显示设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年4月29日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0056002号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.各种实施方式涉及显示设备。
背景技术：4.随着对信息显示的兴趣的增加和对使用便携式信息介质的需求的增加，对显示设备的需求显著增加，并且其商业化在进行中。
5.应当理解，本技术部分的背景部分地旨在为理解该技术提供有用的背景。然而，本技术部分的背景也可以包括在本文所公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的思想、构思或认识。
技术实现要素：6.各种实施方式针对能够防止在像素接触孔区域中可能发生的发光元件与阳极和/或阴极之间的接触故障的显示设备。
7.实施方式可以包括显示设备，该显示设备包括：基础层；像素电路层，设置在基础层上，像素电路层包括第一晶体管以及绝缘层，绝缘层与第一晶体管重叠；第一电极，设置在像素电路层上，第一电极经由绝缘层的接触孔电连接到第一晶体管；覆盖层，设置在第一电极上，覆盖层与第一电极的至少一部分重叠；发光元件，包括电连接到第一电极的第一端和第二端；第二电极，设置在发光元件上，第二电极电连接到发光元件的第二端；以及第三电极，设置在覆盖层上，第三电极电接触第一电极的至少一部分。
8.在实施方式中，第三电极的上表面可以是基本上平坦的。
9.在实施方式中，发光元件的第一端可以设置在第三电极上，并且发光元件的第一端可以直接接触第三电极。
10.在实施方式中，第三电极可以直接接触第一电极，并且第三电极和第一电极具有相同的电势。
11.在实施方式中，第一电极可以包括透明导电材料。
12.在实施方式中，第三电极可以包括金属或铜、金、锡及其合金中的至少一种。
13.在实施方式中，第三电极可以电连接第一电极和发光元件的第一端。
14.在实施方式中，发光元件可以包括：第一半导体层；有源层，设置在第一半导体层的第一表面上；以及第二半导体层，设置在有源层的第一表面上。
15.在实施方式中，发光元件的设置在绝缘层的接触孔上的第一端可以直接接触第三电极。
16.实施方式可以包括显示设备，该显示设备包括：基础层；像素电路层，设置在基础
层上，像素电路层包括第一晶体管以及绝缘层，绝缘层与第一晶体管重叠；第一电极，设置在像素电路层上，第一电极经由绝缘层的接触孔电连接到第一晶体管；覆盖层，设置在第一电极上，覆盖层与第一电极的至少一部分重叠；发光元件，包括电连接到第一电极的第一端和第二端；第二电极，设置在发光元件上，第二电极电连接到发光元件的第二端；以及第三电极，设置在覆盖层上，第三电极电接触第一电极的至少一部分，其中，覆盖层可以仅设置在绝缘层的接触孔中。
17.在实施方式中，第一电极的上表面和覆盖层的上表面可以是共线的。
18.在实施方式中，第三电极的上表面可以是基本上平坦的。
19.在实施方式中，发光元件的第一端可以直接接触第三电极。
20.在实施方式中，第三电极可以直接接触第一电极，并且第三电极和第一电极可以具有相同的电势。
21.在实施方式中，第一电极可以包括透明导电材料。
22.在实施方式中，第三电极可以包括金属或铜、金、锡及其合金中的至少一种。
23.在实施方式中，发光元件的第一端可以设置在第三电极上，并且第三电极可以电连接第一电极和发光元件的第一端。
24.在实施方式中，发光元件的设置在接触孔上的第一端可以直接接触第三电极。
25.在实施方式中，发光元件可以包括：第一半导体层；有源层，设置在第一半导体层的第一表面上；以及第二半导体层，设置在有源层的第一表面上。
26.在实施方式中，发光元件可以设置在第三电极和第二电极之间，且发光元件的高度方向与第三电极和第二电极相交。
附图说明
27.通过参考附图详细描述其实施方式，本公开的以上和其它方面和特征将变得更加显而易见，其中：
28.图1是示意性地示出根据实施方式的显示设备的示意性立体图。
29.图2是示意性地示出图1的显示设备的示意性剖视图。
30.图3是示意性地示出根据实施方式的显示面板的示意性平面图。
31.图4是示意性地示出根据实施方式的显示面板的示意性剖视图。
32.图5是示出根据实施方式的包括在显示设备中的像素的电连接关系的像素的等效电路的示意图。
33.图6是示出根据实施方式的包括在显示设备中的发光元件的示意性立体图。
34.图7是示出根据实施方式的包括在显示设备中的发光元件的示意性剖视图。
35.图8是示出根据实施方式的包括在显示设备中的像素的示意性剖视图。
36.图9a、图9b和图9c是示意性地示出根据实施方式的包括在显示设备中的像素的部件的示意性平面图。
37.图10是沿图9c的线ix-ix'截取的示意性剖视图。
38.图11是示出其中在图9a、图9b和图9c的平面图中布置发光元件和第二电极的结构的示意性剖视图。
39.图12a、图12b和图12c是示意性地示出根据实施方式的包括在显示设备中的像素
的部件的示意性平面图。
40.图13是沿着图12c的线xii-xii'截取的示意性剖视图。
41.图14是示出其中在图13的示意性剖视图中设置发光元件和第二电极的结构的示意性剖视图。
42.图15是示意性地示出根据比较例的显示设备的示意性平面图。
43.图16是示意性地示出根据比较例的包括在显示设备中的发光元件的位置的示意性剖视图。
44.图17是示出根据实施方式的应用于智能眼镜的显示设备的图。
45.图18是示出根据实施方式的应用于头戴式显示器的显示设备的图。
46.图19是示出根据实施方式的应用于智能手表的显示设备的图。
47.图20是示出根据实施方式的应用于汽车显示器的显示设备的图。
具体实施方式
48.由于本公开允许各种变化和许多实施方式，因此实施方式将在附图中示出并在书面描述中详细描述。然而，这并不旨在将本公开限制于实践模式，并且应当理解，在本公开的精神和范围内的所有变化、等同和替代应被理解为包含在本公开中。
49.在附图中，为了便于描述以及为了清楚，可以夸大元件的尺寸、厚度、比率和大小。相同的数字始终表示相同的元件。
50.如本文中所使用的，单数形式“一个”、“一”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
51.在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“a和/或b”可以理解为意指“a、b或a和b”。术语“和”和“或”可以以结合或分离的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
52.在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语
“……
中的至少一个”旨在包括“选自
……
的集合的至少一个”的含义。例如，“a和b中的至少一个”可以理解为是指“a、b或a和b”。
53.将理解，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。在本公开中，单数形式旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
54.为易于描述，空间相对术语“下方”、“下面”、“下部”、“上方”、“上部”等在本文中可以用于描述如附图中所示的一个元件或部件与另一个元件或部件之间的关系。应当理解，除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在包含设备在使用或操作中的不同定向。例如，在附图中所示的设备被翻转的情况下，位于另一个设备“下方”或“下面”的设备可以被放置在另一个设备“上方”。因此，说明性术语“下方”可以包括下部位置和上部位置两者。设备也可以在其它方向上定向，并且因此空间相对术语可以根据定向而被不同地解释。
55.术语“重叠(overlap)”或“重叠(overlapped)”意味着第一对象可以在第二对象的上方或下方、或者在第二对象的一侧，并且反之亦然。另外，术语“重叠(overlap)”可以包括
层、堆叠、面对(face)或面对(facing)、在
……
之上延伸、覆盖或部分覆盖或如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
56.当元件被描述为“不重叠(not overlapping)”或“不重叠(to not overlap)”另一个元件时，这可以包括元件彼此间隔开、彼此偏移、或彼此并排设置、或如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
57.术语“面对(face)”和“面对(facing)”意味着第一元件可以直接或间接地与第二元件相对。在第三元件插入第一元件和第二元件之间的情况下，第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接相对，尽管仍然彼此面对。
58.还应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprise)”、“包括(include)”、“具有(have)”及其变型指定了所述特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组合的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或添加。
59.此外，当诸如层、膜、区域或板的第一部分设置在第二部分上时，第一部分不仅可以直接在第二部分上，而且第三部分或其它部分可以介于它们之间。此外，当表示在第二部分上形成或设置诸如层、膜、区域或板的第一部分时，第二部分的在其上形成或设置第一部分的表面不限于第二部分的上表面，而可以包括诸如第二部分的侧表面或下表面的其它表面。相反，当诸如层、膜、区域或板的第一部分在第二部分之下或下方时，第一部分不仅可以直接在第二部分之下或下方，而且第三部分或其它部分可以介于它们之间。
60.应当理解，当在说明书中元件(或区域、层、部分等)被称为在另一个元件“上”、“连接至”或“联接至”另一个元件时，它可以直接设置在上述的另一个元件上、连接至或联接至上述的另一个元件，或者介于中间的元件可以设置在它们之间。
61.应当理解，术语“连接至”或“联接至”可以包括物理或电连接或联接。
62.短语“在平面图中”意味着从顶部观察对象，并且短语“在示意性剖视图中”意味着观察从侧面垂直切割对象的截面。
63.如本文中所使用的，“约”或“近似”包括所述值以及如由本领域普通技术人员在考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可表示在一个或多个标准偏差内，或在所述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。
64.除非另有限定，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。还应当理解，术语，诸如在常用词典中限定的那些术语，应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此限定，否则将不以理想化的或过分正式的含义进行解释。
65.在下文中，将参考附图描述根据实施方式的显示设备。
66.图1是示意性地示出根据实施方式的显示设备的示意性立体图，图2是示意性地示出图1的显示设备的示意性剖视图，图3是示意性地示出根据实施方式的显示面板的示意性平面图，并且图4是示意性地示出根据实施方式的显示面板的示意性剖视图。
67.参照图1至图4，显示设备dd可以包括显示面板dp和窗wd。
68.显示设备dd可以包括显示图像的显示区域dd_da和不显示图像的非显示区域dd_nda。非显示区域dd_nda可以设置在显示区域dd_da的至少一个侧或一侧上，并且可以设置
成包围显示区域dd_da。在实施方式中，可以相对地设计显示区域dd_da的形状和非显示区域dd_nda的位置。
69.显示设备dd可以被设置为具有基本上成角度的角的基本上矩形板的形状。然而，根据实施方式，显示设备dd可以实现为具有基本上圆角的基本上矩形板的形状。此外，本公开不限于此，并且显示设备dd可以具有各种形状。
70.根据实施方式的显示设备dd可以应用于在其至少一个表面或表面上具有显示表面的电子设备，诸如智能电话、电视、平板pc、移动电话、视频电话、电子书阅读器、台式pc、膝上型pc、上网本计算机、工作站、服务器、pda、便携式多媒体播放器(pmp)、mp3播放器、医疗设备、相机或可佩戴显示设备。
71.显示面板dp是显示图像的部分。显示面板dp可以实现为自发射显示面板，诸如有机发光显示面板(oled面板)、纳米级led显示面板或量子点有机发光显示面板(qd oled面板)。显示面板dp可以用作非发射显示面板，诸如液晶显示面板(lcd面板)、电泳显示面板(epd面板)或电润湿显示面板(ewd面板)。在实现为非发射显示面板的情况下，显示设备dd还可以包括向显示面板dp提供光的背光单元。
72.显示面板dp可以包括基础层bsl和设置在基础层bsl上的像素pxl。
73.基础层bsl可以形成显示设备dd的基础构件。在实施方式中，基础层bsl可以是刚性或柔性衬底或膜，并且其材料或特性没有特别限制。例如，基础层bsl可以是由玻璃或增强玻璃制成的刚性衬底、由塑料或金属材料制成的软衬底(或薄膜)、或至少一个绝缘膜，并且其材料和/或特性没有特别限制。
74.基础层bsl可以包括在其上显示图像的显示区域da、以及除显示区域da之外的非显示区域nda。非显示区域nda可以是其中不显示图像的区域，并且可以是边框区域以包围显示区域da。
75.显示区域da可以位于或设置在显示面板dp的表面上。例如，显示区域da可以位于或设置在显示面板dp的前表面上，并且可以另外位于或设置在显示面板dp的侧表面和后表面上。
76.非显示区域nda可以位于或设置在显示区域da周围以包围显示区域da，或者可以与显示区域da相邻。非显示区域nda可以包括连接到或联接到显示区域da的像素pxl的线、焊盘和驱动电路。
77.尽管在图3中仅示出了像素pxl，但是像素pxl可以基本上分布并设置在显示区域da中。在实施方式中，像素pxl可以在显示区域da中布置成矩阵或条纹布置结构。然而，本公开不限于此。
78.显示面板dp可以包括可以顺序地位于或设置在基础层bsl上的像素电路层pcl、显示元件层dpl和外部覆盖层cvl。
79.像素电路层pcl可以位于或设置在基础层bsl上，并且可以包括晶体管和连接或联接到晶体管的信号线。例如，每个晶体管可以具有这样的配置，在该配置中，半导体图案、栅电极、源电极和漏电极可以彼此顺序地堆叠，且绝缘层插入或设置在它们之间。
80.显示元件层dpl可以设置在像素电路层pcl上，并且可以包括发光元件。例如，发光元件可以是有机发光二极管、无机发光元件或在改变要使用量子点发射的光的波长的同时发射光的发光元件。
81.外部覆盖层cvl可以位于或设置在显示元件层dpl上。外部覆盖层cvl可以是以封装衬底或由多层膜形成的封装膜的形式。在外部覆盖层cvl是以封装膜的形式的情况下，其可以具有无机膜、有机膜和无机膜可以彼此顺序堆叠的配置。外部覆盖层cvl可以防止外部空气和湿气渗入显示元件层dpl和像素电路层pcl中。
82.在实施方式中，外部覆盖层cvl可以由热固化树脂和/或光固化树脂形成，因此它可以以液体形式涂布在基础层bsl上，并通过使用热和/或光的固化工艺来固化。此处，外部覆盖层cvl可以保护发光元件并可靠地固定发光元件。
83.可以在显示面板dp上设置窗wd以保护显示面板dp的暴露表面。窗wd可以保护显示面板dp免受外部冲击，并且向用户提供输入表面和/或显示表面。窗wd可以使用光学透明粘着(或粘合)构件(未示出)连接或联接到显示面板dp。
84.窗wd可以具有多层结构，该多层结构包括选自玻璃衬底、塑料膜和塑料衬底之中的至少一种。多层结构可以通过连续工艺或使用粘合层的粘合工艺形成。窗wd可以完全或部分地具有柔性。
85.触摸传感器可以设置在显示面板dp和窗wd之间。触摸传感器可以设置在显示面板dp的图像显示表面上或直接设置在显示面板dp的图像显示表面上，以接收用户的触摸输入。
86.下文中，将参考图5来描述根据实施方式的包括在显示设备或显示面板中的像素。
87.图5是示出根据实施方式的包括在显示设备中的像素的电连接关系的像素的等效电路的示意图。
88.参照图5，像素pxl可以包括产生具有对应于数据信号的亮度的光的至少一个发射单元emu。一个像素或像素pxl还可以包括像素电路pxc以驱动发射单元emu。
89.发射单元emu可以包括连接或联接在第一驱动电源vdd的电压施加到其上的第一电源线pl1和第二驱动电源vss的电压施加到其上的第二电源线pl2之间的发光元件ld。
90.详细地，发射单元emu可以包括经由像素电路pxc和第一电源线pl1连接到或联接到第一驱动电源vdd的第一电极el1、经由第二电源线pl2连接到或联接到第二驱动电源vss的第二电极el2、以及连接或联接在第一电极el1和第二电极el2之间的发光元件ld。在实施方式中，第一电极el1可以是阳极，并且第二电极el2可以是阴极。
91.包括在发射单元emu中的发光元件ld可以包括通过第一电极el1连接到或联接到第一驱动电源vdd的一个端或一端(或第一端)、以及通过第二电极el2连接到或联接到第二驱动电源vss的另一个端或另一端(或第二端)。
92.第一驱动电源vdd和第二驱动电源vss可以具有不同的电势。例如，第一驱动电源vdd可以被设定为高电势电源，并且第二驱动电源vss可以被设定为低电势电源。此处，可以将第一驱动电源vdd和第二驱动电源vss之间的电势差设定为在像素pxl的发射周期期间等于或大于发光元件ld的阈值电压的值。
93.发射单元emu的发光元件ld可以发射具有与通过像素电路pxc提供给其的驱动电流相对应的亮度的光。例如，在每个帧周期期间，像素电路pxc可以向发射单元emu提供与一个帧数据的灰度级值相对应的驱动电流。提供给发射单元emu的驱动电流可以流入发光元件ld中。
94.尽管在图5中示出了一个发光元件ld，但是本公开不限于此。在实施方式中，发射
单元emu可以包括在第一电极el1和第二电极el2之间在相同方向上彼此并联连接或并联联接的发光元件，并且可以包括其中发光元件连接或联接到n个串联级的串联/并联混合结构。
95.像素电路pxc可以连接或联接到像素pxl的扫描线si和数据线dj。例如，如果像素pxl设置在显示区域da(参见图3)的第i行(i是自然数)和第j列(j是自然数)上，则像素pxl的像素电路pxc可以连接或联接到显示区域da的第i扫描线si和第j数据线dj。
96.像素电路pxc可以包括第一晶体管t1、第二晶体管t2和存储电容器cst。
97.第一晶体管t1(或驱动晶体管)的第一端子连接到第一驱动电源vdd，并且其第二端子电连接到发射单元emu的第一电极el1。第一晶体管t1的栅电极连接或联接到第一节点n1。因此，第一晶体管t1可以响应于第一节点n1的电压来控制要提供给发光元件ld的驱动电流的量。
98.第二晶体管(或开关晶体管)t2的第一端子连接到数据线dj，并且其第二端子连接到第一节点n1。第二晶体管t2的栅电极可以连接或联接到扫描线si。在从扫描线si提供具有导通电压(低电平)的扫描信号的情况下，导通第二晶体管t2以将第一节点n1电连接或电联接到数据线dj。此处，如果一个帧的数据信号被提供给数据线dj，则数据信号可以被发送到第一节点n1。发送到第一节点n1的数据信号可以在存储电容器cst中被充电。
99.存储电容器cst的一个电极或一电极可以连接或联接到第一节点n1，而另一个电极可以连接或联接到第一晶体管t1的第一端子。可以用对应于提供给第一节点n1的数据信号的电压和对应于第一晶体管t1的第一端子的电压差的电压对存储电容器cst进行充电，并且存储电容器cst可以保持充电的电压直到后续帧的数据信号被提供。
100.尽管图5示出了其中第一晶体管t1和第二晶体管t2两者是p型晶体管的实施方式，但是本公开不限于此。在实施方式中，第一晶体管t1和第二晶体管t2中的至少一个可以被改变为n型晶体管。
101.此外，图5的像素电路pxc的结构可以以各种方式改变。例如，像素电路pxc还可以包括其它电路元件，诸如用于补偿第一晶体管t1的阈值电压的晶体管、用于初始化第一节点n1的电压的晶体管、用于控制发光元件ld的发射时间的晶体管、或者用于提高第一节点n1的电压的升压电容器。
102.在下文中，将参考图6和图7描述根据实施方式的包括在显示设备和像素中的发光元件。
103.图6是示出根据实施方式的包括在显示设备中的发光元件的立体图，并且图7是示出根据实施方式的包括在显示设备中的发光元件的剖视图。
104.参照图6和图7，发光元件ld可以包括第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13。例如，发光元件ld可以是通过连续堆叠第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13形成的发射堆叠体10。在实施方式中，发光元件ld还可以包括联接电极层，并且联接电极层可以彼此堆叠在第一半导体层11的表面上或第二半导体层13的表面上。
105.在发光元件ld的高度h的方向上，上表面可以被称为第一端ep1，并且下表面可以被称为第二端ep2。
106.发光元件ld可以具有其中第一端ep1的直径dd1和第二端ep2的直径dd2彼此不同的基本上柱状形状。例如，发光元件ld可以具有其中第一端ep1的直径dd1小于第二端ep2的
直径dd2的基本上柱状形状。例如，发光元件ld可以具有基本上椭圆形的柱状形状，该基本上椭圆形的柱状形状的直径随着其在高度h的方向上向上前进而增大。
107.本公开不限于此。在实施方式中，发光元件ld可以具有其中第一端ep1的直径dd1大于第二端ep2的直径dd2的基本上柱状形状。换句话说，根据实施方式，发光元件ld可以具有基本上椭圆形的柱状形状，该基本上椭圆形的柱状形状的直径随着其在高度h的方向上向上前进而减小。
108.此外，在实施方式中，发光元件ld可以被实现为使得其第一端ep1和第二端ep2可以具有基本上为多边形的形状，诸如矩形、正方形、正三角形或正五边形。换句话说，根据实施方式，发光元件ld可以具有其中上表面的面积和下表面的面积彼此不同的基本上截顶的棱锥形状。
109.发光元件ld可以具有与从纳米级到微米级的范围相对应的尺寸。发光元件ld的尺寸不限于此。发光元件ld的尺寸可以根据利用使用发光元件ld作为光源的发光设备的各种设备(例如，显示设备)的设计条件而不同地改变。
110.第一半导体层11可以是第一导电半导体层。例如，第一半导体层11可以包括至少一个n型半导体。例如，第一半导体层11可以包括n型半导体层，该n型半导体层可以包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的任何一种半导体材料，并且掺杂有第一导电掺杂剂，诸如si、ge或sn。然而，形成第一半导体层11的材料不限于此，并且第一半导体层11可以由各种其它材料形成。
111.有源层12设置在第一半导体层11的一个表面或表面上。有源层12设置在第一半导体层11之上。有源层12可以形成为单量子阱结构或多量子阱结构。在实施方式中，可以在有源层12之上和/或之下或下方形成掺杂有导电掺杂剂的包层。例如，包层可以由algan层或inalgan层形成。在实施方式中，诸如algan或inalgan的材料可以用于形成有源层12，并且各种其它材料可以用于形成有源层12。
112.如果将等于或大于阈值电压的电压施加到发光元件ld的上表面和下表面，则发光元件ld通过耦合有源层12中的电子-空穴对来发射光。通过使用前述原理控制发光元件ld的光发射，它可以用作用于包括显示设备的像素的各种显示设备的光源。
113.第二半导体层13设置在有源层12的一个表面或表面上。第二半导体层13可以设置在有源层12之上。第二半导体层13可以包括与第一半导体层11的类型不同的类型的导电半导体层。例如，第二半导体层13可以包括至少一个p型半导体层。例如，第二半导体层13可以包括p型半导体层，该p型半导体层可以包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种半导体材料，并且掺杂有第二导电掺杂剂，诸如mg、zn、ca、sr或ba。然而，形成第二半导体层13的材料不限于此，并且第二半导体层13可以由各种其它材料形成。
114.已经描述了第一半导体层11和第二半导体层13各自由单层组成，但是本公开不限于此。在实施方式中，取决于有源层12的材料，第一半导体层11和第二半导体层13中的每一个还可以包括至少一个或多个层，例如，包层和/或拉伸应变势垒减小(tsbr)层。tsbr层可以是应变减轻层，该应变减轻层设置在具有不同晶格结构的半导体层之间，以用作用于减小晶格常数的差的缓冲。尽管tsbr层可以由诸如p-gainp、p-alinp或p-algainp的p型半导体层形成，但本发明不限于此。
115.在实施方式中，除了上述第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13之外，发光
元件ld还可以包括设置在第一半导体层11之上和/或第二半导体层13之下或下方的电极。
116.电极可以是欧姆接触电极，但本公开不限于此。在实施方式中，电极可以是肖特基接触电极。电极可以包括导电材料。例如，电极可以包括单独或组合使用铬(cr)、钛(ti)、铝(al)、金(au)、镍(ni)及其氧化物或合金的不透明金属，但本公开不限于此。在实施方式中，电极可以包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟镓锌(igzo)或氧化铟锡锌(itzo)。电极可以是与阳极或阴极接触或直接接触的部分。
117.在实施方式中，发光元件ld还可以包括绝缘层14。根据实施方式，绝缘层14可以被省略，并且可以被设置为仅覆盖或仅重叠发射堆叠体10的一部分。
118.绝缘层14可以防止有源层12由于接触除了第一半导体层11和第二半导体层13之外的导电材料而短路。此外，绝缘层14可以最小化发光元件ld的表面缺陷，从而提高发光元件ld的寿命和发光效率。在发光元件ld设置成彼此紧密接触的情况下，绝缘层14可以防止不希望的短路在发光元件ld之间发生。只要可以防止有源层12与外部导电材料短路，就不限制是否设置绝缘层14。
119.发光元件ld还可以包括反射构件以包围绝缘层14的外周。反射构件可以由具有反射率的材料制成，以将从发光元件ld发射的光在图像显示方向上行进时聚焦到特定区域。例如，反射构件可以由具有反射率的导电物质形成。
120.在下文中，将参考图8描述根据实施方式的显示设备的结构。
121.图8是示出根据实施方式的包括在显示设备中的像素的剖视图。
122.参照图8，根据实施方式的显示设备中包括的像素pxl可以包括基础层bsl、像素电路层pcl和显示元件层dpl。
123.基础层bsl可以是刚性衬底或柔性衬底。例如，在基础层bsl是刚性衬底的情况下，在本公开的精神和范围内，基础层bsl可以实现为玻璃衬底、石英衬底、玻璃陶瓷衬底、晶体玻璃衬底等。在基础层bsl是柔性衬底的情况下，在本公开的精神和范围内，基础层bsl可以实现为包括聚酰亚胺、聚酰胺等的聚合物有机衬底、塑料衬底等。
124.像素电路层pcl可以位于或设置在基础层bsl上。
125.像素电路层pcl可以包括至少一个晶体管和连接或联接至其的线。此外，像素电路层pcl可以包括可以在基础层bsl的一个表面或表面上顺序地彼此堆叠的缓冲层bfl、第一栅极绝缘层gi1、第二栅极绝缘层gi2、层间绝缘层ild、第一通孔层via1和第二通孔层via2。
126.缓冲层bfl可以位于或设置在基础层bsl上以覆盖或重叠基础层bsl。缓冲层bfl可以防止杂质从外部设备扩散到像素电路层pcl中。缓冲层bfl可以包括金属氧化物中的至少一种，诸如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)和氧化铝(alo
x
)。在实施方式中，可以省略缓冲层bfl。此外，下部金属层可以位于或设置在基础层bsl和缓冲层bfl之间。
127.第一晶体管t1可以包括第一半导体图案scl1、第一栅电极gat1、第一源电极s1和第一漏电极d1。
128.第一半导体图案scl1可以位于或设置在缓冲层bfl上。第一半导体图案scl1可以包括沟道区和位于沟道区两侧上的源极区以及漏极区。第一半导体图案scl1的源极区可以电连接或电联接到第一源电极s1，并且其漏极区可以电连接或电联接到第一漏电极d1。换句话说，源极区和漏极区可以延伸以分别通过接触孔电连接或电联接到其它层的电极。
129.第二晶体管t2可以包括第二半导体图案scl2、第二栅电极gat2、第二源电极s2和
第二漏电极d2。
130.第二半导体图案scl2可以位于或设置在缓冲层bfl上。第二半导体图案scl2可以包括沟道区和位于沟道区两侧上的源极区以及漏极区。第二半导体图案scl2的源极区可以电连接或电联接到第二源电极s2，并且其漏极区可以电连接或电联接到第二漏电极d2。换句话说，源极区和漏极区可以延伸以分别通过接触孔电连接或电联接到其它层的电极。
131.第一半导体图案scl1和第二半导体图案scl2可以包括多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的至少一种。
132.第一栅极绝缘层gi1设置在第一半导体图案scl1、第二半导体图案scl2和缓冲层bfl上。第一栅极绝缘层gi1覆盖或重叠第一半导体图案scl1、第二半导体图案scl2和缓冲层bfl。
133.第一栅极绝缘层gi1可以包括无机材料。例如，第一栅极绝缘层gi1可以包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)和氧化铝(alo
x
)中的至少一种。在实施方式中，第一栅极绝缘层gi1可以包括有机材料。
134.第一栅电极gat1和第二栅电极gat2可以位于或设置在第一栅极绝缘层gi1上。第一栅电极gat1可以被定位成与第一半导体图案scl1的沟道区重叠，并且第二栅电极gat2可以被定位或设置成与第二半导体图案scl2的沟道区重叠。
135.第二栅极绝缘层gi2可以位于或设置在第一栅电极gat1、第二栅电极gat2和第一栅极绝缘层gi1上。第二栅极绝缘层gi2覆盖或重叠第一栅电极gat1、第二栅电极gat2和第一栅极绝缘层gi1。
136.第二栅极绝缘层gi2可以包括与第一栅极绝缘层gi1相同的材料或相似的材料，并且可以包括例如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)和氧化铝(alo
x
)中的至少一种。
137.层间绝缘层ild可以位于或设置在第二栅极绝缘层gi2上。层间绝缘层ild覆盖或重叠第二栅极绝缘层gi2。层间绝缘层ild可以包括与第二栅极绝缘层gi2相同的材料或相似的材料，并且可以包括无机材料或有机材料。
138.第一源电极s1和第一漏电极d1可以位于或设置在层间绝缘层ild上。此处，第一源电极s1可以具有与图5的第一晶体管t1的第一端子相同的配置，并且第一漏电极d1可以具有与第一晶体管t1的第二端子相同的配置。
139.第一漏电极d1可以通过将在后面描述的第一通孔层via1的第一接触孔ch1、桥电极brd和第二通孔层via2的像素接触孔cnt电连接或电联接到显示元件层dpl的第一电极el1。因此，第一晶体管t1可以将第一驱动电源vdd(参见图5)的电压传输到第一电极el1。此处，像素接触孔cnt可以被称为接触孔。
140.在根据比较例的显示设备的第一晶体管t1和第一电极el1电连接或电联接的像素接触孔区域x中，第一电极el1的表面可以不是平坦的。相反，根据实施方式的显示设备可以通过在第一电极el1上安置第一有机层ogl1和重叠电极oel而在像素接触孔区域x中提供平坦电极表面。因此，位于在像素接触孔区域x中的发光元件ld设置成不倾斜，从而防止在像素接触孔区域x中可能发生的发光元件ld与第一电极el1和/或第二电极el2之间的接触故障。
141.第二源电极s2和第二漏电极d2可以位于或设置在层间绝缘层ild上。此处，第二源
电极s2可以具有与图5的第二晶体管t2的第一端子相同的配置，并且第二漏电极d2可以具有与第二晶体管t2的第二端子相同的配置。
142.第二源电极s2可以通过将在后面描述的第一通孔层via1的第二接触孔ch2电连接或电联接到数据线dl。此处，数据线dl可以具有与图5的第j数据线dj相同的配置。
143.第一通孔层via1可以位于或设置在第一源电极s1、第一漏电极d1、第二源电极s2、第二漏电极d2和层间绝缘层ild之上。第一通孔层via1覆盖或重叠第一源电极s1、第一漏电极d1、第二源电极s2、第二漏电极d2和层间绝缘层ild。
144.第一通孔层via1可以包括至少一个有机绝缘层。第一通孔层via1可以由单层结构或多层结构形成，并且可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。例如，第一通孔层via1可以包括聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种。
145.第一通孔层via1的第一接触孔ch1可以物理和/或电连接或物理和/或电联接第一漏电极d1和桥电极brd。
146.第一通孔层via1的第二接触孔ch2可以物理和/或电连接或物理和/或电联接第二源电极s2和数据线dl。
147.桥电极brd和数据线dl可以位于或设置在第一通孔层via1上。
148.第二通孔层via2可以位于或设置在桥电极brd、数据线dl和第一通孔层via1上。第二通孔层via2覆盖或重叠桥电极brd、数据线dl和第一通孔层via1。第二通孔层via2可以被称为绝缘层。
149.第二通孔层via2的像素接触孔cnt可以物理和/或电连接或物理和/或电联接桥电极brd和第一电极el1。
150.第二通孔层via2可以包括与第一通孔层via1相同的材料或相似的材料。例如，第二通孔层via2可以包括聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种。
151.显示元件层dpl可以包括堤bnk、第一电极el1、第一有机层ogl1、重叠电极oel、发光元件ld、第二有机层ogl2和第二电极el2。
152.堤bnk可以位于或设置在第二通孔层via2上。堤bnk可以是分隔发射区域的坝结构或像素限定层，在该发射区域中设置有发光元ld并且发光元件ld发射光。堤bnk可以包括由无机材料形成的无机绝缘层或由有机材料形成的有机绝缘层。
153.第一电极el1可以位于或设置在第二通孔层via2上。第一电极el1可以位于或设置在像素电路层pcl上。
154.第一电极el1可以电连接或电联接到每个发光元件ld的第一端ep1。第一电极el1可以通过像素接触孔区域x中的像素接触孔cnt电连接或电联接到像素电路层pcl的第一晶体管t1。此处，第一电极el1可以是阳极。
155.第一电极el1可以包括具有反射率的透明导电材料。例如，第一电极el1可以包括导电氧化物(诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟镓锌(igzo)或氧化铟锡锌(itzo))以及诸如pedot(聚(3,4-亚乙基二氧噻吩))的导电聚合物。此外，第一电极el1可以包括不透明金属，不透明金属有利于在显示设备的图像显示方向(例如，第三方向dr3)上反射从发光元件ld发射的光。例如，第一电极el1还可以包括金属，诸如镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钛(ti)、钼(mo)及其合金。
156.第一有机层ogl1可以位于或设置在第一电极el1上。第一有机层ogl1可以位于或设置成与第一电极el1的一部分重叠。换句话说，第一有机层ogl1可以覆盖或重叠第一电极el1的至少一部分。第一有机层ogl1可以平坦化由于设置在像素接触孔区域x中的部件而导致的阶梯状结构。例如，可以设置第一有机层ogl1，使得像素接触孔区域x的表面在第一电极el1通过像素接触孔区域x中的像素接触孔cnt凹地设置的一部分中被平坦化。在实施方式中，第一电极el1的上表面和第一有机层ogl1的上表面可以通过位于或设置在第一电极el1的一部分之上的第一有机层ogl1被放置在同一条线上。此处，第一有机层ogl1可以被称为覆盖层。
157.第一有机层ogl1可以包括有机材料。例如，第一有机层ogl1可以包括聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种。然而，本公开不限于此，而是第一有机层ogl1可以包括无机材料。
158.重叠电极oel可以位于或设置在第一电极el1和第一有机层ogl1上。重叠电极oel可以被放置成覆盖或重叠第一有机层ogl1并且被放置成覆盖或重叠第一电极el1的至少一部分。此处，重叠电极oel可以被称为第三电极。
159.重叠电极oel可以与第一电极el1的至少一部分接触或直接接触。因此，重叠电极oel可以具有与第一电极el1相同的电势。
160.重叠电极oel可以由可以结合到发光元件ld的结合电极形成。例如，重叠电极oel可以包括金属，诸如铜(cu)、金(au)、锡(sn)或其合金。换句话说，重叠电极oel可以包括sac(sn-ag-cu)。因此，重叠电极oel可以电连接或电联接发光元件ld的第一端ep1和第一电极el1。
161.重叠电极oel的上表面可以是平坦的。
162.发光元件ld可以位于或设置在重叠电极oel上。发光元件ld的第一端ep1可以位于重叠电极oel上，并且发光元件ld的第一端ep1可以物理和/或电连接或物理和/或电联接到重叠电极oel。
163.发光元件ld的第一端ep1可以设置成面对重叠电极oel，并且发光元件ld的第二端ep2可以设置成面对第二电极el2。
164.发光元件ld可以在发光元件ld的高度h的方向上设置在重叠电极oel和第二电极el2之间。图8中所示的发光元件ld可以对应于以上描述的图6和图7的发光元件ld。图8示出第一端ep1的直径与第二端ep2的直径相同，以示意性地示出发光元件ld。
165.第二有机层ogl2定位成覆盖或重叠第一电极el1和重叠电极oel，并覆盖或重叠发光元件ld的至少一部分。第二有机层ogl2可以位于第一方向dr1上的两个堤bnk之间。
166.第二有机层ogl2可以位于发光元件ld之间，以平坦化发光元件ld之间的阶梯状结构。换句话说，第二有机层ogl2可以暴露发光元件ld的第二端ep2，并且可以平坦化设置在第二电极el2之下或下方的部件以设置第二电极el2。
167.第二有机层ogl2可以包括有机材料。例如，第二有机层ogl2可以包括聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种。然而，本公开不限于此，而是第二有机层ogl2可以包括无机材料。
168.第二电极el2可以位于或设置在第二有机层ogl2、发光元件ld和ldx以及堤bnk之上。第二电极el2可以电连接或电联接到发光元件ld和ldx中的每一个的第二端ep2。第二电
极el2可以是阴极。
169.第二电极el2可以包括具有反射率的透明导电材料。例如，第二电极el2可以包括导电氧化物(诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟镓锌(igzo)或氧化铟锡锌(itzo))以及诸如pedot(聚(3,4-亚乙基二氧噻吩))的导电聚合物。然而，第二电极el2的材料不限于以上描述。
170.下文中，将参考图9a、图9b和图9c至图11来描述根据实施方式的包括在显示设备中的部件。
171.图9a、图9b和图9c是示意性地示出根据实施方式的包括在显示设备中的像素的部件的示意性平面图，图10是沿图9c的线ix-ix'截取的示意性剖视图，并且图11是示出其中在图10的示意性剖视图中设置发光元件和第二电极的结构的示意性剖视图。将参考以上描述的图8来描述图9a到图9c至图11。
172.参照图9a到图9c至图11，根据实施方式的显示元件层可以包括第一电极el1、第一有机层ogl1、重叠电极oel、发光元件ld、第二有机层ogl2和第二电极el2。
173.图9a示出了第一电极el1，并且图9b示出了第一电极el1和与第一电极el1的至少一部分重叠的第一有机层ogl1，并且图9c示出了第一电极el1、第一有机层ogl1和与第一电极el1和第一有机层ogl1重叠的重叠电极oel。
174.第一电极el1可以通过像素接触孔cnt电连接或电联接到第一晶体管t1。
175.第一有机层ogl1可以在第一电极el1上设置成位于第一电极el1内。此外，第一有机层ogl1可以设置在第一电极el1上，以覆盖或重叠像素接触孔cnt。第一有机层ogl1可以设置在第一电极el1上，以与第一电极el1的区域的大部分重叠。
176.重叠电极oel可以设置在第一有机层ogl1上，以完全覆盖或重叠第一有机层ogl1。重叠电极oel可以在第一有机层ogl1和第一电极el1不重叠的部分中与第一电极el1接触或直接接触。换句话说，重叠电极oel可以在围绕第一有机层ogl1的边缘部分处与第一电极el1接触或直接接触，因此重叠电极oel和第一电极el1可以具有相同的电势。
177.此外，重叠电极oel可以位于或设置在第一有机层ogl1上，以具有平坦的上表面。
178.参照图11，发光元件ld可以位于或设置在平坦的重叠电极oel的上表面上。
179.发光元件ld的第一端ep1可以与重叠电极oel的上表面接触或直接接触，并且可以物理和/或电连接或物理和/或电联接到重叠电极oel。
180.设置在像素接触孔区域x中(例如，在像素接触孔cnt之上)的发光元件ldx可以通过平坦的重叠电极oel被设置成不倾斜。因此，根据实施方式的显示设备可以防止可能发生在像素接触孔区域x中的发光元件ldx与第一电极el1和/或第二电极el2之间的接触故障。
181.由于第二有机层ogl2和第二电极el2的描述与参考图8所描述的第二有机层ogl2和第二电极el2相同，因此将省略该描述。
182.下文中，将参考图12a到图12c至图14来描述根据实施方式的包括在显示设备中的部件。
183.图12a到图12c是示意性地示出根据实施方式的包括在显示设备中的像素的部件的示意性平面图，图13是沿着图12c的线xii-xii'截取的示意性剖视图，并且图14是示出其中在图13的示意性剖视图中设置发光元件和第二电极的结构的示意性剖视图。
184.参照图12a到图12c至图14，根据实施方式的显示元件层可以包括第一电极el1、第
一有机层ogl1、重叠电极oel、发光元件ld、第二有机层ogl2和第二电极el2。由于图12a到图12c至图14分别与图9a到图9c至图11相似，因此下面的描述将集中于差异。
185.第一有机层ogl1可以在第一电极el1上设置仅位于或设置在像素接触孔区域x上。换句话说，第一有机层ogl1可以仅位于或设置在像素接触孔cnt内，以仅覆盖或重叠像素接触孔cnt。因此，第一有机层ogl1的上表面和第一电极el1的上表面可以放置在同一条线上。
186.重叠电极oel可以设置在第一有机层ogl1和第一电极el1上，以覆盖或重叠第一有机层ogl1和第一电极el1。由于第一有机层ogl1可以仅位于或设置在像素接触孔区域x中，因此重叠电极oel可以与第一电极el1完全重叠。重叠电极oel和第一电极el1可以彼此接触或直接接触，从而具有相同的电势。
187.重叠电极oel可以位于或设置在第一电极el1上，且第一有机层ogl1填充在像素接触孔区域x中，从而具有平坦的上表面。
188.参照图14，设置在像素接触孔区域x中的发光元件ldx可以通过平坦的重叠电极oel被设置成不倾斜。因此，根据实施方式的显示设备可以防止发光元件ldx和第一电极el1之间的接触故障，该接触故障可能在像素接触孔区域x中发生。
189.在下文中，将参考图15至图16描述根据比较例的显示设备的配置。
190.图15是示意性地示出根据比较例的显示设备的示意性平面图，并且图16是示意性地示出根据比较例的包括在显示设备中的发光元件的位置的示意性剖视图。
191.参照图15，根据比较例的显示设备的像素pxl1、pxl2和pxl3中的每一个可以包括第一电极el1、堤bnk和第二电极el2。
192.第一电极el1可以通过像素接触孔区域x中的接触孔电连接或电联接到第一晶体管t1。
193.堤bnk可以位于或设置在围绕发射区域ema的非发射区域nea中。堤bnk的开口opn可以与发射区域ema的边缘一致。
194.发光元件ld可以设置在发射区域ema中。在发光元件ld之中，设置成与像素接触孔区域x的至少一部分重叠的发光元件ldx可以通过像素接触孔倾斜，第一电极el1和第一晶体管可以通过像素接触孔连接或联接。
195.图16示出了根据比较例的基础层bsl、像素电路层pcl以及设置在显示设备的第一电极el1之上的发光元件ldx、有机层oc和第二电极el2。
196.发光元件ldx设置成至少部分地与图15的像素接触孔区域x重叠，并且可以通过像素接触孔倾斜，第一电极el1和第一晶体管可以通过该像素接触孔连接或联接。
197.因此，覆盖或重叠发光元件ldx和有机层oc的第二电极el2可能不会平滑地形成，并且发光元件ldx可能不会适当地结合到第一电极el1。换句话说，根据比较例的显示设备问题在于，在像素接触孔区域x中倾斜的发光元件ldx可能导致第一电极el1和/或第二电极el2的不良电连接。
198.然而，在根据实施方式的显示设备中，通过将第一有机层和重叠电极定位或设置在第一电极上，可以在像素接触孔区域中提供平坦的电极表面。因此，通过将位于或设置在像素接触孔区域中的发光元件设置成不倾斜，可以防止在像素接触孔区域中可能发生的发光元件与阳极或阴极之间的接触故障。
199.在下文中，将参考图17至图20描述根据实施方式的显示设备可以应用于其的各种
实施方式。
200.图17是示出根据实施方式的应用于智能眼镜的显示设备的图，图18是示出根据实施方式的应用于头戴式显示器的显示设备的图，图19是示出根据实施方式的应用于智能手表的显示设备的图，以及图20是示出根据实施方式的应用于汽车显示器的显示设备的图。
201.参照图17，根据实施方式的显示设备可以应用于包括框架170和透镜部分171的智能眼镜。智能眼镜是可佩戴在用户的脸部上的可佩戴电子设备，并且可以具有其中框架170的一部分被折叠或展开的结构。例如，智能眼镜可以是用于增强现实(ar)的可佩戴设备。
202.框架170可以包括支撑透镜部分171的壳体170b和在用户佩戴智能眼镜的情况下使用的镜腿部分170a。镜腿部分170a可以通过铰链连接到壳体170b以折叠或展开。
203.电池、触摸板、麦克风、相机等可以安装在框架170中。此外，例如，输出光的投影仪、控制光信号的处理器可以被安装在框架170中。
204.透镜部分171可以是透射光或反射光的光学构件。在本公开的精神和范围内，透镜部分171可以包括玻璃、透明合成树脂等。
205.此外，透镜部分171通过透镜部分171的后表面(例如，在面向用户的眼睛的方向上的表面)反射由从框架170的投影仪传输的光信号产生的图像，以允许图像被用户的眼睛识别。例如，如附图中所示，用户可以识别诸如在透镜部分171上显示的时间和日期的信息。换句话说，透镜部分171是一种显示设备，并且根据上述实施方式的显示设备可以应用于透镜部分171。
206.参照图18，根据实施方式的显示设备可以应用于包括头部安装带180和显示接收壳体181的头戴式显示器(hmd)。头戴式显示器是可佩戴在用户的头部上的可佩戴电子设备。
207.头部安装带180是连接到显示接收壳体181以固定显示接收壳体181的部分。尽管附图示出头部安装带180可以围绕用户的头部的顶部和两侧，但是本公开不限于此。头部安装带180用于将头戴式显示器固定到用户的头部，并且可以以眼镜框架或头盔的形式形成。
208.显示接收壳体181可以接收显示设备，并且可以包括至少一个透镜。至少一个透镜是向用户提供图像的部分。例如，根据实施方式的显示设备可以应用于设置在显示接收壳体181中的左眼透镜和右眼透镜。
209.参照图19，根据实施方式的显示设备可以应用于包括显示部分1220和条带部分1240的智能手表1200。
210.智能手表1200是可佩戴电子设备，并且可以具有其中条带部分1240安装在用户的手腕上的结构。此处，根据实施方式的显示设备可以被应用到显示部分1220，因此可以向用户提供包括时间信息的图像数据。
211.参照图20，根据实施方式的显示设备可以应用于汽车显示器1300。此处，汽车显示器1300指的是设置在车辆内部或外部以提供图像数据的电子设备。
212.根据示例，显示设备可以应用于设置在车辆中的信息娱乐面板1310、群集1320、副驾驶显示器1330、平视显示器1340、侧视镜显示器1350和后座显示器1360中的至少任何一个。
213.虽然上面已经描述了各种实施方式，但是本领域的技术人员将理解，在不脱离本公开的范围和精神的情况下，各种修改、添加和/或替换是可能的。
214.因此，本说明书中公开的实施方式仅用于说明目的，而不是限制本公开的精神和范围。本公开的范围应该由所附权利要求限定。
215.根据实施方式，通过在阳极上定位或设置第一有机层和重叠电极，可以在像素接触孔区域中提供平坦的电极表面。因此，通过将位于或设置在像素接触孔区域中的发光元件设置成不倾斜，可以防止在像素接触孔区域中可能发生的发光元件与阳极或阴极之间的接触故障。
216.本公开的效果不受前述的限制，并且本文包括其它各种效果。
技术特征：1.显示设备，包括：基础层；像素电路层，设置在所述基础层上，所述像素电路层包括：第一晶体管；以及绝缘层，与所述第一晶体管重叠；第一电极，设置在所述像素电路层上，所述第一电极经由所述绝缘层的接触孔电连接到所述第一晶体管；覆盖层，设置在所述第一电极上，所述覆盖层与所述第一电极的至少一部分重叠；发光元件，包括电连接到所述第一电极的第一端和第二端；第二电极，设置在所述发光元件上，所述第二电极电连接到所述发光元件的所述第二端；以及第三电极，设置在所述覆盖层上，所述第三电极电接触所述第一电极的至少一部分。2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第三电极的上表面是平坦的。3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述发光元件的所述第一端设置在所述第三电极上，以及所述发光元件的所述第一端直接接触所述第三电极。4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述第三电极直接接触所述第一电极，以及所述第三电极和所述第一电极具有相同的电势。5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一电极包括透明导电材料。6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第三电极包括金属。7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第三电极包括铜、金、锡及其合金中的至少一种。8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第三电极电连接所述第一电极和所述发光元件的所述第一端。9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述发光元件包括：第一半导体层；有源层，设置在所述第一半导体层的第一表面上；以及第二半导体层，设置在所述有源层的第一表面上。10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，设置在所述绝缘层的所述接触孔上的所述发光元件的所述第一端直接接触所述第三电极。11.显示设备，包括：基础层；像素电路层，设置在所述基础层上，所述像素电路层包括：第一晶体管；以及绝缘层，与所述第一晶体管重叠；第一电极，设置在所述像素电路层上，所述第一电极经由所述绝缘层的接触孔电连接到所述第一晶体管；覆盖层，设置在所述第一电极上，所述覆盖层与所述第一电极的至少一部分重叠；
发光元件，包括电连接到所述第一电极的第一端和第二端；第二电极，设置在所述发光元件上，所述第二电极电连接到所述发光元件的所述第二端；以及第三电极，设置在所述覆盖层上，所述第三电极电接触所述第一电极的至少一部分，其中，所述覆盖层仅设置在所述绝缘层的所述接触孔中。12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述第一电极的上表面和所述覆盖层的上表面是共线的。13.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述第三电极的上表面是平坦的。14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述发光元件的所述第一端直接接触所述第三电极。15.根据权利要求14所述的显示设备，其中，所述第三电极直接接触所述第一电极，以及所述第三电极和所述第一电极具有相同的电势。16.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述第一电极包括透明导电材料。17.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述第三电极包括金属。18.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述第三电极包括铜、金、锡及其合金中的至少一种。19.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述发光元件的所述第一端设置在所述第三电极上，以及所述第三电极电连接所述第一电极和所述发光元件的所述第一端。20.根据权利要求11所述的显示设备，其中，设置在所述接触孔上的所述发光元件的所述第一端直接接触所述第三电极。21.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述发光元件包括：第一半导体层；有源层，设置在所述第一半导体层的第一表面上；以及第二半导体层，设置在所述有源层的第一表面上。22.根据权利要求21所述的显示设备，其中，所述发光元件设置在所述第三电极和所述第二电极之间，且所述发光元件的高度方向与所述第三电极和所述第二电极相交。
技术总结本申请涉及显示设备。显示设备包括：基础层；像素电路层，设置在基础层上，像素电路层包括：第一晶体管；以及绝缘层，与第一晶体管重叠；第一电极，设置在像素电路层上，第一电极经由绝缘层的接触孔电连接到第一晶体管；覆盖层，设置在第一电极上，覆盖层与第一电极的至少一部分重叠；发光元件，包括电连接到第一电极的第一端和第二端；第二电极，设置在发光元件上，第二电极电连接到发光元件的第二端；以及第三电极，设置在覆盖层上，第三电极电接触第一电极的至少一部分。第一电极的至少一部分。第一电极的至少一部分。
技术研发人员：全亨一 杨秉春 李太熙 赵珠完 崔炳华 崔镇宇
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2022.04.29
技术公布日：2022/11/1
