1.本发明属于半导体检测技术领域，尤其涉及一种半导体前段工艺中用于晶圆切割后晶粒外观的检测方法。
背景技术：2.半导体、显示以及新能源等测试领域，检测方法的优劣直接关系到生产效率、质量和产品市场竞争力。以晶圆的生产过程为例，晶圆切割后晶粒外观的检测过程是必不可少的，其关系到产品后续使用的可靠性和准确性。晶圆切割成晶粒后，晶粒装载于tray盘的槽格内，一般由机械手将tray盘抓取再搬运到检测工位。对晶粒进行光学检测时需要对晶粒多个特定表面进行检测。现有的检测方法一般将单个晶粒朝上的一面先检测，然后对单个晶粒进行翻面，改变朝向后再检测另一个特定表面，然后分别将检测结果为ok（合格）或ng（不合格）的晶粒输出。
3.现有的用于晶圆切割后晶粒外观的检测方法至少存在以下缺陷：一、单个晶粒翻面检测，一体化程度低，节拍时间长，限制了效率的提高；二、从上料至下料之间的多个检测工位是平行排布以应对不同特定表面的检测，在不同的检测工位流转路径统筹协调性不高，检测占用空间大；三、分拣粗略，仅区分合格与不合格，并只从一个下料位输出，对于不合格的晶粒并不按不合格的项目分选输出，还必须要其他工段再对ng的晶粒继续检测才能完成质量检验的要求，而且检测后不直接分级下料增加了二次分拣的工序，效率低且增加了晶粒被污染的可能性，检测一体化程度低。此外，单单区分ok与ng显然不符合生产实际，一方面无法评估ng的晶粒能否返工修复再利用，对ng的晶粒直接弃用，浪费巨大；另一方面不评估晶粒的具体不合格项目，也就不能对ng进行分级，也就不能将检测结果用以指导质量及工艺的改进。因此，现有的用于晶圆切割后晶粒外观的检测方法不利于半导体检测工艺的进一步发展。
技术实现要素：4.本发明是为解决上述现有技术的全部或部分问题，本发明提供了一种用于晶圆切割后晶粒外观的检测方法，能高效地完成多个表面的检测且一体化进行ng分拣分级输出。
5.本发明的一种用于晶圆切割后晶粒外观的检测方法，使用检测设备一体实施；所述检测设备包括上位机、圆周输送线、沿所述圆周输送线设置的多个工位；所述上位机用于控制所述多个工位工作；所述多个工位包括上料工位、若干检测工位、翻面工位和分拣工位；所述分拣工位设置有至少两个下料口；所述检测方法包括：将若干晶粒在所述上料工位上料，并由所述圆周输送线流转到不同的工位依次进行：对所述若干晶粒朝上一面进行光学检测；翻面改变所述若干晶粒朝上的一面后，进行光学检测；根据检测结果，将不合格的晶粒分级后输出；其中，所述检测结果包括检测项目信息；所述检测项目信息包括不合格标记、缺陷特征；所述分级后输出的方法包括：在所述上位机中基于不同的缺陷特征对应定义多个缺陷级别，并定义所述缺陷级别与所述下料口的对应关系；所述上位机获取所述检测
项目信息，将有所述不合格标记的晶粒作为目标晶粒；基于所述目标晶粒的所述缺陷特征，确定所述目标晶粒的缺陷级别；所述上位机控制所述分拣工位基于所述对应关系与所述目标晶粒的缺陷级别将所述目标晶粒的从对应的所述下料口输出。
6.沿一个圆周方向流转若干晶粒，检测不同的朝向获取多个检测面的检测结果，检测空间布局更合理；在所述分拣工位设置至少两个下料口，基于不同的缺陷特征对应定义多个缺陷级别，并定义所述缺陷级别与所述下料口的对应关系，分别将晶粒按照缺陷级别分开输出，在分选合格与不合格晶粒的同时可以根据实际检测要求的定义基于不同位置检测得到的缺陷特征（例如缺陷在检测面中的位置、缺陷的数量等），将不合格晶粒分级后对应输出到不同的下料口，既能提高了分拣工序的一体化程度，减少了分拣次数，降低了晶粒污染损失的风险又能在圆周路径上连续完成各个工序，运动行程更好地统筹协调，进一步优化了节拍时间，利于提高生产效率。
7.所述圆周输送线是圆形转台，所述圆形转台上设置有至少第一承载治具和至少一个第二承载治具；将晶粒正面朝上记为第一朝向，将晶粒背面朝上记为第二朝向；将若干晶粒在所述上料工位上料，并流转到不同的工位的方法包括：将所述第一朝向的多个晶粒承载于料盘内，将所述料盘记为第一料盘；将所述第一料盘置于所述第一承载治具；所述圆形转台转动将所述第一承载治具流转至所述若干检测工位检测，完成所述第一料盘中全部所述第一朝向的晶粒检测后所述圆形转台转动将所述第一承载治具流转至所述翻面工位；所述翻面工位设置有料盘，记为第二料盘；在所述翻面工位将所述第一料盘中的整盘晶粒翻转入第二料盘内，所述第二料盘内的晶粒为所述第二朝向；将所述第二料盘置于所述第二承载治具；所述圆形转台转动将所述第二料盘流转至所述若干检测工位检测；检测完成所述第二料盘中全部所述第二朝向的晶粒后，所述圆形转台转动将所述第二料盘流转至所述分拣工位。
8.通过将整盘晶粒作为工作单位沿圆周方向流转进行检测，并将整盘晶粒进行翻面，由若干检测工位以料盘为单位按检测要求分别检测，既能针对不同的检测指标更全面检测获取需要的检测项目结果，更好地符合特定应用需求，又能大幅减少单个晶粒的取放，简化控制程序和取放机构的设置，提高流转效率进而提高整体的检测效率。
9.所述检测项目信息还包括：晶粒在所述第二料盘中的位置信息；将所述目标晶粒的从对应的所述下料口输出的方法包括：所述上位机获取所述目标晶粒的所述位置信息，将所述目标晶粒从所述第二料盘中取出后从所述下料口输出。在检测中，分拣ng和ok的最终目的往往并不是简单的将ng的晶粒报废，而是通过后期的对应ng的问题点相应修复还可以再利用把它变成ok品，因此分拣过程中通过在所述第二料盘中的位置信息及对应的缺陷特征，能够将ng晶粒作为目标晶粒对应分级取出并从对应的下料口输出，有利于完善整个生产流程的自动化程度，既能节约工时、成本又能提高质量检验的实际效果。
10.所述多个工位还包括下料工位、补料工位；所述检测方法还包括：将满盘合格的晶粒从所述下料工位输出；获取所述满盘合格的晶粒的过程包括：将当前流转至所述补料工位的所述第二料盘记为pi，i≥1，为自然数；初始化i=1，p1中存在合格的晶粒，将p1中合格的晶粒全部存放至所述补料工位；i=i+1；判断所述补料工位存有的合格晶粒是否能将所述pi补满：若能，则将pi补满后流转至所述下料工位；若不能，则将pi中合格的晶粒存在所述补料工位。通过设置所述补料工位，将所述第二料盘经过所述分拣工位后先至补料工位，在
所述补料工位将所述第二料盘因不合格的晶粒被输出而空缺的槽格补满后整盘输出合格的晶粒，省去了后续再次转存合格晶粒至其他料盘的工序，可直接以料盘为工作单位处理合格的晶粒，提高整体生产效率；所述补料工位自动从所述第二料盘中获取合格的晶粒用于后续的补料，补料全过程无须人工介入，自动化程度更高。
11.在所述翻面工位将所述第一料盘中的整盘晶粒翻转入第二料盘内的方法包括：将所述第二料盘覆盖在所述第一料盘上，整体一同翻转；翻转后整体抖动。
12.所述若干检测工位有两个，分别记为第一检测工位和第二检测工位；所述第一检测工位用于检测晶粒正面底层，所述第二检测工位用于检测晶粒线路面和正面外层。一般需要检测的晶粒特定面包括cg外层（晶粒正面外层，一般是玻璃外表面）、bga面（晶粒背面，即线路面）及cg内层（包括晶粒正面底层，一般是玻璃内表面，指玻璃与发光体交界面）等，每个面都需要检测，通过设置两个检测工位分别配置不同类型的工业相机对晶粒多个特定表面进行准确检测。
13.所述圆形转台转动将所述第一承载治具流转至所述若干检测工位检测的过程包括：所述圆形转台转动将所述第一承载治具转至所述第一检测工位检测晶粒正面底层；完成所述第一料盘中全部晶粒的检测后，所述圆形转台转动将所述第二承载治具转至所述第二检测工位检测晶粒正面外层；所述圆形转台转动将所述第二料盘流转至所述若干检测工位检测是指将所述第二承载治具转至所述第二检测工位检测晶粒线路面。
14.所述多个工位还包括预留工位，用于实施补充工序；所述补充工序包括检测新增的检测项目、在到达所述若干检测工位之前对所述第一料盘和/或第二料盘中的晶粒进行预检确定是否存在缺料和/或晶粒朝向是否正确。通过在圆周上增加设置预留工位，能够进一步应对客户多样化的检测需求，对增加的检测项目实施补充工序。即使客户没有额外检测需求时，也能够进一步对流转到所述检测工位的晶粒进行预检测，可以评估是否存在缺料、朝向是否正确，可以根据检测工作实际情况进行补充工序提高检测质量和效果。
15.所述多个工位间隔均匀设置在一个圆周上。所述多个工位均匀分布在一个圆周上，在沿圆周方向流转时，便于设置运动步长，一方面便于控制物料的准确流转简化控制系统的设计难度；另一方面对生产空间的利用率更高、自动化程度更好。
16.将若干晶粒在所述上料工位上料，并流转到不同的工位的过程中，所述圆形转台转过的角度大于360
°
小于720
°
。在不到两个圆周的流转行程内完成翻面、检测及分拣输出，全程自动化且没有多余行程，最大程度缩短了节拍时间，整个检测过程的效率得到大幅提高。本发明另一方面提供的一种检测设备，用于一体化实施本发明一方面的用于晶圆切割后晶粒外观的检测方法。通过实施整盘翻面改变了传统的单颗晶粒翻面进行多次检测的做法，以料盘为单位实施多面检测，减少了取放动作频率简化了机械件的配置，设备稳定性更高、利于后期维护保养且检测效率大幅提高；通过所述分拣机构设置至少两个下料口，能够结合检测需求和生产实际将不合格的晶粒分级对应输出，利于整个生产质量的改进和晶粒的有效利用。
17.与现有技术相比，本发明的主要有益效果：本发明的一种用于晶圆切割后晶粒外观的检测方法，基于不同的缺陷特征对应定义多个缺陷级别，并定义所述缺陷级别与所述下料口的对应关系，能够结合实际检测需求和质量工作实际情况对晶粒的多个特定表面的不同位置进行检测并对不合格的晶粒进行
分级后对应从不同的下料口输出，既能分拣合格与不合格晶粒的同时将不合格的晶粒分级后分别输出，又能在圆周行程上连续完成各个工序，运动行程得到更好地统筹协调，进一步优化了节拍时间，利于提高生产效率。检测过程一体化程度高且分级直接输出，更符合后期质量评估及不合格晶粒的修复再利用的需求，自动化程度高，工位布局合理、设备占用空间少、运行稳定性。本发明的用于晶圆切割后晶粒外观的检测方法为合理优化质量提供了积极的方案。
附图说明
18.图1为本发明实施例的流转过程示意图。
19.图2为本发明实施例的检测设备示意图。
20.图3为本发明实施例的检测方法过程示意图。
21.图4为本发明实施例的补料、下料过程示意图。
具体实施方式
22.下面将对本发明具体实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
23.在下述实施例中采用特定次序描绘了实施例的操作，这些次序的描述是为了更好的理解实施例中的细节以全面了解本发明，但这些次序的描述并不一定与本发明的方法一一对应，并不能以此限定本发明的范围。
24.本发明实施例中，结合参考图1和图2所示，示例的用于晶圆切割后晶粒外观的检测方法使用检测设备一体实施。示例的检测设备包括上位机（未图示）、圆周输送线、沿圆周输送线设置的八个工位。上位机用于控制每个工位进行工作。示例的圆周输送线采用圆形转台t实现。如图1所示，沿圆形转台t外侧的圆周分别设有上料工位1、预留位2、第一检测工位3、第二检测工位4、分拣工位5、补料工位6、下料工位7和翻面工位8。如图2所示，圆形转台t上沿圆周内沿分别对应每个工位设置有一个第一承载治具t1和一个第二承载治具t2。沿圆形转台t外沿在相应工位分别设置有上料机构10、检测机构30和检测机构40及分拣机构50、翻面机构80。上料机构10用于在上料工位1将满盘待测晶粒输入圆形转台t进行流转；检测机构30和检测机构40分别对应设置在第一检测工位3和第二检测工位4，用于对待测晶粒的不同表面进行光学检测。翻面机构80设置在翻面工位8用于将整盘待测晶粒翻面。分拣机构50用于在分拣工位5分选不合格的晶粒并输出。示例的分拣机构50设置有五个下料口，用于输出不合格的晶粒分别至五个存储位501。示例的情况中根据检测需求将不合格的晶粒分为五个缺陷级别，每个缺陷级别对的应缺陷特征在上位机中进行预定义。示例的情况中根据现场实际情况定义五个下料口与缺陷级别的对应关系，对五个下料口分别标记级别编码可以直观的确定输出晶粒的缺陷级别，便于后续有针对性地进行修复及指导工艺优化。示例的检测设备还对应补料工位6和下料工位7设置有中转补料机构60、下料机构70。有些实施情况中，下料机构70也可以设置有多个下料口，在检测过程中也可以预定义合格晶粒的分级标准，根据检测项目信息匹配获取合格晶粒的等级后从下料机构70的多个下料口对
应输出，将合格晶粒也分级，在此不限定具体应用。
25.结合参考图1和图3，示例的用于晶圆切割后晶粒外观的检测方法包括：将若干晶粒在上料工位上料，并流转到不同的工位依次进行：对若干晶粒朝上一面进行光学检测；翻面改变若干晶粒朝上的一面后，进行光学检测；根据检测结果，将不合格的晶粒分级后输出；其中，检测结果包括检测项目信息；检测项目信息包括不合格标记、缺陷特征；分级后输出的方法包括：在上位机中基于不同的缺陷特征对应定义多个缺陷级别，并定义缺陷级别与下料口的对应关系；上位机获取检测项目信息，将有不合格标记的晶粒作为目标晶粒；基于目标晶粒的缺陷特征，确定目标晶粒的缺陷级别；上位机控制分拣工位基于对应关系与目标晶粒的缺陷级别将目标晶粒的从对应的下料口输出。
26.在本实施例中，将晶粒正面朝上记为第一朝向，将晶粒背面朝上记为第二朝向。示例的情况中将若干晶粒在上料工位上料，并流转到不同的工位的方法包括：将第一朝向的多个晶粒承载于料盘内，将料盘记为第一料盘；将第一料盘置于对应上料工位1的第一承载治具t1；圆形转台t转动将该第一承载治具t1依次转至第一检测工位3、第二检测工位4检测晶粒正面，，完成第一料盘中全部第一朝向的晶粒检测后，圆形转台t转动将第一承载治具t1转至翻面工位8；翻面工位设置有料盘，记为第二料盘；在翻面工位8用翻面机构80将第一料盘中的整盘晶粒翻转180
°
置于第二料盘内，第二料盘内的晶粒为第二朝向；将第二料盘置于一个第二承载治具t2；圆形转台t转动将第二料盘随该第二承载治具t2转至第二检测工位4检测晶粒反面即线路面；检测完成后将第二料盘流转至分拣工位5。上位机获取检测结果根据检测项目信息判断第二料盘中是否存在有不合格标记的晶粒，若存在则将不合格的晶粒在分拣工位5下料，挑出不合格的晶粒后第二料盘继续向补料工位6流转；在补料工位6将第二料盘空缺的晶粒补满，将第二料盘流转至下料位7将整盘的合格晶粒输出。示例情况中，将多个晶粒正面朝上是有利的，在单晶粒上下料时，只能吸附背面，因而正面向上上料方便。示例的第一料盘和第二料盘可以承载的晶粒数量从20至168颗不等，以料盘为单位在各个工位流转，效率远高于单颗晶粒在多工位间流转，也更加优化了流转的动作行程，利于减少转运机械手的设置，简化设备结构设计，提高了生产空间利用率。
27.在本实施例中，示例的检测项目信息还包括：晶粒在第二料盘中的位置信息。示例的位置信息以坐标形式表征，通过晶粒的坐标可以定位该晶粒所在第二料盘中哪一排哪一列的槽格中。将目标晶粒的从对应的下料口输出的方法包括：上位机获取目标晶粒的位置信息，控制分拣机构50将目标晶粒从第二料盘中对应的槽格中取出后从下料口输出。
28.示例的情况中依据要求而选择的用于检测的工业相机倍率。在本实施例中，第一检测工位3的工业相机是2倍镜，飞拍检测晶粒正面底层，第二检测工位4的工业相机是大靶面相机用于检测晶粒线路面和正面外层。晶粒上有一层薄薄的玻璃。一般需要检测的晶粒特定面包括cg外层（晶粒正面外层，一般是玻璃外表面）、bga面（晶粒背面，即线路面）及cg内层（包括晶粒正面底层，一般是玻璃内表面，指玻璃与发光体交界面）等，第一检测工位3和第二检测工位4位置可以互换，并不限定。工业相机在进行自动光学检测时获取目标晶粒在料盘中的坐标记录位置信息，检测完成后将缺陷特征与该晶粒的坐标作为检测项目信息的一部分共同存储。有的实施情况中缺陷特征包括检测晶粒上出现缺陷的具体位置，也通过坐标形式记录，在此并不限定，缺陷特征还可以包括缺陷的数量。分选时能结合晶粒在料盘中的位置以及不合格标记、缺陷数量、缺陷特征（如缺陷出现在晶粒上的具体位置等）综
合分析确定是否合格并确定缺陷级别，分选更细致全面，分选结果更可靠；分级定向输出对后段工序的效用最大化，整体效率高。
29.在本实施例中，获取满盘合格的晶粒的过程，如图4示例，包括：将当前流转至补料工位的第二料盘记为pi，i≥1，为自然数；初始化i=1，p1中存在合格的晶粒，将p1中合格的晶粒全部存放至补料工位6；i=i+1；判断补料工位6存有的合格晶粒是否能将pi补满：若能，则将pi补满后流转至下料工位7；若不能，则将pi中合格的晶粒存在补料工位6。通过设置补料工位，将第二料盘经过分拣工位后先至补料工位，在补料工位将第二料盘因不合格的晶粒被输出而空缺的槽格补满后整盘输出合格的晶粒，省去了后续再次转存合格晶粒至其他料盘的工序，可直接以料盘为工作单位处理合格的晶粒，提高整体生产效率，自动化程度高。
30.本实施例中，将第一料盘中的整盘晶粒翻转置于第二料盘内的做法包括：将空的第二料盘覆盖在第一料盘上，整体一同翻转；翻转后整体抖动。晶粒一般较小也较轻，直接翻转后可能还有部分晶粒没有落入第二料盘的槽格内，通过翻转后整体抖动进一步保障翻面过程中晶粒全部翻面并落在第二料盘中。
31.在本实施例中，多个工位还包括预留工位2，用于实施补充工序。示例的补充工序包括检测新增的检测项目、在到达第一检测工位3之前对第一料盘和第二料盘中的晶粒进行预检确定是否存在缺料及晶粒朝向是否正确。通过在圆周上增加设置预留工位，能够进一步应对客户多样化的检测需求，对增加的检测项目实施补充工序。例如可以在预留工位2增加工业相机，检测第二料盘中的晶粒是否是所有都被翻起来，很规整的平躺在每个槽格里。在此不限定预留工位2的数量和具体应用。
32.示例的情况中包含预留工位2后，示例的工位有8个，间隔均匀设置在一个圆周上。示例的情况偶数个工位能均分圆周，在沿圆周方向流转时，便于设置运动步长，一方面便于上位机控制物料的准确流转简化控制系统的设计难度；另一方面对生产空间的利用率更高、自动化程度更好。在本实施例中，将若干晶粒在上料工位上料，并流转到不同的工位的过程中，圆形转台t转过的角度大于360
°
小于720
°
。示例的情况中，从上料工位1上料至下料工位7整盘下料，一次流转圆形转台t转过630
°
，在不到两个圆周的流转行程内完成翻面、检测及分拣输出，全程自动化且没有多余行程，最大程度缩短了节拍时间。
33.在本实施例中，圆形转台t上对应每个工位都设置有第一承载治具t1和第二承载治具t2。在实际生产应用中特别有利于连续的大批量检测工作，可以在圆周输送线输送上一个第一料盘的同时，连续上料，全程不间断进行检测并分级下料，进一步提高了整体的生产效率和检测速度。
34.由上述实施例可知，用于晶圆切割后晶粒外观的检测方法，在圆周方向上一体化运行，由上位机控制多个工位工作，实施对晶粒的不同朝向光学检测，在不到两个圆周的行程内完成两种朝向晶粒多个层面的光学检测，并通过上位机获取检测项目信息，对标记为不合格的晶粒用户可以根据实际情况并基于其缺陷特征定义缺陷级别，在分拣工位将晶粒按照缺陷级别进行分选。改变了以单颗晶粒在多个工位流转的做法，并且不仅仅直接区分合格与不合格，还将不合格的晶粒结合具体产品质量要求及检测需求进行分级输出，在保障一体化高效率的前提下充分利用检测得到的信息，灵活定义缺陷级别，检测、评估、分选作为一个整体完成。在生产实际中该用于晶圆切割后晶粒外观的检测方法对于多批大量晶
粒的检测工作有特别明显的优势。
35.还需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
技术特征：1.一种用于晶圆切割后晶粒外观的检测方法，其特征在于：使用检测设备一体实施；所述检测设备包括上位机、圆周输送线、沿所述圆周输送线设置的多个工位；所述上位机用于控制所述多个工位工作；所述多个工位包括上料工位、若干检测工位、翻面工位和分拣工位；所述分拣工位设置有至少两个下料口；所述检测方法包括：将若干晶粒在所述上料工位上料，并由所述圆周输送线流转到不同的工位依次进行：对所述若干晶粒朝上一面进行光学检测；翻面改变所述若干晶粒朝上的一面后，进行光学检测；根据检测结果，将不合格的晶粒分级后输出；其中，所述检测结果包括检测项目信息；所述检测项目信息包括不合格标记、缺陷特征；所述分级后输出的方法包括：在所述上位机中基于不同的缺陷特征对应定义多个缺陷级别，并定义所述缺陷级别与所述下料口的对应关系；所述上位机获取所述检测项目信息，将有所述不合格标记的晶粒作为目标晶粒；基于所述目标晶粒的所述缺陷特征，确定所述目标晶粒的缺陷级别；所述上位机控制所述分拣工位基于所述对应关系与所述目标晶粒的缺陷级别将所述目标晶粒的从对应的所述下料口输出。2.根据权利要求1所述的用于晶圆切割后晶粒外观的检测方法，其特征在于：所述圆周输送线是圆形转台，所述圆形转台上设置有至少第一承载治具和至少一个第二承载治具；将晶粒正面朝上记为第一朝向，将晶粒背面朝上记为第二朝向；将若干晶粒在所述上料工位上料，并流转到不同的工位的方法包括：将所述第一朝向的多个晶粒承载于料盘内，将所述料盘记为第一料盘；将所述第一料盘置于所述第一承载治具；所述圆形转台转动将所述第一承载治具流转至所述若干检测工位检测，完成所述第一料盘中全部所述第一朝向的晶粒检测后所述圆形转台转动将所述第一承载治具流转至所述翻面工位；所述翻面工位设置有料盘，记为第二料盘；在所述翻面工位将所述第一料盘中的整盘晶粒翻转入第二料盘内，所述第二料盘内的晶粒为所述第二朝向；将所述第二料盘置于所述第二承载治具；所述圆形转台转动将所述第二料盘流转至所述若干检测工位检测；检测完成所述第二料盘中全部所述第二朝向的晶粒后，所述圆形转台转动将所述第二料盘流转至所述分拣工位。3.根据权利要求2所述的用于晶圆切割后晶粒外观的检测方法，其特征在于：所述检测项目信息还包括：晶粒在所述第二料盘中的位置信息；将所述目标晶粒的从对应的所述下料口输出的方法包括：所述上位机获取所述目标晶粒的所述位置信息，将所述目标晶粒从所述第二料盘中取出后从所述下料口输出。4.根据权利要求2所述的用于晶圆切割后晶粒外观的检测方法，其特征在于：所述多个工位还包括下料工位、补料工位；所述检测方法还包括：将满盘合格的晶粒从所述下料工位输出；获取所述满盘合格的晶粒的过程包括：将当前流转至所述补料工位的所述第二料盘记为pi，i≥1，为自然数；初始化i=1，p1中存在合格的晶粒，将p1中合格的晶粒全部存放至所述补料工位；i=i+1；
判断所述补料工位存有的合格晶粒是否能将所述pi补满：若能，则将pi补满后流转至所述下料工位；若不能，则将pi中合格的晶粒存在所述补料工位。5.根据权利要求2所述的用于晶圆切割后晶粒外观的检测方法，其特征在于：在所述翻面工位将所述第一料盘中的整盘晶粒翻转入第二料盘内的方法包括：将所述第二料盘覆盖在所述第一料盘上，整体一同翻转；翻转后整体抖动。6.根据权利要求4所述的用于晶圆切割后晶粒外观的检测方法，其特征在于：所述若干检测工位有两个，分别记为第一检测工位和第二检测工位；所述第一检测工位用于检测晶粒正面底层，所述第二检测工位用于检测晶粒线路面和正面外层。7.根据权利要求6所述的用于晶圆切割后晶粒外观的检测方法，其特征在于：所述圆形转台转动将所述第一承载治具流转至所述若干检测工位检测的过程包括：所述圆形转台转动将所述第一承载治具转至所述第一检测工位检测晶粒正面底层；完成所述第一料盘中全部晶粒的检测后，所述圆形转台转动将所述第二承载治具转至所述第二检测工位检测晶粒正面外层；所述圆形转台转动将所述第二料盘流转至所述若干检测工位检测是指将所述第二承载治具转至所述第二检测工位检测晶粒线路面。8.根据权利要求2-7任一项所述的用于晶圆切割后晶粒外观的检测方法 ，其特征在于：所述多个工位还包括预留工位，用于实施补充工序；所述补充工序包括检测新增的检测项目、在到达所述若干检测工位之前对所述第一料盘和/或第二料盘中的晶粒进行预检确定是否存在缺料和/或晶粒朝向是否正确。9.根据权利要求2-7任一项所述的用于晶圆切割后晶粒外观的检测方法，其特征在于：所述多个工位间隔均匀设置在一个圆周上。10.根据权利要求2-7任一项所述的用于晶圆切割后晶粒外观的检测方法，包括：将若干晶粒在所述上料工位上料，并流转到不同的工位的过程中，所述圆形转台转过的角度大于360
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小于720
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技术总结本发明提供一种用于晶圆切割后晶粒外观的检测方法，包括：将若干晶粒在所述上料工位上料，并流转到不同的工位依次进行：对所述若干晶粒朝上一面进行光学检测；翻面改变所述若干晶粒朝上的一面后，进行光学检测；根据检测结果，将不合格的晶粒分级后输出。基于不同的缺陷特征对应定义多个缺陷级别，并定义所述缺陷级别与所述下料口的对应关系；上位机控制分拣工位基于所述对应关系与目标晶粒的缺陷级别将所述目标晶粒的从对应的所述下料口输出，流转行程合理、节拍时间短、一体化程度高且分级输出利于后期质量评估及不合格晶粒的修复以再利用，提高了整体生产效率。提高了整体生产效率。提高了整体生产效率。
技术研发人员：肖治祥 朱涛 商秋峰 叶坤
受保护的技术使用者：武汉精测电子集团股份有限公司
技术研发日：2022.06.30
技术公布日：2022/11/1
