数为3至13的支链烷基、碳原子数为1至13的卤化烷基、碳原子数为3至13的环烷基或卤素。6.根据权利要求1所述的光电转换器件，还包括：第一层，其中所述第一层位于所述第一电极与所述第一单元之间，所述第一层包含第二电子接收性材料，并且所述第一层具有1
×
102ω
·
cm以上且1
×
108ω
·
cm以下的电阻率。7.根据权利要求1所述的光电转换器件，还包括：第二层，其中所述第二层位于所述第一单元与所述第二电极之间，并且所述第二层包含第二电子供给性材料。8.根据权利要求1所述的光电转换器件，其中所述第一单元包括第三层、第四层及第五层，
所述第三层位于所述第四层与所述第五层之间，所述第三层包含所述第一电子接收性材料及所述第一电子供给性材料，所述第四层位于所述第一电极与所述第三层之间，所述第五层位于所述第三层与所述第二电极之间，所述第四层包含空穴传输性材料，并且所述第五层包含电子传输性材料。9.一种光功能装置，包括：权利要求1所述的光电转换器件；以及发光器件，其中，所述发光器件与所述光电转换器件相邻。10.一种光功能装置，包括：权利要求8所述的光电转换器件；以及发光器件，其中，所述发光器件与所述光电转换器件相邻，所述发光器件包括第二单元、第三电极及所述第二电极，所述第二单元位于所述第三电极与所述第二电极之间，所述第二单元包括第六层、所述第四层及所述第五层，所述第四层位于所述第三电极与所述第六层之间，所述第五层位于所述第六层与所述第二电极之间，并且，所述第六层包含发光性材料。11.一种光电转换器件，包括：第一电极；第二电极；以及第一单元，其中，所述第一单元位于所述第一电极与所述第二电极之间，所述第一单元包含第一电子供给性材料及第一电子接收性材料，所述第一电子供给性材料是稠合芳香化合物，所述第一电子接收性材料具有苝骨架及2个以上的烷基，所述烷基分别独立地具有数量为1以上且13以下的碳原子，并且，所述烷基分别具有支链结构。12.根据权利要求11所述的光电转换器件，其中所述第一单元的吸收光谱在波长低于500nm处呈现极大值且在波长为500nm以上处呈现吸收端。13.根据权利要求11所述的光电转换器件，其中所述第一电子供给性材料是稠合环的数量为4以上且11以下的稠合芳香化合物。14.根据权利要求11所述的光电转换器件，其中所述第一电子接收性材料为由通式(r0)表示的苝四羧酸二酰亚胺衍生物，[化学式1]
r1及r2分别独立地表示氢、碳原子数为1至13的链状烷基或碳原子数为3至13的支链烷基，并且r3至r
10
分别独立地表示氢、碳原子数为1至13的链状烷基、碳原子数为3至13的支链烷基、碳原子数为1至13的卤化烷基、碳原子数为3至13的环烷基或卤素。15.根据权利要求11所述的光电转换器件，还包括：第一层，其中所述第一层位于所述第一电极与所述第一单元之间，所述第一层包含第二电子接收性材料，并且所述第一层具有1
×
102ω
·
cm以上且1
×
108ω
·
cm以下的电阻率。16.根据权利要求11所述的光电转换器件，还包括：第二层，其中所述第二层位于所述第一单元与所述第二电极之间，并且所述第二层包含第二电子供给性材料。17.根据权利要求11所述的光电转换器件，其中所述第一单元包括第三层、第四层及第五层，所述第三层位于所述第四层与所述第五层之间，所述第三层包含所述第一电子接收性材料及所述第一电子供给性材料，所述第四层位于所述第一电极与所述第三层之间，所述第五层位于所述第三层与所述第二电极之间，所述第四层包含空穴传输性材料，并且所述第五层包含电子传输性材料。18.一种光功能装置，包括：权利要求11所述的光电转换器件；以及发光器件，其中，所述发光器件与所述光电转换器件相邻。19.一种光功能装置，包括：权利要求17所述的光电转换器件；以及发光器件，其中，所述发光器件与所述光电转换器件相邻，所述发光器件包括第二单元、第三电极及所述第二电极，所述第二单元位于所述第三电极与所述第二电极之间，所述第二单元包括第六层、所述第四层及所述第五层，所述第四层位于所述第三电极与所述第六层之间，所述第五层位于所述第六层与所述第二电极之间，
并且，所述第六层包含发光性材料。
技术总结本公开涉及光电转换器件、光功能装置，提供方便性、实用性或可靠性优异的新颖的光电转换器件、光功能装置。光电转换器件包括第一电极、第二电极及第一单元，第一单元位于第一电极与第二电极之间，第一单元包含第一电子供给性材料及第一电子接收性材料。第一电子供给性材料为稠合芳香化合物，第一电子接收性材料具有苝骨架及2个以上的烷基。此外，烷基的碳原子数分别独立地为1以上且13以下。数分别独立地为1以上且13以下。数分别独立地为1以上且13以下。
技术研发人员：久保田大介 鎌田太介 新仓泰裕 初见亮 山下晃央 川上祥子 夛田杏奈 濑尾哲史
受保护的技术使用者：株式会社半导体能源研究所
技术研发日：2022.04.29
技术公布日：2022/11/1
