1.本公开总体涉及使用半导体处理系统将膜沉积到衬底上。更具体地，本公开涉及使用半导体处理系统控制沉积到衬底上的膜的特性。
背景技术：2.膜通常沉积到衬底上以制造半导体器件，比如在化学气相沉积过程工具中使用外延技术。这种膜通常通过在处理工具内支撑衬底来沉积，通常在衬底支撑结构上。处理工具将衬底和衬底支撑结构保持在适于由流过处理工具并穿过衬底的前体气体沉积膜的环境中。随着前体气体流过衬底，在衬底上逐渐形成膜，一旦膜充分形成，前体气体的流动就停止，然后从处理工具中取出衬底。
3.在一些处理工具中，沉积到衬底上的膜可能在相对于衬底表面内部的衬底边缘处变厚或变薄。桥接也可以在衬底和衬底支撑结构之间形成，例如在衬底的下表面和衬底支撑结构之间和/或在衬底的边缘和衬底支撑结构之间。虽然对于它们的预期目的来说通常是可接受的，但在衬底边缘处的膜的增厚和/或减薄可能会改变与衬底内部区域处的膜相关的膜的电特性，潜在地使位于边缘附近的半导体器件比位于衬底内部区域处的其他半导体器件更不可靠。并且桥接一旦形成则可能会将衬底机械地固定到衬底支撑结构上，从而在从衬底支撑结构移除衬底时和/或在衬底的后续处理期间潜在地导致衬底损坏。在用于沉积相对厚的膜的沉积技术中，比如在功率电子器件中采用的半导体器件中，衬底损坏的风险可能相对较高。
4.存在各种对策来控制衬底边缘处膜的增厚和/或减薄以及衬底和衬底支撑结构之间的桥接。例如，边缘厚度可以通过膜在衬底表面上形成期间旋转衬底来控制。可以使用多程沉积技术来控制桥接，其中使用两次或更多次沉积事件来沉积膜。在这种技术中，通常在沉积事件之间将衬底从衬底支撑结构移除，以断裂可能已经在衬底和衬底支撑结构之间形成的桥接，之后衬底返回到衬底支撑结构用于后续沉积事件。这允许在基座和衬底之间可能已经形成的任何桥接断裂，同时相对较薄，通过限制施加到衬底以断裂桥接的力来限制衬底损坏的风险。在一些沉积操作中，衬底损坏风险的降低足以抵消与卸载事件相关的产量降低。
5.这种系统和方法通常被认为适于它们的预期目的。然而，此项技术中仍需要改进的基座、半导体处理系统和膜沉积方法。本公开提供了对这些需求中的一个或多个的解决方案。
技术实现要素：6.提供了一种基座。基座具有：圆形凹穴部分，其沿着旋转轴线布置并具有穿孔表面；环形凸缘部分，其围绕凹穴部分周向延伸并具有凸缘表面，凸缘表面从穿孔表面沿着旋转轴线向上倾斜；以及环形边缘部分，其围绕凸缘部分周向延伸，通过基座的凸缘部分连接到凹穴部分，并具有从基座的凸缘表面轴向偏移的边缘表面。基座的边缘部分和凸缘表面
在它们之间限定调整凹穴，以调整沉积到支撑在基座凸缘表面上的衬底上的膜的边缘厚度轮廓。
7.在某些示例中，调整凹穴可以限定平坦化凹穴深度，其被选择为相对于衬底的径向内部区域在衬底周边的径向内侧平坦化膜厚度。
8.在某些示例中，平坦化凹穴深度可以大于上卷凹穴深度。平坦化凹穴深度可以小于下卷凹穴深度。
9.在某些示例中，衬底可以由基座的凸缘部分的凸缘表面支撑。可以选择平坦化凹穴深度，使得衬底的顶侧轴向布置在基座边缘部分的边缘表面和基座凹穴部分的穿孔表面之间。
10.在某些示例中，调整凹穴可以限定上卷凹穴深度，其配置为相对于衬底的径向内部区域在衬底周边的径向内侧增加到衬底上的膜厚度。
11.在某些示例中，上卷凹穴深度可以小于平坦化凹穴深度。上卷凹穴深度可以小于下卷平坦化凹穴深度。
12.在某些示例中，衬底可以由基座的凸缘表面支撑。上卷凹穴深度可以选择为使得衬底的顶侧沿着旋转轴线与基座边缘部分的边缘表面基本共面。
13.在某些示例中，调整凹穴可以限定下卷凹穴深度，其配置成相对于衬底的径向内部区域在衬底周边的径向内侧减小到衬底上的膜厚度。
14.在某些示例中，下卷凹穴深度可以大于上卷凹穴深度。下卷凹穴深度可以大于平坦化凹穴深度。
15.在某些示例中，衬底可以由基座的凸缘部分的凸缘表面支撑。可以选择下卷凹穴深度，使得衬底的顶侧轴向布置在基座边缘部分的边缘表面和基座凹穴部分的穿孔表面之间。
16.在某些示例中，基座可以由石墨形成。石墨可以用碳化硅涂层封装。
17.在某些示例中，基座可以具有：(a)接触中断，其位于基座的凸缘表面上，以限制衬底和基座的凸缘表面之间的接触；(b)吹扫通道阵列，其位于基座的凸缘表面上，以使吹扫气体在衬底的周边和基座的凸缘表面之间流动；或者(c)前体排放口阵列，其位于穿孔表面的径向外侧，以从限定在衬底和基座的边缘部分之间的间隙内排放前体。
18.提供了一种半导体处理系统。该半导体处理系统包括：具有中空内部的反应器；分隔器，其位于反应器的内部内，具有分隔器孔，该分隔器将反应器的内部分成上室和下室；以及如上所述的基座。该基座布置在反应器的内部内并被支撑以围绕旋转轴线旋转，旋转轴线延伸穿过分隔器孔；吹扫源连接到反应器并配置为使吹扫气体流过反应器的下室；并且前体源连接到反应器并配置为使前体流过反应器的上室。
19.提供了一种膜沉积方法。该方法包括，在如上所述的基座处，将衬底支撑在基座的凸缘表面上，衬底具有通过衬底的周边彼此轴向分离的顶侧和下侧；使吹扫气体流过穿孔表面，并进入限定在衬底下侧和基座穿孔表面之间的吹扫容积；以及使前体流过衬底的顶侧。使用前体将膜沉积到衬底的顶侧，并且使用由基座限定的调整凹穴来调整膜的边缘厚度。
20.在某些示例中，调整凹穴可以是平坦化凹穴深度，并且该方法可以还包括相对于在衬底的径向内部区域处的前体均匀化间隙内的前体浓度。
21.在某些示例中，调整凹穴可以是上卷凹穴深度，并且该方法可以还包括在相对于衬底的径向内部区域处的前体增加间隙内的前体浓度。
22.在某些示例中，调整凹穴可以是下卷凹穴深度，并且该方法可以包括在相对于衬底的径向内部区域处的前体降低间隙内的前体浓度。
23.在某些示例中，该方法可以包括利用位于基座的凸缘表面上的接触中断来限制衬底和基座的凸缘表面之间的接触。
24.在某些示例中，该方法可以包括利用位于基座的凸缘表面上的吹扫通道阵列来使吹扫气体在衬底的周边和基座的凸缘表面之间流动。
25.在某些示例中，该方法可以包括使用位于基座穿孔表面的径向外侧的前体排放口阵列来从限定在衬底周边和基座边缘部分之间的间隙排放前体。
26.提供了一种基座。基座具有：圆形凹穴部分，其沿着旋转轴线布置并具有穿孔表面；环形凸缘部分，其围绕凹穴部分周向延伸并具有凸缘表面，凸缘表面从穿孔表面沿着旋转轴线向上倾斜；以及环形边缘部分，其围绕凸缘部分周向延伸，通过基座的凸缘部分连接到凹穴部分，并具有从基座的凸缘表面轴向偏移的边缘表面。凸缘表面具有在穿孔表面和边缘表面之间径向延伸的接触中断，以不连续地支撑基座的凸缘表面上的衬底。
27.在某些示例中，接触中断可以围绕基座的凹穴部分连续延伸。
28.在某些示例中，接触中断可以从基座的穿孔表面径向向外延伸。
29.在某些示例中，接触中断可以从基座的径向内周径向向内延伸。
30.在某些示例中，接触中断可以包括基座的凸缘表面的未抛光区域。
31.在某些示例中，接触中断可以包括基座凸缘表面的部分抛光区域。
32.在某些示例中，接触中断可以将基座的穿孔表面与基座的边缘表面流体联接。
33.在某些示例中，接触中断可以包括基座的凸缘表面的粗糙化区域。
34.在某些示例中，接触中断可以包括：(a)未抛光区域，(b)部分抛光区域，或(c)位于基座的凸缘表面上的粗糙化区域，该区域具有约0.2微米至约5.0微米之间的粗糙度。
35.在某些示例中，接触中断可以包括限定在基座的凸缘表面内的吹扫槽。
36.在某些示例中，接触中断可以包括具有两个或更多个齿的网格结构，这些齿沿凸缘表面径向分布，并围绕基座的凹穴部分周向分布。
37.在某些示例中，接触中断可以包括(a)未抛光区域，(b)部分抛光区域，(c)粗糙化区域包括，(d)吹扫通道，或(e)位于基座的凸缘表面上的网格结构。具有周边的衬底可以覆盖接触中断并通过接触中断而被基座不连续地支撑。
38.在某些示例中，基座可以由石墨形成。基座可以具有涂层。涂层可以封装基座。涂层可以是碳化硅涂层。
39.在某些示例中，基座可具有以下中的至少一个：(a)限定在基座的边缘表面和支撑圆周之间的调整凹穴，该支撑圆周沿着凸缘表面并围绕基座的穿孔表面延伸；(b)吹扫通道阵列，其位于基座的凸缘表面上，以使吹扫气体在衬底的周边和基座的凸缘表面之间流动；以及(c)前体排放口阵列，其位于穿孔表面的径向外侧，以从限定在衬底和基座的边缘部分之间的间隙内排放前体。
40.提供了一种半导体处理系统。该半导体处理系统包括具有中空内部的反应器；位于反应器内部的具有分隔器孔的分隔器，该分隔器将反应器内部分成上室和下室；以及如
上所述的基座。基座布置在反应器内部并被支撑以绕旋转轴线旋转，旋转轴线延伸穿过分隔器孔。吹扫源连接到反应器并配置为使吹扫气体流过反应器的下室，前体源连接到反应器并配置为使前体流过反应器的上室，接触中断通过反应器的下室和基座的穿孔表面将吹扫源与反应器的上室流体联接。
41.提供了一种膜沉积方法。该方法包括，在如上所述的基座处；在基座的凸缘表面上不连续地支撑衬底，衬底具有通过衬底的周边彼此轴向分离的顶侧和下侧；使吹扫气体流过穿孔表面并进入限定在衬底下侧和基座穿孔表面之间的吹扫容积；以及使前体流过衬底的顶侧。使用前体将膜沉积到衬底的顶侧上，并且吹扫气体通过位于基座凸缘表面上的接触中断在衬底的周边和基座的凸缘表面之间流动。
42.提供了一种制造基座的方法。该方法包括限定基座，该基座具有：圆形凹穴部分，其沿着旋转轴线布置并具有穿孔表面；环形凸缘部分，其围绕凹穴部分周向延伸并具有凸缘表面，凸缘表面从穿孔表面沿着旋转轴线向上倾斜；以及环形边缘部分，其围绕凸缘部分周向延伸，通过基座的凸缘部分连接到凹穴部分，并具有从基座的凸缘表面轴向偏移的边缘表面。在没有基座支撑衬底的情况下，通过在基座的凸缘表面上循环蚀刻和沉积膜来粗糙化凸缘表面的区域。
43.在某些示例中，该方法可以包括循环地蚀刻和沉积膜到基座的凸缘表面上包括循环地(a)用盐酸(hcl)和氢气(h2)的混合物蚀刻凸缘表面，以及(b)沉积硅层到凸缘表面上。
44.在某些示例中，循环蚀刻和沉积膜到基座的凸缘表面上总共可以包括(a)蚀刻凸缘表面超过1000分钟，以及(b)沉积超过4000微米的膜到凸缘表面上。
45.在某些示例中，该方法还可以包括将厚度在约1微米和约3微米之间的含硅预涂层沉积到凸缘表面上。
46.提供了一种基座。基座具有：圆形凹穴部分，其沿着旋转轴线布置并具有穿孔表面；环形凸缘部分，其围绕凹穴部分周向延伸并具有凸缘表面，凸缘表面从穿孔表面向上倾斜；以及环形边缘部分，其围绕凸缘部分周向延伸并且通过基座的凸缘部分连接到凹穴部分。具有前体排放口入口的前体排放口延伸穿过基座，前体排放口入口位于穿孔表面的径向外侧，以从基座凸缘表面上支撑的衬底周边和基座边缘部分之间限定的间隙排放前体。
47.在某些示例中，前体排放口可以是第一前体排放口，前体排放口入口可以是第一前体排放口入口，基座可以具有带有第二前体排放口入口的一个或多个第二前体排放口。第二前体排放口入口可以位于穿孔表面的径向外侧，并且在基座的凹穴部分周围从第一前体排放口入口周向偏移。
48.在某些示例中，前体排放口可以从前体排放口入口向外延伸到前体排放口出口，前体排放口出口可以通过前体排放口流体联接到前体排放口入口，并且前体排放口出口可以位于基座的径向外周上。
49.在某些示例中，前体排放口出口可以轴向位于与基座的穿孔表面相对的凸缘表面的一侧。
50.在某些示例中，前体排放口出口可以轴向位于基座的凸缘表面和穿孔表面之间。
51.在某些示例中，前体排放口可以从前体排放口入口轴向延伸并朝向基座的下表面。
52.在某些示例中，前体排放口可以具有前体排放口出口。前体排放口可以通过前体
排放口流体连接到前体排放口入口，前体排放口出口可以位于基座的下表面上。
53.在某些示例中，前体排放口入口可以位于基座的径向内圆周上。
54.在某些示例中，前体排放口可以具有前体排放口出口。前体排放口可以通过前体排放口流体联接到前体排放口入口，前体排放口出口可以位于基座的径向外周上。
55.在某些示例中，前体排放口入口可以位于基座的凸缘表面上。
56.在某些示例中，基座可以具有延伸穿过其中的吹扫通道，具有吹扫通道出口。吹扫通道出口可以径向位于基座的穿孔表面和前体排放口入口之间。
57.在某些示例中，具有周边的衬底可被支撑在基座的凸缘表面上。衬底可以轴向覆盖吹扫通道出口，并且衬底的周边可以将吹扫通道出口与前体排放口入口径向分开。
58.在某些示例中，凸缘表面可以在前体排放口入口和吹扫通道出口之间具有径向接触中断。凸缘表面可以配置成使得衬底的周边径向地将吹扫气体出口与前体排放口入口分开。
59.在某些示例中，凸缘表面可以具有径向位于前体排放口入口和衬底的穿孔表面之间的接触中断。
60.在某些示例中，接触中断可以包括由基座的凸缘表面限定的网格结构。
61.在某些示例中，接触中断可以包括基座的凸缘表面上的未抛光区域。未抛光区域可以具有介于约0.2微米和约5微米之间的粗糙度。
62.在某些示例中，接触中断可以包括基座的凸缘表面上的部分抛光区域。部分抛光区域可以具有介于约0.2微米和约5微米之间的粗糙度。
63.在某些示例中，接触中断可以包括基座的凸缘表面上的粗糙化区域。粗糙化区域可以具有约0.2微米和约5微米之间的粗糙度。
64.提供了一种半导体处理系统。该半导体处理系统包括：具有中空内部的反应器；分隔器，其位于反应器的内部内，具有分隔器孔，该分隔器将反应器的内部分成上室和下室；以及如上所述的基座。该基座布置在反应器的内部内并被支撑以围绕旋转轴线旋转，旋转轴线延伸穿过分隔器孔；吹扫源连接到反应器并配置为使吹扫气体流过反应器的下室；并且前体源连接到反应器并配置为使前体流过反应器的上室。前体排放口入口位于反应器的上室中，以从基座的边缘部分和基座凸缘表面上支撑的衬底的周边之间限定的间隙排放前体。
65.提供了一种膜沉积方法。该膜沉积方法包括，在如上所述的基座处，支撑具有顶侧和下侧的衬底，所述顶侧和下侧通过由基座支撑的衬底的周边而彼此轴向分离，使吹扫气体流过穿孔表面并进入限定在衬底的下侧和基座的穿孔表面之间的吹扫容积，以及使前体流过衬底的顶侧。使用前体将膜沉积到衬底的顶侧，并且前体从限定在衬底周边和基座边缘部分之间的间隙排放。可选地，吹扫气体从吹扫容积沿着基座的凸缘表面并在衬底的周边和基座的凸缘表面之间流向前体排放口入口。
66.提供了一种基座。基座包括：圆形凹穴部分，其沿着旋转轴线布置并具有穿孔表面；环形凸缘部分，其围绕凹穴部分周向延伸并具有凸缘表面，凸缘表面从穿孔表面沿着旋转轴线向上倾斜；以及环形边缘部分，其围绕凸缘部分周向延伸。边缘部分通过基座的凸缘部分连接到凹穴部分，并具有从基座的凸缘表面轴向偏移的边缘表面。凸缘部分具有延伸穿过其中的吹扫通道，以向支撑在基座凸缘表面上的衬底的下侧释放吹扫气体。
67.在某些示例中，吹扫通道可以是围绕基座的穿孔表面周向分布的多个吹扫通道中的一个。
68.在某些示例中，吹扫通道可以具有吹扫通道出口。吹扫通道可以位于基座的凸缘表面上。
69.在某些示例中，凸缘表面可以具有围绕基座的穿孔表面延伸的支撑圆周。吹扫通道出口可以径向位于基座的穿孔表面和支撑圆周之间。
70.在某些示例中，具有周边的衬底可以由基座的凸缘部分支撑，并且吹扫通道出口可以径向位于衬底的周边和基座的穿孔表面之间。
71.在某些示例中，吹扫通道可以具有位于基座下表面上的吹扫通道入口。
72.在某些示例中，吹扫通道可以将吹扫通道入口连接到位于基座凸缘表面上的吹扫通道出口。
73.在某些示例中，吹扫通道可以在吹扫通道入口到基座的凸缘表面之间轴向延伸。
74.在某些示例中，凸缘表面可以具有径向位于基座的边缘部分和穿孔表面之间的接触中断。接触中断可以将吹扫通道与基座的边缘部分流体联接。
75.在某些示例中，接触中断可以包括以下之一：(a)未抛光区域，(b)部分抛光区域，以及(c)将吹扫通道流体联接到基座边缘部分的粗糙化区域。
76.在某些示例中，接触中断可以包括以下之一：(a)吹扫槽和(b)将吹扫通道流体联接到基座边缘部分的网格结构。
77.在某些示例中，具有周边的衬底可以通过接触中断不连续地支撑在基座上，并且接触中断可以轴向位于衬底的周边和基座的凸缘部分之间。
78.在某些示例中，凸缘部分可以具有接触中断，其位于基座的凸缘表面上，径向位于基座的边缘部分和穿孔表面之间。接触中断可以将吹扫通道与基座的边缘部分流体分离。
79.在某些示例中，基座可以具有位于基座穿孔表面的径向外侧的前体排放口。前体排放口可以流体联接到吹扫通道。
80.在某些示例中，吹扫通道可以位于前体排放口的径向内侧。
81.在某些示例中，凸缘表面可以具有径向布置在穿孔表面和基座的边缘部分之间的接触中断。接触中断可以将吹扫通道流体联接到前体排放口。
82.在某些示例中，具有周边的衬底可被支撑在基座的凸缘表面上，并且衬底的周边可以径向位于吹扫通道和前体排放口之间。
83.提供了一种半导体处理系统。该半导体处理系统包括：具有中空内部的反应器；位于反应器内部并具有分隔器孔的分隔器，该分隔器将反应器内部分成上室和下室；以及如上所述的基座。基座布置在反应器内部，并被支撑以绕旋转轴线旋转，旋转轴线延伸穿过分隔器孔。吹扫源连接到反应器，并配置为使吹扫气体流过反应器的下室。前体源连接到反应器，并配置为使前体流过反应器的上室。吹扫通道通过基座和反应器的下室将吹扫源流体联接到反应器的上室。
84.提供了一种膜沉积方法。该方法包括，在如上所述的基座处，将衬底支撑在基座的凸缘表面上，衬底具有通过衬底的周边彼此轴向分离的顶侧和下侧；使吹扫气体流过穿孔表面并进入限定在衬底下侧和基座穿孔表面之间的吹扫容积；以及使前体流过衬底的顶侧。使用前体和在基座的穿孔表面和衬底周边之间的径向位置处通过吹扫通道对着衬底的
下侧释放的吹扫气体来将膜沉积到衬底的顶侧。
85.提供了一种制造基座的方法。该方法包括限定基座，该基座具有：带有穿孔表面的圆形凹穴部分；环形凸缘部分，其围绕凹穴部分延伸并具有凸缘表面，凸缘表面从穿孔表面轴向向上倾斜；以及环形边缘部分，其通过凸缘部分连接到凹穴部分并具有边缘表面。在基座的边缘表面和凸缘表面之间轴向限定调整凹穴。前体排放口限定在基座内，前体排放口入口位于基座穿孔表面的径向外侧。接触中断限定在基座的凸缘表面上于基座的穿孔表面和边缘部分之间的径向位置处。吹扫通道限定在基座内，其中吹扫通道入口位于基座的凸缘表面上。
86.在某些示例中，基座可以由石墨形成。
87.在某些示例中，基座可以包括涂层。涂层可以封装基座。涂层可以是碳化硅涂层。
88.在某些示例中，涂层可以是第一涂层，并且第二涂层可以覆盖第一涂层。第二涂层可以径向跨越基座的凸缘表面。第二涂层可以围绕凸缘表面周向延伸。
89.在某些示例中，第二涂层可以包括硅。
90.在某些示例中，第二涂层可以具有约1微米至约3微米的厚度。
91.在某些示例中，该方法可以包括通过循环地(a)蚀刻凸缘表面，以及(b)在预定数量的涂覆/蚀刻循环中将硅涂层沉积到基座的凸缘表面上来干燥凸缘表面。可以使用盐酸(hcl)或盐酸(hcl)和氢气(h2)的混合物来完成蚀刻。每个蚀刻循环可以持续约2分钟。涂覆可以在约1000摄氏度和约1250摄氏度之间的温度下完成。涂覆可以在约1160摄氏度的温度下完成。每个涂覆循环可以包括沉积厚度约为1微米的硅层。涂覆/蚀刻循环的预定次数可以在约400个循环和约600个循环之间。涂覆/蚀刻循环的预定次数可以是约500个循环。
92.提供本发明内容是为了以简化形式介绍一些概念。这些概念在以下公开的示例详细描述中被进一步详细描述。该发明内容不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。
附图说明
93.下面参照某些实施例的附图描述这里公开的本发明的这些和其他特征、方面和优点，这些实施例旨在说明而不是限制本发明。
94.图1是根据本公开构造的半导体处理系统的示意图，示出了在将膜沉积到衬底顶侧的过程中支撑衬底的基座；
95.图2是图1的基座的透视图，示出了通过径向内部凸缘部分连接到径向外部环形边缘部分的圆形凹穴部分，以在将膜沉积到衬底上期间支撑衬底；
96.图3a-3c是图1的基座的示例的横截面侧视图，示出了分别具有基座的平坦化凹穴深度、增厚凹穴深度和减薄凹穴深度的调整凹穴；
97.图4a-8b是图1的基座的示例截面侧视图，示出了具有位于基座凸缘表面上和衬底周边下面的接触中断的基座；
98.图9a-12b是图1的基座的另一示例截面侧视图，示出了具有前体排放口的基座，该排放口在基座的凹穴部分的径向外侧的位置处延伸穿过基座；
99.图13a-16b是图1的基座的附加示例截面侧视图，示出了具有吹扫通道的基座，该吹扫通道在基座的凹穴部分的径向外侧的位置处延伸穿过基座；
100.图17a-17e是根据本公开制造基座的方法的框图，示出了根据该方法的说明性和非限制性示例的该方法的操作；以及
101.图18a-18e是根据本公开将膜沉积到衬底上的方法的框图，示出了根据该方法的说明性和非限制性示例的该方法的操作。
102.应当理解，附图中的元件是为了简单和清楚而示出的，并不一定是按比例绘制的。例如，图中一些元件的相对尺寸可能相对于其他元件被夸大，以帮助提高对本公开的所示实施例的理解。
具体实施方式
103.现在将参考附图，其中相同的附图标记表示本主题公开的相似的结构特征或方面。出于解释和说明而非限制的目的，图1中示出了根据本发明的基座的示例的局部视图，并且通常由附图标记100表示。在图2-18e中提供了根据本公开的基座、半导体处理系统和膜沉积方法的其他实施例或其方面，如将要所述。本文所述的基座、半导体处理系统和膜沉积方法可用于在半导体器件如超大规模集成电路的制造过程中，比如在使用外延沉积技术的大气化学气相沉积(cvd)系统中，将膜沉积到衬底上。然而，本公开不限于cvd半导体处理系统、外延沉积技术，或者一般不限于任何特定类型的半导体器件的制造。
104.参考图1，示出了半导体处理系统10。半导体处理系统10配置用于将膜沉积到衬底上，例如将膜12沉积到衬底14上，并且在这方面包括反应器16、分隔器18和支架20。半导体处理系统10还包括轴22、驱动模块24和闸阀26。半导体处理系统10还包括衬底处理器28、第一前体源30、第二前体源34和吹扫源32。尽管为了说明本公开的某些特征，在此示出并描述了特定类型的半导体处理系统，例如用于使用外延沉积技术沉积厚膜的单晶片大气cvd半导体处理系统，但应该理解和认识到，其他类型的半导体处理系统比如原子层沉积半导体处理系统也可以从本公开中受益。
105.反应器16具有限定反应器16的中空内部38的壁36。分隔器18固定在反应器16的内部38内，将内部38分成上室40和下室42，并具有分隔器孔44。分隔器孔44布置成通过其接收基座100，并且将反应器16的下室42与反应器16的上室40流体联接。闸阀26连接到反应器16，并配置为提供从外部环境到反应器16的内部38的入口。衬底处理器28位于反应器16的外部，连接到闸阀26，并配置为从反应器16的内部38内放置和取回衬底，例如衬底14。在某些示例中，反应器16可以由透射材料形成，比如作为非限制性示例的石英。根据某些示例，衬底处理器28可以包括晶片处理模块。还预期，在某些示例中，一个或多个灯或灯组46可位于反应器16的外部，以将热能传递到反应器16的内部38中。
106.基座100被支撑在反应器16的内部38中，用于围绕旋转轴线48旋转，并且沿着旋转轴线48布置。旋转轴线48又延伸穿过反应器16的中空内部38，即从下室42，穿过分隔器孔44，并进入反应器16的上室40。基座100安置在支架20上，并且相对于支架20旋转固定，以便围绕旋转轴线48相对于反应器16随其旋转。支架20又沿着旋转轴线48布置，连接到轴22，并且相对于轴22旋转固定。轴22沿着旋转轴线48布置，可操作地将驱动模块24连接到支架20和基座100，并且通过支架20连接到基座100，用于绕旋转轴线48旋转基座100。
107.前体源30连接到反应器16，并配置为使前体50流过反应器16的上室40。在某些示例中，前体可以包括反应性材料，比如适用于外延或原子层沉积操作的反应性材料(例如反
应物)。根据某些示例，前体50可以包括含硅前体，比如在外延膜沉积操作中使用的含硅前体。作为非限制性示例，含硅前体可以包括甲硅烷(sih4)、二氯硅烷(sih2cl2)和/或三氯硅烷(hcl3si)。
108.吹扫源32连接到反应器16，并配置成使吹扫气体54流过反应器16的下室42。可以选择吹扫气体来阻止膜沉积到与吹扫气体54接触的表面上。在某些示例中，吹扫气体54可以包括氢气(h2)气体、盐酸(hcl)或盐酸(hcl)和氢气(h2)气体的混合物。
109.在某些示例中，前体源30可以是多个前体源中的一个。在这方面，如图1所示，前体源30是第一前体源30，并且半导体处理系统10包括第二前体源34。第二前体源32连接到反应器16，并配置为使第二前体52流过反应器16的上室40。在某些示例中，比如在外延或原子层沉积操作期间，第二前体52可以与第一前体50(例如第一前体气体)一起顺序流过反应器16的上室40。根据某些示例，比如在cvd和/或外延沉积操作期间，第二前体52(例如第二前体气体)可以与第一前体50混合，以使每个同时流过反应器16的上室40。还预期第二前体52可以包括掺杂剂。例如，第一前体可以包括掺杂剂和氢，第二前体可以包括硅源以及掺杂剂(或所述掺杂剂)和氢。合适的掺杂剂的示例包括带隙工程掺杂剂如锗(ge)、n型掺杂剂如硼(b)和p型掺杂剂如砷(as)。
110.衬底14由基座100沿着旋转轴线48支撑，并且具有顶侧56、下侧58和周边60。衬底14的顶侧56和下侧58沿着旋转轴线48彼此轴向隔开，并且通过衬底14的周边60彼此连接。衬底14的周边60又围绕旋转轴线48延伸，并将衬底14的顶侧56连接到下侧58。在某些示例中，衬底14可以包括硅晶片，例如厚度约为750微米的300毫米晶片，并且周边60包括室或斜面。根据某些示例、所述示例，衬底14的周边60可以与基座100紧密机械接触。在这样的示例中，在将膜12沉积到衬底14的顶侧56上的过程中，衬底14的周边60被直接支撑在基座100的表面上，在将膜12沉积到衬底14的顶侧56上的过程中，衬底14的下侧58可以与基座100间隔开，并且在将膜12沉积到衬底14的顶侧56上的过程中，衬底14可以由基座100通过衬底14的周边60支撑。
111.如上所述，相对于衬底的内部区域，衬底边缘的膜厚度可以变化。例如，上卷边缘厚度轮廓或下卷边缘厚度轮廓例如上卷边缘厚度轮廓c(如图3b所示)或下卷边缘厚度轮廓d(如图3c所示)可以在沉积到衬底14的顶侧56上的膜12中形成。在将膜12沉积到衬底14的顶侧56上的过程中，可以在衬底和支撑衬底的衬底支撑结构之间形成桥接，例如下侧桥接62和/或边缘桥接64。为了控制衬底14和基座100之间的边缘上卷、边缘下卷和/或桥接中的任一个(或两个),基座100包括调整凹穴102、接触中断104、前体排放口阵列106和/或吹扫通道阵列108。
112.参考图2，基座100在透视图中示出。基座100具有凹穴部分110、凸缘部分112、边缘部分114。凹穴部分110是圆形的，沿着旋转轴线48布置，并且具有穿孔表面116。凸缘部分112是环形的，围绕凹穴部分110周向延伸，并且具有凸缘表面118，其在从穿孔表面116径向向外的方向上轴向向上倾斜。边缘部分114是环形的，围绕基座100的凸缘部分112周向延伸，具有边缘表面120，并通过基座100的凸缘部分112连接到凹穴部分110。
113.边缘表面120在基座100的径向内周124和基座100的径向外周126之间径向延伸，边缘表面120还轴向位于凸缘表面118的与基座100的穿孔表面116轴向相对的一侧。凹穴部分110具有轴向延伸穿过其中的多个穿孔122(如图3所示),并且相对于基座100的凸缘部分
112是凹入的。预期多个穿孔122中的每个将基座100的下表面128(如图3a所示)与基座100的穿孔表面116流体联接。鉴于本公开，本领域技术人员将理解，将基座100的下表面128与基座100的穿孔表面116流体联接将反应器16(图1所示)的下室42(图1所示)与限定在穿孔表面116和衬底14之间的吹扫容积130(图3a所示)流体联接。在某些示例中，基座100可以由石墨132形成。根据某些示例，基座100可以具有含硅预涂层134。
114.预期含硅预涂层134可以覆盖形成基座100的石墨材料。还预期含硅预涂层134可以覆盖封装基座100的碳化硅180(图2所示)涂层。含硅预涂层134可以具有在约1微米和约3微米之间的厚度。
115.参考图3a-3c，示出了包括调整凹穴102的基座100的示例。调整凹穴102限定在基座100的边缘表面120和基座100的凸缘表面118之间。更具体地，调整凹穴102限定在边缘表面120和支撑圆周136之间，该支撑圆周136沿着凸缘表面118定位，并且从旋转轴线48径向偏移约衬底14直径的一半。具体而言，调整凹穴102可以是平坦化凹穴深度138、上卷凹穴深度142(如图3b所示)和下卷凹穴深度140(如图3c所示)中的一种。在某些示例中，支撑圆周136可围绕旋转轴线148周向延伸。根据某些示例，支撑圆周136可以具有在约290毫米和约298毫米之间的直径。尽管本文在300毫米衬底的情况下描述，但应当理解和明白，直径小于300毫米的衬底(例如200毫米衬底)和直径大于300毫米的衬底(例如450毫米衬底)也可以受益于本公开，并且仍在本公开的范围内。
116.如图3a所示，在某些示例中，基座100可以限定平坦化凹穴深度138。在这方面，边缘表面120可以从支撑圆周136轴向偏移，以相对于衬底14的径向内部位置处的前体浓度，使间隙66内的前体浓度均匀化。更封闭的间隙66内的均匀化前体再流通与膜12相对于衬底14的径向内部位置沉积在衬底14的径向外部边缘处的速率相匹配，相对于在膜12沉积到衬底14上期间赋予膜12的标称边缘厚度轮廓a，平坦化膜12的边缘轮廓并赋予膜12平坦化边缘厚度轮廓b。
117.在某些示例中，对于给定的沉积过程，平坦化凹穴深度138可以大于(深于)上卷凹穴深度142(如图3b所示)。根据某些示例，对于给定的沉积过程，平坦化凹穴深度138可以小于(浅于)下卷凹穴深度140(如图3c所示)。在某些示例中，平坦化凹穴深度138可以在约0.4毫米和约1.3毫米之间，或者在约0.6毫米和约1.09毫米之间，或者甚至在约0.8毫米和约1.09毫米之间。例如，平坦化凹穴深度可以是约0.8毫米或约1.09毫米。不受特定理论或操作模式的限制，据信这些范围内的凹穴深度可通过在晶片边缘产生补偿导致边缘厚度变化的其它因素的流动条件来限制相对厚的含硅外延膜(例如平均厚度在约40微米至100微米之间)中的边缘厚度变化。鉴于本公开，本领域技术人员将理解，限制(或消除)边缘上卷可以限制在衬底周边(例如与限定晶片斜面相邻的边缘管芯)形成的半导体器件具有与在径向内部位置形成的那些相似(或基本等同)的电特性的可能性，从而提高器件制造过程的产量。
118.还可以设想，根据某些示例，平坦化凹穴深度138可被选择成使得当被基座100的凸缘部分112的凸缘表面118支撑时，由凸缘表面118支撑的衬底14的顶侧56沿着旋转轴线48轴向布置在基座100的凸缘部分114的凸缘表面120和基座的凹穴部分110的穿孔表面116之间。
119.如图3b所示，根据某些示例，基座100可以限定上卷凹穴深度142。在这样的示例
中，边缘表面120可以从支撑圆周136轴向偏移，以相对于由平坦化凹穴深度138(如图138所示)引起的再流通增加间隙66内的前体浓度。增加间隙66内的前体浓度相对于衬底的径向内部区域增加了衬底14的径向外边缘处的沉积速率，使衬底14的径向外边缘处的膜12变厚。相对于在将膜12沉积到衬底14上的过程中赋予膜12的标称边缘厚度轮廓a，在衬底14的径向外边缘处增厚膜12又赋予膜12内的上卷边缘厚度轮廓c。
120.在某些示例中，对于给定的沉积过程，上卷凹穴深度142可以小于(浅于)平坦化凹穴深度138(图3a所示)。根据某些示例，对于给定的沉积过程，上卷凹穴深度142也可以小于(浅于)上卷凹穴深度140(如图3c所示)。可以设想，在某些示例中，上卷凹穴深度142可以在约0.83毫米和约1.03毫米之间。还可以设想，根据某些实施例，上卷凹穴深度142可被选择成使得当被基座100的凸缘部分112的凸缘表面118支撑时，衬底14的顶侧56沿着旋转轴线48与基座100的边缘部分114的边缘表面120基本共面。
121.如图3c所示，根据某些示例，还可以设想基座100可以限定下卷凹穴深度140。在这样的示例中，边缘表面120可以在与上卷凹穴深度142(如图3b所示)轴向相反的方向上从支撑圆周136轴向偏移，以相对于间隙66内的前体浓度降低间隙66内的前体浓度，否则其由平坦化凹穴深度138(如图3a所示)引起。降低间隙66内的前体浓度又在膜12内赋予相对于标称边缘厚度轮廓a的下卷边缘厚度轮廓d，否则在膜12沉积到衬底14上的过程中赋予膜12。
122.在某些示例中，对于给定的沉积过程，下卷凹穴深度140可以大于(深于)上卷凹穴深度142(如图3b所示)。根据某些示例，对于给定的沉积过程，下卷凹穴深度140也可以大于(深于)平坦化凹穴深度138(图3a所示)。可以设想，在某些示例中，下卷凹穴深度140可以在约1.13毫米和约1.33毫米之间。还可以设想，根据某些示例，可以选择下卷凹穴深度140，使得当被基座100的凸缘部分112的凸缘表面118支撑时，衬底14的顶侧56轴向布置在基座100的凸缘部分114的凸缘表面120和基座100的凹穴部分110的穿孔表面116之间。
123.参考图4a-8b，基座100的示例示出为包括接触中断104。接触中断104配置为将吹扫气体例如吹扫气体54(图1中所示)从吹扫容积130内流动到间隙66(图3a中所示)，该间隙66限定在衬底14的周边60和基座100的边缘部分114的径向内周124之间。预期接触中断104支撑衬底14的周边60，周边60覆盖接触中断104和衬底14，从而通过接触中断104由基座100不连续地支撑。在某些示例中，接触中断104可以间接地使吹扫气体54沿凸缘表面118径向流动，例如通过由凸缘表面118的粗糙度在衬底14的下侧58和凸缘表面118之间轴向限定的曲折流动路径。根据某些示例，接触中断104可限定直接流动路径，例如经由吹扫槽或栅格结构内的径向延伸的流动区域，轴向地位于凸缘表面118和衬底14的下侧58之间。
124.不限于特定理论，据信将吹扫气体54从吹扫容积130流入间隙66从间隙66内置换前体，例如第一前体50(图1所示)和/或第二前体52(图1所示)。从间隙66内置换前体又降低了间隙66内的前体浓度，根据通过接触中断104的凸缘表面118和衬底14的周边之间的吹扫气体54的流量，限制(或防止)衬底14和基座100之间桥接的发展。吹扫气体54通过接触中断104的流量又至少部分地由接触中断104的布置来确定。
125.如图4a和4b所示，接触中断104可以包括未抛光区域144。在这样的示例中，未抛光区域144形成凸缘表面118的至少一部分，并且径向位于穿孔表面116和基座100的径向内周124之间。更具体地，未抛光区域144可以轴向位于穿孔表面116和衬底14的周边60之间，例如使得未抛光区域144径向横穿基座100的支撑圆周136。鉴于本公开，本领域技术人员将理
解，将未抛光区域144轴向定位在凸缘表面118和衬底14的周边60之间允许吹扫气体54(图1所示)以由未抛光区域144的粗糙度确定的速率从吹扫容积130流向间隙66。
126.在某些示例中，未抛光区域144可以沿着穿孔表面116和基座100的径向内周124之间的凸缘表面118径向定位。根据某些示例，未抛光区域144可以从基座100的穿孔表面116径向向外延伸。还可以设想，在某些示例中，未抛光区域144可以从基座100的径向内周124径向向内延伸。根据某些示例，还可以设想，未抛光区域144可以沿着凸缘表面118并围绕基座100的凹穴部分110连续延伸。
127.在某些示例中，未抛光区域144可以具有介于约0.2微米与约5.0微米之间、或介于约0.5微米与约5.0微米之间、或介于约0.8微米与约5.0微米之间的粗糙度。还可以设想，根据某些示例，未抛光区域144可以具有甚至大于约5.0微米的粗糙度。例如，基座100可以通过接受形成凸缘表面118的材料的自然粗糙度来形成，例如通过在未抛光条件下将含硅预涂层134施加到石墨132(或碳化硅涂层)上，从而简化基座100的制造。鉴于本公开，本领域技术人员将理解，未抛光区域144允许衬底14的周边60覆盖未抛光区域144，从而通过未抛光区域144由基座100不连续地支撑。
128.如图5a和5b所示，接触中断104可以包括部分抛光区域146。在这样的示例中，部分抛光区域146可以形成凸缘表面118的至少一部分，并且可以径向位于穿孔表面116和基座100的径向内周124之间。更具体地，部分抛光区域146可以轴向位于凸缘表面118和衬底14的周边60之间，例如使得部分抛光区域146径向横穿支撑圆周136。鉴于本公开，本领域技术人员将理解，将部分抛光区域146轴向定位在凸缘表面118和衬底14的周边60之间允许吹扫气体54(图1所示)以由用于抛光凸缘表面118的抛光操作赋予的部分抛光区域146的粗糙度确定的速率从吹扫容积130流向间隙66。在某些示例中，部分抛光区域146可以具有介于约0.2微米与约5.0微米之间、或介于约0.5微米与约5.0微米之间、或介于约0.8微米与约5.0微米之间的粗糙度。
129.在某些示例中，部分抛光区域146沿着凸缘表面118径向位于穿孔表面116和基座100的径向内周124之间。根据某些示例，部分抛光区域146可以从基座100的穿孔表面116径向向外延伸。预期在某些示例中，部分抛光区域146可以从基座100的径向内周124径向向内延伸。还可以设想，根据某些示例，部分抛光区域146可以沿着凸缘表面118并围绕基座100的凹穴部分110连续延伸。在某些示例中，基座100可以通过限制凸缘表面118通常被抛光的程度来形成，例如在达到约0.2微米的粗糙度之前停止抛光，部分抛光区域146简化了基座100的制造以及限制(或防止)衬底14和基座100之间的桥接。鉴于本公开，本领域技术人员将理解，部分抛光区域146允许衬底14的周边60覆盖部分抛光区域146，从而通过部分抛光区域146由基座100不连续地支撑。
130.如图6a和6b所示，接触中断104可以包括粗糙化区域148。在这样的示例中，粗糙化区域148可以形成凸缘表面118的至少一部分，并且可以径向位于基座100的径向内周124和径向外周126之间。更具体地，粗糙化区域148可以轴向位于凸缘表面118和衬底14的周边60之间，例如使得粗糙化区域148径向横穿支撑圆周136。鉴于本公开，本领域技术人员将理解，将粗糙化区域148轴向定位在凸缘表面118和衬底14的周边60之间允许吹扫气体54(图1所示)以通过施加到凸缘表面118的粗糙化操作由粗糙化区域148的粗糙度确定的速率从吹扫容积130流向间隙66。在某些示例中，粗糙化区域148可以具有在约0.5微米和约2.0微米
之间，或在约0.5微米和约5.0微米之间，或在约0.8微米和约5.0微米之间的粗糙度。
131.在某些示例中，粗糙化区域148沿着凸缘表面118径向位于穿孔表面116和基座100的径向内周124之间。根据某些示例，粗糙化区域148可以从基座100的穿孔表面116径向向外延伸。预期在某些示例中，粗糙化区域148可以从基座100的径向内周124径向向内延伸。还可以设想，根据某些示例，粗糙化区域148可以沿着凸缘表面118并围绕基座100的凹穴部分110连续延伸。在某些示例中，基座100可以通过在抛光凸缘表面118之后粗糙化凸缘表面118来形成，例如通过重新加工被过度抛光的凸缘表面或通过重新磨光具有抛光凸缘表面的基座，重新加工或重新磨光的基座100由此限制(或防止)衬底14和基座100之间的桥接。鉴于本公开，本领域技术人员将理解，粗糙化区域148允许衬底14的周边60覆盖粗糙化区域148，并由此通过粗糙化区域148由基座100不连续地支撑。
132.例如，可以通过在没有基座100支撑的衬底的情况下，将膜循环蚀刻和沉积到基座100的凸缘表面118上来形成粗糙化区域。在这方面，将膜循环蚀刻和沉积到基座100的凸缘表面118上可以包括循环地(a)用盐酸(hcl)和氢气(h2)的混合物蚀刻凸缘表面118，以及(b)此后将硅层沉积到凸缘表面118上。在另一方面，将膜循环蚀刻和沉积到基座100的凸缘表面118上总共可以包括(a)蚀刻凸缘表面118超过1000分钟，以及(b)沉积超过4000微米的膜到凸缘表面118上。
133.如图7a和7b所示，接触中断104可以包括吹扫槽150。在这样的示例中，吹扫槽150限定在凸缘表面118中于衬底14的周边60和穿孔表面116之间的轴向位置。可以设想，吹扫槽150将吹扫容积130直接流体联接到间隙66。在某些示例中，吹扫槽150沿着凸缘表面118径向位于穿孔表面116和基座100的径向内周124之间。根据某些示例，吹扫槽150可以从基座100的穿孔表面116径向向外延伸。可以设想，在某些示例中，吹扫槽150可以从基座100的径向内周124径向向内延伸。还可以设想，根据某些示例，吹扫槽150可以是由凸缘表面118限定并分布在基座100的凹穴部分110周围的多个吹扫槽150中的一个。鉴于本公开，本领域技术人员将理解，吹扫槽150允许衬底14的周边60覆盖吹扫槽150，并由此通过限定吹扫槽150的边缘表面118的一部分由基座100不连续地支撑。
134.鉴于本公开，本领域技术人员将理解，在凸缘表面118和衬底14的周边60之间轴向限定吹扫槽150允许吹扫气体54(图1所示)以由吹扫槽150的流动面积确定的速率从吹扫容积130流向间隙66。在某些示例中，吹扫槽150可以是限定在凸缘表面118中并分布在基座100的凹穴部分110周围的多个吹扫槽150中的一个。根据某些示例，多个吹扫槽150可以均匀地分布在基座100的凹穴部分110周围，多个吹扫槽150由此通过将吹扫气体54(图1所示)分布在衬底14的周边60周围和间隙66内来均匀地降低间隙66内的前体浓度。
135.如图8a和8b所示，接触中断104可以包括网格结构152。在这样的示例中，例如使用形成基座100的石墨132(图2所示)的刻划或研磨操作，在衬底14的周边60和凸缘表面118之间的轴向位置，在凸缘表面118中限定网格结构152。预期网格结构152将吹扫容积130直接流体联接到间隙66。在某些示例中，网格结构152包括多个齿154，这些齿154沿着穿孔表面116和基座100的径向内周124之间的凸缘表面118径向分布。根据某些示例，网格结构152可以从基座100的穿孔表面116径向向外延伸。预期在某些示例中，网格结构152可以从基座100的径向内周124径向向内延伸。还可以设想，根据某些示例，网格结构152可以沿着凸缘表面118并围绕基座100的凹穴部分110连续延伸。鉴于本公开，本领域技术人员将理解，网
格结构152允许衬底14的周边60覆盖网格结构152，从而通过网格结构152由基座100不连续地支撑。
136.鉴于本公开，本领域技术人员将理解，在凸缘表面118和衬底14的周边60之间轴向限定网格结构152允许吹扫气体54(图1所示)以由齿154之间限定的流动面积确定的速率从吹扫容积130流向间隙66。在某些示例中，网格结构152的齿154可被限定在凸缘表面118上并围绕基座100的凹穴部分110分布。根据某些示例，网格结构152的齿154可以围绕基座100的凹穴部分110均匀分布，网格结构152由此通过围绕衬底14的周边60和在间隙66内分布吹扫气体54(图1所示)来均匀降低间隙66内的前体浓度。
137.参考图9a-13b，示出了具有前体排放口的基座100的示例，例如前体106(图1所示)。前体排放口阵列106配置成从限定在衬底14的周边60与基座100的边缘部分114的径向内周124之间的间隙66(图3a中所示)内排放前体，例如第一前体50(图1中所示)和/或第二前体52(图1中所示)。不受特定理论限制，据信从间隙66内排放前体降低前体在间隙66内再流通(和/或浓缩)的趋势，限制(或防止)衬底14和基座100之间的桥接。在某些示例中，前体排放口阵列106可以通过从吹扫容积130中抽取吹扫气体54、穿过接触中断104并进入间隙66来与接触中断104协作。一旦在间隙66中，吹扫气体54置换前体，从而降低间隙66内前体的前体浓度。
138.如图9a和9b所示，前体排放口阵列106可以包括径向排放口156。在这样的示例中，径向排放口156具有径向排放口入口158和径向排放口出口160。径向排放入口158位于基座100的径向内周124上，径向排放口出口160位于基座100的径向外周126上，并且径向排放口156将径向排放口入口158流体联接至径向排放口出口160，以将前体从间隙66排放至基座100的径向外周126。在所示示例中，径向排放口出口160轴向位于凸缘表面118和穿孔表面116之间，径向排放口156由此将排放的前体释放到反应器16(图1所示)的上室40(图1所示)中。在图示的示例中，径向排放口156相对于旋转轴线48正交。鉴于本公开，本领域技术人员将理解，将前体排放到上室40中允许通过径向排放口156的流动由反应器16的上室40内的压力控制。
139.在某些示例中，径向排放口156可以是多个径向排放口156中的一个。根据某些示例，多个径向排放口156围绕基座100的凹穴部分110周向分布。根据某些示例，多个径向排放口156可以围绕基座100的凹穴部分110均匀分布，以从间隙66内提供均匀的排放前体。虽然在图示的示例中示出了一定数量的径向排放口156，但应该理解和认识到，基座100可以具有比图9a和9b所示更多数量的径向排放口156或者更少数量的径向排放口156，并且仍然在本公开的范围内。
140.如图10a和10b所示，前体排放口阵列106可以包括轴向排放口162。在这样的示例中，轴向排放口162具有轴向排放口入口164和轴向排放口出口166。轴向排放口入口164位于基座100的凸缘表面118上。更具体地，轴向排放口入口164径向位于基座100的穿孔表面116和径向内周124之间。具体地，轴向排放口入口164位于衬底14的周边60的径向外侧，例如在距旋转轴线48大于约152毫米的距离处，使得轴向排放口入口164径向位于周边60和基座100的径向内周124之间。
141.轴向排放口出口166位于基座100的下表面128上，并且通过轴向排放口162流体联接到轴向排放口入口164。在这方面，轴向排放口出口166位于穿孔表面116的与凸缘表面
118轴向相对的一侧，轴向排放口162由此将排放的前体释放到反应器16(如图1所示)的下室42(如图1所示)中。在所示示例中，轴向排放口162相对于旋转轴线48基本平行。鉴于本公开，本领域技术人员将理解，将前体排放到下室42中允许通过轴向排放口162的流动由反应器16的下室42内的压力控制。
142.在某些示例中，轴向排放口162可以是多个轴向排放口162中的一个。根据某些示例，多个轴向排放口162可以围绕基座100的凹穴部分110周向分布。根据某些示例，多个轴向排放口162可以围绕基座100的凹穴部分110均匀分布，以从间隙66内提供均匀的排放前体。虽然在图示的示例中示出了一定数量的轴向排放口162，但应该理解和认识到，基座100可以具有比图10a和10b所示更多数量的轴向排放口162或更少数量的轴向排放口162，并且仍然在本公开的范围内。
143.如图11a和11b所示，前体排放口阵列106可以包括一个或多个倾斜排放口168。倾斜排放口168具有倾斜排放口入口170和倾斜排放口出口172。倾斜排放口入口170位于基座100的径向内周124上。更具体地，倾斜排放口入口170径向位于基座100的凸缘表面118和边缘表面120之间。具体而言，倾斜排放口入口170位于支撑圆周136的径向外侧，并且位于凸缘表面118的与基座100的穿孔表面116轴向相对的一侧。
144.倾斜排放口出口172位于基座100的径向外周126上，通过倾斜排放口168流体联接到倾斜排放口入口170，并且相对于旋转轴线48倾斜地延伸穿过基座100的边缘部分114。更具体地，倾斜排放口出口172位于径向外周126上于基座100的凸缘表面118和下表面128之间的轴向位置处。具体地，倾斜排放口出口172轴向位于基座100的凸缘表面118和穿孔表面116之间的径向外周126上。鉴于本公开，本领域技术人员将理解，将倾斜排放口出口172轴向定位在凸缘表面118和下表面128之间允许倾斜排放口168将前体从间隙66排放到分隔器孔34(如图1所示)，排放的前体的流动由此由反应器16(如图1所示)的下室42(如图1所示)和上室40(如图1所示)之间的压差控制。
145.在某些示例中，倾斜排放口168可以是多个倾斜排放口168中的一个。根据某些实施例，多个倾斜排放口168可以围绕基座100的凹穴部分110周向分布。根据某些示例，多个倾斜排放口168可以围绕基座100的凹穴部分110均匀分布，多个倾斜排放口168由此从间隙66内提供均匀的排放前体。虽然在图示的示例中示出了一定数量的倾斜排放口168，但应该理解和认识到，基座100可以具有比图11a和11b所示更多数量的倾斜排放口168或者更少数量的倾斜排放口168，并且仍然在本公开的范围内。
146.如图12a和12b所示，在某些示例中，基座100可以包括接触中断104和前体排放口阵列106。在这样的示例中，接触中断104和前体排放口阵列106都位于基座100的凹穴部分110的径向外侧。更具体地，接触中断104位于基座100的凹穴部分110的径向外侧，并且前体排放口阵列106位于接触中断104的径向外侧。具体地，接触中断104位于基座100的穿孔表面116的径向外侧，流体联接到基座100的穿孔表面116，并且前体排放口阵列106位于接触中断104的径向外侧，并且通过接触中断104流体联接到穿孔表面108。鉴于本公开，本领域技术人员将理解，通过接触中断104将前体排放口阵列106与穿孔表面116流体联接降低间隙66内的前体浓度，从而通过接触中断104和前体排放口阵列106的协作限制。
147.参考图13a-16b，示出了具有吹扫通道阵列108的基座100的示例。吹扫通道阵列108配置为将吹扫气体例如吹扫气体54(图1中所示)从反应器16(图1中所示)的下室42(图1
中所示)流到限定在衬底14的下侧58和基座100的穿孔表面116之间的吹扫容积130。更具体地，吹扫通道阵列108位于基座100的凸缘表面118的径向上。具体而言，吹扫通道阵列108位于衬底14的周边60和基座100的穿孔表面116之间的凸缘表面118上。如此定位后，吹扫通道阵列108将吹扫气体从反应器16的下室42在邻近衬底14的周边60的位置处周向地释放到衬底14的下侧58。
148.如图13a和13b所示，吹扫通道阵列108可以包括吹扫通道174。吹扫通道174具有吹扫通道入口176和吹扫通道出口178。吹扫通道入口176位于基座100的下表面128上，并通过吹扫通道174流体联接到吹扫通道出口178。吹扫通道出口178位于凸缘表面118上于衬底14的周边60的径向内侧的位置处。在某些示例中，吹扫通道174轴向延伸穿过基座100。根据某些示例，吹扫通道174可基本平行于旋转轴线48。可以设想，在某些示例中，吹扫通道174可以是在凸缘表面118上围绕基座100的凹穴部分110周向分布且在基座100的穿孔表面116的径向外侧的多个吹扫通道174中的一个。还可以设想，根据某些示例，多个吹扫通道174可以沿着凸缘表面118均匀分布，以在周向邻近衬底14的周边60的位置处和吹扫容积130内，对着基座100的下侧58均匀地释放吹扫气体。
149.如图14a和14b所示，在某些示例中，基座100可以包括接触中断104和吹扫通道阵列108。在这样的示例中，接触中断104和吹扫通道阵列106协作以限制(或防止)衬底14的周边60和凸缘表面118之间在衬底14的周边60的径向内侧和径向外侧的桥接。具体地，吹扫通道阵列108操作成沿轴向在凸缘表面118上并在衬底14的周边60的径向内侧将吹扫气体54(图1所示)对着衬底14的下侧58释放，接触中断104操作成使吹扫气体54沿径向向外并在衬底14的周边60和凸缘表面118之间流入间隙66。
150.鉴于本公开，本领域技术人员将理解，对着衬底14的下侧58释放吹扫气体且之后使吹扫气体54流过接触中断104增加被吹扫气体54扫过的衬底14的下侧58和周边60的面积，进一步限制(或防止)衬底14和基座100的凸缘表面118之间的桥接。尽管在图14b中示出为包括栅格阵列152，但应当理解和明白，接触中断104可以包括未抛光区域144(如图4a所示)、部分抛光区域146(如图5a所示)、粗糙化区域148(如图6a所示)或吹扫槽150(如图7a所示)，并且仍然在本公开的范围内。
151.如图15a和15b所示，在某些示例中，基座100可以包括前体排放口阵列106和吹扫通道阵列108。在这样的示例中，吹扫通道阵列108和前体排放口阵列104协作以限制(或防止)衬底14的周边60和凸缘表面118之间在衬底14的周边60的径向内侧和径向外侧的桥接。具体地，前体排放口阵列106操作成从限定在衬底14的周边60之间的间隙66排放前体，限制(或防止)衬底14的周边60和衬底14的周边60径向外侧的凸缘表面118之间的桥接，并且吹扫通道阵列108操作成沿轴向在凸缘表面118上并在衬底14的周边60的径向内侧将吹扫气体54(图1所示)对着衬底14的下侧58释放。
152.在某些示例中，由凸缘表面118支撑衬底14可以使得衬底14的周边60将吹扫容积130与前体排放口阵列106流体分离。根据某些示例，将衬底14支撑在凸缘表面118上可以是吹扫从吹扫容积130流向前体排放口阵列106，在这些示例中，吹扫气流进一步限制(或防止)衬底14和基座100的凸缘表面118之间的桥接。尽管在图15a和15b中示出为包括形成前体排放口阵列106的径向排放口156，但应当理解和明白，前体排放口阵列106可以包括轴向排放口162(图10a中示出)或倾斜排放口168(图11a中示出),并且仍然在本公开的范围内。
153.如图16a和16b所示，在某些示例中，基座100可以包括接触中断104、前体排放口阵列106和吹扫通道阵列108。在这样的示例中，接触中断104、前体排放口阵列106和吹扫通道阵列108中的每个可以协作来限制(或防止)衬底14的周边60和基座100的凸缘表面118之间的桥接。具体而言，吹扫通道阵列108可操作成在邻近衬底14的周边60的位置处对着衬底14的下侧58释放吹扫气体54，接触中断104可操作成在衬底14的周边60和凸缘表面118之间径向向外流动吹扫气体54(图1所示)，并且前体排放口阵列106可操作成从间隙66内抽取第一前体52(图1所示)和吹扫气体54中的任一个(或两个)。
154.虽然图16a和16b中示出了接触中断104、前体排放口阵列106和吹扫通道阵列108的具体示例，但应当理解和明白，基座100可以包括其他类型的接触中断、前体排放口阵列和吹扫通道阵列，并且仍然在本公开的范围内。例如，可以设想，接触中断104可以包括未抛光区域144(如图4a所示)、部分抛光区域146(如图5a所示)、粗糙化区域148(如图6a所示)或吹扫槽150(如图7a所示)中的一个。作为非限制性示例，还可以设想前体排放口阵列106可以包括轴向排放口162(图10a所示)或倾斜排放口168(图11a所示)。
155.参考图17a-17e，示出了制造基座例如基座100(图1所示)的方法200。如框210所示，方法200包括限定基座，例如基座100(如图1所示)。在某些示例中，方法200可以包括在基座内限定调整凹穴，例如调整凹穴102(图1所示)，如框220所示。根据某些示例，方法200可以包括在基座的凸缘表面上定位接触中断，例如接触中断104(图1所示)，如框230所示。可以设想，在某些示例中，方法200可以包括在基座中限定一个或多个前体排放口，例如前体排放口阵列206(图1所示)，如框240所示。还可以设想，根据某些示例，方法200可以包括在基座中限定一个或多个吹扫通道，例如吹扫通道阵列108(如图1所示)，如框250所示。
156.如图17b所示，限定基座可以包括限定具有穿孔表面的圆形凹穴部分，例如具有穿孔表面116(如图2所示)的圆形凹穴部分110(如图2所示)，如框212所示。限定基座可以包括限定围绕具有凸缘表面的凹穴部分延伸的环形凸缘部分，例如具有凸缘表面118(如图2所示)的凸缘部分112(如图2所示)，如框214所示。限定基座可以包括限定环形边缘部分，其通过凸缘部分连接到凹穴部分并且具有边缘表面，例如具有边缘表面120(图2所示)的边缘部分114(图2所示)，如框216所示。设想基座可以由石墨形成，例如石墨132(如图2所示)，如框218所示。还预期基座可具有含硅预涂层，例如含硅预涂层134(如图2所示)，如框211所示。
157.如图17c所示，限定调整凹穴可以包括限定基座中的平坦化凹穴深度，例如平坦化凹穴深度138(如图3a所示)，如框222所示。限定调整凹穴可包括限定基座中的上卷凹穴深度，例如上卷凹穴深度142(如图3b所示)，如框224所示。限定调整凹穴可以包括限定基座中的下卷凹穴深度，例如下卷凹穴深度142(如图3c所示)，如框226所示。可以选择调整凹穴来补偿预定沉积操作(例如标称沉积操作)的一个边缘上卷、平坦或边缘下卷特性，例如用于沉积膜12(图1所示)的沉积操作，如框228所示。
158.如图17d所示，在凸缘表面上限定接触中断可以包括留下凸缘表面的至少一部分未抛光，例如未抛光区域144(如图4a所示)，如框232所示。在凸缘表面上限定接触中断可以包括部分抛光凸缘表面的至少一部分，以限定凸缘表面的部分抛光区域，例如部分抛光区域146(如图5a所示)，如框234所示。在凸缘表面上限定接触中断可以包括粗糙化凸缘表面的一部分，以在凸缘表面上限定粗糙化区域，例如粗糙化区域148(如图6a所示)，如框236所示。在凸缘表面上限定接触中断可包括在凸缘表面中限定一个或多个吹扫槽，例如吹扫槽
150(图7a所示)，如框238所示。还可以设想，限定接触中断可以包括在凸缘表面中限定栅格结构，例如栅格结构152(如图8a所示)，如框231所示。作为非限制性示例，栅格结构可以通过铣削或刻划凸缘表面来限定。
159.如图17e所示，在基座中限定一个或多个前体出口可以包括在基座中限定一个或多个径向排放口，例如径向排放口156(如图9a所示)，如框242所示。限定一个或多个前体排放口可以包括在基座中限定一个或多个轴向排放口，例如轴向排放口162(如图10a所示)，如框244所示。限定一个或多个前体排放口可以包括在基座中限定一个或多个倾斜排放口，例如倾斜排放口168(如图11a所示)，如框246所示。可以设想，前体排放口可以限定在基座的凹穴部分的径向外侧的位置，例如在基座的凸缘部分和/或边缘部分中，如框248所示。
160.同样如图17e所示，限定一个或多个吹扫通道可以包括在基座的穿孔表面径向外侧限定一个或多个吹扫通道，如框252所示。限定一个或多个吹扫通道可以包括在基座的支撑圆周的径向内侧限定一个或多个吹扫通道，例如支撑圆周136(如图3a所示)，如框254所示。限定一个或多个吹扫通道可以包括在支撑圆周和基座的穿孔表面之间径向限定一个或多个吹扫通道，如框256所示。
161.参考图18a，示出了膜沉积方法300。方法300包括将衬底支撑在基座的凸缘表面上，例如基座100(图1所示)的凸缘表面118(图2所示)上的衬底14(图1所示)，如框310所示。吹扫气体流过衬底的下侧，例如吹扫气体54(图1所示)流过衬底14(图1所示)的下侧58(图1所示)，如框320所示。前体流过衬底的顶侧，例如流过衬底14(图1所示)的顶侧56(图1所示)，如框330所示，以及膜，例如沉积到衬底的顶侧上的膜12(图1所示)，如框340所示。
162.如图18b所示，用基座支撑衬底可以包括使用接触中断例如接触中断104(如图1所示)，围绕衬底的周边不连续地支撑衬底的下侧，如框312所示。不连续支撑可以由基座的未抛光区域提供，例如未抛光区域144(如图4a所示)，如框314所示。不连续支撑可由基座的部分抛光区域提供，例如部分抛光区域146(如图5a所示)，如框316所示。不连续支撑可由基座的粗糙化区域提供，例如粗糙化区域148(如图6a所示)，如框318所示。在某些示例中，不连续支撑可以由基座限定的吹扫槽提供，例如吹扫槽150(图7a所示)，如框311所示。还可以设想，根据某些示例，不连续支撑可以由基座限定的网格结构提供，例如网格结构152(如图8a所示)，如框313所示。
163.如图18c所示，使吹扫气体流过衬底下侧可以包括流体联接限定在衬底下侧和基座穿孔表面之间的吹扫容积和限定在衬底周边和基座边缘部分之间的间隙，例如吹扫容积130(如图1所示)和间隙66(如图1所示)，如框322所示。流体联接可以通过使用接触中断不连续地支撑基座周围的衬底周边来实现，例如接触中断104(如图1所示)，如框324所示。例如，流体联接可以通过基座的未抛光区域实现，例如未抛光区域144(如图4a所示)，如框326所示。流体联接可通过基座的部分抛光区域实现，例如部分抛光区域146(如图5a所示)，如框328所示。可以用粗糙化区域来实现流体联接，例如粗糙化区域148(如图6a所示)，如框321所示。还可以设想，流体联接可以通过吹扫槽例如吹扫槽150(如图7a所示)或者通过网格结构例如网格结构152(如图8a所示)，如框323和框325所示。
164.如图18d所示，使前体流过衬底顶侧可以包括从限定在衬底周边和衬底边缘部分之间的间隙内排放前体，例如间隙66(如图1所示)，如框332所示。例如，可以使用径向排放口将前体从间隙中径向排放，例如径向排放口156(如图9a所示)，如框334所示。在这样的示
例中，前体可以从间隙排放到包含衬底的反应器的上室，例如上室40(如图1所示)，如框336所示。可以使用轴向排放口将前体从间隙中轴向排放，例如轴向排放口162(如图10a所示)，如框338所示。在这样的示例中，前体可以从间隙排放到包含衬底的反应器的下室，例如下室42(图1所示)，如框331所示。前体可以使用倾斜排放口从间隙倾斜排放，例如倾斜排放口168(图11a所示)，如框333所示。在这样的示例中，前体可以从间隙排放到反应器的上室和下室，如框335所示。
165.如图18e所示，将膜沉积到衬底上的流动可以包括利用基座的调整凹穴来调整沉积到衬底上的膜的边缘厚度轮廓，例如调整凹穴102(图1所示)，如框342所示。例如，可以使用由调整凹穴限定的平坦化凹穴深度将平坦化边缘厚度轮廓赋予膜，例如使用平坦化凹穴深度138(图3a中所示)赋予的平坦化边缘厚度轮廓b(图3a中所示)，如框344所示。在某些实施例中，可以使用由调整凹穴限定的上卷凹穴深度将上卷边缘厚度轮廓赋予膜，例如使用上卷凹穴深度142(如图3b所示)赋予的上卷边缘厚度轮廓c(如图3b所示)，如框346所示。还可以设想，在某些示例中，可以使用由调整凹穴限定的下卷凹穴深度将下卷边缘厚度轮廓赋予膜，例如使用下卷凹穴深度140(如图3c所示)赋予的下卷边缘厚度轮廓d(如图3c所示)，如框348所示。
166.继续参考图18a，方法300可以包括通过吹扫通道在邻近衬底周边的位置处对着衬底的下侧释放吹扫气体，例如通过吹扫通道174(图13a所示)释放吹扫气体54(图1所示)，如框350所示。在某些示例中，吹扫气体可以从吹扫通道流到衬底的周边和衬底的边缘部分之间的间隙，例如通过接触中断104(如图1所示)，如框352所示。在这样的示例中，从吹扫通道流出并流过接触中断的吹扫气体可以将前体清除出间隙，例如通过吹扫通道阵列108(图1所示)，如框354所示。还可以设想，对着邻近周边的衬底下侧释放的吹扫气体可以保持积聚在吹扫容积内，例如根据基座的凸缘部分112(图2所示)的粗糙度，如框356所示。
167.所示出和描述的特定实施方式是对本发明及其最佳模式的说明，并不旨在以任何方式限制这些方面和实施方式的范围。实际上，为了简洁起见，系统的传统制造、连接、准备和其他功能方面可能没有详细描述。此外，各图中所示的连接线旨在表示各种元件之间的示例性功能关系和/或物理联接。许多替代或附加的功能关系或物理连接可以存在于实际系统中，和/或在一些实施例中可以不存在。
168.应当理解，这里描述的配置和/或方法本质上是示例性的，并且这些具体实施例或示例不应被认为是限制性的，因为许多变化是可能的。这里描述的特定例程或方法可以代表任意数量的处理策略中的一个或多个。因此，所示出的各种动作可以所示出的顺序、以其他顺序来执行，或者在某些情况下被省略。
169.本公开的主题包括各种过程、系统和配置的所有新颖和非显而易见的组合和子组合，以及在此公开的其他特征、功能、动作和/或属性及其任何和所有等同物。
170.附图标记列表
171.a标称边缘厚度轮廓
172.b平坦化边缘厚度轮廓
173.c上卷边缘厚度轮廓
174.d下卷边缘厚度轮廓
175.10半导体处理系统
176.12膜
177.14衬底
178.16反应器
179.18分隔器
180.20支架
181.22轴
182.24驱动模块
183.26闸阀
184.28衬底处理器
185.30第一前体源
186.32吹扫源
187.34第二前体源
188.36壁
189.38内部
190.40上室
191.42下室
192.44分隔器孔
193.46一个或多个灯或灯组
194.48旋转轴线
195.50第一前体
196.52第二前体
197.54吹扫气体
198.56顶侧
199.58下侧
200.60周边
201.62下侧桥接
202.64周边桥接
203.66间隙
204.100基座
205.102调整凹穴
206.104接触中断
207.106前体排放口阵列
208.108吹扫通道阵列
209.110凹穴部分
210.112凸缘部分
211.114边缘部分
212.116穿孔表面
213.118凸缘表面
214.120边缘表面
215.122穿孔
216.124径向内周
217.126径向外周
218.128下表面
219.130吹扫容积
220.132石墨
221.134含硅预涂层
222.136支撑圆周
223.138平坦化凹穴深度
224.140下卷凹穴深度
225.142上卷凹穴深度
226.144未抛光区域
227.146部分抛光区域
228.148粗糙化区域
229.150吹扫槽
230.152网格结构
231.154齿
232.156径向排放口
233.158径向排放口入口
234.160径向排放口出口
235.162轴向排放口
236.164轴向排放口入口
237.166轴向排放口出口
238.168倾斜排放口
239.170倾斜排放口入口
240.172倾斜排放口出口
241.174吹扫通道
242.176吹扫通道入口
243.178吹扫通道出口
244.180碳化硅涂层
245.200制作基座的方法
246.210框
247.211框
248.212框
249.214框
250.216框
251.218框
252.220框
253.222框
254.224框
255.226框
256.228框
257.230框
258.231框
259.232框
260.234框
261.236框
262.238框
263.240框
264.242框
265.244框
266.246框
267.248框
268.250框
269.252框
270.254框
271.256框
272.300膜沉积方法
273.310框
274.311框
275.312框
276.313框
277.314框
278.316框
279.318框
280.320框
281.321框
282.322框
283.323框
284.324框
285.325框
286.326框
287.328框
288.330框
289.331框
290.332框
291.333框
292.334框
293.335框
294.336框
295.338框
296.340框
297.342框
298.344框
299.346框
300.348框
301.350框
302.352框
303.354框
304.356框
技术特征：1.一种基座，包括：圆形凹穴部分，其沿着旋转轴线布置并具有穿孔表面；环形凸缘部分，其围绕凹穴部分周向延伸并具有凸缘表面，凸缘表面从穿孔表面沿着旋转轴线向上倾斜；以及环形边缘部分，其围绕凸缘部分周向延伸，通过基座的凸缘部分连接到凹穴部分，并具有从基座的凸缘表面轴向偏移的边缘表面；其中边缘部分和凸缘表面在它们之间限定调整凹穴，以调整沉积到支撑在基座的凸缘表面上的衬底上的膜的边缘厚度轮廓。2.根据权利要求1所述的基座，其中，所述调整凹穴限定平坦化凹穴深度，所述平坦化凹穴深度被选择为相对于衬底的径向内部区域在衬底周边的径向内侧平坦化膜厚度。3.根据权利要求2所述的基座，其中，所述平坦化凹穴深度小于下卷凹穴深度，并且其中，所述平坦化凹穴深度大于上卷凹穴深度，并且其中，所述平坦化凹穴深度在约0.8毫米和约1.09毫米之间。4.根据权利要求2所述的基座，还包括由基座的凸缘表面支撑的衬底，使得衬底的顶侧沿着旋转轴线轴向布置在基座边缘部分的边缘表面和基座凹穴部分的穿孔表面之间。5.根据权利要求1所述的基座，其中，所述调整凹穴限定上卷凹穴深度，所述上卷凹穴深度配置成相对于衬底的径向内部区域在衬底周边的径向内侧增加到衬底上的膜厚度。6.根据权利要求5所述的基座，其中，所述上卷凹穴深度小于平坦化凹穴深度，其中，所述上卷凹穴深度小于下卷平坦化凹穴深度。7.根据权利要求5所述的基座，还包括由基座的凸缘表面支撑的衬底，使得衬底的顶侧沿着旋转轴线与基座边缘部分的边缘表面基本共面。8.根据权利要求1所述的基座，其中，所述调整凹穴限定下卷凹穴深度，所述下卷凹穴深度配置成相对于衬底的径向内部区域在衬底周边的径向内侧减小到衬底上的膜厚度。9.根据权利要求8所述的基座，其中，所述下卷凹穴深度大于上卷凹穴深度，其中，所述下卷凹穴深度大于平坦化凹穴深度。10.根据权利要求8所述的基座，还包括由基座的凸缘表面支撑的衬底，使得衬底的顶侧轴向布置在基座边缘部分的边缘表面和基座凹穴部分的穿孔表面之间。11.根据权利要求1所述的基座，其中，所述基座由石墨形成，其中，所述石墨被碳化硅涂层封装。12.根据权利要求1所述的基座，其中，所述基座具有以下中的至少一个：(a)接触中断，其位于基座的凸缘表面上，以限制衬底和基座的凸缘表面之间的接触；(b)吹扫通道阵列，其位于基座的凸缘表面上，以使吹扫气体在衬底的周边和基座的凸缘表面之间流动；以及(c)前体排放口阵列，其位于穿孔表面的径向外侧，以从限定在衬底和基座的边缘部分之间的间隙内排放前体。13.一种半导体处理系统，包括：具有中空内部的反应器；分隔器，其位于反应器的内部内，具有分隔器孔，该分隔器将反应器的内部分成上室和下室；
如权利要求1所述的基座，其布置在反应器的内部内并被支撑以围绕旋转轴线旋转，所述旋转轴线延伸穿过分隔器孔；吹扫源，其连接到反应器并配置为使吹扫气体流过反应器的下室；以及前体源，其连接到反应器并配置为使前体气体流过反应器的上室。14.一种膜沉积方法，包括：在基座处，包括：圆形凹穴部分，其沿着旋转轴线布置并具有穿孔表面；环形凸缘部分，其围绕凹穴部分周向延伸并具有凸缘表面，凸缘表面从穿孔表面沿着旋转轴线向上倾斜；以及环形边缘部分，其围绕凸缘部分周向延伸，通过基座的凸缘部分连接到凹穴部分，并具有从基座的凸缘表面轴向偏移的边缘表面；边缘部分和凸缘表面在它们之间限定调整凹穴，将衬底支撑在基座的凸缘表面上，衬底具有通过衬底周边彼此轴向分离的顶侧和下侧；使吹扫气体流过穿孔表面，并进入限定在衬底下侧和基座穿孔表面之间的吹扫容积；使前体气体流过衬底的顶侧；使用前体气体将膜沉积到衬底的顶侧上；以及使用由基座限定的调整凹穴来调整沉积到衬底顶侧上的膜的边缘厚度。15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述调整凹穴是平坦化凹穴深度，该方法还包括相对于在衬底的径向内部区域处的前体均匀化间隙内的前体浓度。16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述调整凹穴是上卷凹穴深度，该方法还包括相对于在衬底的径向内部区域处的前体增加间隙内的前体浓度。17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述调整凹穴是下卷凹穴深度，该方法还包括相对于在衬底的径向内部区域处的前体降低间隙内的前体浓度。18.根据权利要求14所述的方法，还包括利用位于基座的凸缘表面上的接触中断来限制衬底和基座的凸缘表面之间的接触。19.根据权利要求14所述的方法，还包括利用位于基座的凸缘表面上的吹扫通道阵列来使吹扫气体在衬底的周边和基座的凸缘表面之间流动。20.根据权利要求14所述的方法，还包括使用位于基座穿孔表面的径向外侧的前体排放口阵列来从限定在衬底周边和基座边缘部分之间的间隙排放前体。
技术总结基座具有圆形凹穴部分、环形凸缘部分和环形边缘凸缘部分。圆形凹穴部分沿着旋转轴线布置，并且具有穿孔表面。环形凸缘部分围绕凹穴部分周向延伸，并具有从穿孔表面轴向向上倾斜的凸缘表面。边缘部分围绕凸缘部分周向延伸，并通过基座的凸缘部分连接到凹穴部分。基座具有位于穿孔表面径向外侧的调整凹穴、接触中断、前体排放口和吹扫通道中的一个或多个，以控制膜沉积到由基座支撑的衬底上。还描述了半导体处理系统、膜沉积方法和制造基座的方法。膜沉积方法和制造基座的方法。膜沉积方法和制造基座的方法。
技术研发人员：S.黄 J.苏 林兴 A.德莫斯 R.奈克 王文涛 M.古德曼 R.斯科特 A.卡杰巴夫拉瓦 R.詹姆斯 Y.阿尔万迪-塔布里兹 C.米斯金
受保护的技术使用者：ASMIP私人控股有限公司
技术研发日：2022.04.29
技术公布日：2022/11/1
