1.本公开实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种缺陷检测方法、装置以及设备和存储介质。
背景技术：2.在集成电路制造工艺中，半导体器件的加工需要经历一系列有关清洗、成膜、刻蚀、热处理等工艺环节，每道工艺都可能引入各种各样的缺陷。半导体器件中存在缺陷可能导致半导体器件失效。
3.因此，目前亟需一种对半导体器件的缺陷进行检测的方法。
技术实现要素：4.有鉴于此，本公开实施例为解决现有技术中存在的至少一个技术问题而提供一种缺陷检测方法、装置以及设备和存储介质。
5.为达到上述目的，本公开的技术方案是这样实现的：
6.第一方面，本公开实施例提供一种缺陷检测方法，所述检测方法包括：
7.提供半导体待测器件，所述半导体待测器件包括多个待测单元；
8.将所述半导体待测器件设置在激光镜头的视场内，对所述待测单元进行第一电性检测，以得到所述待测单元在室温下的第一检测值以及所述待测单元在所述激光镜头扫描下的第二检测值；
9.根据所述第一检测值与所述第二检测值，确定所述待测单元是否存在缺陷。
10.在一些实施例中，对所述待测单元进行第一电性检测，以得到所述待测单元在所述激光镜头扫描下的第二检测值，包括：
11.若所述待测单元的所述第一检测值大于第一预设检测值，则确定所述待测单元为怀疑单元；
12.通过所述激光镜头对所述怀疑单元进行激光束扫描，得到所述怀疑单元的第二检测值。
13.在一些实施例中，所述根据所述第一检测值与所述第二检测值，确定所述待测单元是否存在缺陷，包括：
14.若所述第二检测值与所述第一预设检测值基本相同，则确定所述待测单元存在缺陷。
15.在一些实施例中，所述根据所述第一检测值与所述第二检测值，确定所述待测单元是否存在缺陷，包括：
16.若所述第二检测值小于所述第一检测值，则确定所述待测单元存在缺陷。
17.在一些实施例中，每个所述待测单元包括多个mos管，确定所述待测单元存在缺陷的情况下，所述检测方法还包括：
18.对所述待测单元的每个mos管进行第一电性检测，以得到所述mos管在室温下的第
三检测值以及所述mos管在所述激光镜头扫描下的第四检测值；
19.根据所述第三检测值与所述第四检测值，确定所述mos管是否存在缺陷。
20.在一些实施例中，对所述mos管进行第一电性检测，以得到所述mos管在所述激光镜头扫描下的第四检测值，包括：
21.若所述mos管的所述第三检测值大于第二预设检测值，则确定所述mos管为怀疑mos管；
22.通过所述激光镜头对所述怀疑mos管进行激光束扫描，得到所述怀疑mos管的第四检测值。
23.在一些实施例中，所述根据所述第三检测值与所述第四检测值，确定所述mos管是否存在缺陷，包括：
24.若所述第四检测值与所述第二预设检测值基本相同，则确定所述mos管存在缺陷。
25.在一些实施例中，所述根据所述第三检测值与所述第四检测值，确定所述mos管是否存在缺陷，包括：
26.若所述第四检测值小于所述第三检测值，则确定所述mos管存在缺陷。
27.在一些实施例中，所述对所述待测单元进行第一电性检测之前，所述检测方法还包括：
28.对所述半导体待测器件进行第二电性检测，以得到所述半导体待测器件在第一温度下的第五检测值以及在第二温度下的第六检测值；其中，所述第一温度小于所述第二温度；
29.根据所述第五检测值、所述第六检测值以及所述半导体待测器件的设计版图，确定所述半导体待测器件中的所述待测单元。
30.在一些实施例中，所述提供半导体待测器件之前，所述检测方法还包括：
31.提供多个半导体器件；
32.依次对所述半导体器件施加低压电压和高于所述低压电压的导通电压；
33.若所述半导体器件在所述低压电压和所述导通电压下的工作状态不同，则确定所述半导体器件为半导体待测器件。
34.第二方面，本公开实施例提供一种缺陷检测装置，所述检测装置包括：
35.激光检测模块，用于提供激光镜头扫描待测单元；其中，多个所述待测单元构成半导体待测器件；所述半导体待测器件设置在所述激光镜头的视场内；
36.电性检测模块，用于对所述待测单元在室温下进行第一电性检测以得到第一检测值；以及用于对所述待测单元在所述激光镜头扫描下进行第一电性检测以得到第二检测值；
37.缺陷检测模块，用于根据所述第一检测值与所述第二检测值，确定所述待测单元是否存在缺陷。
38.在一些实施例中，所述缺陷检测模块具体用于若所述待测单元的所述第一检测值大于第一预设检测值，则确定所述待测单元为怀疑单元；
39.所述激光检测模块具体用于对所述怀疑单元进行激光束扫描；
40.所述电性检测模块具体用于对所述怀疑单元在激光束扫描下进行第一电性检测以得到第二检测值。
41.在一些实施例中，所述缺陷检测模块具体用于若所述第二检测值与所述第一预设检测值基本相同，则确定所述待测单元存在缺陷。
42.在一些实施例中，所述缺陷检测模块具体用于若所述第二检测值小于所述第一检测值，则确定所述待测单元存在缺陷。
43.在一些实施例中，每个所述待测单元包括多个mos管，确定所述待测单元存在缺陷的情况下，
44.所述电性检测模块具体用于对所述待测单元的每个mos管在室温下进行第一电性检测以得到第三检测值；以及具体用于对所述待测单元的每个mos管在所述激光镜头扫描下进行第一电性检测以得到第四检测值；
45.所述缺陷检测模块具体用于根据所述第三检测值与所述第四检测值，确定所述mos管是否存在缺陷。
46.在一些实施例中，所述缺陷检测模块具体用于若所述mos管的所述第三检测值大于第二预设检测值，则确定所述mos管为怀疑mos管；
47.所述激光检测模块具体用于对所述怀疑mos管进行激光束扫描；
48.所述电性检测模块具体用于对所述怀疑mos管在激光束扫描下进行第一电性检测以得到第四检测值。
49.在一些实施例中，所述缺陷检测模块具体用于若所述第四检测值与所述第二预设检测值基本相同，则确定所述mos管存在缺陷。
50.在一些实施例中，所述缺陷检测模块具体用于若所述第四检测值小于所述第三检测值，则确定所述mos管存在缺陷。
51.第三方面，本公开实施例提供一种缺陷检测设备，所述检测设备包括：
52.网络接口，用于实现组件之间的连接通信；
53.存储器，用于存储可执行指令；
54.处理器，用于执行所述存储器中存储的可执行指令，实现上述技术方案中所述的缺陷检测方法。
55.第四方面，本公开实施例提供一种存储介质，所述存储介质存储有计算机程序，当所述计算机程序被至少一个处理器执行时，实现上述技术方案中所述的缺陷检测方法。
56.本公开实施例提供一种缺陷检测方法、装置以及设备和存储介质。所述检测方法包括：提供半导体待测器件，所述半导体待测器件包括多个待测单元；将所述半导体待测器件设置在激光镜头的视场内，对所述待测单元进行第一电性检测，以得到所述待测单元在室温下的第一检测值以及所述待测单元在所述激光镜头扫描下的第二检测值；根据所述第一检测值与所述第二检测值，确定所述待测单元是否存在缺陷。由上述内容可知，本公开实施例提供的缺陷检测方法，对设置在激光镜头的视场内的待测单元进行第一电性检测，利用激光镜头的加热特性制造与室温形成温度差异的动态高低温环境，如此根据待测单元在室温下的第一检测值以及待测单元在激光镜头扫描下的第二检测值，即可快速地确定待测单元在室温和激光镜头扫描下的检测值是否存在差异，并以此判断待测单元是否存在缺陷，能够有效地节省检测时间以及提高检测效率。
附图说明
57.图1为本公开实施例提供的失效器件和参考器件的漏极-源极电压与栅极电压的关系图；
58.图2为本公开实施例提供的缺陷检测方法的流程示意图；
59.图3为本公开实施例提供的半导体待测器件和参考器件的预充电的断电模式的电流与施加电压的关系图；
60.图4为本公开实施例提供的存在缺陷的半导体器件和参考器件的预充电的断电模式的电流与检测时间的关系图。
具体实施方式
61.下面将结合本公开实施方式及附图，对本公开实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本公开的一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本公开中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本公开保护的范围。
62.在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本公开更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本公开可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本公开发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。
63.在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
64.应当明白，当元件或层被称为“在
……
上”、“与
……
相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在
……
上”、“与
……
直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本公开教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。而当讨论的第二元件、部件、区、层或部分时，并不表明本公开必然存在第一元件、部件、区、层或部分。
65.空间关系术语例如“在
……
下”、“在
……
下面”、“下面的”、“在
……
之下”、“在
……
之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在
……
下面”和“在
……
下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
66.在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本公开的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整
数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
67.为了彻底理解本公开，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本公开的技术方案。本公开的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本公开还可以具有其他实施方式。
68.目前，通常使用铟镓砷(ingaas)微光显微镜(emission microscope，emmi)、激光束诱导电阻变化(optical beam induced resistance change，obirch)和热微光显微镜(thermal emission microscope)对半导体器件进行失效分析和缺陷定位。
69.emmi的工作原理在于：可以对半导体器件施加偏压，以捕捉半导体器件中电子-空穴再组合时发射出来的光子来检测半导体器件中的缺陷，其中，铟镓砷镜头能够侦测到的波长范围为900nm至1600nm。铟镓砷微光显微镜可以通过侦测各种缺陷所产生的漏电从而实现对缺陷的定位。例如，铟砷镓微光显微镜可以侦测金属-氧化-半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)的栅氧化层缺陷(gate oxide defects)、闩锁效应(latch up)、漏电结(junction leakage)等等。
70.obirch的工作原理则在于：通过激光束在恒定电压下的半导体器件表面扫描，激光束的部分能量被半导体器件吸收转化为热量，造成被扫描区域温度变化，若半导体器件的金属互连层(metal)中存在缺陷或者空洞，这些区域附近的热量传导不同于其它的完整区域，则该区域引起的温度变化会不同，从而造成金属互连层的电阻值改变。进一步地，由于对金属互连层施加恒定电压，那么可以将金属互连层的电阻值改变可以转换为电流的改变。如此，通过激光诱导电阻变化，并检测诱导点的电流的改变来定位缺陷的位置。obirch通常应用于检测半导体器件中的互连层中的空洞、通孔下的空洞以及金属互连层的短路等等。
71.热微光显微镜的工作原理在于：通过中红外传感器接收半导体器件中缺陷点产生的热辐射异常来定位缺陷点。例如，微光显微镜可以用于侦测微安(μa)级的漏电、金属层底部短路等等。
72.随着半导体器件制程工艺的不断缩小，对mos管尺寸缩小后的漏电要求也就越来越严格，因此，在mos管的尺寸缩小后，漏电流的控制就格外重要。目前，进行失效分析和缺陷定位的测试设备主要是针对漏电流大的mos管抓取热点，但是常常有些存在缺陷的mos管没有漏电现象仅仅只是mos管的阈值电压vt存在失配(mismatch)现象。
73.参考图1，图1为本公开实施例提供的失效器件和参考器件的漏极-源极电压与栅极电压的关系图。图1分别示出失效器件(如图1中实线所示)和参考器件(如图1中虚线所示)的漏极-源极电压vds和栅极电压vg的关系曲线；失效器件和参考器件的vds-vg曲线几乎完全重合，仅在图1中实线圆框示意出的失效器件和参考器件的部分曲线分离开。这里，失效器件包括存在vt失配缺陷的mos管。也就是说，存在这种vt失配缺陷的mos管的漏电现象不明显，仅仅只在阈值电压上存在细微差别，通过上述emmi、obirch和热微光显微镜均难以判断哪一块电路中的mos管存在缺陷。
74.因此，针对这种存在vt失配缺陷的mos管只能通过传统的聚焦离子束(focused ion beam，fib)检测方法，将怀疑存在vt失配缺陷的电路外接，通过示波器确认存在缺陷。
然而，使用fib结合示波器确认存在vt失配缺陷的mos管的方法需要在前期采集大量的试验数据，如此才能够准确地判断某一电路中存在缺陷。因此，这种对mos管的vt失配缺陷进行检测的方法比较繁琐且费时。
75.有鉴于此，本公开实施例提供一种缺陷检测方法、装置以及设备和存储介质。
76.参考图2，图2为本公开实施例提供的缺陷检测方法的流程示意图。如图2所示，所述检测方法包括：
77.步骤s201、提供半导体待测器件，所述半导体待测器件包括多个待测单元；
78.步骤s202、将所述半导体待测器件设置在激光镜头的视场内，对所述待测单元进行第一电性检测，以得到所述待测单元在室温下的第一检测值以及所述待测单元在所述激光镜头扫描下的第二检测值；
79.步骤s203、根据所述第一检测值与所述第二检测值，确定所述待测单元是否存在缺陷。
80.本公开实施例中，对设置在激光镜头的视场内的待测单元进行第一电性检测，利用激光镜头的加热特性制造与室温形成温度差异的动态高低温环境，如此根据待测单元在室温下的第一检测值以及待测单元在激光镜头扫描下的第二检测值，即可快速地确定待测单元在室温和激光镜头扫描下的检测值是否存在差异，并以此判断待测单元是否存在缺陷，能够有效地节省检测时间以及提高检测效率。
81.在一些实施例中，所述提供半导体待测器件之前，所述检测方法还包括：
82.提供多个半导体器件；
83.依次对所述半导体器件施加低压电压和高于所述低压电压的导通电压；
84.若所述半导体器件在所述低压电压和所述导通电压下的工作状态不同，则确定所述半导体器件为半导体待测器件。
85.这里，在步骤s201提供半导体待测器件之前，需要对半导体器件进行筛选，将工作状态异常的半导体器件确定为半导体待测器件。这里，工作状态异常可以为半导体器件的预充电的断电模式的电流(precharge powder-down current，idd2p)异常。
86.本公开实施例中，可以通过写入直接读取(write direct read，wdr)测试对半导体器件进行筛选。在一个具体示例中，可以对半导体器件施加导通电压，这里，导通电压可以为供电电压vdd2，例如供电电压vdd2＝1.1v，供电电压vdd2可以用于为半导体器件的外围电路供电。其中，对半导体器件施加导通电压或者高于导通电压的高压电压，半导体器件均可以正常导通(power on)，即，工作状态正常；对半导体器件施加低于导通电压的低压电压，当导通电压与低压电压之间的差值小于预设电压时，半导体器件也可以正常导通，即，工作状态正常。例如，导通电压vdd2＝1.1v，那么对半导体器件施加1.1v或者高于1.1v的电压，半导体器件均可以正常导通；并且对半导体器件施加低压电压1.05v(即，导通电压1.1v与低压电压1.05v之间的差值为0.05v)，半导体器件也可以正常导通。
87.在一个具体示例中，可以对半导体器件施加低压电压，例如，低压电压1.05v，如果半导体器件可以正常导通，即，工作状态正常，可以初步判断半导体器件的供电电路不存在缺陷；那么继续对该半导体器件施加导通电压，例如，导通电压1.1v，此时半导体器件仍可以正常导通，即，工作状态保持正常；进一步继续对半导体器件施加低压电压，例如，低压电压1.05v，此时半导体器件仍可以正常导通，即，工作状态仍保持正常。换言之，依次对该半
导体器件施加低压电压、导通电压和低压电压，半导体器件的工作状态均相同。因此，可以根据半导体器件在依次施加低压电压和高于低压电压的导通电压下的工作状态相同，确定半导体器件的供电电路不存在缺陷。
88.在另一个具体示例中，可以对半导体器件施加低压电压，例如，低压电压1.05v，如果半导体器件无法正常导通，即，工作状态异常；那么继续对该半导体器件施加导通电压，例如，导通电压1.1v，此时半导体器件可以正常导通，即，工作状态出现正常；进一步继续对半导体器件施加低压电压，例如，低压电压1.05v，此时半导体器件仍可以正常导通，即工作状态仍保持正常。换言之，依次对该半导体器件施加低压电压、导通电压和低压电压，半导体器件的工作状态由异常转变为正常，进一步在施加低压电压后，半导体器件的工作状态仍保持正常。因此，可以根据半导体器件在依次施加低压电压和高于低压电压的导通电压下的工作状态不同，确定半导体器件的供电电路存在缺陷，因而，可以将该半导体器件确定为半导体待测器件。
89.这里，对于上述半导体待测器件而言，如果对该半导体待测器件依次施加低压电压和导通电压，半导体待测器件的工作状态可以由异常转变为正常，并且在正常工作状态下仍然可以通过wdr测试，那么可以排除写入操作/读取操作(w/r)存在问题的情况，由此，可以确定半导体待测器件在施加低压电压的情况下工作状态异常是供电电路导致的。换言之，供电电路的问题导致写入操作/读取操作问题。因此，可以确定半导体待测器件的供电电路存在缺陷。在一个具体示例中，半导体待测器件的供电电路为vdd2检测(detect)电路。
90.参考图3，图3为本公开实施例提供的半导体待测器件和参考器件的预充电的断电模式的电流与施加电压的关系图。如图3所示，mark26表示参考器件，参考器件即为不存在缺陷的半导体器件。首先，对参考器件施加电压vdd2为1.05v，此时参考器件的idd2p电流为3.25ma，说明参考器件可以正常导通，即，工作状态正常；接着，对参考器件施加电压vdd2为1.1v，此时参考器件的idd2p电流为2.12ma，说明参考器件仍可以正常导通，即，工作状态正常；最后，对参考器件施加电压vdd2为1.05v，此时参考器件的idd2p电流为2.12ma，说明参考器件仍可以正常导通，即，工作状态正常。也就是说，对于参考器件而言，依次对参考器件施加低压电压、导通电压和低压电压，参考器件均可以正常导通，即，一旦施加电压使得参考器件正常导通后，后续无论升高电压或者降低电压，均不影响参考器件的正常导通。
91.仍如图3所示，mark31表示半导体待测器件，半导体待测器件即为存在缺陷的半导体器件。对半导体待测器件施加电压vdd2为1.05v，此时半导体待测器件的idd2p电流为59ma，说明半导体待测器件无法正常导通，即，工作状态异常；接着，对半导体待测器件施加电压vdd2为1.1v，此时半导体待测器件的idd2p电流为2ma，说明半导体待测器件正常导通，即，工作状态正常；最后，对半导体待测器件施加电压vdd2为1.05v，此时半导体待测器件的idd2p电流为2ma，说明半导体待测器件仍可以正常导通，即，工作状态正常。也就是说，对于半导体待测器件而言，依次对半导体待测器件施加低压电压、导通电压和低压电压，半导体待测器件的工作状态由异常转变为正常，在继续施加低压电压后，半导体待测器件的工作状态仍保持正常。对半导体待测器件进行wdr测试，若半导体待测器件可以通过wdr测试，那么可以排除半导体待测器件写入操作/读取操作(w/r)存在问题的情况。因此，确定半导体待测器件在低压电压下无法power on是由于供电电路存在缺陷。此外，一旦施加导通电压使得半导体待测器件power on后，后续无论升高电压或者降低电压，均不影响半导体待测
器件的power on状态。
92.本公开的发明人发现，存在如前所述vt失配缺陷的mos管的漏电现象不明显，仅仅只是阈值电压上存在细微差别，使用传统的检测方法难以准确判断并定位电路中存在vt失配缺陷的mos管。因此，本发明人利用激光镜头的加热特性制造与室温形成温度差异的动态高低温环境，比较待测单元在室温和激光镜头扫描下的检测值，并以此判断待测单元是否存在vt失配缺陷。
93.需要说明的是，半导体器件包括多个待测单元，每个待测单元包括多个mos管，当然半导体待测器件也包括多个待测单元，每个待测单元包括多个mos管，在确定半导体待测器件之后，可以通过调整mos管的衬底电压来改变mos管的特性，以确定mos管的类型，即，确定mos管为nmos管或者pmos管。
94.在一些实施例中，每个所述待测单元包括多个mos管，所述对所述半导体待测器件的待测单元进行电性检测之前，所述检测方法还包括：
95.对所述待测单元的mos管的栅极施加恒定的栅极电压，对所述待测单元的mos管的源极施加不同的源极电压；
96.若在所述栅极电压与所述源极电压的差值大于预设电压的情况下，所述mos管导通，则确定所述mos管为nmos管；
97.若在所述栅极电压与所述源极电压的差值小于预设电压的情况下，所述mos管导通，则确定所述mos管为pmos管。
98.这里，根据不同类型的mos管的特性进行判断，nmos管的特性为当栅极电压与源极电压的差值大于阈值电压的情况下，nmos管可以导通；pmos管的特性为当栅极电压与源极电压的差值小于阈值电压的情况下，pmos管可以导通。
99.下面将分别在第一温度和第二温度下对半导体待测器件进行第二电性检测，根据半导体待测器件在第一温度和第二温度下的检测值是否存在差异，即可快速地判断半导体待测器件中是否存在vt失配缺陷的待测单元。
100.在一些实施例中，所述对所述待测单元进行第一电性检测之前，所述检测方法还包括：
101.对所述半导体待测器件进行第二电性检测，以得到所述半导体待测器件在第一温度下的第五检测值以及在第二温度下的第六检测值；其中，所述第一温度小于所述第二温度；
102.根据所述第五检测值、所述第六检测值以及所述半导体待测器件的设计版图，确定所述半导体待测器件中的所述待测单元。
103.这里，对半导体待测器件在不同温度下进行第二电性检测，根据半导体待测器件在不同温度下的电性检测结果，确定半导体待测器件中的待测单元。
104.在一个具体示例中，对半导体待测器件进行第二电性检测，第五检测值和第六检测值可以包括idd2p电流。这里，通过比较不同温度下的idd2p电流即可确定半导体待测器件是否存在vt失配缺陷。
105.在一个具体示例中，第一温度可以为室温，第二温度可以为高于室温的任意温度。
106.参考图4，图4为本公开实施例提供的存在缺陷的半导体器件和参考器件的预充电的断电模式的电流与检测时间的关系图。如图4所示，分别检测得到存在缺陷的半导体器件
(如图4中实线所示)和参考器件(如图4中虚线所示)在不同温度下的idd2p电流。对于参考器件而言，参考器件在第一温度下和第二温度下的第五检测值和第六检测值基本相同；对于存在缺陷的半导体器件而言，存在缺陷的半导体器件在第一温度下的第五检测值大于半导体待测器件在第二温度下的第六检测值。也就是说，参考器件在室温(即，第一温度)和高温(即，第二温度)下的idd2p电流基本相同；与参考器件相比较而言，存在缺陷的半导体器件在室温(即，第一温度)下的idd2p电流异常增大；存在缺陷的半导体器件在高温(即，第二温度)下的idd2p电流恢复正常。由此可知，存在缺陷的半导体器件在高温和室温下的idd2p电流不同，更具体而言，存在缺陷的半导体器件在室温下的idd2p电流会异常增大，而在高温下的idd2p电流会恢复正常。
107.通过对存在缺陷的半导体器件在室温以及高温下的第二电性检测，本公开的发明人发现，存在如前所述vt失配缺陷的mos管对温度具有敏感性，即，在室温下的第二电性检测中，idd2p电流表现为异常增大，而在高温下的第二电性检测中，idd2p电流恢复正常。换言之，通过比较半导体待测器件在室温以及高温下的idd2p电流，即可快速地判断半导体待测器件是否存在vt失配缺陷。
108.本公开的发明人还发现，对于这种存在vt失配缺陷的mos管，通过高温和室温下的电性检测，即可检测出存在vt失配缺陷的mos管。然而，如何在成千上万个mos管组成的半导体器件中检测出vt失配缺陷的mos管，成为了亟待解决的问题。
109.需要说明的是，由于存在vt失配缺陷的半导体待测器件对温度的敏感性，通过在室温和高温下的第二电性检测，半导体待测器件中可能存在缺陷的待测单元在室温下的idd2p电流会异常变大；半导体待测器件中可能存在缺陷的待测单元在高温下的idd2p电流会恢复正常。如此，可以根据对半导体待测器件的第二电性检测结果，确定半导体待测器件中可能存在缺陷的待测单元，并在设计版图(layout)上初步锁定怀疑电路区块，即，可能存在缺陷的待测单元。
110.本公开实施例中，利用存在vt失配缺陷的mos管对温度的敏感性，提供一种新的缺陷检测方法，利用原有的测试设备即可检测得到存在vt失配缺陷的mos管，扩展了传统测试设备的局限性。
111.这里，在步骤s202中，对待测单元分别在室温和激光镜头扫描下进行第一电性检测，即，对待测单元分别在室温和高温下进行第一电性检测；在步骤s203中，根据待测单元分别在室温和高温下的第一电性检测结果，确定待测单元是否存在缺陷。
112.在一个具体示例中，对待测单元进行第一电性检测，第一检测值和第二检测值可以包括idd2p电流。这里，通过比较待测单元在室温和高温下的idd2p电流即可确定待测单元是否存在vt失配缺陷。
113.本公开实施例中，利用激光镜头的加热特性以及存在缺陷的待测单元对温度的敏感性，根据待测单元分别在室温和高温下的第一电性检测结果，即可快速地确定待测单元是否存在缺陷，能够有效地节省检测时间以及提高检测效率。
114.在一些实施例中，所述根据所述第一检测值与所述第二检测值，确定所述待测单元是否存在缺陷，包括：
115.若所述待测单元的所述第一检测值与第一预设检测值基本相同，则确定所述待测单元不存在缺陷。
116.这里，不存在缺陷的待测单元分别在室温和高温下的第一检测值和第二检测值基本相同，即，将不存在缺陷的待测单元在室温和高温下的第一检测值和第二检测值确定为第一预设检测值。
117.这里，对待测单元在室温下进行第一电性检测得到第一检测值，对第一检测值和第一预设检测值进行比较，若第一检测值与第一预设检测值基本相同，即可确定待测单元不存在缺陷。其中，基本相同指的是第一检测值与第一预设检测值相同或者第一检测值与第一预设检测值之间的差值满足误差范围。
118.本公开实施例中，通过对待测单元在室温下进行第一电性检测，获取第一检测值与第一预设检测值进行比较，即可确定待测单元不存在缺陷。也就是说，对待测单元在室温下进行第一电性检测即可判断待测单元不存在缺陷，能够有效地节省检测时间以及提高检测效率。
119.在一些实施例中，所述根据所述第一检测值与所述第二检测值，确定所述待测单元是否存在缺陷，包括：
120.若所述待测单元的所述第一检测值与第一预设检测值基本相同，且所述待测单元的所述第二检测值与第一预设检测值基本相同，则确定所述待测单元不存在缺陷。
121.这里，对待测单元在室温下进行第一电性检测得到第一检测值，对第一检测值和第一预设检测值进行比较，若第一检测值与第一预设检测值基本相同，即可确定待测单元不存在缺陷；进一步地，对待测单元在高温下进行第一电性检测得到第二检测值，对第二检测值和第一预设检测值进行比较，若第二检测值与第一预设检测值基本相同，即可更进一步地确定待测单元不存在缺陷。其中，基本相同指的是第二检测值与第一预设检测值相同或者第二检测值与第一预设检测值之间的差值满足误差范围。
122.本公开实施例中，通过对待测单元在室温和高温下进行第一电性检测，获取第一检测值、第二检测值均与第一预设检测值进行比较，即可确定待测单元不存在缺陷。
123.在一些实施例中，所述根据所述第一检测值与所述第二检测值，确定所述待测单元是否存在缺陷，包括：
124.若所述待测单元的所述第一检测值与所述第二检测值基本相同，则确定所述待测单元不存在缺陷。
125.这里，对待测单元在室温下进行第一电性检测得到第一检测值，对待测单元在高温下进行第一电性检测得到第二检测值，对第一检测值和第二检测值进行比较，若第一检测值和第二检测值基本相同，即可确定待测单元不存在缺陷。其中，基本相同指的是第一检测值和第二检测值相同或者第一检测值和第二检测值之间的差值满足误差范围。
126.本公开实施例中，通过对待测单元在室温和高温下进行第一电性检测，获取第一检测值和第二检测值进行比较，即可确定待测单元不存在缺陷，无需额外获取第一预设检测值，能够有效地节省检测时间以及提高检测效率。
127.在一些实施例中，对所述待测单元进行第一电性检测，以得到所述待测单元在所述激光镜头扫描下的第二检测值，包括：
128.若所述待测单元的所述第一检测值大于第一预设检测值，则确定所述待测单元为怀疑单元；
129.通过所述激光镜头对所述怀疑单元进行激光束扫描，得到所述怀疑单元的第二检
测值。
130.这里，对待测单元在室温下进行第一电性检测得到第一检测值，对第一检测值和第一预设检测值进行比较，若第一检测值大于第一预设检测值，那么说明待测单元在室温下的第一检测值异常增大，即可确定待测单元可能存在缺陷，将这种可能存在缺陷的待测单元确定为怀疑单元。后续可以利用激光镜头的加热特性，对怀疑单元进行激光束扫描，以得到怀疑单元在高温下的第二检测值。
131.在一些实施例中，所述根据所述第一检测值与所述第二检测值，确定所述待测单元是否存在缺陷，包括：
132.若所述第二检测值与所述第一预设检测值基本相同，则确定所述待测单元存在缺陷。
133.这里，对怀疑单元在高温下进行第一电性检测得到第二检测值，对第二检测值和第一预设检测值进行比较，若第二检测值与第一预设检测值基本相同，那么说明怀疑单元在高温下的第二检测值转变为正常，由于存在vt失配缺陷的待测单元具有温度敏感性，因此，利用激光镜头的加热特性和存在vt失配缺陷的待测单元的温度敏感性，可以确定该待测单元存在缺陷。
134.在一些实施例中，所述根据所述第一检测值与所述第二检测值，确定所述待测单元是否存在缺陷，包括：
135.若所述第二检测值小于所述第一检测值，则确定所述待测单元存在缺陷。
136.这里，对待测单元在室温下进行第一电性检测得到第一检测值，对待测单元在高温下进行第一电性检测得到第二检测值，对第一检测值和第二检测值进行比较，若第一检测值大于第二检测值，即可确定待测单元存在缺陷。
137.本公开实施例中，通过对待测单元在室温和高温下进行第一电性检测，获取第一检测值和第二检测值进行比较，即可确定待测单元存在缺陷，无需额外获取第一预设检测值，能够有效地节省检测时间以及提高检测效率。
138.此外，在一些实施例中，若所述待测单元的所述第一检测值与所述第一预设检测值不同，且所述待测单元的所述第二检测值与所述第一预设检测值也不同，那么待测单元可能存在其他缺陷导致其无法正常工作。
139.本公开实施例中，待测单元包括多个mos管，下面将利用激光镜头的加热特性，对于在激光镜头下第二检测值大于第一预设检测值的待测单元放大扫描，以快速且准确地定位出待测单元中存在缺陷的mos管。
140.在一些实施例中，每个所述待测单元包括多个mos管，确定所述待测单元存在缺陷的情况下，所述检测方法还包括：
141.对所述待测单元的每个mos管进行第一电性检测，以得到所述mos管在室温下的第三检测值以及所述mos管在所述激光镜头扫描下的第四检测值；
142.根据所述第三检测值与所述第四检测值，确定所述mos管是否存在缺陷。
143.这里，对待测单元在不同温度下进行第一电性检测，根据待测单元在不同温度下的电性检测结果，确定待测单元是否存在缺陷。
144.在一个具体示例中，对待测单元进行第一电性检测，第三检测值和第四检测值可以包括idd2p电流。
145.本公开实施例中，利用激光镜头的加热特性以及存在缺陷的mos管对温度的敏感性，根据mos管分别在室温和高温下的第一电性检测结果，即可快速地确定mos管是否存在缺陷，能够有效地节省检测时间以及提高检测效率。
146.在一些实施例中，对所述mos管进行第一电性检测，以得到所述mos管在所述激光镜头扫描下的第四检测值，包括：
147.若所述mos管的所述第三检测值大于第二预设检测值，则确定所述mos管为怀疑mos管；
148.通过所述激光镜头对所述怀疑mos管进行激光束扫描，得到所述怀疑mos管的第四检测值。
149.这里，不存在缺陷的mos管分别在室温和高温下的第三检测值和第四检测值基本相同，即，将不存在缺陷的mos管在室温和高温下的第三检测值和第四检测值确定为第二预设检测值。
150.这里，对mos管在室温下进行第一电性检测得到第三检测值，对第三检测值和第二预设检测值进行比较，若第三检测值大于第二预设检测值，那么说明mos管在室温下的第三检测值异常增大，即可确定mos管可能存在缺陷，将这种可能存在缺陷的mos管确定为怀疑mos管。后续可以利用激光镜头的加热特性，对怀疑mos管进行激光束扫描，以得到怀疑mos管在高温下的第四检测值。
151.本公开实施例中，第一预设检测值可以与第二预设检测值相同或者不同。
152.在一些实施例中，所述根据所述第三检测值与所述第四检测值，确定所述mos管是否存在缺陷，包括：
153.若所述第四检测值与所述第二预设检测值基本相同，则确定所述mos管存在缺陷。
154.这里，对怀疑mos管在高温下进行第一电性检测得到第四检测值，对第四检测值和第二预设检测值进行比较，若第四检测值与第二预设检测值基本相同，那么说明怀疑mos管在高温下的第四检测值恢复正常，由于存在vt失配缺陷的mos管具有温度敏感性，因此，利用激光镜头的加热特性和存在vt失配缺陷的mos管的温度敏感性，可以确定该mos管存在缺陷。
155.在一些实施例中，所述根据所述第三检测值与所述第四检测值，确定所述mos管是否存在缺陷，包括：
156.若所述第四检测值小于所述第三检测值，则确定所述mos管存在缺陷。
157.这里，对mos管在室温下进行第一电性检测得到第三检测值，对mos管在高温下进行第一电性检测得到第四检测值，对第三检测值和第四检测值进行比较，若第三检测值大于第四检测值，即可确定mos管存在缺陷。
158.本公开实施例中，通过对mos管在室温和高温下进行第一电性检测，获取第三检测值和第四检测值进行比较，即可确定mos管存在缺陷，无需额外获取第二预设检测值即可动态地定位出电路中存在缺陷的mos管的位置，能够有效地节省检测时间以及提高检测效率。
159.需要说明的是，使用激光(laser)镜头搭配测试机台准备测试，将半导体待测器件设置在激光镜头的视场内，使用激光镜头扫描整个怀疑电路区块，即，使用激光镜头扫描可能存在缺陷的待测单元，通过观察第一电性检测结果来反映fail和pass情况。当未使用激光镜头扫描到某一区域时，第一电性检测结果中第一检测值表现为异常增大(即，fail)后，
使用激光镜头对该区域进行扫描，第一电性检测结果中的第二检测值表现为转变为正常(即，pass)后，可针对该区域逐步放大扫面，逐渐开始针对某个mos管进行扫描，第一电性检测结果中第四检测值表现为恢复正常(即，pass)后，逐渐锁定存在vt失配缺陷的mos管位置。使用激光镜头可以为待测单元提供动态高温环境，即，既可以为待测单元整体提供高温环境，也可以为待测单元中某一个mos管提供高温环境，结合存在vt失配缺陷的mos管的温度敏感性，可以快速且准确地在包括成百上千个mos管的待测单元中定位出存在vt失配缺陷的某个mos管。
160.在一些实施例中，所述根据所述第一检测值与所述第二检测值，确定所述待测单元是否存在缺陷之后，所述检测方法还包括：
161.对所述待测单元中的mos管进行电路模拟仿真，以得到所述待测单元中的mos管的阈值电压；
162.根据所述待测单元中的mos管的阈值电压，确定所述mos管是否存在缺陷。
163.这里，通过上述缺陷检测方法，定位出具体电路中存在缺陷的mos管的位置后，还可以通过电路模拟仿真，以验证上述检测结果是否准确。
164.在一些实施例中，所述检测方法还包括：
165.将根据所述第一检测值与所述第二检测值，得到的所述待测单元的缺陷检测结果与根据所述待测单元中的mos管的阈值电压，得到的所述待测单元的缺陷检测结果进行比较；
166.若缺陷检测结果一致，则输出缺陷检测结果；
167.若缺陷检测结果不一致，则进行重新检测。
168.这里，将两种缺陷检测方法得出的存在缺陷的mos管的结果进行比较，若缺陷检测结果一致，则更加确定mos管存在缺陷。
169.本公开实施例还提供一种缺陷检测装置，所述检测装置包括：
170.激光检测模块，用于提供激光镜头扫描待测单元；其中，多个所述待测单元构成半导体待测器件；所述半导体待测器件设置在所述激光镜头的视场内；
171.电性检测模块，用于对所述待测单元在室温下进行第一电性检测以得到第一检测值；以及用于对所述待测单元在所述激光镜头扫描下进行第一电性检测以得到第二检测值；
172.缺陷检测模块，用于根据所述第一检测值与所述第二检测值，确定所述待测单元是否存在缺陷。
173.本公开实施例中，利用电性检测模块对设置在激光镜头的视场内的待测单元进行第一电性检测，利用激光检测模块提供的激光镜头扫描待测单元以形成与室温存在温度差异的动态高温环境，利用缺陷检测模块分析待测单元在室温下的第一检测值以及在高温下的第二检测值，确定待测单元是否存在缺陷，能够有效地节省检测时间以及提高检测效率。
174.在一些实施例中，所述缺陷检测模块具体用于若所述待测单元的所述第一检测值大于第一预设检测值，则确定所述待测单元为怀疑单元；
175.所述激光检测模块具体用于对所述怀疑单元进行激光束扫描；
176.所述电性检测模块具体用于对所述怀疑单元在激光束扫描下进行第一电性检测以得到第二检测值。
177.在一些实施例中，所述缺陷检测模块具体用于若所述第二检测值与所述第一预设检测值基本相同，则确定所述待测单元存在缺陷。
178.在一些实施例中，所述缺陷检测模块具体用于若所述第二检测值小于所述第一检测值，则确定所述待测单元存在缺陷。
179.在一些实施例中，每个所述待测单元包括多个mos管，所述待测单元存在缺陷的情况下，
180.所述电性检测模块具体用于对所述待测单元的每个mos管在室温下进行第一电性检测以得到第三检测值；以及具体用于对所述待测单元的每个mos管在所述激光镜头扫描下进行第一电性检测以得到第四检测值；
181.所述缺陷检测模块具体用于根据所述第三检测值与所述第四检测值，确定所述mos管是否存在缺陷。
182.在一些实施例中，所述缺陷检测模块具体用于若所述mos管的所述第三检测值大于第二预设检测值，则确定所述mos管为怀疑mos管；
183.所述激光检测模块具体用于对所述怀疑mos管进行激光束扫描；
184.所述电性检测模块具体用于对所述怀疑mos管在激光束扫描下进行第一电性检测以得到第四检测值。
185.在一些实施例中，所述缺陷检测模块具体用于若所述第四检测值与所述第二预设检测值基本相同，则确定所述mos管存在缺陷。
186.在一些实施例中，所述缺陷检测模块具体用于若所述第四检测值小于所述第三检测值，则确定所述mos管存在缺陷。
187.本公开实施例中，在确定待测单元存在缺陷之后，还可以利用激光检测模块，既可以为待测单元整体提供高温环境，也可以为待测单元中某几个mos管提供高温环境，甚至还可以为待测单元中某一个mos管提供高温环境，结合存在vt失配缺陷的mos管的温度敏感性，可以快速地在包括成百上千个mos管的待测单元中定位出存在vt失配缺陷的某个mos管。
188.在本公开实施例中的各组成部分可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。
189.可以理解的是，本文描述的这些实施例可以用硬件、软件、固件、中间件、微码或其组合来实现。对于硬件实现，处理单元可以实现在一个或多个专用集成电路(application specific integrated circuits，asic)、数字信号处理器(digital signal processing，dsp)、数字信号处理设备(dsp device，dspd)、可编程逻辑设备(programmable logic device，pld)、现场可编程门阵列(field-programmable gate array，fpga)、通用处理器、控制器、微控制器、微处理器、用于执行本公开所述功能的其它电子单元或其组合中。
190.对于软件实现，可通过执行本文所述功能的模块(例如过程、函数等)来实现本文所述的技术。软件代码可存储在存储器中并通过处理器执行。存储器可以在处理器中或在处理器外部实现。
191.本公开实施例还提供一种缺陷检测设备，所述检测设备包括：
192.网络接口，用于实现组件之间的连接通信；
193.存储器，用于存储可执行指令；
194.处理器，用于执行所述存储器中存储的可执行指令，实现上述技术方案中所述的缺陷检测方法。
195.本公开实施例还提供一种存储介质，所述存储介质存储有计算机程序，当所述计算机程序被至少一个处理器执行时，实现上述技术方案中所述的缺陷检测方法。
196.本公开实施例中，计算机程序可以包括计算机程序代码，所述计算机程序代码可以为源代码形式、可执行文件或某些中间形式等。本公开实施例中，存储介质可以包括能够携带所述计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、u盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(read-only memory，rom)以及随机存取存储器(random access memory，ram)等等。
197.本公开实施例提供一种缺陷检测方法、装置以及设备和存储介质。所述检测方法包括：提供半导体待测器件，所述半导体待测器件包括多个待测单元；将所述半导体待测器件设置在激光镜头的视场内，对所述待测单元进行第一电性检测，以得到所述待测单元在室温下的第一检测值以及所述待测单元在所述激光镜头扫描下的第二检测值；根据所述第一检测值与所述第二检测值，确定所述待测单元是否存在缺陷。由上述内容可知，本公开实施例提供的缺陷检测方法，对设置在激光镜头的视场内的待测单元进行第一电性检测，利用激光镜头的加热特性制造与室温形成温度差异的动态高低温环境，如此根据待测单元在室温下的第一检测值以及待测单元在激光镜头扫描下的第二检测值，即可快速地确定待测单元在室温和激光镜头扫描下的检测值是否存在差异，并以此判断待测单元是否存在缺陷，能够有效地节省检测时间以及提高检测效率。
198.应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本公开的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。应理解，在本公开的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本公开实施例的实施过程构成任何限定。上述本公开实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
199.以上所述仅为本公开的优选实施方式，并非因此限制本公开的专利范围，凡是在本公开的发明构思下，利用本公开说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本公开的专利保护范围内。
技术特征：1.一种缺陷检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：提供半导体待测器件，所述半导体待测器件包括多个待测单元；将所述半导体待测器件设置在激光镜头的视场内，对所述待测单元进行第一电性检测，以得到所述待测单元在室温下的第一检测值以及所述待测单元在所述激光镜头扫描下的第二检测值；根据所述第一检测值与所述第二检测值，确定所述待测单元是否存在缺陷。2.根据权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，对所述待测单元进行第一电性检测，以得到所述待测单元在所述激光镜头扫描下的第二检测值，包括：若所述待测单元的所述第一检测值大于第一预设检测值，则确定所述待测单元为怀疑单元；通过所述激光镜头对所述怀疑单元进行激光束扫描，得到所述怀疑单元的第二检测值。3.根据权利要求2所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述根据所述第一检测值与所述第二检测值，确定所述待测单元是否存在缺陷，包括：若所述第二检测值与所述第一预设检测值基本相同，则确定所述待测单元存在缺陷。4.根据权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述根据所述第一检测值与所述第二检测值，确定所述待测单元是否存在缺陷，包括：若所述第二检测值小于所述第一检测值，则确定所述待测单元存在缺陷。5.根据权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，每个所述待测单元包括多个mos管，确定所述待测单元存在缺陷的情况下，所述检测方法还包括：对所述待测单元的每个mos管进行第一电性检测，以得到所述mos管在室温下的第三检测值以及所述mos管在所述激光镜头扫描下的第四检测值；根据所述第三检测值与所述第四检测值，确定所述mos管是否存在缺陷。6.根据权利要求5所述的缺陷检测方法，其特征在于，对所述mos管进行第一电性检测，以得到所述mos管在所述激光镜头扫描下的第四检测值，包括：若所述mos管的所述第三检测值大于第二预设检测值，则确定所述mos管为怀疑mos管；通过所述激光镜头对所述怀疑mos管进行激光束扫描，得到所述怀疑mos管的第四检测值。7.根据权利要求6所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述根据所述第三检测值与所述第四检测值，确定所述mos管是否存在缺陷，包括：若所述第四检测值与所述第二预设检测值基本相同，则确定所述mos管存在缺陷。8.根据权利要求5所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述根据所述第三检测值与所述第四检测值，确定所述mos管是否存在缺陷，包括：若所述第四检测值小于所述第三检测值，则确定所述mos管存在缺陷。9.根据权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述对所述待测单元进行第一电性检测之前，所述检测方法还包括：对所述半导体待测器件进行第二电性检测，以得到所述半导体待测器件在第一温度下的第五检测值以及在第二温度下的第六检测值；其中，所述第一温度小于所述第二温度；根据所述第五检测值、所述第六检测值以及所述半导体待测器件的设计版图，确定所
述半导体待测器件中的所述待测单元。10.根据权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述提供半导体待测器件之前，所述检测方法还包括：提供多个半导体器件；依次对所述半导体器件施加低压电压和高于所述低压电压的导通电压；若所述半导体器件在所述低压电压和所述导通电压下的工作状态不同，则确定所述半导体器件为半导体待测器件。11.一种缺陷检测装置，其特征在于，所述检测装置包括：激光检测模块，用于提供激光镜头扫描待测单元；其中，多个所述待测单元构成半导体待测器件；所述半导体待测器件设置在所述激光镜头的视场内；电性检测模块，用于对所述待测单元在室温下进行第一电性检测以得到第一检测值；以及用于对所述待测单元在所述激光镜头扫描下进行第一电性检测以得到第二检测值；缺陷检测模块，用于根据所述第一检测值与所述第二检测值，确定所述待测单元是否存在缺陷。12.根据权利要求11所述的缺陷检测装置，其特征在于，所述缺陷检测模块具体用于若所述待测单元的所述第一检测值大于第一预设检测值，则确定所述待测单元为怀疑单元；所述激光检测模块具体用于对所述怀疑单元进行激光束扫描；所述电性检测模块具体用于对所述怀疑单元在激光束扫描下进行第一电性检测以得到第二检测值。13.根据权利要求12所述的缺陷检测装置，其特征在于，所述缺陷检测模块具体用于若所述第二检测值与所述第一预设检测值基本相同，则确定所述待测单元存在缺陷。14.根据权利要求11所述的缺陷检测装置，其特征在于，所述缺陷检测模块具体用于若所述第二检测值小于所述第一检测值，则确定所述待测单元存在缺陷。15.根据权利要求11所述的缺陷检测装置，其特征在于，每个所述待测单元包括多个mos管，确定所述待测单元存在缺陷的情况下，所述电性检测模块具体用于对所述待测单元的每个mos管在室温下进行第一电性检测以得到第三检测值；以及具体用于对所述待测单元的每个mos管在所述激光镜头扫描下进行第一电性检测以得到第四检测值；所述缺陷检测模块具体用于根据所述第三检测值与所述第四检测值，确定所述mos管是否存在缺陷。16.根据权利要求15所述的缺陷检测装置，其特征在于，所述缺陷检测模块具体用于若所述mos管的所述第三检测值大于第二预设检测值，则确定所述mos管为怀疑mos管；所述激光检测模块具体用于对所述怀疑mos管进行激光束扫描；所述电性检测模块具体用于对所述怀疑mos管在激光束扫描下进行第一电性检测以得到第四检测值。
17.根据权利要求16所述的缺陷检测装置，其特征在于，所述缺陷检测模块具体用于若所述第四检测值与所述第二预设检测值基本相同，则确定所述mos管存在缺陷。18.根据权利要求15所述的缺陷检测装置，其特征在于，所述缺陷检测模块具体用于若所述第四检测值小于所述第三检测值，则确定所述mos管存在缺陷。19.一种缺陷检测设备，其特征在于，所述检测设备包括：网络接口，用于实现组件之间的连接通信；存储器，用于存储可执行指令；处理器，用于执行所述存储器中存储的可执行指令，实现权利要求1至10中任一项所述的缺陷检测方法。20.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有计算机程序，当所述计算机程序被至少一个处理器执行时，实现权利要求1至10中任一项所述的缺陷检测方法。
技术总结本公开实施例提供一种缺陷检测方法、装置以及设备和存储介质。所述检测方法包括：提供半导体待测器件，所述半导体待测器件包括多个待测单元；将所述半导体待测器件设置在激光镜头的视场内，对所述待测单元进行第一电性检测，以得到所述待测单元在室温下的第一检测值以及所述待测单元在所述激光镜头扫描下的第二检测值；根据所述第一检测值与所述第二检测值，确定所述待测单元是否存在缺陷。确定所述待测单元是否存在缺陷。确定所述待测单元是否存在缺陷。
技术研发人员：欧汉司 翟玉龙
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2022.06.17
技术公布日：2022/11/1
