1.本公开涉及光电子制造技术领域，特别涉及一种改善发光二极管外延片飞片的外延片制备方法。
背景技术：2.发光二极管(emitting diode，micro led)是一种能发光的半导体电子元件。发光二极管具有自发光特性，具有高亮度、高对比度、高反应性及省电的特点。
3.相关技术中，发光二极管外延片包括衬底和层叠于衬底上的外延层，制备外延片过程中，在衬底上生长外延层之前，通常会对衬底放置到石墨盘内，并向石墨盘中通入氢气，以清洁衬底表面。
4.然而，由于氢气具有刻蚀作用，氢气处理的过程中容易让衬底产生翘曲；由于在后续生长外延层的过程中石墨盘会转动，这样在离心力的作用下，翘曲的外延片就容易从石墨盘中飞出，出现飞片的情况，不利于外延片的制备。
技术实现要素：5.本公开实施例提供了一种改善发光二极管外延片飞片的外延片制备方法，能有效改善生长外延层的过程中，衬底易出现翘曲而导致外延片飞片的问题。
6.所述技术方案如下：
7.一方面，本公开实施例提供了一种改善发光二极管外延片飞片的外延片制备方法，所述外延片制备方法包括：将衬底放入反应室的石墨盘中；向所述反应室中通入氨气；采用至少一次阶梯式调速调整所述石墨盘的转速，直至所述石墨盘的转速满足设定转速，所述阶梯式调速包括依次执行的第一阶段、第二阶段、第三阶段和第四阶段，所述第一阶段时，控制所述石墨盘的转速增大，所述第二阶段时，控制所述石墨盘的转速减小，所述第三阶段时，控制所述石墨盘的转速增大，所述第四阶段时，控制所述石墨盘的转速不变，在同一次所述阶梯式调速中，所述石墨盘在所述第一阶段的最大转速小于所述石墨盘在所述第三阶段的最大转速；在所述衬底上生长外延层。
8.可选地，在同一次所述阶梯式调速中，所述石墨盘在所述第一阶段的最大转速比所述石墨盘在所述第二阶段的最小转速高0至30rpm；所述石墨盘在所述第一阶段的最大转速比所述石墨盘在所述第三阶段的最大转速低0至70rpm。
9.可选地，所述设定转速为120rpm至150rpm；所述采用至少一次阶梯式调速调整所述石墨盘的转速，直至所述石墨盘的转速满足设定转速包括：对所述石墨盘进行第一次所述阶梯式调速，在第一次所述阶梯式调速中，在所述第一阶段控制所述石墨盘的转速增大至v1，在所述第二阶段控制所述石墨盘的转速降低至v2，在所述第三阶段控制所述石墨盘的转速增大至v3，在所述第四阶段控制所述石墨盘的转速维持在v3，v3＞v1＞v2，40rpm≤v1≤60rpm，30rpm≤v2≤40rpm，60rpm≤v3≤80rpm；对所述石墨盘进行第二次所述阶梯式调速，在第二次所述阶梯式调速中，在所述第一阶段控制所述石墨盘的转速增大至v4，在所
述第二阶段控制所述石墨盘的转速降低至v5，在所述第三阶段控制所述石墨盘的转速增大至v6，在所述第四阶段控制所述石墨盘的转速维持在v6，v6＞v4＞v5，80rpm≤v4≤100rpm，80rpm≤v5≤90rpm，120rpm≤v6≤150rpm。
10.可选地，第一次所述阶梯式调速中，所述第一阶段的时长为1min至2min，所述第二阶段的时长为1.5min至3min，所述第三阶段的时长为2min至4min，所述第四阶段的时长为1.5min至3min。
11.可选地，第二次所述阶梯式调速中，所述第一阶段的时长为2min至3min，所述第二阶段的时长为2.5min至4min，所述第三阶段的时长为3min至4min，所述第四阶段的时长为2.5min至4min。
12.可选地，向所述反应室中通入氨气的流量为100sccm至500sccm。
13.可选地，所述向所述反应室中通入氨气之前，包括：调整反应室内的压力至600torr至800torr。
14.可选地，所述在所述衬底上生长外延层之前，包括：调整反应室内的温度至800℃至1200℃并维持设定时长，以除去反应室内的氨气。
15.可选地，所述设定时长为3min至6min。
16.可选地，所述在所述衬底上生长外延层包括：在所述衬底上依次生长缓冲层、gan层、n型层、有源层、电子阻挡层和p型层。
17.本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
18.本公开实施例提供外延片制备方法，在对衬底预处理时，先向反应室通入反应气体氨气，因为氨气是反应气体之一，氨气通过气流流到衬底上能起到稳定衬底的作用；并且，将氢气替换为氨气，还能有效避免氢气的刻蚀作用，从而防止衬底出现较大的翘曲。
19.然后，提升石墨盘转速，以满足生长外延层的转速需求，提升石墨盘转速时采用至少一次阶梯式调速，直至石墨盘的转速满足设定转速。其中，阶梯式调速包括四个阶段，在第一阶段先提升石墨盘的转速，第二阶段降低石墨盘的转速，在第三阶段再提升石墨盘的转速，且保证石墨盘在第三阶段的最大转速大于第一阶段的最大转速，最后稳定石墨盘的转速。这样通过小幅升高转速减少离心力对衬底的翘曲影响，并且，在第二阶段又会再次降低转速，是为了释放升高转速时衬底的翘曲变化，最后，在第三阶段和第四阶段提升转速，既达到所需的设定转速又不会让衬底的翘曲变化较大。这样能大幅改善生长外延层的过程中，衬底易出现翘曲而导致外延片飞片的问题，提高了外延片的完整性和外观质量，避免出现外延片飞片而砸坏石墨盘的情况，也保证了外延片的光电性能。
附图说明
20.为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
21.图1是本公开实施例提供的一种外延片制备方法的流程图；
22.图2是本公开实施例提供的另一种外延片制备方法的流程图；
23.图3是本公开实施例提供的一种外延片的结构示意图。
24.图中各标记说明如下：
25.10、衬底；11、缓冲层；12、gan层；13、n型层；14、有源层；15、电子阻挡层；16、p型层。
具体实施方式
26.为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
27.除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”、“第三”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则所述相对位置关系也可能相应地改变。
28.图1是本公开实施例提供的一种外延片制备方法的流程图。如图1所示，该外延片制备方法包括：
29.步骤101：将衬底放入反应室的石墨盘中。
30.步骤102：向反应室中通入氨气。
31.步骤103：采用至少一次阶梯式调速调整石墨盘的转速，直至石墨盘的转速满足设定转速。
32.其中，阶梯式调速包括依次执行的第一阶段、第二阶段、第三阶段和第四阶段，第一阶段时，控制石墨盘的转速增大，第二阶段时，控制石墨盘的转速减小，第三阶段时，控制石墨盘的转速增大，第四阶段时，控制石墨盘的转速不变，石墨盘在第一阶段的最大转速小于石墨盘在第三阶段的最大转速。
33.步骤104：在衬底上生长外延层。
34.本公开实施例提供外延片制备方法，在对衬底预处理时，先向反应室通入反应气体氨气，因为氨气是反应气体之一，氨气通过气流流到衬底上能起到稳定衬底的作用；并且，将氢气替换为氨气，还能有效避免氢气的刻蚀作用，从而防止衬底出现较大的翘曲。
35.然后，提升石墨盘转速，以满足生长外延层的转速需求，提升石墨盘转速时采用至少一次阶梯式调速，直至石墨盘的转速满足设定转速。其中，阶梯式调速包括四个阶段，在第一阶段先提升石墨盘的转速，第二阶段降低石墨盘的转速，在第三阶段再提升石墨盘的转速，且保证石墨盘在第三阶段的最大转速大于第一阶段的最大转速，最后稳定石墨盘的转速。这样通过小幅升高转速减少离心力对衬底的翘曲影响，并且，在第二阶段又会再次降低转速，是为了释放升高转速时衬底的翘曲变化，最后，在第三阶段和第四阶段提升转速，既达到所需的设定转速又不会让衬底的翘曲变化较大。这样能大幅改善生长外延层的过程中，衬底易出现翘曲而导致外延片飞片的问题，提高了外延片的完整性和外观质量，避免出现外延片飞片而砸坏石墨盘的情况，也保证了外延片的光电性能。
36.图2是本公开实施例提供的另一种外延片制备方法的流程图。如图2所示，该外延
片制备方法包括：
37.步骤201：将衬底放入反应室的石墨盘中。
38.可选地，衬底为蓝宝石衬底、硅衬底或碳化硅衬底。衬底可以为平片衬底，也可以为图形化衬底。
39.作为示例，本公开实施例中，衬底为蓝宝石衬底。蓝宝石衬底为一种常用衬底，技术成熟，成本低。具体可以为图形化蓝宝石衬底或蓝宝石平片衬底。
40.本公开实施例中，反应室可以是mocvd(metal organic chemical vapor depositio，金属有机化合物化学气相沉淀)设备的反应腔。
41.步骤202：调整反应室内的压力至600torr至800torr。
42.在向反应室内通入氨气前，先迅速升高反应室内的压力能通过高压的作用来让衬底尽可能固定在石墨盘的凹槽内，增强衬底的稳定性。
43.通过将反应室内的压力控制在上述范围内，能避免压力过小，而导致压力对衬底的稳定作用效果较差的情况。还能避免压力过大，而导致提升反应室的压力需要较长的时间。
44.示例性地，步骤201可以包括控制反应室内的压力至650torr。将反应室内的压力控制在该温度，可以保证提升压力后，能稳定衬底，且还不会增加提升压力所花费的时间。
45.作为示例，本公开实施例中，还可以调整反应室内的压力至650torr至800torr。
46.步骤203：向反应室中通入氨气。
47.其中，向反应室中通入氨气的流量为100sccm至500sccm。
48.相较于相关技术，将氢气替换为氨气，以向反应室内通入氨气能起到稳定衬底的作用；并且还能有效避免氢气的刻蚀作用，从而防止衬底出现较大的翘曲。
49.上述实现方式中，通过控制通入氨气的流量在上述范围内，能避免流量过小，使通入的氨气较少而影响稳定衬底的作用；且还能避免流量过大，使通入的氨气较多而影响后续处理的时间。
50.作为示例，本公开实施例中，反应室中通入氨气的流量可以是200sccm至400sccm。这样能最大程度地保证氨气对衬底的稳定作用，且避免通入氨气的量过多而提升后续去除氨气的处理时长。
51.示例性地，反应室中通入氨气的流量可以是300sccm。
52.步骤204：采用至少一次阶梯式调速调整石墨盘的转速，直至石墨盘的转速满足设定转速。
53.其中，阶梯式调速包括依次执行的第一阶段、第二阶段、第三阶段和第四阶段，第一阶段时，控制石墨盘的转速增大，第二阶段时，控制石墨盘的转速减小，第三阶段时，控制石墨盘的转速增大，第四阶段时，控制石墨盘的转速不变，在同一次阶梯式调速中，石墨盘在第一阶段的最大转速小于石墨盘在第三阶段的最大转速。
54.由于阶梯式调速包括四个阶段，在第一阶段先提升石墨盘的转速，第二阶段降低石墨盘的转速，在第三阶段再提升石墨盘的转速，且保证石墨盘在第三阶段的最大转速大于第一阶段的最大转速，最后稳定石墨盘的转速。
55.这样通过小幅升高转速减少离心力对衬底的翘曲影响，并且，在第二阶段又会再次降低转速，是为了释放升高转速时衬底的翘曲变化，最后，在第三阶段和第四阶段提升转
速，既达到所需的设定转速又不会让衬底的翘曲变化较大。这样能大幅改善生长外延层的过程中，衬底易出现翘曲而导致外延片飞片的问题，提高了外延片的完整性和外观质量。
56.可选地，在同一次阶梯式调速中，石墨盘在第一阶段的最大转速比石墨盘在第二阶段的最小转速高0至30rpm。
57.这样可以避免第二阶段石墨盘的转速降幅过大，而让石墨盘整体的提速较为缓慢，增长衬底的处理时长；还可以避免石墨盘的转速降幅过小，而起不到释放升高转速时衬底的翘曲变化的作用。
58.可选地，在同一次阶梯式调速中，石墨盘在第一阶段的最大转速比石墨盘在第三阶段的最大转速低0至70rpm。
59.这样可以避免第三阶段石墨盘的转速提升幅度过大，而导致衬底容易出现翘曲的问题；还可以避免石墨盘的转速提升幅度过小，而让石墨盘整体的提速较为缓慢，增长衬底的处理时长。
60.且第三阶段的最大转速高于第一阶段的最大转速，以确保经过一次阶梯式调速的调整后，石墨盘的转速能在一定程度上得到提升，从而能通过多次阶梯式调速逐步将石墨盘的转速提升到设定转速。
61.本公开实施例中，设定转速可以是120rpm至150rpm。
62.在控制石墨盘提升转速的过程中，若一次性直接将石墨盘的转速调整到设定转速，在离心力的作用下，容易导致衬底出现翘曲的问题。
63.为此，本本公开实施例中，采用连续两次阶梯式调速逐步将石墨盘的转速调整至120rpm至150rpm。
64.步骤204具体可以包括以下两步：
65.第一步，对石墨盘进行第一次阶梯式调速。
66.其中，在第一次阶梯式调速中，在第一阶段控制石墨盘的转速增大至v1，在第二阶段控制石墨盘的转速降低至v2，在第三阶段控制石墨盘的转速增大至v3，在第四阶段控制石墨盘的转速维持在v3，v3＞v1＞v2，40rpm≤v1≤60rpm，30rpm≤v2≤40rpm，60rpm≤v3≤80rpm。
67.第二步，对石墨盘进行第二次阶梯式调速。
68.其中，在第二次阶梯式调速中，在第一阶段控制石墨盘的转速增大至v4，在第二阶段控制石墨盘的转速降低至v5，在第三阶段控制石墨盘的转速增大至v6，在第四阶段控制石墨盘的转速维持在v6，v6＞v4＞v5，80rpm≤v4≤100rpm，80rpm≤v5≤90rpm，120rpm≤v6≤150rpm。
69.本公开实施例中，采用了两次阶梯式调速，第一次阶梯式调速时，第一阶段的时长为1min至2min，这样先控制石墨盘的转速缓慢地升到40rpm至60rpm，此段的转速范围变化较小，对衬底的翘曲作用影响小。第二阶段的时长为1.5min至3min，这样再控制石墨盘的转速降低至30rpm至40rpm，主要是微弱降低转速，释放前一部分产生的翘曲带来的应力变化。第三阶段的时长为2min至4min，这样再控制石墨盘的转速缓慢地升到60rpm至80rpm，通过再次小幅升高转速，为下一次提高转速做准备。第四阶段的时长为2min至4min，即最后稳定石墨盘的转速在60rpm至80rpm，持续2min至4min。
70.第二次阶梯式调速时，第一阶段的时长为2min至3min，这样先控制石墨盘的转速
缓慢升到80rpm至100rpm，此段升高起来的转速是基于第一次阶梯式调速的再次升高，减少生产时间。第二阶段的时长为2.5min至4min，这样再控制石墨盘的转速降低至80rpm至90rpm，由于已连续两次提高转速，翘曲的变化带来的应力会有叠加，所以再进行一次通过转速降低的方式释放。第三阶段的时长为3min至4min，这样再控制石墨盘的转速缓慢地升到120rpm至150rpm，第四阶段的时长为2.5min至4min，最后控制石墨盘的转速稳定在120rpm至150rpm，并持续2.5min至4min。因为翘曲的应力变化来回释放了几次，为了提高效率，此时可以升到设定转速并稳定下来。
71.步骤205：调整反应室内的温度至800℃至1200℃并维持设定时长，以除去反应室内的氨气。
72.在氨气预处理完衬底后，为防止氨气影响厚度外延层的生长，还需要将反应室内的氨气去除。本公开实施例中，通过提升反应室内温度的方式，来分解反应室内的氨气。
73.通过将反应室内的问题设置在上述范围内，能避免温度过低，而影响氨气的分解效果，且还能避免温度过高，而增加温度升高所需的加热时长，增大衬底处理的时间。
74.可选地，设定时长为3min至6min。将设定时长设置上述范围内，能氨气高温处理的时长过短，而使氨气分解不彻底；且还能避免氨气高温处理时间过长，而增加衬底处理的时间。
75.示例性地，设定时长可以是5min。
76.步骤206：在衬底上依次生长缓冲层、gan层、n型层、有源层、电子阻挡层和p型层。
77.本公开实施例中，生长外延层时，采用高纯氢气或高纯氮气或高纯氢气和高纯氮气的混合气体作为载气，高纯氨气作为n源，三甲基镓(tmga)及三乙基镓(tega)作为镓源，三甲基铟(tmin)作为铟源，硅烷作为n型掺杂剂，三甲基铝(tmal)作为铝源，二茂镁(cp2mg)作为p型掺杂剂。反应室压力为100torr至600torr。
78.图3是本公开实施例提供的一种外延片的结构示意图。如图3所示，在生长缓冲层11时，控制生长温度为530℃至560℃，控制生长压力为200torr至500torr，在衬底10上形成一层缓冲层11。
79.其中，缓冲层的厚度可以是10nm至30nm，例如，缓冲层的厚度为20nm。
80.示例性地，缓冲层可以是aln层。
81.如图3所示，生长gan层12时，控制生长温度为1000℃至1100℃，控制生长压力为200torr至600torr，在缓冲层11上形成一层gan层12。
82.本公开实施中，gan层为高温缓冲层，且gan层可以不掺杂。
83.其中，gan层的厚度为2μm至3.5um，例如，gan层的厚度为3μm。
84.如图3所示，生长n型层13时，控制生长温度为1000℃至1100℃，控制生长压力为150torr至300torr，在gan层12上形成一层n型层13。
85.其中，n型层的厚度为2μm至3um，例如，n型层的厚度为2.5μm。
86.示例性地，n型层可以是掺si的gan层。
87.如图3所示，生长有源层14时，控制生长温度为700℃至900℃，控制生长压力为150torr至300torr，在n型层13上形成有源层14。
88.其中，有源层可以包括交替生长的ingan阱层和gan垒层。生长ingan阱层时，反应室温度为760℃至780℃，反应室压力为200torr；生长gan垒层时，反应室温度为860℃至890
℃，反应室压力为200torr。
89.示例性地，有源层的厚度为150nm至200nm，例如，有源层的厚度为150nm。
90.如图3所示，生长电子阻挡层15时，控制生长温度为930℃至970℃，控制生长压力为150torr至200torr，在有源层14上形成电子阻挡层15。
91.其中，电子阻挡层的厚度为30nm至50nm，例如，电子阻挡层的厚度为40nm。
92.示例性地，电子阻挡层为掺al、掺mg的alyga
1-y
n，y＝0.15-0.25。
93.如图3所示，生长p型层16时，控制生长温度为940℃至980℃，控制生长压力为200torr至600torr，在电子阻挡层15上形成p型层16。
94.其中，p型层的厚度为50nm至80nm，例如，p型层的厚度为60nm。
95.示例性地，p型层可以是高温高掺杂mg的gan层。
96.最后，对外延片进行退火。
97.可选地，可以在氮气氛围下进行退火30分钟，结束外延片的生长。之后关闭加热系统和给气系统，待反应腔温度降低至室温。
98.以上所述仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。
技术特征：1.一种改善发光二极管外延片飞片的外延片制备方法，其特征在于，所述外延片制备方法包括：将衬底放入反应室的石墨盘中；向所述反应室中通入氨气；采用至少一次阶梯式调速调整所述石墨盘的转速，直至所述石墨盘的转速满足设定转速，所述阶梯式调速包括依次执行的第一阶段、第二阶段、第三阶段和第四阶段，所述第一阶段时，控制所述石墨盘的转速增大，所述第二阶段时，控制所述石墨盘的转速减小，所述第三阶段时，控制所述石墨盘的转速增大，所述第四阶段时，控制所述石墨盘的转速不变，在同一次所述阶梯式调速中，所述石墨盘在所述第一阶段的最大转速小于所述石墨盘在所述第三阶段的最大转速；在所述衬底上生长外延层。2.根据权利要求1所述的外延片制备方法，其特征在于，在同一次所述阶梯式调速中，所述石墨盘在所述第一阶段的最大转速比所述石墨盘在所述第二阶段的最小转速高0至30rpm；所述石墨盘在所述第一阶段的最大转速比所述石墨盘在所述第三阶段的最大转速低0至70rpm。3.根据权利要求2所述的外延片制备方法，其特征在于，所述设定转速为120rpm至150rpm；所述采用至少一次阶梯式调速调整所述石墨盘的转速，直至所述石墨盘的转速满足设定转速包括：对所述石墨盘进行第一次所述阶梯式调速，在第一次所述阶梯式调速中，在所述第一阶段控制所述石墨盘的转速增大至v1，在所述第二阶段控制所述石墨盘的转速降低至v2，在所述第三阶段控制所述石墨盘的转速增大至v3，在所述第四阶段控制所述石墨盘的转速维持在v3，v3＞v1＞v2，40rpm≤v1≤60rpm，30rpm≤v2≤40rpm，60rpm≤v3≤80rpm；对所述石墨盘进行第二次所述阶梯式调速，在第二次所述阶梯式调速中，在所述第一阶段控制所述石墨盘的转速增大至v4，在所述第二阶段控制所述石墨盘的转速降低至v5，在所述第三阶段控制所述石墨盘的转速增大至v6，在所述第四阶段控制所述石墨盘的转速维持在v6，v6＞v4＞v5，80rpm≤v4≤100rpm，80rpm≤v5≤90rpm，120rpm≤v6≤150rpm。4.根据权利要求3所述的外延片制备方法，其特征在于，第一次所述阶梯式调速中，所述第一阶段的时长为1min至2min，所述第二阶段的时长为1.5min至3min，所述第三阶段的时长为2min至4min，所述第四阶段的时长为1.5min至3min。5.根据权利要求3所述的外延片制备方法，其特征在于，第二次所述阶梯式调速中，所述第一阶段的时长为2min至3min，所述第二阶段的时长为2.5min至4min，所述第三阶段的时长为3min至4min，所述第四阶段的时长为2.5min至4min。6.根据权利要求1至5任一项所述的外延片制备方法，其特征在于，向所述反应室中通入氨气的流量为100sccm至500sccm。7.根据权利要求1至5任一项所述的外延片制备方法，其特征在于，所述向所述反应室中通入氨气之前，包括：调整反应室内的压力至600torr至800torr。8.根据权利要求1至5任一项所述的外延片制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上生长外延层之前，包括：调整反应室内的温度至800℃至1200℃并维持设定时长，以除去反
应室内的氨气。9.根据权利要求8所述的外延片制备方法，其特征在于，所述设定时长为3min至6min。10.根据权利要求1至5任一项所述的外延片制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上生长外延层包括：在所述衬底上依次生长缓冲层、gan层、n型层、有源层、电子阻挡层和p型层。
技术总结本公开提供了一种改善发光二极管外延片飞片的外延片制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片制备方法包括：将衬底放入反应室的石墨盘中；向反应室中通入氨气；采用至少一次阶梯式调速调整石墨盘的转速，直至石墨盘的转速满足设定转速，阶梯式调速包括依次执行的第一阶段、第二阶段、第三阶段和第四阶段，第一阶段时，控制石墨盘的转速增大，第二阶段时，控制石墨盘的转速减小，第三阶段时，控制石墨盘的转速增大，第四阶段时，控制石墨盘的转速不变，在同一次阶梯式调速中，石墨盘在第一阶段的最大转速小于石墨盘在第三阶段的最大转速；在衬底上生长外延层。本公开实施例能有效改善衬底易出现翘曲而导致外延片飞片的问题。衬底易出现翘曲而导致外延片飞片的问题。衬底易出现翘曲而导致外延片飞片的问题。
技术研发人员：姚振 从颖 龚逸品 李鹏
受保护的技术使用者：华灿光电（苏州）有限公司
技术研发日：2022.06.20
技术公布日：2022/11/1
