1.本发明涉及半导体相关技术领域，特别涉及一种晶片还原黑化颜色获取方法及系统。
背景技术：2.钽酸锂晶体(分子式litao3，简称lt晶体)，具有无对称中心三方晶系结构(3m)，晶体熔点1650℃，居里温度约600℃，具有优良的压电、铁电、热释电、声光、电光、非线性以及光折变等性能，在声表面波(saw)滤波器、热释电探测器、光学调制器以及频率转换等通讯和光电领域具有重要的应用前景。作为声表面波滤波器的衬底材料，lt晶体具有机电耦合系数大、频率温度系数小和插入损耗低等突出的优点，广泛应用于高频(2ghz附近)频域saw滤波器件中，在智能手机以及其它高端智能便携式通讯电子终端产品中具有巨大的市场前景。
3.在制作2ghz以上高频saw滤波器时，需要在lt衬底晶片上制作间距小(约0.3-0.4um)、厚度薄(约200nm以下)的梳状叉指金属cual电极，一般需要经历金属薄膜沉积、涂胶、光刻、曝光显影、蚀刻等典型的半导体制作工序。钽酸锂晶体不仅具有压电性质，同时也具有热释电性质，其热释电系数约为1x10-8库仑/cm2k,传统未经处理的lt晶体基片电阻率高(1013～1015ωcm)，在saw器件制作工序中温度变化使得lt衬底表面产生大量电荷而无法快速释放导走，容易造成saw器件梳状电极之间打火，导致器件的优良率降低，严重的会造成衬底片开裂；另外，lt衬底的高透过率，使光透过衬底后在衬底背面产生较强反射到前面，导致在光刻过程中降低梳状电极图案的分辨率。虽然由lt晶体的热释电导致的表面电荷积累可以被周围游离的电荷中和，但是往往需要数小时到十几小时；也可通过saw器件设计或者在器件制作过程中减少温度波动，但会增加器件成本并降低生产效率，不符合批量工业化生产的需求。
4.为解决lt晶体热释电性以及在曝光波长高透过率导致的saw滤波器件叉指间打火烧坏、梳状电极分辨率不高、器件制作优良率低、成本高等突出的问题，目前业界主要通过还原热处理、电还原处理、化学处理等各种预处理方法，在不影响lt晶体压电性质情况下，设法降低钽酸锂(lt)晶体或者lt衬底片的电阻率以减弱或者消除其热释电性质，制备无热释电性质的lt晶体基片。经过预处理的lt晶体基片一般为黑色，因此也将这种预处理方法称作“黑化”。在无热释电性质黑化的lt晶体基片上制作的saw滤波器件优良率高成本低。
5.目前业界针对lt晶体基片黑化后颜色的判别普遍分为两种方式，第一种是目视，透过人的眼睛进行判别，但受限到环境的变化与人的因素干扰太大，导致集成电路黄光制程良率上受到起伏与不良；第二种是透过率，利用机台测量透过率，但受限到透过率量测时必须将晶片做成两面抛光面，才能有效地得到有比较性的透过率数值，否则将无太大的参考意义，然常规的晶片通常都为单面抛光，意味着量测透过率必须造成材料上的损失，所以一般都是进行批量性的抽检且无法即时性的监控，使其制程异常反应时间过长，导致整体晶片过多的不良损失。
技术实现要素：6.本发明的目的在于克服现有技术的不足，提出一种晶片还原黑化颜色获取方法及系统，能够计算出晶片色差均匀性和晶片色度值，进而根据晶片色度值和色差均匀性判别晶片的透过率和线宽均匀性，既不造成材料损失又能即时性与批量性生产，提高了集成电路曝光线宽制程能力。
7.本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
8.一方面，一种晶片还原黑化颜色获取方法，包括：
9.测量出晶片的中心点及距晶片边缘预设距离的n个点的l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值；所述n个点沿晶片的周向均匀分布；l
＊
值表示点的色度值大小；a
＊
值表示点的红绿程度；b
＊
值表示点的黄蓝程度；
10.对测量出的n+1个点的l
＊
值进行差值运算或对测量出的n+1个点的l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值分别进行差值运算，基于差值运算的结果计算出晶片的色差均匀性。
11.优选的，对测量出的n+1个点的l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值分别进行差值运算，基于差值运算的结果计算出晶片的色差均匀性，具体包括：
12.对测量出的n+1个点的l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值分别进行差值运算，获得
△
l
＊
值、
△a＊
值和
△b＊
值，对
△
l
＊
值、
△a＊
值和
△b＊
值分别进行平方后取和值，并对和值求平方根，基于平方根的结果计算出晶片的色差均匀性
13.优选的，基于平方根的结果计算出晶片的色差均匀性具体如下：
[0014][0015][0016][0017][0018]
其中，表示测量出的n+1个点的l
＊
值的最大值；表示测量出的n+1个点的l
＊
值的最小值；表示测量出的n+1个点的a
＊
值的最大值；表示测量出的n+1个点的a
＊
值的最小值；表示测量出的n+1个点的b
＊
值的最大值；表示测量出的n+1个点的b
＊
值的最小值。
[0019]
优选的，基于平方根的结果计算出晶片的色差均匀性具体如下：
[0020][0021][0022]
[0023][0024]
其中，表示测量出的中心点的l
＊
值；表示测量出的距晶片边缘预设距离的第x个点的l
＊
值，x∈[2,n+1]；表示测量出的中心点的a
＊
值；表示测量出的距晶片边缘预设距离的第x个点的a
＊
值；表示测量出的中心点的b
＊
值；表示测量出的距晶片边缘预设距离的第x个点的b
＊
值；
[0025]
获取计算出的n个中的最大值作为色差均匀性
△e＊ab
，或者，对计算出的n个取平均值作为色差均匀性
[0026]
优选的，基于平方根的结果计算出晶片的色差均匀性具体如下：
[0027][0028][0029][0030][0031]
其中，表示测量出的第z个点的l
＊
值；表示测量出的不包括第z个点的其他n个点的l
＊
值，z∈[1,n+1]，且不等于z，y∈[1,n(n+1)/2]；表示测量出的第z个点的a
＊
值；表示测量出的不包括第z个点的其他n个点的a
＊
值；表示测量出的第z个点的b
＊
值；表示测量出的不包括第z个点的其他n个点的b
＊
值；
[0032]
获取计算出的n(n+1)/2个中的最大值作为色差均匀性或者，对计算出的n(n+1)/2个取平均值作为色差均匀性
[0033]
优选的，对测量出的n+1个点的l
＊
值进行差值运算，基于差值运算的结果计算出晶片的色差均匀性，具体包括：
[0034]
对测量出的n+1个点的l
＊
值进行差值运算，获得
△
l
＊
值，基于
△
l
＊
值计算出晶片的色差均匀性
[0035]
优选的，基于
△
l
＊
值计算出晶片的色差均匀性具体如下：
[0036][0037]
其中，表示测量出的n+1个点的l
＊
值的最大值；表示测量出的n+1个点的l
＊
值的最小值。
[0038]
优选的，所述的晶片还原黑化颜色获取方法，还包括：基于所述色差均匀性判别出
晶片的线宽均匀性；
[0039]
具体包括：
[0040]
将计算出的色差均匀性与预设的均匀性类别进行比较，判断出所述色差均匀性所属的均匀性类别，根据所属的均匀性类别判别出晶片的线宽均匀性；
[0041]
或者，
[0042]
将计算出的色差均匀性代入拟合出的色差-线宽线性方程，计算出与色差均匀性对应的线宽均匀性。
[0043]
优选的，所述的晶片还原黑化颜色获取方法，其特征在于，还包括：
[0044]
对测量出的n+1个点的l
＊
值取平均值作为晶片色度值；基于所述晶片色度值判别出晶片的透过率；
[0045]
基于所述晶片色度值判别出晶片的透过率，具体包括：
[0046]
将计算出的晶片色度值与预设的色度类别进行比较，判断出所述晶片色度值所属的色度类别，根据所属的色度类别判别出晶片的透过率；
[0047]
或者，
[0048]
将计算出的晶片色度值代入拟合出的色度-透过率线性方程，计算出与晶片色度值对应的透过率。
[0049]
另一方面，一种晶片还原黑化颜色获取系统，包括：
[0050]
数据采集模块，用于测量出晶片的中心点及距晶片边缘预设距离的n个点的l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值；所述n个点沿晶片的周向均匀分布；l
＊
值表示点的色度值大小；a
＊
值表示点的红绿程度；b
＊
值表示点的黄蓝程度；
[0051]
色差均匀性获取模块，用于对测量出的n+1个点的l
＊
值进行差值运算或对测量出的n+1个点的l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值分别进行差值运算，基于差值运算的结果计算出晶片的色差均匀性；
[0052]
线宽均匀性判别模块，用于基于所述色差均匀性判别出晶片的线宽均匀性；
[0053]
晶片色度值获取模块，用于对测量出的n+1个点的l
＊
值取平均值作为晶片色度值；
[0054]
透过率判别模块，用于基于所述晶片色度值判别出晶片的透过率。
[0055]
本发明具有如下有益效果：
[0056]
本发明一种晶片(晶体基片)还原黑化深度获取方法及系统，通过计算l
＊
的平均值(代表晶片的色度，体现晶片颜色的深浅程度，数值越大代表越白，反之，越黑)和
[0057]
(晶片内色差均匀性，数值越小代表均匀性越好)来间接监控晶体基片的透过率和线宽均匀性，减少了测量透过率必须造成材料上和人力上的浪费和损失，提高了对晶片制造生产过程中即时性的监控力度，从而使制造生产晶片的成本大幅度地下降。
[0058]
以下结合附图及实施例对本发明作进一步详细说明，但本发明的一种晶片还原黑化颜色获取方法及系统不局限于实施例。
附图说明
[0059]
图1为本发明实施例的晶片还原黑化颜色获取方法的简要流程图；
[0060]
图2为本发明实施例的晶片色度测量点位示意图；
[0061]
图3为本发明实施例的对掺杂晶片进行测量时，计算色差均匀性的四种算法的比较示意图；
[0062]
图4为本发明实施例的对非掺杂晶片进行测量时，计算色差均匀性的四种算法的比较示意图；
[0063]
图5为本发明实施例的晶片还原黑化颜色获取方法的详细流程图；
[0064]
图6为本发明实施例的多个晶片的色差均匀性与线宽均匀性的对应示意图；
[0065]
图7为本发明实施例的色差均匀性与线宽均匀性的拟合方程示意图；
[0066]
图8为本发明实施例的晶片色度值与透过率的拟合方程示意图；
[0067]
图9为本发明实施例的晶片还原黑化颜色获取系统的结构框图。
具体实施方式
[0068]
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明实施例保护的范围。
[0069]
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0070]
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，步骤标识s101、s102、s103等仅用于方便表述，并不表示执行顺序，相应的执行顺序可以进行调节。
[0071]
参见图1所示，本发明一种晶片还原黑化颜色获取方法，包括：
[0072]
s101，测量出晶片的中心点及距晶片边缘预设距离的n个点的l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值；所述n个点沿晶片的周向均匀分布；l
＊
值表示点的色度值大小；a
＊
值表示点的红绿程度；b
＊
值表示点的黄蓝程度；
[0073]
s102，对测量出的n+1个点的l
＊
值进行差值运算或对测量出的n+1个点的l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值分别进行差值运算，基于差值运算的结果计算出晶片的色差均匀性。
[0074]
具体的，参见图2所示，为s101中的晶片色度测量点位示意图。图中，n等于4，测量点共有5个，包括晶片的中心点及距离晶片边缘预定距离的4个点。4个点与晶片边缘的距离为2～4mm，优选的，可以为3mm。各个点的坐标分布如下表1所示。
[0075]
表1测量点位坐标(不少于5个点位，坐标可偏差范围
±
1mm)
[0076][0077]
具体的，本实施例采用分光测色仪对上述测试点进行测量，得到各点的l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值，一共需要进行n+1次测量，如果为5个点，则需要测量5次。
[0078]
本发明中，s102中色差均匀性计算包括四种算法，其中算法1、算法2和算法3需要根据n+1个点的l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值共同计算出，如下：
[0079]
对测量出的n+1个点的l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值分别进行差值运算，获得
△
l
＊
值、
△a＊
值和
△b＊
值，对
△
l
＊
值、
△a＊
值和
△b＊
值分别进行平方后取和值，并对和值求平方根，基于平方根的结果计算出晶片的色差均匀性
[0080]
算法4仅根据n+1个点的l
＊
值计算出晶片的色差均匀性，如下：
[0081]
对测量出的n+1个点的l
＊
值进行差值运算，获得
△
l
＊
值，基于
△
l
＊
值计算出晶片的色差均匀性
[0082]
如下将对算法1、算法2、算法3和算法4做详细说明。
[0083]
算法1：基于平方根的结果计算出晶片的色差均匀性具体如下：
[0084][0085][0086][0087][0088]
其中，表示测量出的n+1个点的l
＊
值的最大值；表示测量出的n+1个点的l
＊
值的最小值；表示测量出的n+1个点的a
＊
值的最大值；表示测量出的n+1个点的a
＊
值的最小值；表示测量出的n+1个点的b
＊
值的最大值；表示测量出的n+1个点的b
＊
值的最小值。
[0089]
△
l
＊
为正值表示偏白，
△
l
＊
为负值表示偏黑；
△a＊
为正值表示偏红，
△a＊
为负值表示偏绿；
△b＊
为正值表示偏黄，
△b＊
为负值表示偏蓝。
[0090]
5个测量点的计算实例如下表2所示。
[0091]
表2
[0092][0093][0094]
表中，l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值为通过分光测色仪按照图1的5个点所测量得到的；为根据公式计算出的，本算法1中，计算出的只有一个；l
＊
平均值为5个点的l
＊
值的平均值(晶片色度值)，计算出l
＊
平均值＝48.42，则该lt晶体基片的色度类型3a。
[0095]
晶片色度值与色度类型的对应关系(晶片黑化后颜色深度分规)如下表3所示。
[0096]
表3
[0097][0098]
算法2：基于平方根的结果计算出晶片的色差均匀性具体如下：
[0099][0100][0101][0102][0103]
其中，表示测量出的中心点的l
＊
值；表示测量出的距晶片边缘预设距离的第x个点的l
＊
值，x∈[2,n+1]；表示测量出的中心点的a
＊
值；表示测量出的距晶片边缘预设距离的第x个点的a
＊
值；表示测量出的中心点的b
＊
值；表示测量出的距晶片边缘预设距离的第x个点的b
＊
值；
[0104]
获取计算出的n个中的最大值作为色差均匀性
△e＊ab
，或者，对计算出的n个
取平均值作为色差均匀性
[0105]
如下表4，l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值为通过分光测色仪按照图1的5个点所测量得到的。本算法中，共计算出个(4个)
[0106]
5个测量点的计算实例如下表4所示。
[0107]
表4
[0108][0109]
表中，l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值为通过分光测色仪按照图1的5个点所测量得到的；本算法2中，计算出的有四个，取计算出的4个中的最大值；l
＊
平均值为5个点的l
＊
值的平均值(晶片色度值)，计算出l＊平均值＝48.42，则该lt晶体基片的色度类型3a。
[0110]
算法3：基于平方根的结果计算出晶片的色差均匀性具体如下：
[0111][0112][0113][0114][0115]
其中，表示测量出的第z个点的l
＊
值；表示测量出的不包括第z个点的其他n个点的l
＊
值，z∈[1,n+1]，且不等于z，y∈[1,n(n+1)/2]；表示测量出的第z个点的a
＊
值；表示测量出的不包括第z个点的其他n个点的a
＊
值；表示测量出的第z个点的b
＊
值；表示测量出的不包括第z个点的其他n个点的b
＊
值；
[0116]
获取计算出的n(n+1)/2个中的最大值作为色差均匀性或者，对计算出的n(n+1)/2个取平均值作为色差均匀性
[0117]
如下表5，l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值为通过分光测色仪按照图1的5个点所测量得到的。本
算法中，共计算出n(n+1)/2个(10个)
[0118]
5个测量点的计算实例如下表5所示。
[0119]
表5
[0120][0121]
表中，l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值为通过分光测色仪按照图1的5个点所测量得到的；本算法3中，计算出的有10个，取计算出的10个中的最大值；l
＊
平均值为5个点的l
＊
值的平均值(晶片色度值)，计算出l
＊
平均值＝48.42，则该lt晶体基片的色度类型3a。
[0122]
算法4：基于
△
l
＊
值计算出晶片的色差均匀性具体如下：
[0123][0124]
其中，表示测量出的n+1个点的l
＊
值的最大值；表示测量出的n+1个点的l
＊
值的最小值。
[0125]
5个测量点的计算实例如下表6所示。
[0126]
表6
[0127][0128]
表中，l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值为通过分光测色仪按照图1的5个点所测量得到的；本算法4中，计算出的只有一个，等于0.44，l
＊
平均值＝48.42，则该lt晶体基片的色度类型3a。
[0129]
参见图3所示，为本发明实施例的对100片掺杂晶片(钽酸铝+铁)进行测量时，计算
色差均匀性的四种算法的比较示意图。该图为相关散点图，以算法1为横坐标，算法2、算法3和算法4分别为纵坐标得出。从附图可以看出，通过四种不同计算方式对比，算法1与算法2、算法3的均匀性的平均差值在0.027，相关性r2＝0.9941以上，呈高度线性相关；算法1与算法4的相关性r2＝0.9781，高度线性相关，但对比其它三种算法，偏差较大(受cie lab中，a
＊
，b
＊
影响)。
[0130]
参见图4所示，为本发明实施例的对100片非掺杂晶片(钽酸铝)进行测量时，计算色差均匀性的四种算法的比较示意图。该图为相关散点图，以算法1为横坐标，算法2、算法3和算法4分别为纵坐标得出。从附图可以看出，通过四种不同计算方式对比，四种计算方式得出相关性结果，相关性r2＝0.9915以上，呈高度线性相关(白黑片无掺杂，未受a
＊
，b
＊
影响)。
[0131]
综上，由于目前主流产品为掺杂晶片，且算法2适用于掺杂与非掺杂晶片，因此算法2适用性更广；使用算法3计算l
＊
值其计算逻辑冗长复杂(需要计算n(n+1)/2个值)；使用算法2更符合cie15定义，因此实际使用时优选的选用算法2计算色差均匀性
[0132]
参见图5所示，本实施例一种晶片还原黑化颜色获取方法，还包括：
[0133]
s103，基于所述色差均匀性判别出晶片的线宽均匀性；
[0134]
s104，对测量出的n+1个点的l
＊
值取平均值作为晶片色度值；
[0135]
s105，基于所述晶片色度值判别出晶片的透过率。
[0136]
一实施例中，基于所述色差均匀性判别出晶片的线宽均匀性，具体包括：
[0137]
将计算出的色差均匀性与预设的均匀性类别进行比较，判断出所述色差均匀性所属的均匀性类别，根据所属的均匀性类别判别出晶片的线宽均匀性。
[0138]
参见图6和图7所示，另一实施例中，将计算出的色差均匀性代入拟合出的色差-线宽线性方程，计算出与色差均匀性对应的色差均匀性。
[0139]
图7中，得出的掺杂晶片的色差-线宽线性方程为y＝87.153x-0.0715。其中，x表示线宽均匀性cd，y表示色差均匀性通过拟合出的线性方程，使用色差均匀性计算出晶片的色差均匀性，能够快速准确计算出晶片的色差均匀性，从而判断后段黄光制程曝光良率。
[0140]
需要说明的是，上述线性方程仅为示意方程，随着测量数据的增加或拟合方式的变化，上述一次线性方程的系数可能会有一定的变化。
[0141]
一实施例中，基于所述晶片色度值判别出晶片的透过率，具体包括：
[0142]
将计算出的晶片色度值与预设的色度类别进行比较，判断出所述晶片色度值所属的色度类别，根据所属的色度类别判别出晶片的透过率，具体的可以参见上表2所示。根据所属的色度类别判别出晶片的透过率，属于一种定性的分析方法，能够快速粗略判断出透过率是否符合客户的需求。
[0143]
参见图8所示，另一实施例中，基于所述晶片色度值判别出晶片的透过率，具体包括：
[0144]
将计算出的晶片色度值代入拟合出的色度-透过率线性方程，计算出与晶片色度值对应的透过率。
[0145]
图8中，得出的掺杂晶片的色度-透过率线性方程为y＝0.0229x-0.7692，非掺杂晶片的色度-透过率线性方程为y＝0.0648x-2.5688。其中，x表示l
＊
平均值，y表示透过率。其中的lt表示非掺杂的钽酸锂晶片，lt(fe)表示掺杂fe元素的钽酸锂晶片。通过拟合出的线性方程，使用晶片色度值计算出晶片的透过率，属于一种定量的分析方法，能够快速准确计算出透过率，从而判断透过率是否符合客户的需求。
[0146]
需要说明的是，上述线性方程仅为示意方程，随着测量数据的增加或拟合方式的变化，上述一次线性方程的系数可能会有一定的变化。
[0147]
从图8还可以看出，所测得的lt晶片色度类别0a、1a、2a、3a、sb2在波长200nm～700nm所对应的透过率的强相关性。
[0148]
综上，本实施例能够计算出晶片色差均匀性和晶片色度值，进而透过lt晶体基片的色度和色差均匀性来对透过率进行监控，避免了不合规的晶片作业流程的续流，即时性的了解黑化后的晶体透过率是否符合客户的需求，避免了经过长流程作业至双面抛光才能测得透过率，减少了材料、人工的浪费和损失，又能即时性的进行监控产品透过率的质量，大大节约了产品的成本，集成电路黄光制程的良率也非常良好。
[0149]
参见图9所示，一种晶片还原黑化颜色获取系统，包括：
[0150]
数据采集模块901，用于测量出晶片的中心点及距晶片边缘预设距离的n个点的l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值；所述n个点沿晶片的周向均匀分布；l
＊
值表示点的色度值大小；a
＊
值表示点的红绿程度；b
＊
值表示点的黄蓝程度；
[0151]
色差均匀性获取模块902，用于对测量出的n+1个点的l
＊
值进行差值运算或对测量出的n+1个点的l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值分别进行差值运算，基于差值运算的结果计算出晶片的色差均匀性；
[0152]
线宽均匀性判别模块903，用于基于所述色差均匀性判别出晶片的线宽均匀性；
[0153]
晶片色度值获取模块904，用于对测量出的n+1个点的l
＊
值取平均值作为晶片色度值；
[0154]
透过率判别模块905，用于基于所述晶片色度值判别出晶片的透过率。
[0155]
一种晶片还原黑化颜色获取系统的具体实现同一种晶片还原黑化颜色获取方法，本实施例不再重复说明。
[0156]
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进，这些改进也应视为本发明的保护范围。
技术特征：1.一种晶片还原黑化颜色获取方法，其特征在于，包括：测量出晶片的中心点及距晶片边缘预设距离的n个点的l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值；所述n个点沿晶片的周向均匀分布；l
＊
值表示点的色度值大小；a
＊
值表示点的红绿程度；b
＊
值表示点的黄蓝程度；对测量出的n+1个点的l
＊
值进行差值运算或对测量出的n+1个点的l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值分别进行差值运算，基于差值运算的结果计算出晶片的色差均匀性。2.根据权利要求1所述的晶片还原黑化颜色获取方法，其特征在于，对测量出的n+1个点的l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值分别进行差值运算，基于差值运算的结果计算出晶片的色差均匀性，具体包括：对测量出的n+1个点的l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值分别进行差值运算，获得
△
l
＊
值、
△
a
＊
值和
△
b
＊
值，对
△
l
＊
值、
△
a
＊
值和
△
b
＊
值分别进行平方后取和值，并对和值求平方根，基于平方根的结果计算出晶片的色差均匀性3.根据权利要求2所述的晶片还原黑化颜色获取方法，其特征在于，基于平方根的结果计算出晶片的色差均匀性具体如下：具体如下：具体如下：具体如下：其中，表示测量出的n+1个点的l
＊
值的最大值；表示测量出的n+1个点的l
＊
值的最小值；表示测量出的n+1个点的a
＊
值的最大值；表示测量出的n+1个点的a
＊
值的最小值；表示测量出的n+1个点的b
＊
值的最大值；表示测量出的n+1个点的b
＊
值的最小值。4.根据权利要求2所述的晶片还原黑化颜色获取方法，其特征在于，基于平方根的结果计算出晶片的色差均匀性具体如下：具体如下：具体如下：具体如下：其中，表示测量出的中心点的l
＊
值；表示测量出的距晶片边缘预设距离的第x个
点的l
＊
值，x∈[2,n+1]；表示测量出的中心点的a
＊
值；表示测量出的距晶片边缘预设距离的第x个点的a
＊
值；表示测量出的中心点的b
＊
值；表示测量出的距晶片边缘预设距离的第x个点的b
＊
值；获取计算出的n个中的最大值作为色差均匀性
△
e
＊ab
，或者，对计算出的n个取平均值作为色差均匀性5.根据权利要求2所述的晶片还原黑化颜色获取方法，其特征在于，基于平方根的结果计算出晶片的色差均匀性具体如下：具体如下：具体如下：具体如下：其中，表示测量出的第z个点的l
＊
值；表示测量出的不包括第z个点的其他n个点的l
＊
值，z∈[1,n+1]，且不等于z，y∈[1,n(n+1)/2]；表示测量出的第z个点的a
＊
值；表示测量出的不包括第z个点的其他n个点的a
＊
值；表示测量出的第z个点的b
＊
值；表示测量出的不包括第z个点的其他n个点的b
＊
值；获取计算出的n(n+1)/2个中的最大值作为色差均匀性或者，对计算出的n(n+1)/2个取平均值作为色差均匀性6.根据权利要求1所述的晶片还原黑化颜色获取方法，其特征在于，对测量出的n+1个点的l
＊
值进行差值运算，基于差值运算的结果计算出晶片的色差均匀性，具体包括：对测量出的n+1个点的l
＊
值进行差值运算，获得
△
l
＊
值，基于
△
l
＊
值计算出晶片的色差均匀性7.根据权利要求6所述的晶片还原黑化颜色获取方法，其特征在于，基于
△
l
＊
值计算出晶片的色差均匀性具体如下：其中，表示测量出的n+1个点的l
＊
值的最大值；表示测量出的n+1个点的l
＊
值的最小值。8.根据权利要求1所述的晶片还原黑化颜色获取方法，其特征在于，还包括：基于所述色差均匀性判别出晶片的线宽均匀性；
具体包括：将计算出的色差均匀性与预设的均匀性类别进行比较，判断出所述色差均匀性所属的均匀性类别，根据所属的均匀性类别判别出晶片的线宽均匀性；或者，将计算出的色差均匀性代入拟合出的色差-线宽线性方程，计算出与色差均匀性对应的线宽均匀性。9.根据权利要求1所述的晶片还原黑化颜色获取方法，其特征在于，还包括：对测量出的n+1个点的l
＊
值取平均值作为晶片色度值；基于所述晶片色度值判别出晶片的透过率；基于所述晶片色度值判别出晶片的透过率，具体包括：将计算出的晶片色度值与预设的色度类别进行比较，判断出所述晶片色度值所属的色度类别，根据所属的色度类别判别出晶片的透过率；或者，将计算出的晶片色度值代入拟合出的色度-透过率线性方程，计算出与晶片色度值对应的透过率。10.一种晶片还原黑化颜色获取系统，其特征在于，包括：数据采集模块，用于测量出晶片的中心点及距晶片边缘预设距离的n个点的l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值；所述n个点沿晶片的周向均匀分布；l
＊
值表示点的色度值大小；a
＊
值表示点的红绿程度；b
＊
值表示点的黄蓝程度；色差均匀性获取模块，用于对测量出的n+1个点的l
＊
值进行差值运算或对测量出的n+1个点的l
＊
值、a
＊
值和b
＊
值分别进行差值运算，基于差值运算的结果计算出晶片的色差均匀性；线宽均匀性判别模块，用于基于所述色差均匀性判别出晶片的线宽均匀性；晶片色度值获取模块，用于对测量出的n+1个点的l
＊
值取平均值作为晶片色度值；透过率判别模块，用于基于所述晶片色度值判别出晶片的透过率。
技术总结本发明公开了一种晶片还原黑化颜色获取方法及系统，方法包括：测量出晶片的中心点及距晶片边缘预设距离的N个点的L
技术研发人员：枋明辉 刘艺霖 黄世维 郑玉松 杨胜裕
受保护的技术使用者：泉州市三安集成电路有限公司
技术研发日：2022.06.30
技术公布日：2022/11/1
