x射线管
1.相关申请的交叉引用
2.本专利申请要求于2021年4月29日提交的第10-2021-0055725号韩国专利申请和于2022年2月23日提交的第10-2022-0023495号韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本公开在此涉及一种x射线管。
背景技术：4.x射线管在真空容器中产生电子，并且在已经施加高电压的阳极电极的方向上使电子加速，因此，电子与阳极电极上的金属靶碰撞，并且产生x射线。这里，阳极电极和阴极电极之间的电压差被定义为使电子加速的加速电压。根据x射线管的使用，电子被几kv到几百kv的加速电压加速。在阳极电极与阴极电极之间设置有栅极电极等。
技术实现要素：5.本公开提供了一种即使在高电压下也稳定操作的x射线管的结构。
6.本发明构思的实施例提供了一种x射线管，包括：第一电极；第二电极，与第一电极间隔开；靶，设置在第二电极的下部；发射器，在第一电极上；第三电极，位于第一电极和第二电极之间，并且在与所述发射器垂直对应的位置处包括开口；以及间隔物，设置在第三电极上并围绕第二电极，其中，间隔物包括位于第三电极附近的第一部分和设置在第一部分上的第二部分，并且间隔物包括陶瓷绝缘体和分散在所述陶瓷绝缘体内的导电掺杂物，其中，间隔物的第一部分中的导电掺杂物的含量大于第二部分中的导电掺杂物的含量，并且第三电极与间隔物的第一部分接触。
7.在实施例中，第一电极至第三电极中的每一个可包括金属，并且第三电极可以是位于最靠近第一电极的金属电极。
8.在实施例中，间隔物的第一部分和第二部分之间的接触点的电平可以低于靶的最下部分的电平。
9.在实施例中，x射线管还可包括：第四电极，插置在第二电极和第三电极之间，其中，第四电极比第二电极更靠近第三电极。
10.在实施例中，所述陶瓷绝缘体可包括氧化铝(al2o3)、氧化锆(zro2)或氧化钇(y2o3)中的一种，并且导电掺杂物可包括二氧化钛(tio2)。
11.在实施例中，间隔物的第一部分的体积电阻率小于第二部分的体积电阻率。
12.在实施例中，间隔物的第一部分可具有小于或等于约10
12
ω
·
cm的电阻率，并且间隔物的第二部分可具有大于约10
12
ω
·
cm的电阻率。
13.在实施例中，间隔物可具有圆柱形管状形状，并且x射线管还可包括：金属膜，设置在间隔物的第一部分的外圆周表面上，其中，所述金属膜连接到接地电源。
14.在实施例中，所述金属膜可与间隔物的第一部分接触。
15.在实施例中，所述金属膜可电连接到间隔物的第一部分。
16.在实施例中，所述陶瓷绝缘体可包括氧化铝(al2o3)，并且导电掺杂物包括二氧化钛(tio2)，其中，间隔物的第一部分中的二氧化钛(tio2)的含量大于或等于约2wt％，并且间隔物的第二部分中的二氧化钛(tio2)的含量大于约0且小于约2wt％。
17.在实施例中，所述x射线管还可包括：导电结构，插置在间隔物和第三电极之间，其中，所述导电结构包括可伐(kovar)合金。
18.在实施例中，所述导电结构可具有管状形状并且是弯曲的，并且所述x射线管还可包括穿过导电结构的窗口。
19.在本发明构思的实施例中，一种x射线管包括：阴极电极；阳极电极，与阴极电极垂直地间隔开；靶，设置在阳极电极的下部；发射器，在阴极电极上；以及间隔物，设置在阴极电极上并且围绕阳极电极，其中，间隔物包括陶瓷绝缘体和分散在所述陶瓷绝缘体内的导电掺杂物，并且间隔物包括位于所述阴极电极附近的第一部分和设置在第一部分上的第二部分，其中，间隔物的第一部分中的导电掺杂物的含量大于第二部分中的导电掺杂物的含量。
20.在本发明构思的实施例中，一种x射线管包括：阴极电极；阳极电极，与阴极电极垂直地间隔开；靶，设置在阳极电极的下部；发射器，在阴极电极上；栅极电极，位于阴极电极和阳极电极之间，并且在与所述发射器垂直对应的位置处包括开口；以及间隔物，设置在栅极电极上并围绕阳极电极，其中，间隔物包括位于栅极电极附近的第一部分和设置在第一部分上的第二部分，其中，间隔物的第一部分包括第一陶瓷绝缘体，并且第二部分包括第二陶瓷绝缘体，其中，第一陶瓷绝缘体包括不同于第二陶瓷绝缘体的金属氧化物，并且第一陶瓷绝缘体的电阻率小于第二陶瓷绝缘体的电阻率，其中，间隔物的第一部分和第二部分之间的接触点的电平低于所述靶的最下部分的电平。
21.在实施例中，所述x射线管还可包括分散在第一陶瓷绝缘体中的导电掺杂物。
22.在实施例中，间隔物的第一部分可具有小于或等于约10
12
ω
·
cm的电阻率，并且间隔物的第二部分可具有大于约10
12
ω
·
cm的电阻率。
23.在实施例中，间隔物可具有圆柱形管状形状，并且所述x射线管还可包括：金属膜，设置在间隔物的第一部分的外圆周表面上，其中，所述金属膜连接到接地电源。
24.在实施例中，所述x射线管还可包括：导电结构，插置在间隔物和栅极电极之间，其中，所述导电结构包括可伐合金，并且所述导电结构连接到接地电源。
附图说明
25.包括附图以提供对本发明构思的进一步理解，并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本发明构思的实施例，并且与说明书一起用于解释本发明构思的原理。在附图中：
26.图1是示意性地示出x射线管的结构的横截面图；
27.图2是示出根据本发明构思的x射线管的结构的横截面图；
28.图3是示出根据实施例的x射线管的结构的横截面图；以及
29.图4是示出根据实施例的x射线管的结构的横截面图。
具体实施方式
30.将参照附图描述本公开的实施例，以便充分理解本公开的构成和效果。然而，本公开可以以不同的形式体现并进行各种修改，并且不应被解释为限于本文阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本公开所属领域的技术人员充分传达本公开的范围。在附图中，为了便于描述，元件的尺寸被放大而不是其实际尺寸，并且可以夸大或减小各个元件的比例。
31.除非另有定义，否则在本发明构思的实施例中使用的所有术语具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。在下文中，将通过参照附图解释本发明构思的实施例来详细描述本公开。
32.图1是示意性地示出x射线管的结构的横截面图。
33.参照图1，x射线管可包括阴极电极11、发射器12、阳极电极14、靶15、栅极电极13、第一间隔物sp1、第二间隔物sp2和真空盖16。在本说明书中，阴极电极11可被称为第一电极11，阳极电极14可被称为第二电极14，并且栅极电极13可被称为第三电极13。
34.阴极电极11和阳极电极14可被定位成彼此面对并且沿着第一方向d1彼此间隔开。在本说明书中，第一方向d1可表示垂直于阴极电极11的顶部表面的方向。可选地，第一方向d1指示从阴极电极11指向阳极电极14的方向。
35.阴极电极11、阳极电极14和栅极电极13可电连接到外部电源(未示出)。例如，可将正电压或负电压施加到阴极电极11，或者可将接地电源连接到阴极电极11。可将具有比阴极电极11更高的电势的电压施加到阳极电极14和栅极电极13两者。
36.阳极电极14、阴极电极11和栅极电极13可包括导电材料，并且导电材料可包括例如金属材料，诸如铜(cu)、铝(al)、钼(mo)等。阳极电极14可以是静止阳极电极或在一个方向上旋转的旋转阳极电极。
37.栅极电极13可位于发射器12和阳极电极14之间。栅极电极13可位于比阳极电极14更靠近发射器12的位置。栅极电极13位于阴极电极11上方，并且可在与发射器12相应的位置处包括开口op。
38.靶15可设置在阳极电极14下方。靶15的下表面(即，靶15的面向阴极电极11的表面)可以是倾斜的。根据实施例，靶15可包括与阳极电极14相同的材料。在这种情况下，靶15可以是阳极电极14的电子束聚焦在其上的一部分。根据实施例，靶15可包括与阳极电极14的材料不同的材料。
39.例如，靶15可包括钼(mo)、钽(ta)、钨(w)、铜(cu)或金(au)中的至少一种。
40.发射器12可包括金属丝或碳纳米管。对于一个示例，金属丝通常可由诸如具有高熔点和高沸点的钨(w)的材料制成。通过从阴极电极11供应的电流将金属丝加热到高温。金属丝在高温状态下发射热电子，并且发射的热电子被阴极电极11和阳极电极14的两个电极之间的电势差加速。对于另一示例，发射器12可以以由碳纳米管制成的点阵列的形式布置，或者可具有通过扭曲碳纳米管制成的丝线的形式。
41.当发射器12具有碳纳米管的点阵列的形式或由多个碳纳米管丝(carbon nanotube yarns)构成时，栅极电极13可包括多个开口op，以在碳纳米管(或碳纳米管丝)的点阵列处感应高电场，然后从碳纳米管的点阵列发射电子。栅极电极13可具有网格形状或栅格形状。
42.从发射器12发射的电子(e)束可在真空状态下被产生和加速。从发射器12发射的电子束可在穿过栅极电极13的开口op之后聚焦在靶15上。电子束与靶15碰撞，并且产生x射线。x射线可经由穿过第二间隔物sp2的窗口ww发射到外部。窗口ww可包括由铍(be)、铜(cu)等制成并且几乎不吸收x射线的材料。
43.为了产生真空状态，x射线管可以以完全密封的状态制造。可选地，根据制造方法，x射线管的内部可通过连接到外部的真空泵(未示出)而处于真空状态。
44.第一间隔物sp1和第二间隔物sp2中的每一个可具有圆柱形管状形状。第一间隔物sp1可插置在阴极电极11和栅极电极13之间。第二间隔物sp2可插置在栅极电极13和阳极电极14之间。
45.第一间隔物sp1和第二间隔物sp2可包括即使在真空状态下也坚固的材料。对于一个示例，第一间隔物sp1和第二间隔物sp2可包括陶瓷绝缘体。将在图2中详细描述第二间隔物sp2。
46.根据实施例的x射线管还可包括至少一个聚焦电极。聚焦电极可位于栅极电极13和阳极电极14之间。聚焦电极可位于比阳极电极14更靠近栅极电极13的位置。聚焦电极可具有与栅极电极13类似的形状。
47.从发射器12发射的电子束的一些电子偏离正常轨迹并且可能与第二间隔物sp2碰撞。在高电压条件下，除了从发射器12发射的电子束的电子之外的电子可从三相点(或结)被发射。该三相点涉及具有不同介电常数的真空、金属和绝缘体彼此相遇的点。在x射线管中，由于施加到阳极电极14的高电压，在栅极电极13与第二间隔物sp2的绝缘体相遇的点p1(当存在聚焦电极时，聚焦电极与第二间隔物sp2的绝缘体相遇的点)处，三相点限制可能是最严重的。也就是说，由于施加到阳极电极14的高电压，在三相点p1处感应出强电场，因此，可能从三相点p1发射不期望的电子。所发射的电子可与第二间隔物sp2碰撞。另外，电子束的一些电子与靶15碰撞并散射，然后可能与第二间隔物sp2碰撞。
48.当电子与第二间隔物sp2碰撞时，可能从第二间隔物sp2发射二次电子，然后第二间隔物sp2可带正电。当第二间隔物sp2在高电压下被充电时，存在发生电弧的风险，并且这可能影响操作稳定性，即，x射线管的可靠性。
49.图2是示出根据本发明构思的x射线管的结构的横截面图。由于除了下面描述的特征之外的特征与图1中描述的特征重叠，因此将省略重叠的描述。
50.参照图2，第二间隔物sp2可包括彼此连接的第一部分ill和第二部分ilh。第一部分ill和第二部分ilh可构成第二间隔物sp2的一个主体。第二间隔物sp2的第一部分ill和第二部分ilh可围绕阳极电极14。第一部分ill可位于比第二部分ilh更靠近栅极电极13的位置。
51.第一部分ill可包括低电阻率绝缘体，并且第二部分ilh可包括高电阻率绝缘体。在本说明书中，根据体积电阻率(或电阻率)的程度来定义低电阻率绝缘体和高电阻率绝缘体。低电阻率绝缘体可被定义为电阻率小于或等于约10
12
ω
·
cm的材料，并且高电阻率绝缘体可被定义为电阻率大于约10
12
ω
·
cm的材料。
52.低电阻率绝缘体和高电阻率绝缘体可包括陶瓷绝缘体和分散在陶瓷绝缘体内的导电掺杂物。根据实施例，高电阻率绝缘体可包括少量导电掺杂物。导电掺杂物可均匀地分布在陶瓷绝缘体内。
53.陶瓷绝缘体可包括例如氧化铝(al2o3)、氧化锆(zro2)或氧化钇(y2o3)中的至少一种。导电掺杂物可包括氧化钛(ti
x
oy，x＝1至3，y＝1至3)。对于另一示例，导电掺杂物可包括氧化铬(cr2o3)。对于一个示例，陶瓷绝缘体可包括氧化铝(al2o3)，并且导电掺杂物可包括二氧化钛(tio2)。低电阻率绝缘体内的导电掺杂物的量可大于或等于约2wt％。高电阻率绝缘体内的导电掺杂物的量可小于约2wt％。
54.当第一部分ill和第二部分ilh都包括氧化钛(ti
x
oy，x＝1至3，y＝1至3)时，第一部分ill内的ti2o3和/或tio的含量可大于第二部分ilh内的ti2o3和/或tio的含量。
55.第二间隔物sp2还可包括添加剂和其他杂质。第二间隔物sp2的第一部分ill和第二部分ilh内的添加剂和其他杂质的类型和量可基本上彼此相等。第二间隔物sp2内的添加剂的总量可以是约1wt％至约4wt％。第二间隔物sp2内的杂质的总量可小于约2wt％。添加剂可包括钎焊工艺期间提高第二间隔物sp2的刚性并提高与电极的粘附强度的材料，诸如氧化硅(sio2)和二氧化锰(mno2)，这将在后面描述。杂质可包括碳和其他氧化物。
56.根据实施例，第二间隔物sp2的第一部分ill和第二部分ilh可包括不同类型的陶瓷绝缘体。第一部分ill可包括具有低电阻率的第一陶瓷绝缘体，并且第二部分ilh可包括具有比第一陶瓷绝缘体更高的电阻率的第二陶瓷绝缘体。第一陶瓷绝缘体和第二陶瓷绝缘体可包括由不同材料制成的金属氧化物。根据实施例，第一部分ill还可包括导电掺杂物。
57.作为操作x射线管的最大限制的三相点p1涉及真空、最近的电极(例如，栅极电极13)和第二间隔物sp2的第一部分ill彼此相遇的点。第二间隔物sp2的第一部分ill包括低电阻率绝缘体，因此，可抑制三相点p1处的电子生成。此外，即使电子被散射到第一部分ill，也可防止产生二次电子。另一方面，第二间隔物sp2的第二部分ilh是不容易产生电子并且散射电子的碰撞频率低的部分。第二间隔物sp2的第二部分ilh包括高电阻率绝缘体，因此，即使在高电压状态下，x射线管也可保持绝缘状态。
58.第一部分ill和第二部分ilh之间的接触点的第一电平lv1可低于靶15的最下部分的第二电平lv2。也就是说，第一电平lv1可与第一部分ill的最上部分的电平lv1基本相同，并且第一部分ill的最下部分的电平可高于发射器12的最上部分的电平。
59.为了使x射线管在高电压状态下保持绝缘，在第二间隔物sp2内需要至少一定比率的第二部分ilh。与本发明构思的实施例不同，在第二电平lv2低于第一电平lv1的构造的情况下，阳极电极14沿着第一方向d1延伸，使得靶15比第一部分ill和第二部分ilh之间的接触点更靠近阴极电极11。在这种情况下，发射器12和靶15彼此相邻地定位，由于电子束与靶15之间的碰撞而产生的散射电子的一部分可能与发射器12碰撞。因此，存在损坏发射器12的风险。根据本发明构思，靶15位于高于第一部分ill和第二部分ilh之间的接触点的位置，并且可防止在靶15中生成的散射电子与发射器12碰撞。因此，x射线管的可靠性可增加。
60.根据本发明构思的第二间隔物sp2可通过以下方法形成。对于一个示例，基于包括添加剂的氧化铝(al2o3)绝缘体的总重量，将大于约2wt％的二氧化钛(tio2)添加到氧化铝的一部分(与第二间隔物sp2的第一部分ill相应)，并且将不大于约2wt％的二氧化钛(tio2)添加到其余部分(与第二间隔物sp2的第二部分ilh相应)。然后，可烧结生成物。当在氢气气氛中进行高温热处理时，可形成第二间隔物sp2的第一部分ill和第二部分ilh。至少一部分二氧化钛(tio2)可在氢气气氛中还原并形成ti2o3和/或tio2。另外，可在与栅极电极13接触的部分上执行金属化工艺。可通过金属化工艺(钎焊结合)在真空状态下增加第二间
隔物sp2和栅极电极13之间的粘合强度。
61.图3是示出根据实施例的x射线管的结构的横截面图。由于除了下面描述的特征之外的特征与图2中描述的特征重叠，因此将省略重叠的描述。
62.参照图3，金属膜17可被选择性地设置在第二间隔物sp2的第一部分ill的外周表面上。金属膜17可与第二间隔物sp2的第一部分ill直接接触。根据实施例，金属膜17可通过附加的连接装置电连接到第二间隔物sp2的第一部分ill。金属膜17可不设置在第二间隔物sp2的第二部分ilh的外周表面上。此外，金属膜17可不设置在第二间隔物sp2的内周表面上。
63.金属膜17可包括金属材料，诸如例如铜。金属膜17可以是直接施加在第一部分ill上的薄膜(例如，厚度小于或等于约1μm)或块体(bulk)形式的金属厚膜(例如，厚度大于约1μm)。金属膜17连接到接地电源，并且可去除与第一部分ill碰撞的电荷。
64.图4是示出根据实施例的x射线管的结构的横截面图。由于除了下面描述的特征之外的特征与图3中描述的特征重叠，因此将省略重叠的描述。
65.参照图4，根据实施例的x射线管可包括设置在第二间隔物sp2与栅极电极13之间的导电结构ms。导电结构ms可包括(例如)金属合金。金属合金可包括可伐合金或包括铁、镍和钴的超级可伐合金。
66.导电结构ms具有管状形状且可弯曲。对于一个示例，导电结构ms的一个侧表面可具有“l”形状。发射器12可与靶15水平间隔开，并且窗口ww可与靶15垂直间隔开。可通过调节导电结构ms的形状来调节发射器12、靶15和窗口ww的位置和布置。
67.窗口ww可形成在导电结构ms的与靶15垂直重叠的区域中。具体地，窗口ww可通过穿过导电结构ms而形成。导电结构ms可连接到接地电源。
68.可抑制在导电结构ms与第二间隔物sp2接触的三相点处产生电子，并且可通过导电结构ms和/或连接到接地电源的金属膜17去除散射电子。
69.根据实施例，图2至图4中的第一间隔物sp1也可如在第二间隔物sp2中那样有具有低电阻率的第一部分ill和具有高电阻率的第二部分ilh。
70.根据本发明构思的实施例的x射线管包括间隔物，该间隔物包括具有不同电阻率的第一部分和第二部分。间隔物的第一部分与插置在阴极电极和阳极电极之间的电极中最靠近阳极电极的电极接触。间隔物的第一部分的电阻率被调节为低于第二部分的电阻率，因此，即使在高电压下也可稳定地操作x射线管。此外，第一部分和第二部分之间的接触位置被定位成低于靶的最下部分，因此可提高x射线管的可靠性。
71.已经参照附图描述了本发明构思的实施例，但是在不改变技术构思或基本特征的情况下，本公开可以以其他特定形式体现。因此，上述实施例在所有方面都被认为是说明性的而非限制性的。
技术特征：1.一种x射线管，包括：第一电极；第二电极，与第一电极间隔开；靶，设置在第二电极的下部；发射器，在第一电极上；第三电极，位于第一电极和第二电极之间，并且在与所述发射器垂直对应的位置处包括开口；以及间隔物，设置在第三电极上，并且围绕第二电极，其中，间隔物包括位于第三电极附近的第一部分和设置在所述第一部分上的第二部分，并且间隔物包括陶瓷绝缘体和分散在所述陶瓷绝缘体内的导电掺杂物，其中，间隔物的所述第一部分中的导电掺杂物的含量大于所述第二部分中的导电掺杂物的含量，并且第三电极与间隔物的所述第一部分接触。2.如权利要求1所述的x射线管，其中，第一电极至第三电极中的每一个包括金属，并且第三电极是最靠近第一电极的金属电极。3.如权利要求1所述的x射线管，其中，间隔物的所述第一部分和所述第二部分之间的接触点的电平低于所述靶的最下部分的电平。4.如权利要求1所述的x射线管，还包括：第四电极，插置在第二电极与第三电极之间，其中，第四电极位于比第二电极更靠近第三电极的位置。5.如权利要求1所述的x射线管，其中，所述陶瓷绝缘体包括氧化铝(al2o3)、氧化锆(zro2)或氧化钇(y2o3)中的一种，并且导电掺杂物包括二氧化钛(tio2)。6.如权利要求1所述的x射线管，其中，间隔物的所述第一部分的体积电阻率小于所述第二部分的体积电阻率。7.如权利要求1所述的x射线管，其中，间隔物的所述第一部分具有小于或等于10
12
ω
·
cm的电阻率，并且间隔物的所述第二部分具有大于10
12
ω
·
cm的电阻率。8.如权利要求1所述的x射线管，其中，间隔物具有圆柱形管状形状，并且所述x射线管还包括金属膜，其中，所述金属膜设置在间隔物的所述第一部分的外圆周表面上，其中，所述金属膜连接到接地电源。9.如权利要求8所述的x射线管，其中，所述金属膜与间隔物的所述第一部分接触。10.如权利要求8所述的x射线管，其中，所述金属膜电连接到间隔物的所述第一部分。11.如权利要求1所述的x射线管，其中，所述陶瓷绝缘体包括氧化铝(al2o3)，并且导电掺杂物包括二氧化钛(tio2)，其中，间隔物的所述第一部分中的二氧化钛(tio2)的含量大于或等于2wt％，并且间隔物的所述第二部分中的二氧化钛(tio2)的含量大于0wt％且小于2wt％。12.如权利要求1所述的x射线管，还包括：导电结构，插置在间隔物与第三电极之间，其中，所述导电结构包括可伐合金。
13.如权利要求12所述的x射线管，其中，所述导电结构具有管状形状并且是弯曲的，并且所述x射线管还包括穿过导电结构的窗口。14.一种x射线管，包括：阴极电极；阳极电极，与阴极电极垂直地间隔开；靶，设置在阳极电极的下部；发射器，在阴极电极上；以及间隔物，设置在阴极电极上并且围绕阳极电极，其中，间隔物包括陶瓷绝缘体和分散在所述陶瓷绝缘体内的导电掺杂物，并且，间隔物包括位于阴极电极附近的第一部分和设置在所述第一部分上的第二部分，其中，间隔物的所述第一部分中的导电掺杂物的含量大于所述第二部分中的导电掺杂物的含量。15.一种x射线管，包括：阴极电极；阳极电极，与阴极电极垂直地间隔开；靶，设置在阳极电极的下部；发射器，在阴极电极上；栅极电极，位于阴极电极和阳极电极之间，并且在与发射器垂直对应的位置处包括开口；以及间隔物，设置在栅极电极上并围绕阳极电极，其中，间隔物包括位于栅极电极附近的第一部分和设置在所述第一部分上的第二部分，其中，间隔物的所述第一部分包括第一陶瓷绝缘体，并且所述第二部分包括第二陶瓷绝缘体，其中，第一陶瓷绝缘体包括与第二陶瓷绝缘体不同的金属氧化物，并且第一陶瓷绝缘体的电阻率小于第二陶瓷绝缘体的电阻率，其中，间隔物的所述第一部分和所述第二部分之间的接触点的电平低于靶的最下部分的电平。16.如权利要求15所述的x射线管，还包括：导电掺杂物，分散在第一陶瓷绝缘体中。17.如权利要求15所述的x射线管，其中，间隔物的所述第一部分具有小于或等于10
12
ω
·
cm的电阻率，并且间隔物的所述第二部分具有大于10
12
ω
·
cm的电阻率。18.如权利要求15所述的x射线管，其中，间隔物具有圆柱形管状形状，并且所述x射线管还包括金属膜，其中，所述金属膜设置在间隔物的所述第一部分的外圆周表面上，其中，所述金属膜连接到接地电源。19.如权利要求15所述的x射线管，还包括：导电结构，插置在间隔物与栅极电极之间，其中，所述导电结构包括可伐合金，并且
所述导电结构连接到接地电源。20.如权利要求19所述的x射线管，其中，所述导电结构具有管状形状并且是弯曲的，并且x射线管还包括穿过导电结构的窗口。
技术总结提供了一种X射线管，其中，所述X射线管包括第一电极、与第一电极间隔开的第二电极、设置在第二电极的下部的靶、第一电极上的发射器、位于第一电极和第二电极之间并且在与发射器垂直对应的位置处包括开口的第三电极、以及设置在第三电极上并且围绕第二电极的间隔物。间隔物包括位于第三电极附近的第一部分和设置在第一部分上的第二部分。间隔物包括陶瓷绝缘体和分散在陶瓷绝缘体内的导电掺杂物。间隔物的第一部分中的导电掺杂物的含量大于第二部分中的导电掺杂物的含量。第三电极与间隔物的第一部分接触。的第一部分接触。的第一部分接触。
技术研发人员：宋润镐 姜俊泰 金栽佑 郑珍宇
受保护的技术使用者：韩国电子通信研究院
技术研发日：2022.04.29
技术公布日：2022/11/1
